Здоровейщев Антон Владимирович

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория спиновой и оптической электроники

старший научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в университете лобачевского: 2001
Общий стаж работы 22 года, 11 мес

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: бакалавр физики. Квалификация: бакалавр физики.

Высшее образование
Магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

14.11.2017 - 14.11.2017
Повышение квалификации: специальная подготовка по качеству, АНО ЦРМ "СПК", документ № № 8395/СК от 14.11.2017

Список преподаваемых дисциплин

Физический факультет
Функциональные материалы

Публикации

2019

Труды (тезисы) конференции

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Звонков Б.Н. Физико-химические свойства слоёв MnGa // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII международного симпозиума. (Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета - т. 1, - 544 с.. 2019. С. 219-220.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Ларионова Е.А., Ковальский В.А. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 201-202.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Никитов С.А., Садовников А.В. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 205-206.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Люминесцентные свойства и получение диодов (In,Fe)Sb/GaAs/InGaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2019. С. 618-619.

Демина П.Б., Дорохин М.В., Буданов А.В., Ведь М.В., Вихрова О.В., Власов Ю.Н., Здоровейщев А.В., Котов Г.И., Крюков Р.Н., Кудрин А.В. Селенид галлия как пассивирующий слой в спиновых светоизлучающих диодах на основе наногетероструктур GaAs/InGaAs // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIII Международного симпозиума, 11–14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 185-186.

Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Темирязев А.Г., Темирязева М.П. Магнитооптические и микромагнитные свойства плёночных структур вида ферромагнетик/тяжелый металл // Труды XXIII Международного симпозиума, 11–14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 203-204.

Кузнецов Ю.М., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Демина П.Б., Кудрин А.В. Аномальные эффекты Нернста-Эттингсгаузена и Холла в плёнках CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIII Международного симпозиума, 11–14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 231-232.

Дорохин М.В., Демина П.Б., Ерофеева И.В., Здоровейщев А.В., Кузнецов Ю.М., Болдин М.С., Попов А.А., Ланцев Е.А. Температурные зависимости термоэлектрических свойств структур SiGe, полученных методом электроимпульсного плазменного спекания // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIII Международного симпозиума, 11–14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2019. С. 673-674.

Demina P.B., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G. Properties and spintronic applications of CoPt ferromagnetic films // Book of аbstracts «The 3rt International Baltic Conference on Magnetism: nanobiomedicine and smart materials. IBCM 2019», Kaliningrad, Russia 18-22 August, 2019.. Immanuel Kant Baltic Federal University. 189 с.. 2019. P. 94.

Vedy M.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Kudrin A.V. Circularly polarized electroluminescence of spin lightemitting diodes based on (In,Fe)Sb ferromagnetic injector // Book of аbstracts «The 3rt International Baltic Conference on Magnetism: nanobiomedicine and smart materials. IBCM 2019», Kaliningrad, Russia 18-22 August, 2019.. Immanuel Kant Baltic Federal University. 189 с.. 2019. P. 171.

Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Temiryazev A.G., Temiryazeva M.P., Khodos I. Micromagnetic and magneto-optical properties of CoPt (CoPd) films grown by electron-beam evaporation // Book of аbstracts «IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures», Yaroslavl, Russia 26-29 August, 2019. 113 с.. 2019. P. 70.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kalentyeva I.L., Kudrin A.V., Larionova E.A. Effect of laser annealing on diode heterostructures with a ferromagnetic GaMnAs layer // Book of аbstracts «IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures», Yaroslavl, Russia 26-29 August, 2019. 113с.. 2019. P. 69.

Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Демина П.Б., Ерофеева И.В., Здоровейщев А.В., Болдин М.С., Ланцев Е.А., Попов А.А. Термоэлектрические преобразователи энергии на основе сильнолегированных полупроводников GeSi и соединений MnSi // Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск.. М. Издательство Перо. Т.1. 272 с.. 2019. С. 40.

Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Демина П.Б., Ерофеева И.В., Здоровейщев А.В., Лесников В.П., Боряков А.В. Тонкие эпитаксиальные слои Mn(x)Si(1-x) как перспективный материал для термоэлектрических преобразователей энергии // Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск.. М. Издательство Перо. Т.1. 272 с.. 2019. С. 100.

Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В., Кудрин А.В., Буданов А.В., Власов Ю.Н., Котов Г.И., Крюков Р.Н., Вихрова О.В. Модифицирование границы раздела металл/полупроводник в спиновых светоизлучающих диодах СoPt/(In)GaAs // Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск. М. Издательство Перо. Т.2. 272 с.. 2019. С. 288.

Zvonkov B.N., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Kalentyeva I.L., Malysheva E.I. Structures of semiconductor spintronics, formed by the combined method of MOCVD epitaxy and pulsed laser deposition // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.1.. 2019. P. 59.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Dudin Yu.A., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G., Nikitov S.A., Sadovnikov A.V. Changing the magnetic properties of CoPt alloy by ion irradiation // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.1.. 2019. P. 387.

Рыков А.В., Вергелес П.С., Здоровейщев А.В., Ковальский В.А., Байдусь Н.В., Дорохин М.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Вариации дислокационных фильтров в структурах А3В5 на подложке Ge/Si // Материалы XXIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2019. 411 с. 2019. С. 815-816.

Прохоров Д.С., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Здоровейщев А.В., Ведь М.В., Дорохин М.В., Рыков А.В., Байдакова Н.А., Зайцев А.В. Светоизлучающие структуры на основе слоев Ge/Si(001), выращенных методом HW CVD, для кремниевой оптоэлектроники // Сборник трудов ИТНТ-2019, V Международная конференция и молодежная школа «Информационные технологии и нанотехнологии». Самара: Изд-во Новая техника, 2019. Т. 1. Компьютерная оптика и нанофотоника. 761 с. 2019. С. 406-410.

Филатов Д.О., Новиков А.С., Баранова В.Н., Антонов Д.А., Круглов А.В., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Индуцированное шумом резистивное переключение на контакте асм-зонда к пленке стабилизированного диоксида циркония на проводящей подложке // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 501-504.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Vrzheshch D.V., Tabakov O.V., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Spagnolo B. ZrO2(Y)/Ta2O5-based memristor response to white Gaussian noise // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. P. 497-500.

Табаков О.В., Филатов Д.О., Вржещ Д.В., Новиков А.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Резистивное переключение мемристора на базе тонкоплёночной структуры ZrO2(Y)/Ta2O5 шумовым сигналом // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 508-511.

Вржещ Д.В., Филатов Д.О., Табаков О.В., Новиков А.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Временные характеристики резистивного переключения мемристора на основе ZrO2(Y)/Ta2O5 под действием шумового сигнала // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 512-515.

Публикации в научных журналах

Дорохин М.В., Демина П.Б., Буданов А.В., Власов Ю.Н., Котов Г.И., Здоровейщев А.В., Трушин В.Н., Звонков Б.Н. Повышение степени циркулярной поляризации спиновых светоизлучающих диодов путем обработки в парах селена // Письма в Журнал технической физики. № 5. Т. 45. 2019. С. 52-55.

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Trushin V.N., Zaitsev A.V., Prokhorov D., Filatov D.O., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Buzynin Yu. Ultra-high phosphorus-doped epitaxial Ge layers grown by HWCVD method on Si substrates // Materials Science in Semiconductor Processing. V. 100. 2019. P. 175-178.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs // Письма в Журнал технической физики. № 13. Т. 45. 2019. С. 33-36.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Никитов С.А., Садовников А.В. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения // Физика твердого тела (Physics of the Solid State). № 9. Т. 61. 2019. С. 1694-1699.

Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G. Magneto-Optical and Micromagnetic Properties of Ferromagnet/Heavy Metal Thin Film Structures // International Journal of Nanoscience. № 03n04. V. 18. 2019. P. 1940019.

Kukushkin V.A., Lobaev M.A., Bogdanov S.A., Stepanov A.N., Kraev S.A., Okhapkin A.I., Arkhipova E.A., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V. Visible and near-infrared photodetector on chemically vapor deposited diamond // Diamond and Related Materials. № 8. V. 97. 2019. P. 107444.

2018

Сборники статей

Демина П.Б., Ведь М.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В. Модифицирование границы раздела металл/полупроводник в спиновых светоизлучающих диодах СoPt/(In)GaAs // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1. 2018. С. 184-185.

Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Демина П.Б. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с CoPt барьером Шоттки // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1. 2018. С. 214-215.

Труды (тезисы) конференции

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InFeSb/GaAs/InGaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума, 12-15 марта 2018. Н. Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. Т.1. 2018. С. 154-155.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Парафин А.Е., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путем послеростовых воздействий // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума, 12-15 марта 2018. Н. Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. - Т.1. 2018. С. 220-221.

Кукушкин В.А., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Курицын Д.И., Здоровейщев А.В. Ускорение релаксации фотолюминесценции на межзонных переходах в квантовых ямах InGaAs в GaAs за счёт возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов на границе GaAs с Au // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (12-15 марта 2018 г., Нижний Новгород). Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 898 с.. 2018. С. 683-684.

Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Ершов А.В., Здоровейщев А.В., Котомина В.Е., Некоркин С.М., Самарцев И.В., Чигинева А.Б. Комбинированная структура – оптический тиристор и светодиод с гетеропереходами GaAs/InGaP // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898 с. 2018. С. 625-626.

Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Ерофеева И.В., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Боряков А.В. Влияние состава на термоэлектрические свойства тонких плёнок MnSi(x) // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. 2 С.. 2018. С. 594-595.

Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Кузнецов Ю.М., Попов А.А., Ланцев Е.А., Боряков А.В., Котомина В.Е. Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. 2 С.. 2018. С. 608-609.

Здоровейщев А.В., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Ведь М.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотолюминесценция сильнолегированных фосфором эпитаксиальных слоёв Ge на Si (001) // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. 2 С.. 2018. С. 627-628.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InFeSb/GaAs/InGaAs // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород... Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1.. 2018. С. 154-155.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Парафин А.Е., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путём постростовых воздействий // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1.. 2018. С. 220-221.

Ved M., Malysheva E., Dorokhin M., Zdoroveyshchev A., Danilov Yu., Parafin A. Enhancement the operating temperature of spin light-emitting diodes based on dilute magnetic semiconductors // Book of Abstracts of 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, April 2-5, 2018, Saint Petersburg, Russia. St. Petersburg Academic University. 2018. P. 469-470.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Рыков А.В., Ведь М.В., Белкин М.А., Темирязева М.П., Темирязев А.Г. Свойства и применение пленок типа «ферромагнетик/тяжелый металл» в приборах спинтроники // Труды Х Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 01-06 октября 2018г., Рязань. Т.1. 2018. С. 64-84.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Биполярная инжекция в спиновых светоизлучающих диодах, содержащих слои разбавленных магнитных полупроводников InFeSb // «НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОФОТОНИКА И НЕЛИНЕЙНАЯ ФИЗИКА».. Сборник трудов XIII Всероссийской конференции молодых ученых, 04-06 сентября 2018 г. Саратов.. 2018. С. 41.

Васильев В.К., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Шаймерденова Л.К. Формирование арсенидгаллиевых p-i-n структур ионной имплантацией с последующим быстрым термическим отжигом // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 145.

Публикации в научных журналах

Dorokhin M.V., Erofeeva I.V., Kuznetsov Yu.M., Boldin M.S., Boryakov A.V., Popov A.A., Lantsev E.A., Sakharov N.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Trushin V.N. Investigation of the initial stages of sparkplasma sintering of Si–Ge based thermoelectric materials // NANOSYSTEMS: PHYSICS, CHEMISTRY, MATHEMATICS. № 5. V. 9. 2018. P. 0-8.

Yakovlev G.E., Dorokhin M.V., Zubkov V.I., Dudin A.L., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Specific Features of the Electrochemical Capacitance-Voltage Profiling of GaAs LED and pHEMT Structures with Quantum-Confined Regions // Semiconductors. № 8. V. 52. 2018. P. 1004-1011.

Темирязев А.Г., Темирязева М.П., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В. Формирование доменной структуры в многослойных пленках CoPt с помощью магнитного зонда атомно-силового микроскопа // Физика твердого тела. № 11. Т. 60. 2018. С. 2158-2165.

Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Демина П.Б. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 60. 2018. С. 2236-2239.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Парафин А.Е., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий // Физика твердого тела. № 11. Т. 60. 2018. С. 2141-2146.

Dorokhin M.V., Yakovlev G.E., Zubkov V.I., Dudin A.L., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Specific Features of the Electrochemical Capacitance-Voltage Profiling of GaAs LED and pHEMT Structures with Quantum-Confined Regions // Semiconductors. № 8. V. 52. 2018. P. 1004-1011.

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Vergeles P.S., Kovalskiy V.A., Yakimov E.B., Ved' M.V., Baidus N.V., Zdoroveyshchev A.V., Shengurov V.G., Denisov S.A. Structural investigation of light-emitting A3B5 structures grown on Ge/Si(100) substrate // Journal of Physics: Conference Series. № 1124. 2018. P. 022037.

Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Dikareva N.V., Zdoroveyshchev A.V., Rykov A.V., Baidus N.V. 1.06 μm wavelength photodetectors with metamorphic buffer layers grown on GaAs substrates // Journal of Physics: Conference Series. № 1124. 2018. P. 041037.

2017

Труды (тезисы) конференции

Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Лесников В.П., Данилов Ю.А. Новые ферромагнитные материалы на основе соединений Mn. Проблемы интеграции в приборы спинтроники // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 179-180.

Демина П.Б., Ведь М.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Хомицкий Д.В. Методы управление спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. Электронный адрес публикации: http://nanosymp.ru/UserFiles/Symp/2017_v1.pdf. 2017. С. 175-176.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Ведь М.В. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетерострукутр InGaAs/GaAs/δMn // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. 2017. С. 205-206.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Температурная стабилизация спиновых светодиодов с инжектором CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. 2017. С. 230-231.

Kalentyeva I.L., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V. Magneto-optical effects of CoPt and CoPd alloys // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 139.

Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Kudrin A.V., Demina P.B., Danilov Yu.A., Vedy M.V., Zdoroveishchev A.V. Electrical spin injection in InFeSb/GaAs ferromagnetic heterostructures // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 868.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Воронин П.Г., Здоровейщев А.В., Истомин Л.А., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Левичев С.Б. Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 559-560.

Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L., Kudrin A.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Pitirimova E.A., Tolkachev D.S., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Yakubov R.R. Formation of the ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As by ion implantation and pulse laser annealing // III International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 9-11 October. 2017. P. 60.

Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Kalentyeva I.L., Vedy M.V. Circularly polarized light detector based on MDP structure of CoPt/(Al2O3/SiO2/Al2O3)/InGaAs/GaAs // Book of abstracts III International conference on Modern problems in physics of surfaces and nanostructures, 9-11 october 2017, Yaroslavl, Russia.. Yaroslavl Demidov State University, 121p.. 2017. P. 59.

Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. Детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП структуры CoPt/(Al2O3/SiO2)/InGaAs/GaAs // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников, 2-6 октября 2017, Екатеринбург.. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2017.. 2017. С. 268.

Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Кузнецов Ю.М. Термоэлектрические эффекты в наноразмерных слоях силицида марганца // Материалы ХХ Международного симпозиума Нанофотоника и Наноэлектроника. Издательство Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, том 2, 831. 2017. С. 584-585.

Dorokhin M.V., Erofeeva I.V., Kuznetsov Yu.M., Zdoroveishchev A.V., Lesnikov V.P. Higher manganese silicide - ferromagnetic multifunctional material // International Baltic Conference on Magnetism 2017. Svelogorsk 20-24 August 2017.. International Baltic Conference on Magnetism 2017. Book of abstracts. Svelogorsk 20-24 August 2017. 186 P.. 2017. P. 39.

Публикации в научных журналах

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Ved' M.V. Temperature stabilization of spin-LEDs with a CoPt injector // Journal of Physics: Conference Series. V. 816. 2017. P. 012034.

Dorokhin M.V., Ved' M.V., Malysheva E.I., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Danilov Yu.A. Room temperature spin injection in a light-emitting diode based on a GaMnSb/n-GaAs/InGaAs tunnel junction // Journal of Physics: Conference Series. V. 816. 2017. P. 012035.

Dorokhin M.V., Zaitsev S.V., Rykov A.V., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zubkov V.I., Frolov D.S., Yakovlev G.E., Kudrin A.V. Heterostructures with InGaAs/GaAs quantum dots doped with transition elements: II. Study of the circularly polarized luminescence // Technical Physics. № 10. V. 62. 2017. P. 1545-1550.

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства // Журнал технической физики. № 9. Т. 87. 2017. С. 1389-1394.

Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A. Heterostructures with InGaAs/GaAs Quantum Dots Doped by Transition Elements. Part I: Photoluminescence Properties // Technical Physics. № 9. V. 62. 2017. P. 1398-1402.

Дорохин М.В., Зайцев С.В., Рыков А.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Зубков В.И., Фролов Д.С., Яковлев Г.Е., Кудрин А.В. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции // Журнал технической физики. № 10. Т. 87. 2017. С. 1539-1544.

Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Кузнецов Ю.М., Здоровейщев А.В., Питиримова Е.А. Термоэлектрические эффекты в наноразмерных слоях силицида марганца // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1456-1461.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Воронин П.Г., Здоровейщев А.В., Истомин Л.А., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Левичев С.Б. Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1447-1450.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/deltaMn // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2142-2147.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Пашенькин И.Ю., Планкина С.М. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений А3В5 импульсным лазерным отжигом // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2130-2134.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Nezhdanov A.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Pashenykin I.Yu., Plankina S.M. Modification of the Properties of Ferromagnetic Layers Based on A3B5 Compounds by Pulsed Laser Annealing // Physics of the Solid State. № 11. V. 59. 2017. P. 2150-2154.

Дорохин М.В., Ведь М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Рыков А.В., Кузнецов Ю.М. Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2135-2141.

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Демина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2203-2205.

Кукушкин В.А., Радищев Д.Б., Лобаев М.А., Богданов С.А., Здоровейщев А.В., Чунин И.И. Фотодетектор видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на основе осажденного из газовой фазы алмаза (A CVD Diamond-Based Photodetector for the Visible and Near-IR Spectral Range) // Technical Physics Letters. № 12. Т. 43. 2017. С. 1121-1123.

Кукушкин В.А., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Курицын Д.И., Здоровейщев А.В. ЗАВИСИМОСТЬ КИНЕТИКИ РЕЛАКСАЦИИ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ НА МЕЖЗОННЫХ ПЕРЕХОДАХ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs В GaAs ОТ ИХ БЛИЗОСТИ К ГРАНИЦЕ С Au (The Dependence of Relaxation Kinetics of Photoluminescence from Interband Transitions in InGaAs/GaAs Quantum Wells on Their Distance from an Interface with Au) // OPTICS AND SPECTROSCOPY. № 5. Т. 123. 2017. С. 754-759.

2016

Труды (тезисы) конференции

Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А., Планкина С.М., Якубов Р.Р. Формирование однофазных ферромагнитных полупроводников (III,Mn)V импульсным лазерным отжигом // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.1. 2016. С. 179-180.

Темирязева М.П., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Темирязев А.Г. Структурирование магнитных пленок CoPt с помощью АСМ // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.1. 2016. С. 328-329.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б., Здоровейщев А.В. Люминесценция спиновых светодиодов с ферромагнитным инжектором CoPt // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород. Изд-во Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобаческого, Т. 1: Секция 2. 2016. С. 251-252.

Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В. Изготовление образцов со спиновым латеральным переносом на основе GaAs структур с дельта-слоем Mn // 23-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика-2016». Зеленоград.: МИЭТ. 2016. С. 10.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Кудрин А.В. Магнитонезависимый спиновый светодиод с инжектором CoPt // Тезисы докладов XXI Уральской междунородной зимней школы по физике полупроводников, 15-20 февраля 2016г., Екатеринбург-Алпатьевск.. Из-во ИПМ УрО РАН. 2016. С. 234-235.

Дорохин М.В., Демина П.Б., Конаков А.А., Здоровейщев А.В. Спиновая инжекция в светоизлучающих структурах CoPt/GaAs/InGaAs. Роль спиновой прецессии // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород.. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.1, 434с.. 2016. С. 189-190.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Темирязев А.Г., Темирязева М.П. Магнитонезависимые спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур In(Ga)As/GaAs и ферромагнитного инжектора CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.1, 434с. 2016. С. 206-207.

Дорохин М.В., Бобров А.И., Ведь М.В., Павлов Д.А., Лесников В.П., Ерофеева И.В., Демина П.Б., Малышева Е.И., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Эпитаксиальный слой MnGa – перспективный материал для практического применения в полупроводниковых приборах // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 435с. 2016. С. 564-565.

Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А., Толкачев Д.С., Якубов Р.Р. Экспериментальное исследование и моделирование процесса импульсного лазерного отжига GaAs, облученного большими дозами ионов Mn+ // IX Международная научная конференция «Кинетика и механизм кристаллизации. Кристаллизация и материалы будущего» 13-16 сентября 2016 г. Иваново. 2016. С. 133-134.

Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А. Имплантация ионов Mn в GaAs: сравнение быстрого термического и импульсного лазерного отжигов // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 73-74.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(A3,Mn)B5 и InGaAs/n+-GaAs/(A3,Mn)B5 // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобаческого, Т. 1: Секция 2. 2016. С. 229-231.

Денисов С.А., Степихова М.В., Тетельбаум Д.И., Трушин В.Н., Чалков В.Ю., Здоровейщев А.В., Зайцев А.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Светоизлучающие слои германия на кремнии, легированные фосфором в процессе ионной имплантации // Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Нижний Новгород, Россия, 24-27 октября 2016 г.. 2016. С. 87-88.

Публикации в научных журналах

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 204-207.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V. GaAs Structures with a Gate Dielectric Based on Aluminium-Oxide Layers // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 204-207.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В. Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с дельта-слоем Mn // Физика и техника полупроводников. № 50. Т. 1. 2016. С. 3-8.

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Demina P.B., Vikhrova O.V., Zdoroveishev A.V. Effect of the Dopant Concentration on the Luminescence Properties of InGaAs/GaAs Spin Light-Emitting Diodes with a Mn δ Layer // Semiconductors. № 50. V. 1. 2016. P. 1-7.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Темирязев А.Г., Темирязева М.П. Свойства ферромагнитных слоев CoPt для применения в спиновых светоизлучающих диодах // Физика твердого тела. № 11. Т. 58. 2016. С. 2186-2189.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Усов Ю.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1463-1468.

Данилов Ю.А., Boudinov H., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А., Якубов Р.Р. Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga,Mn)As импульсным лазерным отжигом // Физика твердого тела. № 11. Т. 58. 2016. С. 2140-2144.

Danilov Yu.A., Boudinov H., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Pitirimova E.A., Yakubov R.R. Formation of the Single-Phase Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As by Pulsed Laser Annealing // Physics of Solid State. № 11. V. 58. 2016. P. 2218-2222.

Zdoroveishchev A.V., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Kudrin A.V., Temiryazev A.G., Temiryazeva M.P. Properties of CoPt Ferromagnetic Layers for Application in Spin Light-Emitting Diodes // Physics of the Solid State. № 11. V. 58. 2016. P. 2267-2270.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Demina P.B., Usov Yu.V., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu. Fabrication of MnGa/GaAs Contacts for Optoelectronics and Spintronics Applications // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1443-1448.

Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В. Кристаллическая структу-ра и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSix // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1473-1478.

Erofeeva I.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V. On the crystal structure and thermoelectric properties of thin Si1–xMnx films // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1453-1457.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/n+-GaAs/(Ga,Mn)As // Физика твердого тела. № 11. Т. 58. 2016. С. 2190.

Malysheva E.I., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V. Tunneling and Injection in Ferromagnetic Structures InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As and InGaAs/n+-GaAs/(Ga,Mn)As // Physics of the Solid State. № 11. V. 58. 2016. P. 2271-2276.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Zdoroveishchev A.V., Istomin L.A., Levichev S.B. Investigation of the energy spectra and the electron-hole alignment of the InAs/GaAs quantum dots with an ultrathin cap layer // Solid State Communications. № 240. 2016. P. 20-23.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Zdoroveishchev A.V., Istomin L.A., Levichev S.B. Diagnostic of the Bimodal Distribution of InAs/GaAs Quantum Dots by Means of a Simple Nondestructive Method Based on the Photoelectrical Spectroscopy // Nano. № 11. V. 10. 2016. P. 1650109.

2015

Труды (тезисы) конференции

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. С. 168-169.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.2. 2015. С. 523-524.

Ведь М.В., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Крюков Р.Н., Кудрин А.В. Электронно-лучевое послойное осаждение CoPt на поверхность InGaAs/GaAs гетероструктуры // Тезисы докладов XV Всероссийской конференции и VIII школы молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы: получение, анализ, применение», Нижний Новгород 26-29 мая 2015г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. С.113.. 2015. С. С.113.

Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Demina P.B., Vedy M.V. Room temperature spin injection in GaMnSb/GaAs/InGaAs spin light-emitting diodes // Proceedings International Conference «Spin physics, spin chemistry and spin technology» June 1-5, 2015, St. Petersburg, Russia.. 2015. P.70.. 2015. P. P.70.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Диагностика структур с двухслойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным инжектором GaMnAs // Труды VIII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 14-18 cентября, Рязань. РГРТУ, т.3. 2015. С. 95-99.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В. Формирование ферромагнитных слоев спиновых светоизлучающих диодов на основе GaAs методом импульсного лазерного осаждения // Тезисы докладов XV Всероссийской конференции и VIII школы молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы: получение, анализ, применение», Нижний Новгород 26-29 мая 2015г.. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. С.113.. 2015.. 2015. С. 199.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксия ферромагнитных квазикристаллов MnxGay на поверхности GaAs // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015.. Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН.. 2015. С. 131.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Питиримова Е.А., Темирязев А.Г., Темирязева М.П., Iikawa F. Спиновые светоизлучающие диоды на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs с ферромагнитным инжектором CoPt // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015.. Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН.. 2015. С. 309.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция диодов Зеннера на основе наноструктур InGaAs/GaAs/(A3,Mn)B5 // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10 – 14 марта 2015 г. Нижний Новгород, 2015.. Из-во ННГУ им.Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 2015. Т.1.. 2015. С. 184-185.

Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Комбинированные слои Al2O3 и HfO2 в качестве подзатворного диэлектрика для GaAs-структур // Труды II Российско-Белорусской научно-технической конференции "Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение" им. О.В. Лосева. 511 с. 2015. С. 191-194.

Публикации в научных журналах

Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И., Павлов Д.А., Сайед С. Применение кобальта в спиновых светоизлучающих диодах Шоттки с квантовыми ямами InGaAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 7. 2015. С. 57-60.

Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I., Pavlov D.A., S. Saeid Application of Cobalt in Spin Light-Emitting Schottky Diodes with InGaAs/GaAs Quantum Wells // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron, and Neutron Techniques. № 4. V. 9. 2015. P. 706-709.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1478-1483.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Mendes U., Brum J.A., Demina P.B., Malysheva E.I., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V. The circular polarization inversion in deltaMn/InGaAs/GaAs light-emitting diodes // Applied Physics Letters. № 4. V. 107. 2015. P. 042406, 1-4.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1649-1653.

Кукушкин В.А., Байдусь Н.В., Здоровейщев А.В. Диагностика эффективности возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов квантовыми точками с помощью поляризационных измерений выходного излучения // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 49. 2015. С. 804-809.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/(A III,Mn)BV на основе структур с туннельным барьером // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1497-1500.

Zdoroveishchev A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Vedy M.V., Danilov Yu.A., Erofeeva I.V., Kryukov R.N., Nikolichev D.E. CoPt Ferromagnetic Injector in Light-Emitting Schottky Diodes Based on InGaAs/GaAs Nanostructures // Semiconductors. № 12. V. 49. 2015. P. 1601-1604.

Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V. Optical and magnetotransport properties of InGaAs/GaAsSb/GaAs structures doped with a magnetic impurity // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1430-1434.

Malysheva E.I., Dorokhin M.V., Vedy M.V., Kudrin A.V., Zdoroveishchev A.V. Circularly Polarized Electroluminescence of Light-Emitting InGaAs/GaAs (III/Mn)V Diodes on the Basis of Structures with a Tunnelling Barrier // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1497-1500.

2014

Труды (тезисы) конференции

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоёв MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Том 1. 2014. С. 135-136.

Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И., Павлов Д.А., Сайед С. Влияние металлической пленки кобальта на структуру и свойства светоизлучающего диода с квантовыми ямами InGaAs/GaAs // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Том 1. 2014. С. 146-147.

Демидов Е.С., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Карзанов В.В., Бударин Л.И., Скопин Е.В. Магнито-транспортные и магниторезонаторные свойства металлических структур спинового клапана // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 11-14 марта 2014 г.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госун-та. Т.1. 728 с. 2014. С. 131-132.

Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Saied S. Study of factors that influence on the work of light-emitting spintronic diodes with InGaAs/GaAs quantum wells // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 242.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxy of MnGa ferromagnetic films on GaAs (100) for spintronic applications // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 253.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Исследование возможности создания на основе слоев оксида алюминия подзатворного диэлектрика для арсенид-галлиевых структур // Труды VII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 15-19 сентября 2014 г., Рязань. Рязань: изд-во РГРТУ. Т.3. 2014. С. 93-97.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция диодов с туннельным барьером GaMnAs/n+GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVIII международного симпозиума. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского Том 1.. 2014. С. 160-162.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В. Технология лабораторных диодов Шоттки и их применение для диагностики физических свойств полупроводников // "Диагностика материалов и наноструктур". Труды VII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых. 15-19 сентября 2014г. Рязань.. Рязань. – 2014. – Т.2. – С.136-156.. 2014. С. 136-156.

Публикации в научных журналах

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Istomin L.A., Utsyna E.V., Levichev S.B., Zvonkov B.N. Comparison of optoelectronic properties of InAs/GaAs quantum dots grown under different conditions by metalorganic vapor phase epitaxy // Journal of Luminescence. № 147. 2014. P. 59-62.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 5. 2014. С. 28-34.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией // Физика твердого тела. № 10. Т. 56. 2014. С. 2062-2065.

Вихрова О.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Калентьева И.Л. Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs // Письма в журнал технической физики. № 20. Т. 40. 2014. С. 96-103.

Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zdoroveishchev A.V., Rykov A.V., Zvonkov B.N. Temperature dependence of the circular polarization of electroluminescence from spin-polarized light-emitting diodes based on InGaAs/GaAs heterostructures // Journal of Surface Investigations. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 3. V. 8. 2014. P. 433-439.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxial Growth of MnGa/GaAs Layers for Diodes with Spin Injection // Physics of the Solid State. № 10. V. 56. 2014. P. 2131-2134.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Зубков С.Ю. Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом // Журнал технической физики. № 12. Т. 84. 2014. С. 102-106.

Vikhrova O.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L. The effect of Ferromagnetic Mn-Delta-Doped Layer on the Emission Properties of GaAsSb/GaAs and InGaAs/GaAsSb/GaAs Heterostructures // Technical Physics Letters. № 10. V. 40. 2014. P. 930-933.

Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Zubkov S.Yu. Spin Injection of Electrons in GaMnAs/GaAs/InGaAs Light-Emitting Diode Structures // Technical Physics. № 12. V. 59. 2014. P. 1839-1843.

2013

Труды (тезисы) конференции

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 116-117.

Данилов Ю.А., Демидов Е.С., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Карзанов В.В., Демидова Н.Е., Бударин Л.И., Скопин Е.В. Магниторезонансные и магнито-транспортные свойства металлических структур спинового клапана // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 112-113.

Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Prokofyeva M.M., Zdoroveishchev A.V. InGaAs/GaAs light-emitting diodes with ferromagnetic delta-doped layers // 10 International conference "Nanomeeting 2013" 28-31 May, Minsk. Belarus. 2013. 3P.. 2013. P. 618-621.

Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В. Материалы спиновой электроники // Форум молодых учёных. Нижний Новгород. 16-18 сентября 2013. Тезисы докладов.. Издательство ННГУ. 2013. 3С. 2013. С. 134-136.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Ферромагнитные свойства наноструктур на основе гетеросистемы InGaAs/GaAs-дельта Mn // Всероссийская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. С. Петербург. 16-20 сентября 2013.. Изд-во ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 2013. С. 312.

Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В. Влияние фосфидирования на формирование и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs // XI Российская конференция по физике полупроводников (XI РКФП). Санкт-Петербург, 16-20 сентября, 2013. Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе, 2013.-с.504. 2013. С. 276.

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И. Спиновые светоизлучающие приборы на основе гетероструктур InGaAs/GaAs // Пассивные электронные компоненты – 2013. Труды науч.-тех. конференции, Н.Новгород, 23-26 апреля 2013. Н. Новгород: «КБ «Икар»». 2013. С. 38-40.

Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В. Спиновые светоизлучающие диоды на основе ферромагнитных полупроводников (A3,Mn)B5 // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: сб. тр. 12-й Междунар. науч. конф.-шк., Саранск, 1–4 окт. 2013 г.. Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2013. – 204 с. 2013. С. 78-87.

Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Malysheva E.I., Vikhrova O.V., Kudrin A.V. Combination of MOVPE and laser sputtering for epitaxial growth of GaAs-based ferromagnetic semiconductor heterostructures // 15th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (EWMOVPE XV), June 2-5, 2013, Aachen, Germany. Extended Abstracts. Julich: Forschungszentrum. 2013. P. 219-222.

Сайед С., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А. Исследование структуры и свойств гетеронанокомпозиций Co/GaAs // Труды всероссийской молодежной школы-семинара «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 21-25 октября 2013 г.. Рязань. 2013. С. 104-108.

Публикации в научных журналах

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Суродин С.И., Дроздов М.Н Диагностика методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии состава наносистем спинтроники на основе полупроводников GaAs со спин-инжектирующим слоем GaAs // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1. 2013. С. 48-52.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л. Свойства гетероструктур MnSb/GaAs // Известия РАН. Сер. Физическая. № 1. Т. 77. 2013. С. 79-81.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Истомин Л.А., Левичев С.Б. Влияние режима выращивания слоев квантовых точек InAs/GaAs в методе газофазной эпитаксии на их оптоэлектронные свойства // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия физическая.. № 4. 2013. С. 33-37.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 47. 2013. С. 1609-1612.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Карпович И.А., Здоровейщев А.В., Полова И.А. Фотоэлектрические свойства бимодальных массивов квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией // Известия РАН. Серия физическая. № 77. 2013. С. 61-63.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Karpovich I.A., Zdoroveishchev A.V., Polova I.A. Photoelectric properties of bimodal arrays of InAs/GaAs quantum dots grown by means of gas phase epitaxy // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 1. V. 77. 2013. P. 53-55.

Volkova N.S., Gorshkov A.P., Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Optoelectronic properties of heteronanostructures with combined layers of In(Ga)As/GaAs quantum wells and dots // Semiconductors. № 12. V. 47. 2013. P. 1583-1586.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Drozdov Yu.N., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L. Properties of MnSb/GaAs Heterostructures // Bulletin of Russian Academy of Sciences. Physics. № 1. V. 77. 2013. P. 69-71.

2012

Труды (тезисы) конференции

Zdoroveishchev A.V., Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zvonkov B.N. Vapor phase epitaxy fabrication of self-organized Mn-doped InAs/GaAs quantum dot arrays // Book of abstracts of II International conference on Modern problems in physics of surfaces and nanostructures. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 pages. 2012. P. 111-112.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов с ферромагнитным полупроводниковым инжектором // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г.. Нижний Новгород. Т.1, 640 С. 2012. С. 117-118.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л. Необычные свойства гетероструктур MnSb/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. Т.1, 640 С. 2012. С. 111-112.

Публикации в научных журналах

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb // Письма в журнал технической физики. № 16. Т. 38. 2012. С. 69-77.

Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Zvonkov B.N., Sholina A.E. Features of the Formation of Mn Doped InAs/GaAs Quantum Dots by Vapor Phase Epitaxy // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION. XRAY, SYNCHROTRON AND NEUTRON TECHNIQUES. № 6. V. 3. 2012. P. 511-514. [принято к печати]

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Шолина А.Е. Особенности формирования методом газофазной эпитаксии квантовых точек InAs/GaAs, легированных атомами Mn // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 6. 2012. С. 55-58.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Светоизлучающие диоды с ферромагнитным инжектирующим слоем на основе гетероструктур GaMnSb/InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1554-1560.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb // Письма в журнал технической физики. № 16. Т. 38. 2012. С. 69-77.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Суродин С.И., Дроздов М.Н. Диагностика методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии состава наносистем спинтроники на основе полупроводников GaAs со спин-инжектирующим слоем GaMnAs // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2012. [принято к печати]

2011

Труды (тезисы) конференции

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Волкова Н.С. Формирование квантовых точек InAs/GaAs методом газофазной эпитаксии в присутствии атомов Mn // Труды XIII Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Ульяновск, 19-26 сентября 2011 г.. Ульяновск: УЛГУ. 2011. С. 50-51.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Волкова Н.С. Формирование квантовых точек InAs на легированном атомами Mn буферном слое GaAs методом газофазной эпитаксии // Сборник трудов IV Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых "Диагностика наноматериалов и наноструктур", Рязань, 12-16 сентября 2011 г.. Рязань: РГРТУ, Т. 3. 2011. С. 73-77.

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Зайцев С.В. Особенности формирования методом газофазной эпитаксии квантовых точек InAs/GaAs, легированных атомами Mn // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г.. Нижний Новгород. Т.2. 670 С. 2011. С. 416-417.

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Прокофьева М.М., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. Исследование люминесценции гетероструктур In(Ga)As/GaAs, легированных атомами переходных элементов // X Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы конференции. 19-23 сентября 2011. Нижний Новгород. 296 С. 2011. С. 167.

Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Белевский П.А., Вайнберг В.В., Здоровейщев А.В., Иконников А.В., Кудрин А.В., Ластовкин А.В., Смотрин Д.С., Порошин В.Н. Использование короткопериодной сверхрешетки GaAs–AlGaAs для улучшения эффективности пространственного переноса электронов при латеральном сильнополевом транспорте // Труды XV международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Институт физики микроструктур РАН, Том 2, 655 с.. 2011. С. 374-375. [принято к печати]

Публикации в научных журналах

Здоровейщев А.В., Демина П.Б., Карпович И.А. Диагностика распределения массива квантовых точек InAs/GaAs по высотам путем обработки тетрахлоридом углерода в условиях газофазной эпитаксии // ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. № 1. 2011. С. 62-65.

Здоровейщев А.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Демина П.Б. Управление самоорганизацией массива квантовых точек InAs при росте методом газофазной эпитаксии на // Известия РАН. Серия физическая. № 1. Т. 75. 2011. С. 31-33.

Zdoroveishev A.V., Demina P.B., Karpovich I.A. Diagnostics of height distribution of InAs/GaAs quantum dot arrays by means of carbon tetrachloride treatment in vapor phase epitaxy conditions // Journal of Surface Investigation. X_ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 1. V. 5. 2011. P. 57-59.

Zdoroveishchev A.V., Baidus N.V., Zvonkov B.N., Demina P.B. Controlling the Self_Organization of InAs Quantum Dots upon Growth by Means of Vapor_Phase Epitaxy on an Antimony // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 1. V. 75. 2011. P. 25-27.

Патенты, авторские свидетельства

2018

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Калентьева И.Л. Способ определения знака циркулярной поляризации света и детектор для его осуществления (Патент).

2016

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Калентьева И.Л. Светоизлучающий диод на основе гетероструктуры второго рода (Патент).

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского