Юртова Елизавета Игоревна

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Научно-исследовательская лаборатория "Лаборатория радиофотоники"

младший научный сотрудник

Ученая степень
нет
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 3 года, 2 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование - специалитет, магистратура
магистр. Специальность: Электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.

Высшее образование - бакалавриат
Специальность: Нанотехнологии и микросистемная техника. Квалификация: Бакалавр.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

02.12.2024 - 20.12.2024
Повышение квалификации: "Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ", ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский технологический университет "МИСИС", 16 час., документ № 040000601081, рег.№ 507-62032У от 20.12.2024

12.12.2024 - 12.12.2024
Повышение квалификации: "Календарно-сетевое моделирование и бюджетирование проекта в автоматизированной программной среде", ОЧУ ДПО "Бауманский компьютерный учебный центр "Специалист.Ру" (ОЧУ "Специалист.Ру"), 56 час., документ № рег.№ 241212-925П-Р-В от 12.12.2024

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2023

Труды (тезисы) конференции

Хазанова С.В., Бобров А.И., Сидоренко К.В., Горшков А.П., Юртова Е.И., Здоровейщев А.В., Малехонова Н.В., Байдусь Н.В., Панфилов А.С. Влияние сегрегации состава и полей упругих деформаций на оптические спектры двойных ассиметричных INGAAS/ALGAAS/GAAS туннельно-связанных квантовых ям. // Сборник трудов 14-й Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Типография НИЯУ МИФИ, г. Москва, Каширское шоссе, 2023. 2023. С. 58.

2022

Труды (тезисы) конференции

Хазанова С.В., Сидоренко К.В., Бобров А.И., Байдусь Н.В., Горшков А.П., Нежданов А.В., Панфилов А.С., Юртова Е.И., Шушунов А.Н., Малехонова Н.В. Изменение показателя преломления двойных туннельно-связанных InGaAs/AlGaAs/GaAs квантовых ям под действием электрического поля // Материалы XXVI Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2022.– В 2-х томах.. В кн.: Материалы XXVI Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2022.– В 2-х томах.–Т.2.. 2022. С. 1049-1050.

Контакты

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского