Волкова Екатерина Валерьевна

Место работы

Радиофизический факультет

Кафедра квантовой радиофизики и электроники

доцент

Радиофизический факультет

Деканат

заместитель декана факультета

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Общий стаж работы 17 лет, 4 мес.
Педагогический стаж 16 лет, 11 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: информационные системы в радиофизике и телекоммуникациях. Квалификация: инженер.

Список преподаваемых дисциплин

Радиофизический факультет
Основы сканирующей зондовой микроскопии
Полупроводниковая электроника
Твердотельная электроника
Физика полупроводниковых приоров
Физика твердого тела
Электроника

Публикации

2023

Публикации в научных журналах

Волкова Е.В., Логинов Б.А., Блинников Д.Ю., Второва В.C., Кириллова В.В., Ляшко Е.А., Макеев В.С., Первых А.Р., Абросимова Н.Д., Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Особенности трансформации микрорельефа структур "кремний на изоляторе" при воздействии фотонных и корпускулярных излучений // Журнал технической физики. № 7. Т. 93. 2023. С. 1025-1031.

2021

Труды (тезисы) конференции

Волкова Е.В., Логинов А.Б., Логинов Б.А., Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Королев С.А., Семёновых Е.С., Оболенский С.В. Исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs структурах после нейтронного воздействия // Материалы XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, т. 2, 982 страницы. 2021. С. 608-609.

Tarasova E.A., Puzanov A.S., Bibikova V.V., Volkova E.V., Zabavichev I.Yu., Obolenskaya E.S., Potekhin A.A., Obolenskii S.V. The Physical Topological Modeling Of Single Radiation Effects In Submicron Ultrahigh-Frequency Semiconductor Diode Structures With Taking In Account The Heating Of An Electron-Hole Gas In The Charged Particle Track // Proceedings of the 33rd European Modeling & Simulation Symposium, EMSS. Volume Details Volume Title Proceedings of the 33rd European Modeling & Simulation Symposium (EMSS 2021) Conference Location and Date Online September 15-17, 2021 Conference ISSN 2724-0029 Volume ISBN 978-88-85741-57-7. 2021. P. 289-294.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Волкова Е.В., Пузанов А.С., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Бибикова В.В Физико-топологическое моделирование одиночных радиационных эффектов в диодных субмикронных сверхвысокочастотных полупроводниковых структурах с учетом разогрева электронно-дырочного газа в треке заряженной частицы // Труды XXV научной конференции по радиофизике. (г. Нижний Новгород, 14-26 мая 2021 г.). – Нижний Новгород, 2021 г. 2021. С. 102-104.

Публикации в научных журналах

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Логинов А.Б., Логинов Б.А., Королев С.А. Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия // Письма в Журнал технической физики. № 5. Т. 47. 2021. С. 38-41.

Волкова Е.В., Логинов А.Б., Логинов Б.А., , Пузанов А.С., Королев С.А., Семёновых Е.С., Хазанова С.В., Оболенский С.В. Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 55. 2021. С. 846-849.

Volkova E.V., Loginov A.B., Loginov B.A., Tarasova E.A., Puzanov A.S., Korolev S.A., Semenovykh E.S., Khazanova S.V., Obolenskii S.V. Experimental Studies of Modification of the Characteristics of GaAs Structures with Schottky Contacts after Exposure to Fast Neutrons // Semiconductors. № 10. V. 55. 2021. P. 846-849.

Obolenskii S.V., Volkova E.V., Loginov A.B., Loginov B.A., Tarasova E.A., Puzanov A.S., Korolev S.A. A Comprehensive Study of Radiation Defect Clusters in GaAs Structures after Neutron Irradiation // Technical Physics Letters. № 5. V. 47. 2021. P. 38-41.

Volkova E.V., Loginov B.A., Loginov A.B., Tarasova E.A., Puzanov A.S., Korolev S.A., Semenovykh E.S., Khazanova S.V., Obolenskii S.V. Experimental Studies of Modification of the Characteristics of GaAs Structures with Schottky Contacts after Exposure to Fast Neutrons // Semiconductors. № 10. V. 55. 2021. P. 846-849.

2016

Труды (тезисы) конференции

Волкова Е.В., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Пузанов А.С. Терагерцовое детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов при нейтронном воздействии // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016". Издательство НИЯУ МИФИ. 2016. С. 67-68.

2015

Сборники статей

Пузанов А.С., Волкова Е.В., Оболенский С.В. Суперкомпьютерное моделирование перспективных полупроводниковых приборов с учетом радиационного воздействия // Суперкомпьютерные технологии и высокопроизводительные вычисления в ННГУ. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2015. С. 67-74.

Труды (тезисы) конференции

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Волкова Е.В., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Высокочастотный отклик нанометровых диодов, вызываемый динамикой образования кластеров радиационных дефектов // Труды 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Т. 2, 2015 г.. 2015. С. С. 529-530.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Волкова Е.В., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Моделирование динамики образования кластеров радиационных дефектов с использованием высокопроизводительных вычислений // Труды международной конференции "Суперкомпьютерные дни в России". Издательство МГУ. 2015. С. 585.

Публикации в научных журналах

Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A., Volkova E.V., Pavelyev D.G. High-frequency detection of the formation and stabilization of a radiation-induced defect cluster in semiconductor structures // Semiconductors. № 12. V. 49. 2015. P. 1537-1544.

Волкова Е.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Козлов В.А. Высокочастотное детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в полупроводниковых структурах // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1585-1592.

2013

Труды (тезисы) конференции

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Клюев А.В., Шмелев Е.И., Якимов А.В. Транспорт электронов в терагерцовом диоде Шоттки в момент формирования кластера радиационных дефектов // Труды XVII международной конференции "Нанофизика и наноэлектроника". Изд. ИФМ РАН, 11-15 марта 2013 г, т.2. 2013. С. 546-547.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С. Анализ влияния нейтронного облучения на характеристики гетероструктурных СВЧ полевых транзисторов // Тезисы докладов форума молодых ученых. Н.Новгород, ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 122-123.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Клюев А.В., Шмелев Е.И., Якимов А.В. Транспорт электронов в терагерцовом диоде Шоттки в условиях нейтронного облучения // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 120-122.

2012

Труды (тезисы) конференции

Волкова Е.В., Оболенский С.В. Моделирование транспорта электронов в наноструктурном диоде в момент формирования кластера радиационных дефектов // Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-2012». М.: МИФИ, 2012, 243 с.. 2012. С. 127-128.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского