Бобров Александр Игоревич

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория спиновой и оптической электроники

инженер

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в Университете Лобачевского: 2009
Общий стаж работы 13 лет, 3 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
магистр. Специальность: нанотехнология. Квалификация: магистр техники и технологии.

Среднее (полное) общее образование

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

04.05.2013
Повышение квалификации: Продвинутые куры по применению оборудования JEM-2100F (просвечивающий электронный микроск4оп высокого разрешения с полевой эмиссией, Международный тренинг-центр компании JEOL (г. Токио, Япония), 72 час.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2021

Труды (тезисы) конференции

Бобров А.И., Байдусь Н.В., Хазанова С.В., Горшков А.П., Сидоренко К.В., Шушунов А.Н., Малехонова Н.В., Нежданов А.В., Убыйвовк Е.В., Кулинич И.В. Методика контроля структуры и состава туннельно-связанных квантовых ям, проектируемых для создания модулятора по схеме интерферометра Маха-Цендера // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 72.

Бобров А.И., Байдусь Н.В., Хазанова С.В., Горшков А.П., Сидоренко К.В., Шушунов А.Н., Малехонова Н.В., Нежданов А.В., Убыйвовк Е.В., Кулинич И.В. Методика проектирования дизайна туннельно-связанных квантовых ям для модулятора по схеме Маха-Цендера // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 74.

2017

Монографии

Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Matveev S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Kruglov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Photodiodes based on Thick Ge/Si(001) Epilayers Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition. New York: Horizons in World Physics. Volume 288. Ed. Albert Reimer. / New York: Nova Science, 2017. Chapter 9. P.171-200. ISBN: 978-1-63485-882-3(eBook). 2017.

Публикации в научных журналах

Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shenina M.E., Korolev D.S., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Okulich E.V., Okulich V.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G. Filamentary model of bipolar resistive switching in capacitor-like memristive nanostructures on the basis of yttria-stabilised zirconia // International Journal of Nanotechnology. № 7/8. V. 14. 2017. P. 604-617.

Gorshkov O.N., Antonov I.N., Filatov D.O., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Bobrov A.I., Koryazhkina M.N., Kudryashov M.A., Korotaeva I. S. Fabrication of metal nanoparticle arrays in the ZrO2(Y), HfO2(Y), and GeOx films by magnetron sputtering // Advances in Materials Science and Engineering. V. 2017. 2017. P. 1759469.

2016

Труды (тезисы) конференции

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бобров А.И., Коряжкина М.Н., Нежданов А.В., Кудряшов М.А. Формирование методами магнетронного осаждения металлических наночастиц в матрицах ZrO2(Y), HfO2(Y) и GeOx для мемристорных структур // Материалы XX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 14-18 марта 2016). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 406 с. 2016. С. 543-544.

Дорохин М.В., Бобров А.И., Ведь М.В., Павлов Д.А., Лесников В.П., Ерофеева И.В., Демина П.Б., Малышева Е.И., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Эпитаксиальный слой MnGa – перспективный материал для практического применения в полупроводниковых приборах // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 435с. 2016. С. 564-565.

Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Belov A.I., Shenina M.E., Koryazhkina M.N., Guseinov D.V., Okulich V.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Antonov D.A., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching in capacitor-like structures based on ionic and covalent oxide dielectrics // Abstracts 20th International Symposium On Non-Oxide and New Optical Glasses. Nizhny Novgorod, Russia, August 21-26, 2016. 2016. P. 103-104.

Публикации в научных журналах

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Филатов Д.О., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бобров А.И., Павлов Д.А. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления // Письма в ЖТФ. № 1. Т. 42. 2016. С. 72-79.

Gorshkov O.N., Antonov I.N., Filatov D.O., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Forming Dense Arrays of Gold Nanoparticles in Thin Films of Yttria Stabilized Zirconia by Magnetron Sputtering // Technical Physics Letters. № 1. V. 42. 2016. P. 36-39.

Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Belov A.I., Koryazhkina M.N., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Gryaznov E.G., Antonov I.N., Shenina M.E. Resistive switching in the Au/Zr/ZrO2–Y2O3/TiN/Ti memristive devices deposited by magnetron sputtering // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 741. 2016. P. 012174.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Усов Ю.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1463-1468.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Demina P.B., Usov Yu.V., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu. Fabrication of MnGa/GaAs Contacts for Optoelectronics and Spintronics Applications // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1443-1448.

2015

Труды (тезисы) конференции

Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Светоизлучающие SiGe -структуры, выращенные на структурах «напряженный кремний на изоляторе» // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX международного симпозиума (Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.) в 2-х томах. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015.- Т. 2.- 359 с. 2015. С. 427-428.

Павлов Д.А., Бобров А.И., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Малехонова Н.В., Пирогов А.В. Исследование деформаций в кристаллической структуре массивов вертикально упорядоченных Ge(Si) самоформирующихся островков в кремниевой матрице // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX международного симпозиума (Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.) в 2-х томах. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015.- Т. 2.- 359 с. 2015. С. 437-439.

Пирогов А.В., Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Бобров А.И. Эпитаксиальный рост гексагональной модификации кремния на сапфире // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX международного симпозиума (Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.) в 2-х томах. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015.- Т. 2.- 359 с. 2015. С. 613-614.

Юрасов Д.В., Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Данильцев В.М., Малехонова Н.В., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А. Релаксированные Ge-слои на Si (001) и их легирование донорными примесями // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX международного симпозиума (Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.) в 2-х томах. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015.- Т. 2.- 359 с. 2015. С. 721-722.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксия ферромагнитных квазикристаллов MnxGay на поверхности GaAs // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015.. Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН.. 2015. С. 131.

Публикации в научных журналах

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I., Sobolev N.A. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion implanted silicon and effect of additional boron ion doping // Physica Status Solidi C. № 1-2. V. 12. 2015. P. 84-88.

Горшков О.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Филатов Д.О. Формирование нанокристаллов Au4Zr в стабилизированном диоксиде циркония в процессе имплантации ионов золота // Письма в ЖТФ. № 41. Т. 11. 2015. С. 62-70.

Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И., Павлов Д.А., Сайед С. Применение кобальта в спиновых светоизлучающих диодах Шоттки с квантовыми ямами InGaAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 7. 2015. С. 57-60.

Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I., Pavlov D.A., S. Saeid Application of Cobalt in Spin Light-Emitting Schottky Diodes with InGaAs/GaAs Quantum Wells // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron, and Neutron Techniques. № 4. V. 9. 2015. P. 706-709.

Gorshkov O.N., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Antonov I.N., Bobrov A.I., Filatov D.O. Formation of Au4Zr Nanocrystals in Yttria Stabilized Zirconia in the Course of Implantation of Gold Ions // Technical Physics Letters. № 6. V. 41. 2015. P. 543-546.

Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Бобров А.И., Вихрова О.В., Волкова Е.И., Малехонова Н.В., Сорокин Д.С. Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 3-5.

Pavlov D.A., Baidus N.V., Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Volkova E.I., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Sorokin D.S. Distribution of Elastic Strains Appearing in Gallium Arsenide as a Result of Doping with Isovalent Impurities of Phosphorus and Indium // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 1-3.

Павлов Д.А., Пирогов А.В., Кривулин Н.О., Бобров А.И. Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 98-101.

Pavlov D.A., Pirogov A.V., Krivulin N.O., Bobrov A.I. Epitaxial growth of hexagonal silicon polytypes on sapphire // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 95-98.

Кривулин Н.О., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Бобров А.И. Исследование кристаллической структуры наноостровков кремния на сапфире // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 49. 2015. С. 160-162.

Krivulin N.O., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Study of the crystal structure of silicon nanoislands on sapphire // Semiconductors. № 2. V. 49. 2015. P. 154-156.

Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках «напряженный кремний-на-изоляторе» с тонким слоем окисла // Физика и техника полупроводников. № 8. Т. 49. 2015. С. 11129-1135.

Baidakova N.A., Bobrov A.I., Drozdov M.N., Novikov A.V., Pavlov D.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Krasilynik Z.F. Growth of Light Emitting SiGe Heterostructures on Strained Silicon on Insulator Substrates with a Thin Oxide Layer // Semiconductors. № 8. V. 49. 2015. P. 1104-1110.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor // Materials Science and Engineering B. № 4. V. 194. 2015. P. 48-54.

Юрасов Д.В., Бобров А.И., Новиков А.В., Данильцев В.М., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Юнин П.А. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных Ge/Si(001) слоев, полученных методом МПЭ // Физика и техника полупроводников. Т. 49. 2015. С. 1463-1468.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I. Distribution of D1 Dislocation Luminescence Centers in Si+-Implanted Silicon and the Photoluminescence Model // Modern Electronic Materials. № 2. V. 1. 2015. P. 33-37.

Pavlov D.A., Baidus N.V., Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Volkova E.I., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Sorokin D.S. Distribution of Elas-tic Strains Appearing in Gallium Arsenide as a Result of Doping with Isovalent Impurities of Phosphorus and Indium // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 1-3.

Юрасов Д.В., Бобров А.И., Новиков А.В., Данильцев В.М., Павлов Д.А., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Юнин П.А. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных Ge/Si(001) слоев, полученных методом МПЭ // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1463-1468.

Yurasov D.V., Bobrov A.I., Daniltsev V.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Yunin P.A. Impact of Growth and Annealing Conditions on the Parameters of Ge/Si(001) Relaxed Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1415-1420.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А. Распределение центров дислокационной люминесценции D1 в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+, и модель фотолюминесценции // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015. [принято к печати]

2014

Труды (тезисы) конференции

Гусейнов Д.В., Горшков А.П., Денисов С.А., Иванова М.М., Волкова Н.С., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Алябина Н.А., Трушин В.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотодетекторы на базе гетероэпитаксиальных слоёв Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 684-685.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоёв MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Том 1. 2014. С. 135-136.

Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И., Павлов Д.А., Сайед С. Влияние металлической пленки кобальта на структуру и свойства светоизлучающего диода с квантовыми ямами InGaAs/GaAs // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Том 1. 2014. С. 146-147.

Павлов Д.А., Бобров А.И., Новиков А.В., Сорокин Д.С., Малехонова Н.В., Пирогов А.В. Исследование механизма вертикальной связи в массивах самоформирующихся Ge(Si)-наноостровков // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 406-407.

Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Бобров А.И., Вихрова О.В., Волкова Е.И., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Сорокин Д.С. Исследование поперечного среза гетероструктур с квантовыми точками InGaAs/GaAs и фосфидными слоями GaAsP // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 419-420.

Кривулин Н.О., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Бобров А.И. Исследование кристаллической структуры наноостровков кремния на сапфире // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 505-506.

Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Коблов Э.А., Сорокин Д.С. Структура и электрофизические свойства сверхреше-ток AlGaAs/GaAs, выращенных с различным временем прерывания эпитаксиального роста // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 536-537.

Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Бобров А.И., Пирогов А.В. Формирование ориентированной гексагональной фазы кремния // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 593-594.

Романова Ю.Ю., Додин Е.П., Ноздрин Ю.Н., Бирюков А.А., Байдусь Н.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Малехонова Н.В. Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с.. 2014. С. 607-608.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Effect of boron ion doping on dislocation-related luminescence in silicon // Abstracts of E-MRS 2014 Spring Meeting. Lille, France, 26-30 May, 2014.. 2014. P. 1-35.

Коряжкина М.Н., Тихов С.В., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Шенина М.Е. Нелинейный характеристики конденсаторов на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота // Третья школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов (Н. Новгород, 15-17 мая 2014). Конспекты лекций и тезисы докладов. Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского. - 175 с. 2014. С. 135-136.

Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Бобров А.И., Коблов Э.А. Определение оптимальных параметров роста сверхрешеток AlGaAs/GaAs с помощью ВРПЭМ исследований // XXV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2014.- Тез. докл.- Черноголовка, Россия, 2 - 6 июня 2014 г. ИПТМ РАН, Т. 1. 2014. С. 36-37.

Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Бобров А.И., Пирогов А.В. Формирование ориентированной гексагональной фазы кремния // XXV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2014.- Тез. докл.- Черноголовка, Россия, 2 - 6 июня 2014 г. ИПТМ РАН, Т. 1. 2014. С. 38-39.

Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Бобров А.И., Пирогов А.В. Определение деформаций в островках кремния на сапфире методом нанодифракции // XXV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2014.- Тез. докл.- Черноголовка, Россия, 2 - 6 июня 2014 г. ИПТМ РАН, Т. 1. 2014. С. 40-41.

Павлов Д.А., Бобров А.И., Сорокин Д.С., Малехонова Н.В., Пирогов А.В. Исследование вертикальной связи в массивах Ge(Si) наноостровков // XXV Российская конференция по электронной мик-роскопии РКЭМ-2014.- Тез. докл.- Черноголовка, Россия, 2 - 6 ию-ня 2014 г. ИПТМ РАН, Т. 1. 2014. С. 128-129.

Павлов Д.А., Пирогов А.В., Бобров А.И., Малехонова Н.В. Нанокристаллы в челябинском метеорите //.- С.528-529. // XXV Российская конферен-ция по электронной микроскопии РКЭМ-2014.- Тез. докл.- Черно-головка, Россия, 2 - 6 июня 2014 г. ИПТМ РАН, Т. 2. 2014. С. 528-529.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxy of MnGa ferromagnetic films on GaAs (100) for spintronic applications // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 253.

Волкова Е.И., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Бобров А.И., Сорокин Д.С., Байдусь Н.В. Исследование гетероструктур на основе арсенида галлия, легированного изовалентными примесями индия и фосфора, методом ВРПЭМ // Материалы нано-, микро-, опто-электроники и волоконной оптики: физические свойства и приме-нение: сб. тр. 13-й Меж-дунар. науч. конф.-шк., Саранск, 7–10 окт. 2014 г.. Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 180 с. 2014. С. 93.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Распределение структурных нарушений и центров дислокационной фотолюминесценции в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+ // Кремний – 2014 /Тезисы докладов X Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (Иркутск, 7–12 июля 2014 г.). Иркутск: Изд-во Института географии им. В.Б. Сочавы СО РАН, 229 с. 2014. С. 156.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Белов А.И., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Бобров А.И., Павлов Д.А. Теоретическое исследование пространственного распределения центров дислокационной люминесценции с учетом кинетики их формирования и влияния упругих напряжений в атмосферах дислокаций // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014. 2014. С. 60.

Карзанов В.В., Демидов Е.С., Павлова Е.Д., Бобров А.И., Подольский В.В., Лесников В.П., Малехонова Н.В., Тронов А.А. Электронография высокотемпературного алмазоподобного ферромагнетика на основе Si с самоорганизованным сверхрешёточным распределением примеси Mn // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 11-14 марта 2014 г. Нижний Новгород: изд. Нижегородского университета, Т.1, 2. 728 с. 2014. С. 133-134.

Карзанов В.В., Демидов Е.С., Павлова Е.Д., Бобров А.И., Подольский В.В., Лесников В.П., Малехонова Н.В., Тронов А.А. Лазерный синтез высокотемпературных ферромагнетиков на основе легированных марганцем GaSb, Ge и Si // Тезисы докладов V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Нижний Новгород, 27-31 октября 2014 г.. Нижний Новгород: изд. Нижегородского университета. 2014. 142 с.. 2014. С. 41-42.

Горшков О.Н., Шенина М.Е., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Формирование металлических наночастиц различного состава в стабилизированном диоксиде циркония, облученного ионами Au // Тезисы докладов V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" 27-31 октября 2014 года, Н.Новгород. Н.Новгород: ННГУ, 2014 - 142 с.. 2014. С. 63.

Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Тихов С.В., Шенина М.Е. Формирование наночастиц золота в плёнках стабилизированного диоксида циркония // Тезисы докладов V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" (Н. Новгород, 27-31 октября 2014 года). Н.Новгород: ННГУ, 2014 - 142 с.. 2014. С. 121-122.

Публикации в научных журналах

Бобров А.И., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Павлова Е.Д. Структурное совершенство и распределение примеси в магнитных полупроводниковых наногетеросистемах на основе GaAs // Известия РАН. Серия физическая. № 1. Т. 78. 2014. С. 18-21.

Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Drozdov Yu.N., Drozdov M.N., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Pavlova E.D. Structural Perfection and the Distribution of Impurities in Magnetic Semiconductor Nanoheterosystems Based on GaAs // Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. № 1. V. 78. 2014. P. 6-8.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н., Шенина М.Е. Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота // Письма в Журнал технической физики. № 9. Т. 40. 2014. С. 9-16.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si+ // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 48. 2014. С. 212-216.

Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Vasilyev V.K., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Shek E.I. Effect of Ion Doping on the Dislocation Related Photoluminescence in Si+ Implanted Silicon // Semiconductors. № 2. V. 48. 2014. P. 199-203.

Ершов А.В., Павлов Д.А., Грачев Д.А., Бобров А.И., Карабанова И.А., Чугров И.А., Тетельбаум Д.И. Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiOx /ZrO2, содержащей нанокластеры кремния // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 48. 2014. С. 44-48.

Ershov A.V., Pavlov D.A., Grachev D.A., Bobrov A.I., Karabanova I.A., Chugrov I.A., Tetelybaum D.I. Annealing Induced Evolution of the Structural and Morphological Properties of a Multilayer Nanoperiodic SiOx/ZrO2 System Containing Si Nanoclusters // Semiconductors. № 1. V. 48. 2014. P. 42-45.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Физика твердого тела. № 3. Т. 56. 2014. С. 607-610.

Demidov E.S., Karzanova M.V., Mikhailov A.N., Tetelybaum D.I., Belov A.I., Korolev D.S., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Gorshkov O.N., Demidova N.E., Chigirinskii Yu.I. Effect of Ion Irradiation on the Structure and Luminescence Characteristics of Porous Silicon Im-pregnated with Tungsten–Telluride Glass Doped by Er and Yb Impurities // Physics of the Solid State. № 3. V. 56. 2014. P. 631-634.

Pavlov D.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pirogov A.V., Nezhdanov A.V. Self-assembled nanocrystals discovered in Chelyabinsk meteorite // Scientific Reports. № 4280. V. 4. 2014. P. 1-6.

Gerasimenko N.N., Mikhailov A.N., Kozlovskii V.V., Zaporozhan O.A., Medetov N.A., Smirnov D.I., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Structure and Luminescence of Silicon Irradiated by Protons // Inorganic Materials: Applied Research. № 2. V. 5. 2014. P. 133-137.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Antonov I.N., Bobrov A.I., Kasatkin A.P., Koryazhkina M.N., Shenina M.E. Capacitors with Nonlinear Characteristics Based on Stabilized Zirconia with Built_in Gold Nanoparticles // Technical Physics Letters. № 5. V. 40. 2014. P. 369-371.

Belyakov V.A., Sidorenko K.V., Konakov A.A., Ershov A.V., Chugrov I.A., Grachev D.A., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Burdov V.A. Quenching the photoluminescence from Si nanocrystals of smaller sizes in dense ensembles due to migration processes // Journal of Luminescence. № 1. V. 155. 2014. P. 1-6.

Kudrin A.V., Shvetsov A.V., Danilov Yu.A., Timopheev A.A., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Sobolev N.A. Anomalous Hall effect in two-phase semiconductor structures: The role of ferromagnetic inclusions // Phys. Rev. B. № 02. V. 90. 2014. P. 024415, 1-7.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией // Физика твердого тела. № 10. Т. 56. 2014. С. 2062-2065.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxial Growth of MnGa/GaAs Layers for Diodes with Spin Injection // Physics of the Solid State. № 10. V. 56. 2014. P. 2131-2134.

Pavlov D.A., Bobrov A.I., Novikov A.V., Sorokin D.S., Malekhonova N.V., Pirogov A.V., Nikolichev D.E., Boryakov A.V. Investigation of deformations and strain fields in silicon matrix structures embedded with vertically stacked Ge(Si) self-assembled islands // Appl. Phys. Lett.. № 161910. V. 105. 2014. P. 1-5.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I., Sobolev N.A. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion im-planted silicon and effect of additional boron ion doping // Phys. Stat. Sol. (c). № 11-12. V. 11. 2014. P. 1-5.

Карзанов В.В., Демидов Е.С., Павлова Е.Д., Подольский В.В., Лесников В.П., Бобров А.И., Малехонова Н.В., Тронов А.А. Электронография высокотемпературного алмазоподобного ферромагнетика на основе кремния с самоорганизованным сверхрешёточным распределением примеси марганца // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. № 11. Т. 100. 2014. С. 818-823.

2013

Труды (тезисы) конференции

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И. Влияние облучения ионами Ar+, Ne+ и P+ пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb, на его люминесцентные свойства // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 427-428.

Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Karzanova M.V., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Bobrov A.I., Chugrov I.A., Ershov A.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Demidov E.S. Ion-beam engineering of silicon-based nanomaterials // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП 2013)». Ярославль, 22-26 августа, 2013, Т.2. 2013. P. 31-36.

Костюк А.Б., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Степанов А.Л. Влияние ионного облучения на структуру и оптические свойства нанокластеров Au в диэлектрических матрице // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2013)». Ярославль, 22-26 августа. 2013. С. 300-303.

Швецов А.В., Кудрин А.В., Бобров А.И., Малехонова Н.В. Аномальный эффект Холла в двухфазных полупроводниковых структурах: определяющая роль ферромагнитых включений // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород, Т.1, 2013, С. 132. 2013. С. 2.

Бобров А.И., Павлова Е.Д., Кудрин А.В., Малехонова Н.В. Исследование структуры ферромагнитного слоя GaMnSb // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г. Нижний Новгород. Т.1, 2013, С. 490. 2013. С. 2.

Беляков В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А., Бурдов В.А., Ершов А.В., Чугров И.А., Грачев Д.А., Павлов Д.А., Бобров А.И. Фотолюминесценция и миграционные эффекты в плотных массивах нанокристаллов кремния, сформированных в многослойных нанопериодических структурах SiOx/SiO2 // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVII Международного симпозиума, 11-15 марта 2013 г., Нижний Новгород. Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 2. 2013. С. 380-381.

Антонов И.Н., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Шенина М.Е., Бобров А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н. Исследование тонких плёнок стабилизированного диоксида циркония с нанокристаллами золота, сформированными методом отжига островковых металлических плёнок // Форум молодых учёных. Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, 317 с.. 2013. С. 91-93.

Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бобров А.И. Распыление стабилизированного диоксида циркония при имплантации ионов золота в условиях формирования наночастиц // Форум молодых учёных. Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, 317 с.. 2013. С. 157-159.

Бобров А.И., Павлов Д.А., Пирогов А.В. Влияние температуры роста на плотность дефектов в структуре массивов Ge(Si) самоформирующихся наноостровков // Труды XVII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 372-373.

Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Бобров А.И., Волкова Е.И. Структурный анализ сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs методом высоко разрешающей просвечивающей электронной микроскопии // Труды XVII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 519-520.

Павлов Д.А., Шиляев П.А., Кривулин Н.О., Бобров А.И., Пирогов А.В. Анализ закономерностей начальных стадий молекулярно-лучевой гетероэпитаксии кремния на сапфире // Труды XVII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 554-555.

Романова Ю.Ю., Додин Е.П., Ноздрин Ю.Н., Бирюков А.А., Байдусь Н.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Малехонова Н.В. Исследование полупроводниковых сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой // Труды XVII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 567-568.

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Бобров А.И. Формирование бездефектных наноразмерных островков кремния на сапфире // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XI РКФП), 16-20 сентября 2013. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2013. С. 179.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. Релаксированные слои твердого раствора Si1-XGeX (x=0,25–0,4) с низкой плотностью дислокаций, выращенные на Si(100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с газовым источником германия // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XI РКФП), 16-20 сентября 2013. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2013. С. 224.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Карзанова М.В., Бобров А.И., Ершов А.В., Павлов Д.А., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Закономерности ионно-лучевой обработки наноматериалов на основе кремния // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, T. 1.. 2013. С. 166-168.

Костюк А.Б., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения и последующего отжига на оптические и структурные свойства массива нанокристаллов Au в SiO2 // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н. И. Лобачевского, T. 1.. 2013. С. 170-172.

Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Дегтярев В.Е., Байдусь Н.В. Исследование распределения примеси в поперечном срезе гетеронаноструктур типа АIIIВV // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, T. 1. 2013. С. 184-186.

Пирогов А.В., Павлов Д.А., Гребенев И.В., Бобров А.И., Малехонова Н.В. Нанокристаллы в челябинском метеорите // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, T. 1. 2013. С. 201-202.

Пирогов А.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Шиляев П.А., Кривулин Н.О. Структурная модификация кремния на сапфире // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, T. 1. 2013. С. 203-205.

Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного легирования на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение»: сборник трудов 12-й Международной конференции-школы. Саранск, 1-4 октября 2013 г.. 2013. С. 28.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Ershov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Ion Beam Modification of Silicon-Based Nanomaterials Demonstrating Dislocation-Related Luminescence or Resistive Switching Phenomenon // Abstracts of 11th European Conference on Accelerators in Applied Research and Technology (ECAART-11). Namur, BELGIUM, September 8-13, 2013. 2013. P. 128.

Бобров А.И., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Павлова Е.Д. Структурное совершенство и распределение примеси в магнитных полупроводниковых наногетеросистемах на основе GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII Международного симпозиума. 11 – 15 марта 2013 г. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 110-111.

Kudrin A.V., Shvetsov A.V., Danilov Yu.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V. Anomalous Hall effect in two-phase semiconductor structures: the crucial role of ferromagnetic inclusions // Abstracts Book Donostia International Conference on Nanoscaled Magnetism and Applications, Donostia-San Sebastian, 9 to 13 September, 2013. Donostia-San Sebastian. 2013. P. 322.

Kudrin A.V., Shvetsov A.V., Danilov Yu.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V. Anomalous Hall effect in two-phase semiconductor structures: the determinative role of ferromagnetic inclusions // Book of Abstracts V Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism.. 15th-21st September 2013 Russky Island, Vladivostok, Russia. 2013. P. 281.

Сайед С., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А. Исследование структуры и свойств гетеронанокомпозиций Co/GaAs // Труды всероссийской молодежной школы-семинара «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 21-25 октября 2013 г.. Рязань. 2013. С. 104-108.

Публикации в научных журналах

Ершов А.В., Чугров И.А., Тетельбаум Д.И., Машин А.И., Павлов Д.А., Нежданов А.В., Бобров А.И., Грачев Д.А. Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO2 // Физика и техника полупроводников. № 4. Т. 47. 2013. С. 460-465.

Павлов Д.А., Шиляев П.А., Пирогов А.В., Кривулин Н.О., Бобров А.И., Пегасина М.Д. Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 47. 2013. С. 854-858.

Бобров А.И., Горшков А.В., Гребенев И.В., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Пирогов А.В. Челябинский метеорит: нанокристаллы из космоса? // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 3(1). 2013. С. 36-38.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Михайлов А.Н., Дудин Ю.А., Бобров А.И., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния // Физика твердого тела. № 11. Т. 55. 2013. С. 2243-2249.

Ershov A.V., Chugrov I.A., Tetelbaum D.I., Mashin A.I., Pavlov D.A., Nezhdanov A.V., Bobrov A.I., Grachev D.A. Thermal evolution of the morphology, structure, and optical properties of multilayer nanoperiodic systems produced by the vacuum evaporation of SiO and SiO2 // Semiconductors. № 4. V. 47. 2013. P. 481-486.

Бобров А.И., Павлова Е.Д., Кудрин А.В., Малехонова Н.В. Исследования структуры ферромагнитного слоя GaMnSb // Физика и техника полупроводников. Т. 47. 2013. С. 1613-1616.

Герасименко Н.Н., Михайлов А.Н., Козловский В.В., Запорожан О.А., Медетов Н.А., Смирнов Д.И., Павлов Д.А., Бобров А.И. Структура и люминесценция кремния, облученного протонами // Перспективные материалы. № 8. 2013. С. 18-23.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Физика твердого тела. № 3. Т. 56. 2013. С. 607-610.

Pavlov D.A., Shilyaev P.A., Pirogov A.V., Bobrov A.I., Pegasina M.D. Analysis of the Growth Dependences of Silicon On Sapphire Heteroepitaxy // Semiconductors. № 6. V. 47. 2013. P. 865-869.

Грачев Д.А., Бобров А.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Павлов Д.А. Массивы нанокристаллов кремния в матрице SiO2: структура и люминесцентные свойства // Научно-технические ведомости СПбГПУ. № 2. Т. 171. 2013. С. 231-237.

Korolev D.S., Kostyuk A.B., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Dudin Yu.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Influence of the Ion Synthesis and Ion Doping Regimes on the Effect of Sensitization of Erbium Emission by Silicon Nanoclusters in Silicon Dioxide Films // Physics of the Solid State. № 11. V. 55. 2013. P. 2361-2367.

Pavlov D.A., Shilyaev P.A., Pirogov A.V., Krivulin N.O., Bobrov A.I., Pegasina M.D. Analysis of the growth dependences of silicon-on-sapphire heteroepitaxy // Semiconductors. № 6. V. 47. 2013. P. 865-869.

Pavlova E.D., Bobrov A.I., Gorshkov A.P., Malekhonova N.V., Zvonkov B.N. Study of heterostructures with a combined In(Ga)As/GaAs quantum dot/quantum well layer and a Mn δ layer // Semiconductors. № 47. V. 12. 2013. P. 1591-1594.

Bobrov A.I., Pavlova E.D., Kudrin A.V., Malekhonova N.V. Structural studies of a ferromagnetic GaMnSb layer // Semiconductors. № 47. V. 12. 2013. P. 1587-1590.

Karzanov V.V., Demidov E.S., Pavlova E.D., Bobrov A.I., Malekhonova N.V. Electron microscopy and diffraction study of high-temperature diamond-like Sibased ferromagnetic with self-organized super-lattice distribution of Mn impurity // Интернет издание Корнельского университета: Condence Matter. http://arxiv.org/abs/1308/6664. 2013. P. 4.

Salomatina E.V., Kuzymicheva T.A., Mochalova A.E., Gracheva T.A., Smirnova L.A., Bobrov A.I., Bugrova M.L. COMPREHENSIVE DIAGNOSTICS OF THE DIMENSIONAL FEATURES OF GOLD NANOPARTICLES FORMED UNDER THE UV REDUCTION OF HAUCL4 IN CHITOSAN SOLUTIONS // Nanotechnologies in Russia. № 11-12. V. 8. 2013. P. 737-742.

2012

Труды (тезисы) конференции

Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Bobrov A.I., Dunaev V.S., Pavlova E.D., Pitirimova E.A., Plankina S.M., Yakubov R.R., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Suchkov A.I. Structure, composition distribution and properties of the (Ga,Mn)Sb/GaAs and MnSb/GaAs heterosystems // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 2012. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 66-67.

Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Бобров А.И., Байдусь Н.В., Смотрин Д.С. Исследование поперечного среза периодических структур GaAs/InGaAs с туннельносвязанными квантовыми ямами // XXIV Российская конференция по электронной микроско-пии РКЭМ-2012: Тез. докл.. 29 мая – 1 июня 2012 г., Черноголовка, Россия. 2012. С. 48.

Демидов Е.С., Павлова Е.Д., Бобров А.И., Подольский В.В., Лесников В.П. Лазерный синтез эпитаксиальных слоёв высокотемпературного алмазоподобного ферромагнетика на основе кремния, легированного марганцем // Труды XVI международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Н. Новгород, ИФМ РАН, 12-16 марта, 2012. Т.1, С. 79-80.. 2012. С. 79-80.

Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Питиримова Е.А., Бузынин Ю.Н. Низкотемпературный эпитаксиальный рост толстых слоев Ge на Si(100) // Тезисы докладов IX-ой Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2012». Санкт-Петербург, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, 9-13 июля 2012 г. 2012. С. 286.

Тетельбаум Д.И., Костюк А.Б., Федонин М.П., Гусейнов Д.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Структурные аспекты ионно-лучевой модификации ансамбля наночастиц золота в оксидных матрицах // Труды XVI Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 12–16 марта 2012, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ, Т. 2. 2012. С. 402-403.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Дудин Ю.А., Павлов Д.А., Бобров А.И. Особенности формирования нанокластеров золота в матрице SiO2 // Тезисы докладов XXIV Российской конференции по электронной микроскопии. Черноголовка, 29 мая – 1 июня, 2012. 2012. С. 42-43.

Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Дудин А.Ю., Бобров А.И., Касаткин А.П., Сидоренко К.В. Исследование процесса формирования наноразмерных частиц золота в тонких плёнках диоксида германия методом ионной имплантации. // Тезисы IV Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Новосибирск.123с.. 2012. С. 103.

Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Дудин А.Ю., Бобров А.И., Касаткин А.П. Особенности формирования металлических наночастиц в матрице ZrO2(Y) методом ионной имплантации // Тезисы IV Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Новосибирск. 123 с.. 2012. С. 65.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Особенности ионно-лучевого воздействия на структуру слоев оксидов кремния и алюминия, содержащих нанокластеры Au // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 39.

Ершов А.В., Чугров И.А., Грачев Д.А., Бобров А.И., Павлов Д.А. Структурная морфология и оптические свойства системы вертикально упорядоченных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния // Труды XVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 12-16 марта 2012, Нижний Новгород.. Н. Новгород. Т. 1. 2012. С. 251-252.

Ершов А.В., Чугров И.А., Грачев Д.А., Бобров А.И., Павлов Д.А. Структурные и оптические свойства массивов кремниевых нанокристаллов в широкозонной матрице оксидов кремния, алюминия и циркония // Сб. трудов VIII Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 2-5 июля 2012. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2012. 2012. С. 130.

Ершов А.В., Чугров И.А., Павлов Д.А., Грачев Д.А., Бобров А.И. Структурные и оптические свойства систем с нанокристаллами кремния в оксиде, полученных отжигом нанопериодических структур SiO/SiO2 и SiO/Al2O3 // Кн. тезисов IX Междун. конф. и VIII Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе «Кремний-2012», Санкт-Петербург, СПб академический университет – НОЦ нанотехнологии РАН, 09-13 июля 2012. СПб.. 2012. С. 223.

Грачев Д.А., Бобров А.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Павлов Д.А. Специфичность строения систем с нанокристаллами Si в оксидной матрице, синтезированных отжигом многослойных структур a-SiOx/Al2O3 и a-SiOx/ZrO2 // Тез. докл. 14-й Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, С.-Петербург, 26-30 нояб. 2012. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та. 2012. С. 66.

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Шиляев П.А., Бобров А.И., Пегасина М.Д. Исследование гетероганицы в структуре кремний на сапфи-ре методом просвечивающей электронной микроскопии // Труды XVI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 12–16 марта 2012, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.1. 2012. С. 282.

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Шиляев П.А., Бобров А.И., Пегасина М.Д. Исследование начальных стадий эпитаксиального роста кремния на сапфире методом ПЭМ // XXIV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2012: Тез. докл.. 29 мая – 1 июня 2012 г., Черноголовка, Россия,. 2012. С. 29.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б. Особенности формирования нанокластеров золота в матрице SiO2 // XXIV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2012: Тез. докл.. 29 мая – 1 июня 2012 г., Черноголовка, Россия. 2012. С. 42-43.

Павлов Д.А., Бобров А.И., Красильник З.Ф., Новиков А.В., Лобанов Д.Н. Гетероструктуры с Ge(Si) самоформирующимися нано-островками на Si/Si(001): исследование структуры и элементного состава методами просвечивающей электронной микроскопии // XXIV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2012: Тез. докл.. 29 мая – 1 июня 2012 г., Черноголовка, Россия. 2012. С. 47.

Публикации в научных журналах

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Николичев Д.Е., Боряков А.В. Влияние ионного облучения на морфологию, структуру и оптические свойства наночастиц золота, синтезированных в диэлектрических матрицах SiO2 и Al2O3 // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 8. 2012. С. 58-64.

Горшков О.Н., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Бобров А.И., Маркелов А.С., Дудин А.Ю., Касаткин А.П. Особенности формирования нанокристаллов золота в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации. // Письма в журнал технической физики. № 4. Т. 38. 2012. С. 60-65.

Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Trushin V.N., Antonov I.N., Shenina M.E., Bobrov A.I., Markelov A.S., Dudin A.Yu., Kasatkin A.P. Peculiarities in the Formation of Gold Nanoparticles by Ion Implantation in Stabilized Zirconia // Technical Physics Letters. № 2. V. 38. 2012. P. 185-187.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Дегтярев В.Е., Смотрин Д.С., Бобров А.И. Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1510-1514.

Павлов Д.А., Шиляев П.А., Коротков Е.В., Кривулин Н.О., Бобров А.И. Исследование КНС-структур методами просвечивающей электронной микроскопии // Известия РАН. Серия физическая. № 9. Т. 76. 2012. С. 1115-1117.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Fedonin M.P., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Nikolitchev D.E., Boryakov A.V. Influence of Ion Irradiation on the Morphology, Structure, and Optical Properties of Gold Nanoparticles Synthesized in SiO2 and Al2O3 Dielectric Matrices // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 4. V. 6. 2012. P. 681-687.

Khazanova S.V., Baidusy N.V., Zvonkov B.N., Pavlov D.A., Malekhonova N.V., Smotrin D.S., Bobrov A.I. Khazanova S. V., Baidus N. V., Zvonkov B. N., Pavlov D.A., Malekhonova N.V., Smotrin D.S., Bobrov A.I. Tunnel-coupled In-GaAs/GaAs quantum wells: Structure, composition, and energy spectrum // Semiconductors. № 12. V. 46. 2012. P. 1476-1480.

Pavlov D.A., Shilyaev P.A., Korotkov E.V., Krivulin N.O., Bobrov A.I. Investigation of Silicon-on-Sapphire by Means of TEM // Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. № 9. V. 76. 2012. P. 1002-1004.

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Шиляев П.А., Коротков Е.В., Гладышева В.А., Бобров А.И. Влияние дефектов на механические свойства эпитаксиальных слоев кремния на сапфире // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 3(1). 2012. С. 30-33.

2011

Труды (тезисы) конференции

Горшков О.Н., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Бобров А.И., Маркелов А.С., Дудин А.Ю., Касаткин А.П. Исследование формирования нанокристаллов золота в диоксиде германия и стабилизированном диоксиде циркония оптическими и рентгенодифракционными методами и методом просвечивающей электронной микроскопии // Тезисы докладов XIV Всероссийской конференции и VI Школы молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение»,Н. Новгород, 30 мая – 2 июня. Нижний Новгород. 2011. С. 66.

Ершов А.В., Чугров И.А., Ершов А.А., Бобров А.И., Павлов Д.А., Машин А.И., Тетельбаум Д.И. Особенности фотолюминесценции ионно-легированных многослойных нанопериодических систем nc-Si/high-k-оксид // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 478-479.

Чугров И.А., Ершов А.А., Ершов А.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. О модификации люминесцентных свойств нанопериодических структур nc-Si/оксид при ионно-лучевом легировании // Тезисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («Кремний 2011»), Москва, 5-8 июля, 2011. 1 стр. 2011. С. 179.

Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Байдусь Н.В., Смотрин Д.С. Исследование поперечного среза периодических структур GaAs/InGaAs с тунельносвязанными квантовыми ямами // XXX научные чтения имени академика Н.В.Белова. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ. 2011. С. 137.

Demidov E.S., Pavlova E.D., Bobrov A.I., Podolyskii V.V., Lesnikov V.P., Sapozhnikov M.V., Gribkov B.A., Gusev S.N., Levchuk S.A., Karzanov V.V. Structure and magnetotransport properties of deposited from laser plasma nanosized layers of the high-temperature diluted magnetic semiconductor Si:Mn // Abstracts of International conference “Spin physics, spin chemistry, and spin technology” November 1-6, 2011,. Kazan. 2011. P. 125.

Грачев Д.А., Бобров А.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Павлов Д.А. Массивы нанокристаллов кремния в матрице SiO2: структура и люминесцентные свойства // Тезисы докладов Тринацатой всеросийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. 21-25 ноября 2011 года, СПб.: Изд-во Политехн. ун-та. 2011. С. 79.

Павлов Д.А., Коротков Е.В., Шиляев П.А., Кривулин Н.О., Гладышева В.А., Бобров А.И. Влияние условий молекулярно-лучевого осаждения на механические свойства слоѐв кремния на сапфире // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 14–18 марта, 2011.- Н. Новгород: Изд-во ИПМ РАН, - Т.2.- С. 562-563.. 2011. С. 562-563.

Бобров Александр Игоревич
Контакты

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского