Дорохин Михаил Владимирович

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория спиновой и оптической электроники

ведущий научный сотрудник

Физический факультет

Кафедра физического материаловедения

профессор

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

заведующий научно-исследовательским отделом

Ученая степень
Доктор физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в университете лобачевского: 2004
Общий стаж работы 14 лет, 1 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Квалификация: инженер.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

15.01.2018 - 01.02.2018
Повышение квалификации: Современные нанотехнологии: физические основы и подготовка кадров, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 72 час., документ № 522405002109; рег. № 33-980 от 01.02.2018

14.11.2017 - 14.11.2017
Повышение квалификации: специальная подготовка по качеству, АНО ЦРМ "СПК", документ № № 8393/СПК от 14.11.2017

13.03.2017 - 13.05.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404111567 рег номер 33-801 от 13.05.2017

Список преподаваемых дисциплин

Физический факультет
Функциональные материалы

Публикации

2019

Труды (тезисы) конференции

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Звонков Б.Н. Физико-химические свойства слоёв MnGa // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII международного симпозиума. (Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета - т. 1, - 544 с.. 2019. С. 219-220.

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Звонков Б.Н. Физико-химические свойства структур спинового светоизлучающего диода со слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII международного симпозиума. (Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета - т. 1, - 544 с.. 2019. С. 221-222.

Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Николичев Д.Е., Дорохин М.В., Звонков Б.Н. Физико-химические свойства слоёв GaMnSb // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII международного симпозиума. (Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета - т. 1, - 544 с.. 2019. С. 223-224.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Ларионова Е.А., Ковальский В.А. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 201-202.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Никитов С.А., Садовников А.В. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 205-206.

Кудрин А.В., Лесников В.П., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Милин В.Е., Усов Ю.В., Ведь М.В., Кузнецов Ю.М., Крюков Р.Н. Создание эпитаксиальных гетероструктур на основе магнитных полупроводников (In,Fe)Sb и (Ga,Fe)Sb // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 229-230.

Алафердов А.В., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Мошкалев С.А. Использование многослойного графена для формирования контактного слоя к светоизлучающим GaAs структурам // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2019. С. 579-580.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Люминесцентные свойства и получение диодов (In,Fe)Sb/GaAs/InGaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2019. С. 618-619.

Демина П.Б., Дорохин М.В., Буданов А.В., Ведь М.В., Вихрова О.В., Власов Ю.Н., Здоровейщев А.В., Котов Г.И., Крюков Р.Н., Кудрин А.В. Селенид галлия как пассивирующий слой в спиновых светоизлучающих диодах на основе наногетероструктур GaAs/InGaAs // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIII Международного симпозиума, 11–14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 185-186.

Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Темирязев А.Г., Темирязева М.П. Магнитооптические и микромагнитные свойства плёночных структур вида ферромагнетик/тяжелый металл // Труды XXIII Международного симпозиума, 11–14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 203-204.

Кузнецов Ю.М., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Демина П.Б., Кудрин А.В. Аномальные эффекты Нернста-Эттингсгаузена и Холла в плёнках CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIII Международного симпозиума, 11–14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 231-232.

Дорохин М.В., Демина П.Б., Ерофеева И.В., Здоровейщев А.В., Кузнецов Ю.М., Болдин М.С., Попов А.А., Ланцев Е.А. Температурные зависимости термоэлектрических свойств структур SiGe, полученных методом электроимпульсного плазменного спекания // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIII Международного симпозиума, 11–14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2019. С. 673-674.

Dorokhin M.V., Kuznetsov Yu.M., Demina P.B., Erofeeva I.V., Boldin M.S., Lantsev E.A., Popov A.A., Boryakov A.V. Spark plasma sintering of manganese silicide based ferromagnetic materials for multiple applications. 189 с. // Book of аbstracts «The 3rt International Baltic Conference on Magnetism: nanobiomedicine and smart materials. IBCM 2019», Kaliningrad, Russia 18-22 August, 2019.. Immanuel Kant Baltic Federal University. 2019. P. 38.

Demina P.B., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G. Properties and spintronic applications of CoPt ferromagnetic films // Book of аbstracts «The 3rt International Baltic Conference on Magnetism: nanobiomedicine and smart materials. IBCM 2019», Kaliningrad, Russia 18-22 August, 2019.. Immanuel Kant Baltic Federal University. 189 с.. 2019. P. 94.

Vedy M.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Kudrin A.V. Circularly polarized electroluminescence of spin lightemitting diodes based on (In,Fe)Sb ferromagnetic injector // Book of аbstracts «The 3rt International Baltic Conference on Magnetism: nanobiomedicine and smart materials. IBCM 2019», Kaliningrad, Russia 18-22 August, 2019.. Immanuel Kant Baltic Federal University. 189 с.. 2019. P. 171.

Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Temiryazev A.G., Temiryazeva M.P., Khodos I. Micromagnetic and magneto-optical properties of CoPt (CoPd) films grown by electron-beam evaporation // Book of аbstracts «IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures», Yaroslavl, Russia 26-29 August, 2019. 113 с.. 2019. P. 70.

Danilov Yu.A., Kryukov R.N., Kudrin A.V., Parafin A., Vikhrova O.V., Dorokhin M.V. Formation of ferromagnetic semiconductor GaAs:Mn by ion implantation with subsequent pulse laser annealing // Book of аbstracts «The 3rt International Baltic Conference on Magnetism: nanobiomedicine and smart materials. IBCM 2019», Kaliningrad, Russia 18-22 August, 2019. 189c.. 2019. P. 92.

Dorokhin M.V., Kuznetsov Yu.M., Kudrin A.V., Lesnikov V.P. Anomalous Nernst-Ettingshausen effect in thinferromagnetic films // Book of аbstracts «The 3rt International Baltic Conference on Magnetism: nanobiomedicine and smart materials. IBCM 2019», Kaliningrad, Russia 18-22 August, 2019. 189с.. 2019. P. 127.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kalentyeva I.L., Kudrin A.V., Larionova E.A. Effect of laser annealing on diode heterostructures with a ferromagnetic GaMnAs layer // Book of аbstracts «IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures», Yaroslavl, Russia 26-29 August, 2019. 113с.. 2019. P. 69.

Soltanovich O.A., Kovalyskii V.A., Eremenko V.G., Vergeles P.S., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A. On the relation of cross-hatch pattern surface morphology and extended defects in buffer layers of (Ga,Mn)As/(In,Ga)As/GaAs ferromagnetic structures // Book of аbstracts «IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures», Yaroslavl, Russia 26-29 August, 2019. 113с.. 2019. P. 77.

Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Демина П.Б., Ерофеева И.В., Здоровейщев А.В., Болдин М.С., Ланцев Е.А., Попов А.А. Термоэлектрические преобразователи энергии на основе сильнолегированных полупроводников GeSi и соединений MnSi // Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск.. М. Издательство Перо. Т.1. 272 с.. 2019. С. 40.

Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Демина П.Б., Ерофеева И.В., Здоровейщев А.В., Лесников В.П., Боряков А.В. Тонкие эпитаксиальные слои Mn(x)Si(1-x) как перспективный материал для термоэлектрических преобразователей энергии // Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск.. М. Издательство Перо. Т.1. 272 с.. 2019. С. 100.

Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В., Кудрин А.В., Буданов А.В., Власов Ю.Н., Котов Г.И., Крюков Р.Н., Вихрова О.В. Модифицирование границы раздела металл/полупроводник в спиновых светоизлучающих диодах СoPt/(In)GaAs // Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск. М. Издательство Перо. Т.2. 272 с.. 2019. С. 288.

Zvonkov B.N., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Kalentyeva I.L., Malysheva E.I. Structures of semiconductor spintronics, formed by the combined method of MOCVD epitaxy and pulsed laser deposition // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.1.. 2019. P. 59.

Dorokhin M.V., Kuznetsov Yu.M., Kudrin A.V., Lesnikov V.P. Anomalous nernst-ettingshausen effect in InFeSb and GaFeSb diluted magnetic semiconductors // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.1.. 2019. P. 129.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Dudin Yu.A., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G., Nikitov S.A., Sadovnikov A.V. Changing the magnetic properties of CoPt alloy by ion irradiation // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.1.. 2019. P. 387.

Fadeev T.V., Dorokhin M.V., Kveglis L.I., Girn A.V., Kuznetsov Yu.M. Hadfield steel — a material with thermoelectric properties // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.1.. 2019. P. 433.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Konakov A.A., Dudin Yu.A., Sobolev N.A. Control of carrier concentration and Fermi level position in (In,Fe)Sb magnetic semiconductor by ion irradiation // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.2.. 2019. P. 322.

Рыков А.В., Вергелес П.С., Здоровейщев А.В., Ковальский В.А., Байдусь Н.В., Дорохин М.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Вариации дислокационных фильтров в структурах А3В5 на подложке Ge/Si // Материалы XXIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2019. 411 с. 2019. С. 815-816.

Прохоров Д.С., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Здоровейщев А.В., Ведь М.В., Дорохин М.В., Рыков А.В., Байдакова Н.А., Зайцев А.В. Светоизлучающие структуры на основе слоев Ge/Si(001), выращенных методом HW CVD, для кремниевой оптоэлектроники // Сборник трудов ИТНТ-2019, V Международная конференция и молодежная школа «Информационные технологии и нанотехнологии». Самара: Изд-во Новая техника, 2019. Т. 1. Компьютерная оптика и нанофотоника. 761 с. 2019. С. 406-410.

Публикации в научных журналах

Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Konakov A.A., Vasilyev V.K., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Zvonkov B.N. The nature of transport and ferromagnetic properties of the GaAs structures with the Mn δ-doped layer // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 478. 2019. P. 84-90.

Kudyakova V.S., Chukin A.V., Dorokhin M.V., Kuznetsov Yu.M., Shishkin R.A., Beketov A.R. Structure, microhardness and thermal conducting properties of the high-pressure high-temperature-treated Al–Ti–N materials // Applied Physics A: Materials Science and Processing. № 2. V. 125. 2019. P. 123.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л., Ларионова Е.А., Ковальский В.А., Солтанович О.А. Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 53. 2019. С. 351-358.

Kovalskiy V.A., Eremenko V.G., Vergeles P.S., Soltanovich O.A., Khodos I.I., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A. On the mechanism of cross-hatch pattern formation in heterostructures with a small lattice mismatch // Applied Surface Science. V. 479. 2019. P. 930-941.

Свинцов А.А., Якимов Е.Б., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кузнецов Ю.М. Моделирование параметров бетавольтаического элемента на основе тритида титана // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 53. 2019. С. 101-103.

Дорохин М.В., Демина П.Б., Буданов А.В., Власов Ю.Н., Котов Г.И., Здоровейщев А.В., Трушин В.Н., Звонков Б.Н. Повышение степени циркулярной поляризации спиновых светоизлучающих диодов путем обработки в парах селена // Письма в Журнал технической физики. № 5. Т. 45. 2019. С. 52-55.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Konakov A.A., Dudin Yu.A., Kuznetsov Yu.M., Temiryazeva M.P., Sobolev N.A. Robustness of ferromagnetism in (In,Fe)Sb diluted magnetic semiconductor to variation of charge carrier concentration // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 485. 2019. P. 236–243.

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Trushin V.N., Zaitsev A.V., Prokhorov D., Filatov D.O., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Buzynin Yu. Ultra-high phosphorus-doped epitaxial Ge layers grown by HWCVD method on Si substrates // Materials Science in Semiconductor Processing. V. 100. 2019. P. 175-178.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs // Письма в Журнал технической физики. № 13. Т. 45. 2019. С. 33-36.

Moraes F.C.D., Ullah S., Balanta M.A.G., Iikawa F., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Hernandez F.G.G. Acceleration of the precession frequency for optically-oriented electron spins in ferromagnetic/semiconductor hybrids // Scientific Reports. № 7294. V. 9. 2019. P. 1-7.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Никитов С.А., Садовников А.В. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения // Физика твердого тела (Physics of the Solid State). № 9. Т. 61. 2019. С. 1694-1699.

Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G. Magneto-Optical and Micromagnetic Properties of Ferromagnet/Heavy Metal Thin Film Structures // International Journal of Nanoscience. № 03n04. V. 18. 2019. P. 1940019.

Dorokhin M.V., Gavva V.A., Vedy M.V., Demina P.B., Kuznetsov Yu.M., Erofeeva I.V., Nezhdanov A.V., Boldin M.S., Lantsev E.A., Popov A.A., Trushin V.N., Vikhrova O.V., Boryakov A.V., Yakimov E.B., Tabakov N.Yu. New functional material: spark plasma sintered Si/ SiO2 nanoparticles – fabrication and properties // RSC Advances. V. 9. 2019. P. 16746-16753.

2018

Сборники статей

Демина П.Б., Ведь М.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В. Модифицирование границы раздела металл/полупроводник в спиновых светоизлучающих диодах СoPt/(In)GaAs // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1. 2018. С. 184-185.

Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Демина П.Б. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с CoPt барьером Шоттки // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1. 2018. С. 214-215.

Труды (тезисы) конференции

Зубков С.Ю., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Дорохин М.В., Звонков Б.Н. Химический состав разбавленного магнитного полупроводника InMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2017 г.. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2018. С. 200-201.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InFeSb/GaAs/InGaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума, 12-15 марта 2018. Н. Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. Т.1. 2018. С. 154-155.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Парафин А.Е., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путем послеростовых воздействий // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума, 12-15 марта 2018. Н. Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. - Т.1. 2018. С. 220-221.

Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Ерофеева И.В., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Боряков А.В. Влияние состава на термоэлектрические свойства тонких плёнок MnSi(x) // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. 2 С.. 2018. С. 594-595.

Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Кузнецов Ю.М., Попов А.А., Ланцев Е.А., Боряков А.В., Котомина В.Е. Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. 2 С.. 2018. С. 608-609.

Здоровейщев А.В., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Ведь М.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотолюминесценция сильнолегированных фосфором эпитаксиальных слоёв Ge на Si (001) // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. 2 С.. 2018. С. 627-628.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Вергелес П.С., Ковальский В.А., Якимов Е.Б., Байдусь Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю. Структурное исследование излучающих структур А3В5 на Ge/Si(100) подложке // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. 389 с.. 2018. С. 751-752.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InFeSb/GaAs/InGaAs // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород... Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1.. 2018. С. 154-155.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Парафин А.Е., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путём постростовых воздействий // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1.. 2018. С. 220-221.

Ved M., Malysheva E., Dorokhin M., Zdoroveyshchev A., Danilov Yu., Parafin A. Enhancement the operating temperature of spin light-emitting diodes based on dilute magnetic semiconductors // Book of Abstracts of 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, April 2-5, 2018, Saint Petersburg, Russia. St. Petersburg Academic University. 2018. P. 469-470.

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Vergeles P.S., Baidus N.V., Shengurov V.G. Structural investigation of light-emitting A3B5 structures grown on Ge/Si(100) substrate // 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, Book of Abstracts. Academic University Publishing, St. Petersburg, 2018, 623 p.. 2018. P. 103-104.

Свинцов А.А., Якимов Е.Б., Дорохин М.В., Демина П.Б., Шенгуров В.Г., Звонков Б.Н. Моделирование параметров бетавольтаического элемента на основе тритида титана // Тезисы докладов XXVII Российской конференции «Современные методы электронной и зондовой микроскопии в исследованиях органических, неорганических наноструктур и нанобиоматериалов». Черноголовка, 28-30 августа 2018г. Т.2.. 2018. С. 89-90.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Рыков А.В., Ведь М.В., Белкин М.А., Темирязева М.П., Темирязев А.Г. Свойства и применение пленок типа «ферромагнетик/тяжелый металл» в приборах спинтроники // Труды Х Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 01-06 октября 2018г., Рязань. Т.1. 2018. С. 64-84.

Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Демина П.Б., Ерофеева И.В., Болдин М.С., Попов А.А., Ланцев Е.А., Боряков А.В. Термоэлектрические свойства и фазовый состав силицида марганца, полученного методом электро-импульсного плазменного спекания // Материалы VIII Всероссийской конференции с международным участием, посвященной 100 летию Воронежского государственного университета, «ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕДАХ И НА МЕЖФАЗНЫХ ГРАНИЦАХ» ФАГРАН-2018. 8—11 октября 2018 г., г. Воронеж. 2018. С. 409-411.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Биполярная инжекция в спиновых светоизлучающих диодах, содержащих слои разбавленных магнитных полупроводников InFeSb // «НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОФОТОНИКА И НЕЛИНЕЙНАЯ ФИЗИКА».. Сборник трудов XIII Всероссийской конференции молодых ученых, 04-06 сентября 2018 г. Саратов.. 2018. С. 41.

Калентьева И.Л., Дорохин М.В. Улучшение рабочих характеристик спиновых светоизлучающих диодов на основе разбавленных магнитных полупроводников // Тезисы докладов 20-й Всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург (2018).. 1 стр. 2018. С. 107.

Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю. Состав и структура слоев GaMnAs, выращенных методом импульсного лазерного осаждения // XXVII Российская конференция по электронной микроскопии. ВНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, т.1, 2018, 427 С. 2018. С. 349-350.

Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Дорохин М.В., Звонков Б.Н. Химический состав разбавленного магнитного полупроводника InMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г.. Н. Новгород: Издательство ННГУ Н. Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2018. С. 200-201.

Публикации в научных журналах

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Vergeles P.S., Baidus N.V., Kovalyskii V.A., Yakimov E.B., Soltanovich O.A. Structural and optical characteristics of GaAs films grown on Si/Ge substrates // Journal of Physics: Conference Series. № 993. V. 1. 2018. P. 012014.

Kuznetsov Yu.M., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V. Anomalous Nernst-Ettingshausen effect in δMnGaAs/InGaAs ferromagnetic semiconductor heterostructures // Journal of Physics: Conference Series. № 993. V. 1. 2018. P. 012015.

Dorokhin M.V., Erofeeva I.V., Kuznetsov Yu.M., Boldin M.S., Boryakov A.V., Popov A.A., Lantsev E.A., Sakharov N.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Trushin V.N. Investigation of the initial stages of sparkplasma sintering of Si–Ge based thermoelectric materials // NANOSYSTEMS: PHYSICS, CHEMISTRY, MATHEMATICS. № 5. V. 9. 2018. P. 0-8.

Yakovlev G.E., Dorokhin M.V., Zubkov V.I., Dudin A.L., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Specific Features of the Electrochemical Capacitance-Voltage Profiling of GaAs LED and pHEMT Structures with Quantum-Confined Regions // Semiconductors. № 8. V. 52. 2018. P. 1004-1011.

Темирязев А.Г., Темирязева М.П., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В. Формирование доменной структуры в многослойных пленках CoPt с помощью магнитного зонда атомно-силового микроскопа // Физика твердого тела. № 11. Т. 60. 2018. С. 2158-2165.

Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Демина П.Б. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 60. 2018. С. 2236-2239.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Парафин А.Е., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий // Физика твердого тела. № 11. Т. 60. 2018. С. 2141-2146.

Dorokhin M.V., Yakovlev G.E., Zubkov V.I., Dudin A.L., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Specific Features of the Electrochemical Capacitance-Voltage Profiling of GaAs LED and pHEMT Structures with Quantum-Confined Regions // Semiconductors. № 8. V. 52. 2018. P. 1004-1011.

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Vergeles P.S., Kovalskiy V.A., Yakimov E.B., Ved' M.V., Baidus N.V., Zdoroveyshchev A.V., Shengurov V.G., Denisov S.A. Structural investigation of light-emitting A3B5 structures grown on Ge/Si(100) substrate // Journal of Physics: Conference Series. № 1124. 2018. P. 022037.

2017

Труды (тезисы) конференции

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 149-150.

Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Лесников В.П., Данилов Ю.А. Новые ферромагнитные материалы на основе соединений Mn. Проблемы интеграции в приборы спинтроники // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 179-180.

Калентьева И.Л., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Павлов Д.А., Пирогов А.В., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Юнин П.А. Особенности селективного легирования марганцем GaAs гетероструктур // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 612-613.

Демина П.Б., Ведь М.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Хомицкий Д.В. Методы управление спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. Электронный адрес публикации: http://nanosymp.ru/UserFiles/Symp/2017_v1.pdf. 2017. С. 175-176.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Ведь М.В. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетерострукутр InGaAs/GaAs/δMn // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. 2017. С. 205-206.

Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Демина П.Б., Звонков Б.Н. Влияние низкотемпературного отжига на перераспределение химического состава системы спинового светоизлучающего диода на основе GaAs с дельта-слоем Mn // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. 2017. С. 217-218.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Температурная стабилизация спиновых светодиодов с инжектором CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. 2017. С. 230-231.

Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Кузнецов Ю.М. Термоэлектрические эффекты в наноразмерных слоях силицида марганца // Материалы ХХ Международного симпозиума Нанофотоника и Наноэлектроника. Издательство Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, том 2, 831. 2017. С. 584-585.

Kalentyeva I.L., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V. Magneto-optical effects of CoPt and CoPd alloys // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 139.

Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Kudrin A.V., Demina P.B., Danilov Yu.A., Vedy M.V., Zdoroveishchev A.V. Electrical spin injection in InFeSb/GaAs ferromagnetic heterostructures // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 868.

Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Kalentyeva I.L., Vedy M.V. Circularly polarized light detector based on MDP structure of CoPt/(Al2O3/SiO2/Al2O3)/InGaAs/GaAs // Book of abstracts III International conference on Modern problems in physics of surfaces and nanostructures, 9-11 october 2017, Yaroslavl, Russia.. Yaroslavl Demidov State University, 121p.. 2017. P. 59.

Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. Детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП структуры CoPt/(Al2O3/SiO2)/InGaAs/GaAs // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников, 2-6 октября 2017, Екатеринбург.. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2017.. 2017. С. 268.

Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Николичев Д.Е., Дорохин М.В., Звонков Б.Н. Свойства поверхности слоёв GaAs:Mn, выращенных методом импульсного лазерного осаждения // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Изд-во ННГУ, Т.2. 2017. С. 606-607.

Dorokhin M.V., Erofeeva I.V., Kuznetsov Yu.M., Zdoroveishchev A.V., Lesnikov V.P. Higher manganese silicide - ferromagnetic multifunctional material // International Baltic Conference on Magnetism 2017. Svelogorsk 20-24 August 2017.. International Baltic Conference on Magnetism 2017. Book of abstracts. Svelogorsk 20-24 August 2017. 186 P.. 2017. P. 39.

Публикации в научных журналах

Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Кузнецов Ю.М., Здоровейщев А.В., Питиримова Е.А. Термоэлектрические эффекты в наноразмерных слоях силицида марганца // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1456-1461.

Dorokhin M.V., Ved' M.V., Malysheva E.I., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Danilov Yu.A. Room temperature spin injection in a light-emitting diode based on a GaMnSb/n-GaAs/InGaAs tunnel junction // Journal of Physics: Conference Series. V. 816. 2017. P. 012035.

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Ved' M.V. Temperature stabilization of spin-LEDs with a CoPt injector // Journal of Physics: Conference Series. V. 816. 2017. P. 012034.

Dorokhin M.V., Zaitsev S.V., Rykov A.V., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zubkov V.I., Frolov D.S., Yakovlev G.E., Kudrin A.V. Heterostructures with InGaAs/GaAs quantum dots doped with transition elements: II. Study of the circularly polarized luminescence // Technical Physics. № 10. V. 62. 2017. P. 1545-1550.

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства // Журнал технической физики. № 9. Т. 87. 2017. С. 1389-1394.

Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A. Heterostructures with InGaAs/GaAs Quantum Dots Doped by Transition Elements. Part I: Photoluminescence Properties // Technical Physics. № 9. V. 62. 2017. P. 1398-1402.

Дорохин М.В., Зайцев С.В., Рыков А.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Зубков В.И., Фролов Д.С., Яковлев Г.Е., Кудрин А.В. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции // Журнал технической физики. № 10. Т. 87. 2017. С. 1539-1544.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/deltaMn // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2142-2147.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2196-2199.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Дроздов М.Н., Усов Ю.В. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1468-1472.

Дорохин М.В., Ведь М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Рыков А.В., Кузнецов Ю.М. Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2135-2141.

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Демина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2203-2205.

Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Alaferdov A.V., Sobolev N.A. High-temperature intrinsic ferromagnetism in the (In,Fe)Sb semiconductor // Journal of Applied Physics. V. 122. 2017. P. 183901.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Alaferdov A.V., Sobolev N.A. High-temperature intrinsic ferromagnetism in the (In,Fe)Sb semiconductor // Journal of Applied Physics. V. 122. 2017. P. 183901.

2016

Труды (тезисы) конференции

Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б., Здоровейщев А.В. Люминесценция спиновых светодиодов с ферромагнитным инжектором CoPt // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород. Изд-во Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобаческого, Т. 1: Секция 2. 2016. С. 251-252.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Кудрин А.В. Магнитонезависимый спиновый светодиод с инжектором CoPt // Тезисы докладов XXI Уральской междунородной зимней школы по физике полупроводников, 15-20 февраля 2016г., Екатеринбург-Алпатьевск.. Из-во ИПМ УрО РАН. 2016. С. 234-235.

Дорохин М.В., Демина П.Б., Конаков А.А., Здоровейщев А.В. Спиновая инжекция в светоизлучающих структурах CoPt/GaAs/InGaAs. Роль спиновой прецессии // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород.. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.1, 434с.. 2016. С. 189-190.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Темирязев А.Г., Темирязева М.П. Магнитонезависимые спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур In(Ga)As/GaAs и ферромагнитного инжектора CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.1, 434с. 2016. С. 206-207.

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Малышева Е.И., Родионова В.В., Беляев В.К. Особенности магнитных свойств слоев GaMnSb со второй ферромагнитной фазой // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород.. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.1, 434с. 2016. С. 221-222.

Дорохин М.В., Бобров А.И., Ведь М.В., Павлов Д.А., Лесников В.П., Ерофеева И.В., Демина П.Б., Малышева Е.И., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Эпитаксиальный слой MnGa – перспективный материал для практического применения в полупроводниковых приборах // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 435с. 2016. С. 564-565.

Рыков А.В., Дорохин М.В. Исследование люминесценции спиновых светодиодов с ферромагнитным инжектором CoPt // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника: тезисы докладов 18 всерос. молод. конф. 28 ноября – 2 декабря 2016 года. СПб: Изд-во Политехн. ун-та, 146 с. 2016. 2016. С. 125.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(A3,Mn)B5 и InGaAs/n+-GaAs/(A3,Mn)B5 // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобаческого, Т. 1: Секция 2. 2016. С. 229-231.

Публикации в научных журналах

Balanta M.A.G., Brasil M.L.S.P., Iikawa F., Mendes U.C., Brum J.A., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Optically controlled spin-polarization memory effect on Mn delta-doped heterostructures // Scientific Reports. № 24537. V. 6. 2016. P. 1-6.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В. Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с дельта-слоем Mn // Физика и техника полупроводников. № 50. Т. 1. 2016. С. 3-8.

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Demina P.B., Vikhrova O.V., Zdoroveishev A.V. Effect of the Dopant Concentration on the Luminescence Properties of InGaAs/GaAs Spin Light-Emitting Diodes with a Mn δ Layer // Semiconductors. № 50. V. 1. 2016. P. 1-7.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Темирязев А.Г., Темирязева М.П. Свойства ферромагнитных слоев CoPt для применения в спиновых светоизлучающих диодах // Физика твердого тела. № 11. Т. 58. 2016. С. 2186-2189.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Усов Ю.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1463-1468.

Зайцев С.В., Акимов И.А., Лангер Л., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Яковлев Д.Р., Байер М. Когерентная спиновая динамика носителей в ферромагнитных полупроводниковых гетероструктурах с дельта-слоем Mn // Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 3. Т. 150. 2016. С. 490-500.

Zaitsev S.V., Akimov I.A., Langer L., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Yakovlev D.R., Bayer M. Coherent Spin Dynamics of Carriers in Ferromagnetic Semiconductor Heterostructures with an Mn Delta Layer // Journal of Experimental and Theoretical Physics. № 3. V. 123. 2016. P. 420-428.

Zdoroveishchev A.V., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Kudrin A.V., Temiryazev A.G., Temiryazeva M.P. Properties of CoPt Ferromagnetic Layers for Application in Spin Light-Emitting Diodes // Physics of the Solid State. № 11. V. 58. 2016. P. 2267-2270.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Demina P.B., Usov Yu.V., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu. Fabrication of MnGa/GaAs Contacts for Optoelectronics and Spintronics Applications // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1443-1448.

Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В. Кристаллическая структу-ра и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSix // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1473-1478.

Erofeeva I.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V. On the crystal structure and thermoelectric properties of thin Si1–xMnx films // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1453-1457.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/n+-GaAs/(Ga,Mn)As // Физика твердого тела. № 11. Т. 58. 2016. С. 2190.

Malysheva E.I., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V. Tunneling and Injection in Ferromagnetic Structures InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As and InGaAs/n+-GaAs/(Ga,Mn)As // Physics of the Solid State. № 11. V. 58. 2016. P. 2271-2276.

2015

Труды (тезисы) конференции

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Demina P.B., Malysheva E.I. Time-resolved photoluminescence of ferromagnetic InGaAs/GaAs/δMn structures // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. P. 164-165.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. С. 168-169.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.2. 2015. С. 523-524.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б., Вихрова О.В. Люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов с легированными Mn слоями // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10 – 14 марта 2015 г. Нижний Новгород, 2015.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. С.199-200.. 2015. С. 199-200.

Ведь М.В., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Крюков Р.Н., Кудрин А.В. Электронно-лучевое послойное осаждение CoPt на поверхность InGaAs/GaAs гетероструктуры // Тезисы докладов XV Всероссийской конференции и VIII школы молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы: получение, анализ, применение», Нижний Новгород 26-29 мая 2015г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. С.113.. 2015. С. С.113.

Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Demina P.B., Vedy M.V. Room temperature spin injection in GaMnSb/GaAs/InGaAs spin light-emitting diodes // Proceedings International Conference «Spin physics, spin chemistry and spin technology» June 1-5, 2015, St. Petersburg, Russia.. 2015. P.70.. 2015. P. P.70.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Диагностика структур с двухслойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным инжектором GaMnAs // Труды VIII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 14-18 cентября, Рязань. РГРТУ, т.3. 2015. С. 95-99.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В. Формирование ферромагнитных слоев спиновых светоизлучающих диодов на основе GaAs методом импульсного лазерного осаждения // Тезисы докладов XV Всероссийской конференции и VIII школы молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы: получение, анализ, применение», Нижний Новгород 26-29 мая 2015г.. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. С.113.. 2015.. 2015. С. 199.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксия ферромагнитных квазикристаллов MnxGay на поверхности GaAs // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015.. Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН.. 2015. С. 131.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Питиримова Е.А., Темирязев А.Г., Темирязева М.П., Iikawa F. Спиновые светоизлучающие диоды на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs с ферромагнитным инжектором CoPt // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015.. Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН.. 2015. С. 309.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция диодов Зеннера на основе наноструктур InGaAs/GaAs/(A3,Mn)B5 // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10 – 14 марта 2015 г. Нижний Новгород, 2015.. Из-во ННГУ им.Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 2015. Т.1.. 2015. С. 184-185.

Рыков А.В., Дорохин М.В. Исследование люминесценции спиновых светодиодов с ферромагнитным инжектором CoPt // 17 Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто – и наноэлектронике. Тезисы докладов. Санкт-Петербург. Издательство Политехнического университета, 142 с. 2015. С. 115.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б., Вихрова О.В. Люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов с легированными Mn слоями // Материалы XIX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2012. Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, 402 с. 2015. С. 199-200.

Публикации в научных журналах

Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И., Павлов Д.А., Сайед С. Применение кобальта в спиновых светоизлучающих диодах Шоттки с квантовыми ямами InGaAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 7. 2015. С. 57-60.

Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I., Pavlov D.A., S. Saeid Application of Cobalt in Spin Light-Emitting Schottky Diodes with InGaAs/GaAs Quantum Wells // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron, and Neutron Techniques. № 4. V. 9. 2015. P. 706-709.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1478-1483.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Mendes U., Brum J.A., Demina P.B., Malysheva E.I., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V. The circular polarization inversion in deltaMn/InGaAs/GaAs light-emitting diodes // Applied Physics Letters. № 4. V. 107. 2015. P. 042406, 1-4.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1649-1653.

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Морозов С.В., Крыжков Д.И., Юнин П.А. Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения // Физика и техника полупроводников. № 49. Т. 1. 2015. С. 113-116.

Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yunin P.A. Structural and optical properties of GaAsSb QW heterostructures grown by laser deposition // Semiconductors. № 49. V. 1. 2015. P. 109-112.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/(A III,Mn)BV на основе структур с туннельным барьером // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1497-1500.

Zdoroveishchev A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Vedy M.V., Danilov Yu.A., Erofeeva I.V., Kryukov R.N., Nikolichev D.E. CoPt Ferromagnetic Injector in Light-Emitting Schottky Diodes Based on InGaAs/GaAs Nanostructures // Semiconductors. № 12. V. 49. 2015. P. 1601-1604.

Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V. Optical and magnetotransport properties of InGaAs/GaAsSb/GaAs structures doped with a magnetic impurity // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1430-1434.

Malysheva E.I., Dorokhin M.V., Vedy M.V., Kudrin A.V., Zdoroveishchev A.V. Circularly Polarized Electroluminescence of Light-Emitting InGaAs/GaAs (III/Mn)V Diodes on the Basis of Structures with a Tunnelling Barrier // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1497-1500.

2014

Труды (тезисы) конференции

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоёв MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Том 1. 2014. С. 135-136.

Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И., Павлов Д.А., Сайед С. Влияние металлической пленки кобальта на структуру и свойства светоизлучающего диода с квантовыми ямами InGaAs/GaAs // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Том 1. 2014. С. 146-147.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Крюков Р.Н., Дорохин М.В. Химический состав структур спиновых светоизлучающих диодов на основе GaAs // Тезисы XXV Росс. конференции по электронной микроскопии «РКЭМ-2014», 2–6 июня Черноголовка.. Т1., 2 стр.,. 2014. С. 254.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Light-emitting GaAsSb/GaAs structures with GaMnAs ferromagnetic injector // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 233.

Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Saied S. Study of factors that influence on the work of light-emitting spintronic diodes with InGaAs/GaAs quantum wells // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 242.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxy of MnGa ferromagnetic films on GaAs (100) for spintronic applications // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 253.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция диодов с туннельным барьером GaMnAs/n+GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVIII международного симпозиума. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского Том 1.. 2014. С. 160-162.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В. Технология лабораторных диодов Шоттки и их применение для диагностики физических свойств полупроводников // "Диагностика материалов и наноструктур". Труды VII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых. 15-19 сентября 2014г. Рязань.. Рязань. – 2014. – Т.2. – С.136-156.. 2014. С. 136-156.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Крюков Р.Н., Дорохин М.В. Химический состав структур спиновых светоизлучающих диодов на основе GaAs // Тезисы докладов XXV Российской конференции по электронной микроскопии «РКЭМ-2014», г. Черноголовка, 2-7 июня. Черноголовка, Т.1. 2014. С. 254-255.

Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Kryukov R.N., Dorokhin M.V., Kudrin A.V. Chemical and phase composition of GaMnAs/GaAs/InGaAs spin light emitting diode // Abstracts. IV International Scientific Conference, STRANN, г. Санкт-Петербург, 22-25 апреля. Г. Санкт-Петербург. 2014. P. 97-99.

Публикации в научных журналах

Бобров А.И., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Павлова Е.Д. Структурное совершенство и распределение примеси в магнитных полупроводниковых наногетеросистемах на основе GaAs // Известия РАН. Серия физическая. № 1. Т. 78. 2014. С. 18-21.

Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Drozdov Yu.N., Drozdov M.N., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Pavlova E.D. Structural Perfection and the Distribution of Impurities in Magnetic Semiconductor Nanoheterosystems Based on GaAs // Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. № 1. V. 78. 2014. P. 6-8.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Юнин П.А. Влияние особенностей дизайна гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства // Известия РАН. Серия физическая. № 1. Т. 78. 2014. С. 26-31.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 5. 2014. С. 28-34.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А. Циркулярная поляризация электролюминесценции светоизлучающих диодов на основе GaAsMn // Вестник ННГУ им.Н.И.Лобачевского. № 1(2). 2014. С. 94-99.

Николичев Д.Е., Зубков С.Ю., Боряков А.В., Крюков Р.Н., Дорохин М.В., Кудрин А.В. Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 48. 2014. С. 839-844.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией // Физика твердого тела. № 10. Т. 56. 2014. С. 2062-2065.

Вихрова О.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Калентьева И.Л. Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs // Письма в журнал технической физики. № 20. Т. 40. 2014. С. 96-103.

Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zdoroveishchev A.V., Rykov A.V., Zvonkov B.N. Temperature dependence of the circular polarization of electroluminescence from spin-polarized light-emitting diodes based on InGaAs/GaAs heterostructures // Journal of Surface Investigations. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 3. V. 8. 2014. P. 433-439.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxial Growth of MnGa/GaAs Layers for Diodes with Spin Injection // Physics of the Solid State. № 10. V. 56. 2014. P. 2131-2134.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Зубков С.Ю. Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом // Журнал технической физики. № 12. Т. 84. 2014. С. 102-106.

Vikhrova O.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L. The effect of Ferromagnetic Mn-Delta-Doped Layer on the Emission Properties of GaAsSb/GaAs and InGaAs/GaAsSb/GaAs Heterostructures // Technical Physics Letters. № 10. V. 40. 2014. P. 930-933.

Balanta M. A. G., Brasil M. J. S. P., Iikawa F., Brum J.A., Mendes Udson C., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Effects of a nearby Mn delta layer on the optical properties of an InGaAs/GaAs quantum well // Journal of Applied Physics. № 20. V. 116. 2014. P. 203501, 1-7.

Kovalskiy V.A., Vergeles P.S., Eremenko V.G., Fokin D.A., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N. Dislocation gliding and cross-hatch morphology formation in AIII-BV epitaxial heterostructures // Applied Physics Letters. V. 105. 2014. P. 231608.

Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Zubkov S.Yu. Spin Injection of Electrons in GaMnAs/GaAs/InGaAs Light-Emitting Diode Structures // Technical Physics. № 12. V. 59. 2014. P. 1839-1843.

Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Zubkov S.Yu., Kryukov R.N., Dorokhin M.V., Kudrin A.V. Chemical and Phase Composition of GaMnAs/GaAs/InGaAs Spin Light-Emitting Diodes // Semiconductors. № 6. V. 48. 2014. P. 815-820.

2013

Труды (тезисы) конференции

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 116-117.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Кудрин А.В. Влияние особенностей дизайна гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 122-123.

Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Malysheva E.I., Vikhrova O.V., Kudrin A.V. Combination of MOVPE and laser sputtering for epitaxial growth of GaAs-based ferromagnetic semiconductor heterostructures // 15th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (EWMOVPE XV), June 2-5, 2013, Aachen, Germany. Extended Abstracts. Julich: Forschungszentrum. 2013. P. 219-222.

Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Prokofyeva M.M., Zdoroveishchev A.V. InGaAs/GaAs light-emitting diodes with ferromagnetic delta-doped layers // 10 International conference "Nanomeeting 2013" 28-31 May, Minsk. Belarus. 2013. 3P.. 2013. P. 618-621.

Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Kalentyeva I.L. Peculiarities of manifestation of spin-dependent effects in the ferromagnetic quantum confined GaAs structures // 10 International conference "Nanomeeting 2013" 28-31 May, Minsk. Belarus. 2013. 3P.. 2013. P. 40-42.

Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В. Материалы спиновой электроники // Форум молодых учёных. Нижний Новгород. 16-18 сентября 2013. Тезисы докладов.. Издательство ННГУ. 2013. 3С. 2013. С. 134-136.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Ферромагнитные свойства наноструктур на основе гетеросистемы InGaAs/GaAs-дельта Mn // Всероссийская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. С. Петербург. 16-20 сентября 2013.. Изд-во ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 2013. С. 312.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Дорохин М.В., Суродин С.И. Состав структур спиновых светоизлучающих диодов на основе GaMnAs // Тез. докл. XVIII Росс. симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел «РЭМ-2013», 3–7 июня Черноголовка.. 2013. С. 75-76.

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И. Спиновые светоизлучающие приборы на основе гетероструктур InGaAs/GaAs // Пассивные электронные компоненты – 2013. Труды науч.-тех. конференции, Н.Новгород, 23-26 апреля 2013. Н. Новгород: «КБ «Икар»». 2013. С. 38-40.

Бобров А.И., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Павлова Е.Д. Структурное совершенство и распределение примеси в магнитных полупроводниковых наногетеросистемах на основе GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII Международного симпозиума. 11 – 15 марта 2013 г. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 110-111.

Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В. Спиновые светоизлучающие диоды на основе ферромагнитных полупроводников (A3,Mn)B5 // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: сб. тр. 12-й Междунар. науч. конф.-шк., Саранск, 1–4 окт. 2013 г.. Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2013. – 204 с. 2013. С. 78-87.

Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L. Peculiarities of manifestation of spin-dependent effects in the ferromagnetic quantum confined GaAs structures // Proceedings of International Conference. Nanomeeting-2013. Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Reviews and Short Notes. Minsk, Belarus, 28-31 May2013. World Scientific. 2013. P. 40-42.

Сайед С., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А. Исследование структуры и свойств гетеронанокомпозиций Co/GaAs // Труды всероссийской молодежной школы-семинара «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 21-25 октября 2013 г.. Рязань. 2013. С. 104-108.

Публикации в научных журналах

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Суродин С.И., Дроздов М.Н Диагностика методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии состава наносистем спинтроники на основе полупроводников GaAs со спин-инжектирующим слоем GaAs // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1. 2013. С. 48-52.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л. Свойства гетероструктур MnSb/GaAs // Известия РАН. Сер. Физическая. № 1. Т. 77. 2013. С. 79-81.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Drozdov Yu.N., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L. Properties of MnSb/GaAs Heterostructures // Bulletin of Russian Academy of Sciences. Physics. № 1. V. 77. 2013. P. 69-71.

2012

Труды (тезисы) конференции

Zdoroveishchev A.V., Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zvonkov B.N. Vapor phase epitaxy fabrication of self-organized Mn-doped InAs/GaAs quantum dot arrays // Book of abstracts of II International conference on Modern problems in physics of surfaces and nanostructures. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 pages. 2012. P. 111-112.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л. Необычные свойства гетероструктур MnSb/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. Т.1, 640 С. 2012. С. 111-112.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов с ферромагнитным полупроводниковым инжектором // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г.. Нижний Новгород. Т.1, 640 С. 2012. С. 117-118.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Malysheva E.I., Prokofyeva M.M., Zvonkov B.N. Fabrication of InGaAs/GaAs light-emitting diodes with GaMnSb and GaMnAs ferromagnetic injector layer // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 2012. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 37-38.

Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Bobrov A.I., Dunaev V.S., Pavlova E.D., Pitirimova E.A., Plankina S.M., Yakubov R.R., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Suchkov A.I. Structure, composition distribution and properties of the (Ga,Mn)Sb/GaAs and MnSb/GaAs heterosystems // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 2012. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 66-67.

Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N. Magnetic field controlled LED with S-shaped current-voltage characteristics // 20th Int.Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Nizhny Novgorod, Russia, June 24-30, 2012.. St. Petersburg Academic University, 2012. 2012. P. 82-83.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L., Prokofyeva M.M., Vikhrova O.V. Ferromagnetic effect of delta-Mn doping in GaAs/InGaAs heterostructures: galvanomagnetic and luminescence studies // 20th Int.Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Nizhny Novgorod, Russia, June 24-30, 2012. St. Petersburg Academic University, 2012. 2012. P. 170-171.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Prokofeva M.M., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Ferromagnetic effect of deltaMn doping in GaAs/InGaAs heterostructures // 31st International Conference on the Physics of Semiconductors. Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd, 2012. 2012. P. 228.

Публикации в научных журналах

Прокофьева М.М., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Кудрин А.В., Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Формирование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих ферромагнитные включения // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 255-258.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Malysheva E.I., Prokofyeva M.M., Zvonkov B.N. Fabrication of InGaAs/GaAs Light-Emitting Diodes with GaMnSb Ferromagnetic Injector Layer // Solid State Phenomena. V. 190. 2012. P. 89-92.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb // Письма в журнал технической физики. № 16. Т. 38. 2012. С. 69-77.

Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Zvonkov B.N., Sholina A.E. Features of the Formation of Mn Doped InAs/GaAs Quantum Dots by Vapor Phase Epitaxy // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION. XRAY, SYNCHROTRON AND NEUTRON TECHNIQUES. № 6. V. 3. 2012. P. 511-514. [принято к печати]

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Шолина А.Е. Особенности формирования методом газофазной эпитаксии квантовых точек InAs/GaAs, легированных атомами Mn // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 6. 2012. С. 55-58.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Светоизлучающие диоды с ферромагнитным инжектирующим слоем на основе гетероструктур GaMnSb/InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1554-1560.

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Данилов Ю.А. Магнитоуправляемый светодиод с S-образной вольт-амперной характеристикой // Письма в журнал технической физики. № 22. Т. 38. 2012. С. 87-94.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb // Письма в журнал технической физики. № 16. Т. 38. 2012. С. 69-77.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Суродин С.И., Дроздов М.Н. Диагностика методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии состава наносистем спинтроники на основе полупроводников GaAs со спин-инжектирующим слоем GaMnAs // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2012. [принято к печати]

2011

Труды (тезисы) конференции

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Волкова Н.С. Формирование квантовых точек InAs/GaAs методом газофазной эпитаксии в присутствии атомов Mn // Труды XIII Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Ульяновск, 19-26 сентября 2011 г.. Ульяновск: УЛГУ. 2011. С. 50-51.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Волкова Н.С. Формирование квантовых точек InAs на легированном атомами Mn буферном слое GaAs методом газофазной эпитаксии // Сборник трудов IV Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых "Диагностика наноматериалов и наноструктур", Рязань, 12-16 сентября 2011 г.. Рязань: РГРТУ, Т. 3. 2011. С. 73-77.

Зайцев С.В., Дмитриев А.И., Моргунов Р.Б., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. Ферромагнетизм тонкого слоя Mn в структурах InGaAs/GaAs/дельтаMn. Магнитные и оптические исследования // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума 14-18 марта 2011. Г. Нижний Новгород. Т.2. 670 C. 2011. С. 342-343.

Прокофьева М.М., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И. Формирование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих ферромагнитные включения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г.. Нижний Новгород. Т.2., 670 С. 2011. С. 357-358.

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Зайцев С.В. Особенности формирования методом газофазной эпитаксии квантовых точек InAs/GaAs, легированных атомами Mn // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г.. Нижний Новгород. Т.2. 670 С. 2011. С. 416-417.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Kulakovskii V.D., Prokofyeva M.M., Vikhrova O.V., Zaitsev S.V., Zvonkov B.N. Electroluminescence of InGaAs/GaAs quantum size heterostructures with GaAs barrier modified by delta-Mn doping // Moscow International Symposium on Magnetism. August 21-25, 2011. Book of Abstracts. Moscow, 2011. 944 P.. 2011. P. 674.

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Кулаковский В.Д. Спиновые светодиоды: дизайн, технология выращивания структур и механизмы спиновой поляризации // X Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы конференции. 19-23 сентября 2011. Нижний Новгород. 296 С. 2011. С. 139.

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Прокофьева М.М., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. Исследование люминесценции гетероструктур In(Ga)As/GaAs, легированных атомами переходных элементов // X Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы конференции. 19-23 сентября 2011. Нижний Новгород. 296 С. 2011. С. 167.

Дунаев В.С., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Данилов Ю.А. Магниточувствительные эффекты переключения в диодных структурах с ферромагнитным слоем и квантовой ямой // Тринадцатая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов. 21-25 ноября 2011.. Санкт-Петербург: Изд-во Политехнического ун-та. 2011. С. 82.

Zaitsev S.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Magneto-optics of Ferromagnetic InGaAs/GaAs/deltaMn Heterostructures // AIP Conference Procedings. V.1399. 2011. P. 651-652.

Публикации в научных журналах

Danilov Yu.A., Drozdov Yu.N., Dorokhin M.V., Kulakovskii V.D., Prokofyeva M.M., Zaitsev S.V., Zvonkov B.N. Fabrication and Study of Spin Light-Emitting Nanoheterostructures on the Basis of III-V Semiconductors // Solid State Phenomena. V. 168-1. 2011. P. 55-58.

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И. Светодиоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитоуправляемой электролюминесценцией // Письма в журнал технической физики. № 24. Т. 37. 2011. С. 57-65.

Дмитриев А.И., Таланцев А.Д., Зайцев С.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Коплак О.В., Моргунов Р.Б. Фотолюминесцентный отклик квантовой ямы на изменение магнитного поля дельта-слоя Mn в гетероструктурах InGaAs/GaAs // Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 1(7). Т. 140. 2011. С. 158-169.

Горшков А.П., Карпович И.А., Филатов Д.О., Павлова Е.Д., Дорохин М.В. Влияние дельта-слоя Mn на спектры фоточувствительности структур с квантовыми ямами InxGa1 – xAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. Т. 6. 2011. С. 63-66.

Gorshkov A.P., Karpovich I.A., Filatov D.O., Pavlova E.D., Dorokhin M.V. The effect of the Mn delta layer on the photosensitivity spectra of structures with InxGa1 // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 3. V. 5. 2011. P. 563-565.

Патенты, авторские свидетельства

2018

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Калентьева И.Л. Способ определения знака циркулярной поляризации света и детектор для его осуществления (Патент).

2016

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Калентьева И.Л. Светоизлучающий диод на основе гетероструктуры второго рода (Патент).

Дорохин Михаил Владимирович
Контакты

462-31-20

Нижний Новгород

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского