Жидяев Кирилл Сергеевич
Научно-исследовательский физико-технический институт
Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники
Научно-исследовательская лаборатория "Лаборатория радиофотоники"
младший научный сотрудник
Научно-исследовательский физико-технический институт
Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники
Лаборатория спиновой и оптической электроники
младший научный сотрудник
Общие сведения
Научная Работа
Образование, учёные степени и учёные звания
Высшее образование
бакалавр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: бакалавр.
Высшее образование - специалитет, магистратура
бакалавр. Специальность: Электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.
Список преподаваемых дисциплин
Публикации
2025
Публикации в научных журналахЖидяев К.С., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Кудрин А.В. Влияние уровня легирования эмиттерных областей на динамику включения низковольтных GaAs-динисторов // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 59. 2025. С. 48-52.
2024
Публикации в научных журналахЖидяев К.С., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Кудрин А.В. Исследование влияния топологии полосковой мезаструктуры на основные параметры низковольтного GaAs-тиристора // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 58. 2024. С. 156-160.
Samartsev I.V., Zvonkov B.N., Baidusy N.V., Chigineva A.B., Zhidyaev K.S., Dikareva N.V., Zdoroveishchev A.V., Rykov A.V., Plankina S.M., Nezhdanov A.V., Ershov A.V. MOCVD Growth of InGaAs Metamorphic Heterostructures for Photodiodes with Low Dark Current // Semiconductors. № 5. V. 58. 2024. P. 451-456.
Samartsev I.V., Zvonkov B.N., Baidusy N.V., Chigineva A.B., Zhidyaev K.S., Dikareva N.V., Zdoroveishchev A.V., Rykov A.V., Plankina S.M., Nezhdanov A.V., Ershov A.V. MOCVD Growth of InGaAs Metamorphic Heterostructures for Photodiodes with Low Dark Current // Semiconductors. V. 58. 2024. P. 451–456.
2023
Труды (тезисы) конференцииЧигинева А.Б., Байдусь Н.В., Жидяев К.С. Влияние конструктивных особенностей базовых слоев ГФЭ МОС GaAs-тиристоров на их напряжение переключения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума (13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород). Изд-во ИПФ РАН, т. 2, 468 с. 2023. С. 584-585.
Публикации в научных журналахСамарцев И.В., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Чигинева А.Б., Жидяев К.С., Дикарева Н.В., Планкина С.М., Нежданов А.В., Ершов А.В. InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17−1.29мкм с дискретным метаморфным буферным слоем // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 57. 2023. С. 495-500.
2022
Труды (тезисы) конференцииЧигинева А.Б., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Жидяев К.С., Кукушкин В.А. Оптимизация параметров ГФЭ МОС GaAs тиристорных структур, для увеличения напряжения их переключения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 1061-1062.
Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев А.В., Жидяев К.С., Чигинева А.Б., Орлова А.Н., Павлов Д.А., Афоненко А.А., Ушаков Д.В. Особенности генерации волноводных мод в многоямных гетеролазерах // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. – Т.2. – 501 с. 2022. С. 948-949.
Жидяев К.С., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Чигинева А.Б., Самарцев И.В., Крюков А.В., Токарев В.А., Баклашов Д.И. Генерация оптических импульсов наносекундного диапазона в многоямных InGaAs/GaAs/AlGaAs гетеролазерах с увеличенной активной областью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 784-785.
Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Жидяев К.С., Чигинева А.Б., Чеченин Ю.И., Щитов А.М., Чиликов А.А., Панков С.В. Разработка и исследование эпитаксиальных структур InP на GaAs подложках // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. – Т.2. – 501 с. 2022. С. 950-951.
Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Chigineva A.B., Zhidyaev K.S. Metamorphic InGaAs photodiode with low dark current grown on GaAs substrate // 9th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Books of abstracts (May, 24-27, 2022, Saint-Petersburg, Russia). HSE University - St. Petersburg, 736 p. 2022. P. 203-204.
Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Жидяев К.С., Некоркин С.М., Самарцев И.В. Тиристорные A3B5-структуры, выращенные методом ГФЭ МОС, и приборы на их основе // XV Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов (3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород). ИПФ РАН. – 464 с. 2022. С. 385.
Самарцев И.В., Звонков Б.Н., Чигинева А.Б., Жидяев К.С., Планкина С.М. Фоточувствительные гетероструктуры на длину волны до 1,25 мкм, сформированные на подложках GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии // Современные проблемы физико-математических наук: VIII-я Всероссийская научно-практическая конференция с международным участием (СПФМН-2022), 25-26 ноября 2022, г. Орёл, Россия. Изд-во ОГУ. 2022. С. 10.
Орлова А.Н., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Жидяев К.С., Чигинева А.Б., Самарцев И.В. Исследование динамических характеристик лазерных диодов с увеличенной активной областью // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с. 2022. С. 46-48.
Жидяев К.С., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В. Генератор коротких оптических импульсов на основе гибридного лазера - тиристора с увеличенной активной областью // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с. 2022. С. 64-67.
Чигинева А.Б., Жидяев К.С., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Кукушкин В.А. Возможности приборного применения тиристорных А3В5 структур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с. 2022. С. 85-88.
Жидяев К.С., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Терешин А.И., Токарев В.А., Крюков А.В., Баклашов Д.И. Низковольтный тиристор на основе GaAs как коммутатор для низкоимпедансной нагрузки // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с. 2022. С. 124-127.
Себина А.А., Жидяев К.С., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В. Двухуровневая генерация многоямных гетеролазеров с выходом излучения через подложку // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с.. 2022. С. -. [принято к печати]
Публикации в научных журналахЧигинева А.Б., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Жидяев К.С., Котомина В.Е., Самарцев И.В. Влияние химической обработки и топологии поверхности на блокирующее напряжение GaAs тиристорных мезаструктур, выращенных методом ГФЭ МОС // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 56. 2022. С. 134-138.
2021
Труды (тезисы) конференцииЧигинева А.Б., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Жидяев К.С., Котомина В.Е., Ершов А.В., Токарев В.А., Крюков А.В., Баклашов Д.И. Влияние конструктивных и технологических особенностей на напряжение переключения низковольтных GaAs тиристорных структур, выращенных методом ГФЭ МОС // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (9–12 марта 2021г., Нижний Новгород). Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т. 2, 470 с. 2021. С. 915-916.
Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Жидяев К.С., Чигинева А.Б., Шейков Ю.В., Батьянов С.М., Руднев А.В., Ерунов С.В., Михайлов А.Л. Межзонный двухкаскадный лазер с двадцатью квантовыми ямами в активной области // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (9 - 12 марта 2021, Н.Новгород, Россия). Изд-во Нижегород. госуниверситета, Т. 2, 470 с. 2021. С. 780-781.
Жидяев К.С., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Себина А.А. Генератор коротких оптических импульсов на основе гибридного лазера-тиристора с увеличенной активной областью // XXV научная конференция по радиофизике. 14-26 мая 2021г., Н.Новгород, Россия. -. 2021. С. -. [принято к печати]
2020
Сборники статейЧигинева А.Б., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Жидяев К.С., Самарцев И.В. Сульфидная пассивация GaAs тиристорных меза-структур // Сборник статей XXXIV Международной научно-практической конференции «EurasiaScience». М.: НИЦ «Актуальность.РФ», Ч.1, 216 с. 2020. С. 119-121.
Труды (тезисы) конференцииЧигинева А.Б., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Жидяев К.С., Крюков А.В., Токарев В.А., Баклашов Д.И. Низковольтные тиристоры на основе GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (10 - 13 марта 2020, Н.Новгород, Россия). Изд-во Нижегород. госуниверситета, Т.2, 505 с. 2020. С. 794-795.
2019
Труды (тезисы) конференцииЧигинева А.Б., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Жидяев К.С., Демидов Е.В., Крюков А.В., Токарев В.А., Баклашов Д.И. Низковольтные тиристорные структуры на основе GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Изд-во Нижегородского госуниверситета. - Т.2.– 501 с. 2019. С. 874-875.
