Оболенский Сергей Владимирович

Место работы

Радиофизический факультет

Кафедра квантовой радиофизики и электроники

профессор

Ученая степень
Доктор технических наук
Ученое звание
Профессор
Общий стаж работы 32 года, 9 мес.
Педагогический стаж 28 лет, 9 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: радиофизика и электроника. Квалификация: радиофизик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

23.03.2022 - 24.03.2022
Повышение квалификации: специальная образовательная программа, утвержденная 04 июня 2020 г. заместителем Министра промышленности и торговли Российской Федерации, ФГУП "НТЦ оборонного комплекса "Компас", 16 час., документ № И 00574/22 от 24.03.2022

17.01.2018 - 17.01.2018
Повышение квалификации: Оказание первой помощи, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 8 час., документ № Сертификат б/н, рег. № 1117 от 17.01.2018

23.03.2017 - 23.05.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404997558, рег. № 33-1474 от 23.05.2017

Награды

Благодарственное письмо Администрации г. Нижнего Новгорода (приказ № 2017 от 08.08.2018)

Список преподаваемых дисциплин

Радиофизический факультет
Моделирован е полупроводниковых приборов (спецкурс)
Полупроводниковая электроника
Твердотельная электроника

Публикации

2023

Труды (тезисы) конференции

Тарасова Е.А., Недошивина А.Д., Оболенский С.В., Макарцев И.В., Конча М. И. Моделирование транспорта электронов вдоль области 2DEG газа канала СВЧ полевого транзистора с учетом продольного распределения температуры // Труды XXVII Международного симпозиума. Труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород, ИПФ РАН, 2023, т. 2, 496 с.. 2023. С. 671-672.

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Голиков О.Л., Кодочигов Н.Е. Анализ неоднородностей DpHEMT-структуры на основе GaAs/In0.53Ga0.47As после нейтронного воздействия // Труды XXVII Международного симпозиума 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, ИПФ РАН, 2023, Т. 1, 496 с.. 2023. С. 759-760.

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенский С.В., Голиков О.Л., Иванов А.С., Павельев Д.Г. Транспорт электронов в гетеробиполярном транзисторе со сверхрешеткой в области эмиттера // Труды XXVII Международного симпозиума 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород. Труды XXVII Международного симпозиума 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород, Т. 1, 496 с.. 2023. С. 782-783.

Публикации в научных журналах

Волкова Е.В., Логинов Б.А., Блинников Д.Ю., Второва В.C., Кириллова В.В., Ляшко Е.А., Макеев В.С., Первых А.Р., Абросимова Н.Д., Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Особенности трансформации микрорельефа структур "кремний на изоляторе" при воздействии фотонных и корпускулярных излучений // Журнал технической физики. № 7. Т. 93. 2023. С. 1025-1031.

Khazanova S.V., Golikov O.L., Puzanov A.S., Tarasova E.A., Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A., Obolenskaya E.S., Ivanov A.S., Pavelyev D.G., Obolenskii S.V. Calculating Current–Voltage Characteristics with Negative Differential Conductivity Sections of Superlattices Based on a GaAs/AlAs Compound with Different Numbers of Periods // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 87. V. 6. 2023. P. 800-804.

Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Влияние процесса образования единичного кластера радиационных дефектов на переключение состояния транзисторной ячейки памяти // Физика и техника полупроводников. № 4. Т. 57. 2023. С. 270-275.

2022

Труды (тезисы) конференции

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Кодочигов Н.Е., Земляков В.Е. Анализ нелинейных искажений DpHEMT структур на основе соединения GaAs/InGaAs c двусторонним дельта-легированием // Труды XXVI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2022, т.2. 2022. С. 1027-1028.

Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Моделирование поведения субмикронных полупроводниковых структур после стабилизации кластера радиационных дефектов // Труды XXVI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2022, т.2. 2022. С. 990-991.

Недошивина А.Д., Оболенский С.В., Макарцев И.В. Методика многопараметрического анализа влияния эффекта всплеска скорости в канале короткоканальных транзисторов // Труды XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород), Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, т.2 с 711-712, 2022г, РИНЦ. Т.2 с 711-712, 2022г, 2 стр. 2022. С. 711-712.

Недошивина А.Д., Макарцев И.В., Оболенский С.В., Беляков В.А., Фефелов А.Г. РАЗРАБОТКА УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ В ДИАПАЗОНЕ 90-100 ГГЦ // Труды XXVI Научной конференции по радиофизике, ННГУ, 2022. Труды XXVI Научной конференции по радиофизике, ННГУ, 2022 СЕКЦИЯ «ЭЛЕКТРОНИКА». 2022. С. 96,97.

Недошивина А.Д., Макарцев И.В., Оболенский С.В. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ПОДХОД К РАСЧЕТУ ПАРАМЕТРОВ HEMT ТРАНЗИСТОРОВ // ТРУДЫ XXVI НАУЧНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО РАДИОФИЗИКЕ, ПОСВЯЩЕННОЙ 120-ЛЕТИЮ М.Т. ГРЕХОВОЙ. Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород) Том1 страницы 105-107. 2022. С. 105-107.

Недошивина А.Д., Макарцев И.В., Оболенский С.В., Беляков В.А., Фефелов А.Г. РАЗРАБОТКА УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ В ДИАПАЗОНЕ 90-100 ГГЦ // ТРУДЫ XXVI НАУЧНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО РАДИОФИЗИКЕ, ПОСВЯЩЕННОЙ 120-ЛЕТИЮ М.Т. ГРЕХОВОЙ. Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород) Том 1 страницы 96-97. 2022. С. 96.

Оболенский С.В., Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенская Е.С., Иванов А.С., Павельев Д.Г. Моделирование вольт-амперных характеристик и пробоя в сверхрешетках с малым числом периодов // Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников. Типография ИПФ РАН. 603950, Нижний Новгород, ул. Ульянова, 46, 451 стр.. 2022. С. 367.

Публикации в научных журналах

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Земляков В.Е., Голиков О.Л. Анализ нелинейных искажений DpHEMT структур на основе соединния GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 56. 2022. С. 844-847.

Недошивина А.Д., Макарцев И.В., Оболенский С.В. МОДЕЛЬ ДЛЯ МНОГОПАРАМЕТРИЧЕСКОГО АНАЛИЗА ПАРАМЕТРОВ КОРОТКОКАНАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ТИПА НЕМТ // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. № 7. Т. 56. 2022. С. 618-623.

Nedoshivina A.D., Makartsev I.V., Obolenskii S.V. A Model for Multiparametric Analysis of the Parameters of Short-Channel HEMT-Type Transistors // Semiconductors. № 56. 2022. P. 346-351.

Tarasova E.A., Khazanova S.V., Golikov O.L., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Zemlyakov V.E. Analysis of nonlinear distortions of DpHEMT structures based on the GaAs/InGaAs compound with double-sided delta-doping // Semiconductors. № 9. V. 56. 2022. P. 708-710.

2021

Труды (тезисы) конференции

Волкова Е.В., Логинов А.Б., Логинов Б.А., Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Королев С.А., Семёновых Е.С., Оболенский С.В. Исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs структурах после нейтронного воздействия // Материалы XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, т. 2, 982 страницы. 2021. С. 608-609.

Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Бибикова В.В., Потехин А.А., Востоков Н.В. Моделирование реакции низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие ионизирующих излучений космического пространства // Материалы XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, том 2, 982 стр.. 2021. С. 813-814.

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Земляков В.Е., Оболенский С.В. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик DpHEMT структур на основе тсоединений GaAs/InGaAs // Труды XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Вгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, том 2, 467 с.. 2021. С. 869-870.

Tarasova E.A., Puzanov A.S., Bibikova V.V., Volkova E.V., Zabavichev I.Yu., Obolenskaya E.S., Potekhin A.A., Obolenskii S.V. The Physical Topological Modeling Of Single Radiation Effects In Submicron Ultrahigh-Frequency Semiconductor Diode Structures With Taking In Account The Heating Of An Electron-Hole Gas In The Charged Particle Track // Proceedings of the 33rd European Modeling & Simulation Symposium, EMSS. Volume Details Volume Title Proceedings of the 33rd European Modeling & Simulation Symposium (EMSS 2021) Conference Location and Date Online September 15-17, 2021 Conference ISSN 2724-0029 Volume ISBN 978-88-85741-57-7. 2021. P. 289-294.

Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Анализ переходных ионизационных процессов в треке первичного атома отдачи в субмикронных транзисторных структурах // Труды XXV научной конференции по радиофизике. (г. Нижний Новгород, 14-26 мая 2021 г.). – Нижний Новгород,. 2021. С. 109-112.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Волкова Е.В., Пузанов А.С., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Бибикова В.В Физико-топологическое моделирование одиночных радиационных эффектов в диодных субмикронных сверхвысокочастотных полупроводниковых структурах с учетом разогрева электронно-дырочного газа в треке заряженной частицы // Труды XXV научной конференции по радиофизике. (г. Нижний Новгород, 14-26 мая 2021 г.). – Нижний Новгород, 2021 г. 2021. С. 102-104.

Публикации в научных журналах

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Логинов А.Б., Логинов Б.А., Королев С.А. Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия // Письма в Журнал технической физики. № 5. Т. 47. 2021. С. 38-41.

Хазанова С.В., Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Голиков О.Л., Пузанов А.С. Методы расчетно-экспериментального моделирования электрофизических параметров в перспективных полупроводниковых гетероструктурах на основе соединений AlGaAs/InGaAs // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 235-238.

Пузанов А.С., Бибикова В.В., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Востоков Н.В., Оболенский С.В. Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства // Письма в Журнал технической физики. № 6. Т. 47. 2021. С. 51-54.

Волкова Е.В., Логинов А.Б., Логинов Б.А., , Пузанов А.С., Королев С.А., Семёновых Е.С., Хазанова С.В., Оболенский С.В. Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 55. 2021. С. 846-849.

, Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Земляков В.Е. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 55. 2021. С. 872-876.

Obolenskii S.V., Volkova E.V., Loginov A.B., Loginov B.A., Tarasova E.A., Puzanov A.S., Korolev S.A. A Comprehensive Study of Radiation Defect Clusters in GaAs Structures after Neutron Irradiation // Technical Physics Letters. № 5. V. 47. 2021. P. 38-41.

Volkova E.V., Loginov A.B., Loginov B.A., Tarasova E.A., Puzanov A.S., Korolev S.A., Semenovykh E.S., Khazanova S.V., Obolenskii S.V. Experimental Studies of Modification of the Characteristics of GaAs Structures with Schottky Contacts after Exposure to Fast Neutrons // Semiconductors. № 10. V. 55. 2021. P. 846-849.

Puzanov A.S., Bibikova V.V., Zabavichev I.Yu., Obolenskaya E.S., Tarasova E.A., Vostokov N.V., Obolenskii S.V. Simulation of the Response of a Low-Barrier Mott Diode to the Influence of Heavy Charged Particles from Outer Space // Technical Physics Letters. № 6. V. 47. 2021. P. 51-54.

Volkova E.V., Loginov B.A., Loginov A.B., Tarasova E.A., Puzanov A.S., Korolev S.A., Semenovykh E.S., Khazanova S.V., Obolenskii S.V. Experimental Studies of Modification of the Characteristics of GaAs Structures with Schottky Contacts after Exposure to Fast Neutrons // Semiconductors. № 10. V. 55. 2021. P. 846-849.

2020

Труды (тезисы) конференции

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Коротков А.В., Фефелов А.Г., Дюков Д.И. Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов ТГц диапазона частот // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–13 марта 2020 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2020. — 505 с.. 2020. С. 691-692.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хазанова С.В., Пузанов А.С., Григорьева Н.Н. Анализ нелинейных искажений сигналов в полевых транзисторах с 2D газом до и после воздействия нейтронов // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА Труды XXIV Международного симпозиума 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Том 2, 2 стр.. 2020. С. 687-688.

Бибикова В.В., Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Особенности оценки эквивалентности лазерных методов имитации воздействия тяжелых заряженных частиц космического пространства на субмикронные элементы интегральных схем // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (10-13 марта 2020 г.). Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, Том 2 - 505 с. 2020. С. 524-525.

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние потенциала рассеяния носителей заряда на радиационных дефектах на изменение подвижности в GaAs короткоканальных транзисторных структурах после нейтронного воздействия // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (10-13 марта 2020 г.). Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, Том 2 - 505 с. 2020. С. 575-576.

Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Транспорт носителей заряда в полупроводниковых элементах с одиночными кластерами радиационных дефектов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (10-13 марта 2020 г.). Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, Том 2 - 505 с. 2020. С. 709-710.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке заряженной частицы высокой энергии // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (10-13 марта 2020 г.). Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, Том 2 - 505 с. 2020. С. 715-716.

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние потенциала рассеяния носителей заряда на радиационных дефектах на изменение подвижности в GaAs короткоканальных транзисторных структурах после нейтронного воздействия // Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, Том 2. — 505 с.. 2020. С. 575-576.

Бибикова В.В., Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Особенности оценки эквивалентности лазерных методов имитации воздействия тяжелых заряженных частиц космического пространства на субмикронные элементы интегральных схем // Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2020. — 505 с.. 2020. С. 524-525.

Забавичев И.Ю., Боженькина А.Д., Кудряшов М.Ю., Насеткин К.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю. Разработка методов и средств расчетно-экспериментального моделирования физических процессов в перспективных нанометровых полупроводниковых гетероструктурах при воздействии излучений космического пространства. // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. С. 70-72.

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю. Терагерцовое детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в гетеронаноструктурах для повышения точности расчетно-экспериментальной оценки радиационной стойкости изделий наноэлектроники // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Разработка высокопроизводительных методов проектирования радиационно-стойких терагерцовых приборов для космических телекоммуникационных систем // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Оценка влияния RLC-параметров межсоединений транзисторов на сбоеустойчивость ячеек быстродействующей статической памяти при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства и излучений их имитирующих // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Публикации в научных журналах

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хазанова С.В., Григорьева Н.Н., Голиков О.Л., Иванов А.Б., Пузанов А.С. Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ∼ 100 нм // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. Т. 54. 2020. С. 968-973.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке первичного атома отдачи // Физика и техника полупроводников. № 8. Т. 54. 2020. С. 791-795.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Козлов В.А., Дюков Д.И., Фефелов А.Г., Коротков А.В., Иванов А.С. Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 54. 2020. С. 1158-1162.

Obolenskaya E.S., Obolenskii S.V., Pavelyev D.G., Dyukov D.I., Fefelov A.G., Korotkov A.V., Kozlov A.V., Ivanov A.S. Comparison of the Efficiency of Promising Heterostructure Frequency-Multiplier Diodes of the THz-Frequency Range // Semiconductors. № 10. V. 54. 2020. P. 1360-1364.

Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 54. 2020. С. 945-951.

Tarasova E.A., Obolenskii S.V., Khazanova S.V., Puzanov A.S., Grigoryeva N.N., Golikov O.L., Ivanov A.B. Compensation for the Nonlinearity of the Drain–Gate I–V Characteristic in Field-Effect Transistors with a Gate Length of ~100 nm // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1155-1160.

Kukinov A.A., Balashova T.V., Kaverin B.S., Ilyichev V.A., Obolenskii S.V., Trufanov A.N., Bochkarev M.N. Cathodoluminescence of organo-lanthanide complexes // Applied Physics Letters. № 26. V. 116. 2020. P. 0014953.

2019

Труды (тезисы) конференции

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Моделирование процесса формирования разупорядоченной области радиационных дефектов в кремнии // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 690-691.

Насеткин К.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Моделирование реакции субмикронных структур "кремний на изоляторе" на воздействие низкоинтенсивных проникающих излучений // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 774-775.

Пузанов А.С., Венедиктов М.М., Оболенский С.В., Козлов В.А. Применение локально-неравновесных физико-топологических моделей переноса носителей заряда для оценки сбоеустойчивости интегральных схем при воздействии заряженных частиц и ультракоротких импульсов ионизирующего излучения // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 805-806.

Шоболова Т.А., Коротков А.В., Петрякова Е.В., Липатников А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов на структурах с полупроводниковыми и диэлектрическими подложками // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 892-893.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Козлов В.А., Латышева Н.Д., Боженькина А.С., Иванов А.Б., Хазанова С.В., Дегтярев В.Е. Анализ причин интермодуляционных искажений перспективных квазибаллистических полевых транзисторов до и после радиационного воздействия // Труды XXIII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: изд. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 957 стр.. 2019. С. С. 837-838.

Публикации в научных журналах

Obolenskii S.V., Kukinov A.A., Balashova T.V., Trufanov A.N., Ivin M.N., Kuznetsova O.V., Bochkarev M.N. Computer Simulation of the Destruction of the Organic Lanthanide Complexes under Ionizing Radiation Radiation S. V. Obolenskii, A. V. Kukinov, T. V. Balashova, A. N. Trufanov, M. N. Ivin, O. V. Kuznetsova & M. N. Bochkarev // RUSSIAN JOURNAL OF COORDINATION CHEMISTRY. № 3. V. 45. 2019. P. 420-426.

Kukinov A.A., Balashova T.V., Ilichev V.A., Trufanov A.N., Ivin M.N., Obolenskii S.V., Bochkarev M.N. X-Ray excited luminescence of organo-lanthanide complexes // Physical Chemistry Chemical Physics. № 29. V. 21. 2019. P. 16288-16292.

Balashova T.V., Obolenskii S.V., Trufanov A.N., Ivin M.N., Ilichev V.A., Kukinov A.A., Baranov E.V., Fukin G.K., Bochkarev M.N. Impact of n,gamma-irradiation on organic complexes of rare earth metals // Scientific Reports. № 13314. V. 9. 2019. P. 6 p..

Пузанов А.С., Венедиктов М.М., Оболенский С.В., Козлов В.А. Расчетно-экспериментальное моделирование обратимых сбоев ячеек статической памяти субмикронных микросхем при воздействии потоков нейтронов // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 53. 2019. С. 1250-1256.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Моделирование образования каскада смещений и переходных ионизационных процессов в кремниевых полупроводниковых структурах при нейтронном воздействии // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 53. 2019. С. 1279-1284.

Шоболова Т.А., Коротков А.В., Петрякова Е.В., Липатников А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 53. 2019. С. 1391-1394.

Puzanov A.S., Venediktov M.M., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Computational and experimental simulation of static memory cells of submicron microcircuits under the effect of neutron fluxes // Semiconductors. № 9. V. 53. 2019. P. 1222-1228.

Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Simulation of the formation of a cascade of displacements and transient ionization processes in silicon semiconductor structures under neutron exposure // Semiconductors. № 9. V. 53. 2019. P. 1249-1254.

Shobolova T.A., Korotkov A.V., Petryakova E.V., Lipatnikov A.V., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Comparison of the radiation resistance of prospective bipolar and heterobipolar transistors // Semiconductors. № 10. V. 53. 2019. P. 1353-1356.

2018

Труды (тезисы) конференции

М.М. Венедиктов, Тарасова Е.А., Боженькина А.Д., Оболенский С.В. Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов после импульсного гамма- нейтронного облучения // Материалы XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 390 страниц. 2018. С. 566-567.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Реинжиниринг диодных структур по результатам измерений вольтфарадных и вольтамперных характеристик // Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. С. 623-624.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Применение модели Каттанео-Вернотта к решению задачи релаксации фотопроводимости в диодных структурах при воздействии ультракоротких импульсов ионизирующих излучений // Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. С. 743-744.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С. Фемто- и пикосекундные процессы формирования кластеров радиационных дефектов при ионном и нейтронном облучении полупроводниковых гетероструктур: моделирование и эксперимент // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов ""Физические и физико-химические основы ионной имплантации, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 2018 г.. Т. 1, 174 стр.. 2018. С. 16-17.

Забавичев И.Ю., Васин А.А., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Особенности расчета макропараметров полупроводниковых материалов для различных моделей дефектообразования в некоторых полупроводниках при воздействии проникающих излучений // Труды XXII научной конференции по радиофизике. Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород). 2018. С. 73-76.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Сравнение моделей развития каскадов атомных столкновений в полупроводниках при воздействии отдельных ядерных частиц // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), 174 стр.. 2018. С. 89-90.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенская Е.С. Радиационная стойкость приборов наноэлектроники // Труды IV Международной научно-технической конференции "Элементная база отечественной радиоэлектроники". 79 стр.. 2018. С. 3.

Публикации в научных журналах

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Венедиктов М.М., Боженькина А.Д., Елесин В.В., Чуков Г.В., Метелкин И.О., Кревский М.А., Дюков Д.И., Фефелов А.Г. Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного gamma- и gamma-нейтронного облучения // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 52. 2018. С. 1414.

M. M. Venediktov, Tarasova E.A., Obolenskii S.V., A. D. Bozhen’kina, V. V. Elesin, G. V. Chukov, I. O. Metelkin, M. A. Krevskiy, D. I. Dukov, A. G. Fefelov Analysis of the Behavior of Nonequilibrium Semiconductor Structures and Microwave Transistors During and After Pulsed γ- and γ-Neutron Irradiation // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1518–1524.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 52. 2018. С. 1295-1299.

Obolenskaya E.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A., Pavelyev D.G., Vasilyev A.P., Ustinov V.M. INCREASE OF SELF-OSCILLATION AND TRANSFORMATION FREQUENCIES IN THZ DIODES // IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology. № 2. V. 8. 2018. P. 231-236.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Линев А.В., Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Васин А.А., Хананова А.А., Иванов А.Б. Применение физико-топологического моделирования для анализа радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 4. 2018. С. 10-17.

Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Application of the locally nonequilibrium diffusion-drift cattaneo–vernotte model to the calculation of photocurrent relaxation in diode structures under subpicosecond pulses of ionizing radiation // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1407-1411.

2017

Труды (тезисы) конференции

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Галкин О.Е., Хананова А.В., Макаров А.Б. Методы экспериментального и численного анализа параметров GaN HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия // Материалы XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Том 2, 2 с.. 2017. С. 734-735.

Забавичев И.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Транспорт горячих носителей заряда в полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 13-16 марта, 2017 г.) В 2т. Том II. - Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2017 - 402 с.. 2017. С. 598-599.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Козлов В.А., Васильев А.П., Устинов В.М. Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 13-16 марта, 2017 г.) В 2т. Том II. - Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2017 - 402 с.. 2017. С. 686.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Венедиктов М.М. Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур диодов и транзисторов после воздействия излучений различной природы // Современная элементная база радиоэлектроники и ее применение. -. 2017. С. 71-74.

Забавичев И. Ю., Иванов А. Б., Линев А.В., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Хананова А.А. Применение физико-топологического моделирования для расчетной оценки радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Труды III Российско-Белорусской международной конференции "Современная элементная база радиоэлектроники и ее применение". Электронное издание, 165 с.. 2017. С. 71-74.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние профиля потенциала кластера радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2017. С. 600-601.

Васин А.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Влияние технологического разброса и погрешности измерений профиля легирования на достоверность расчетной оценки стойкости кремниевых диодных структур к необратимым отказам при воздействии импульсных ионизирующих излучений // Труды XXI научной конференции по радиофизике. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2017. С. 70-73.

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Перенос горячих носителей заряда в полупроводниковых структурах с включениями кластеров радиационных дефектов // Труды XXI научной конференции по радиофизике. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2017. С. 67.

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Влияние точки возникновения кластера радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора // Труды XXI научной конференции по радиофизике. Издательство Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 74.

Публикации в научных журналах

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Галкин О.Е., Хананова А.В., Макаров А. Б. Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1543-1546.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Венедиктов М.М., Киселев В.К. Оценка воздействия ионизирующих излучений на электронные компоненты по результатам испытаний ограниченных выборок // Журнал радиоэлектроники. № 1. Т. 1. 2017. С. 1-17.

Tarasova E.A., Obolenskii S.V., Galkin O.E., Khananova A.V., Makarov A. B. Analysis of the GaN-HEMT Parameters Before and After Gamma-Neutron Irradiation // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1490-1494.

Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1489-1492.

Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Потехин А.А., Оболенский С.В., Козлов В.А. Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1520-1524.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот // Физика и техника полупроводников. № 51. Т. 11. 2017. С. 1435-1438.

Obolenskaya E.S., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A., Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A. Transport of hot charge carriers in Si, GaAs, InGaAs, and GaN submicrometer semiconductor structures with nanometer-scale clusters of radiation-induced defects // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1435-1438.

Obolenskaya E.S., Obolenskii S.V., Pavelyev D.G., Kozlov V.A., Vasilyev A.P., Ustinov V.M. Optimization of the superlattice parameters for THz diodes // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1439-1443.

Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Degradation of the characteristics of GaAs bipolar transistors with a thin base due to the formation in them of nanometer-sized clusters of radiation-induced defects as a result of irradiation with neutrons // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1466-1471.

2016

Труды (тезисы) конференции

Малин Т.В., Мансуров В.Г., Журавлев К.С., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Парнес Я.М., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Хананова А.В., Оболенский С.В., Медведев Г.В. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных, вольт-фарадных и импульсных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Т. 2., 2 841 стр., Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 655-666.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Козлов В.А., Китаев М.А. Исследование генерации СВЧ-сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 841 стр.. 2016. С. 682-683.

Потехин А.А., Оболенская Е.С., Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Линев А.В., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Итерационное моделирование для восстановления структуры полупроводниковых приборов и анализа их радиационной стойкости // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 841 стр., Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 698-699.

Тарасова Е.А., Хананова А.В., Оболенский С.В., Чурин А.Ю. Методика анализа профилей легирования GaAs структур до и после гамма-нейтронного воздействия в диапазоне температур // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 65-66.

Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Хананова А.В., Линев А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Опыт применения физико-топологического моделирования для анализа радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 71-72.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Козлов В.А., Чурин А.Ю. Моделирование радиационной стойкости планарных диодов Ганна с управляющим электродом // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 73-74.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Экспериментальная методика анализа параметров GaAs и GaN HEMT-структур до и после гамма-нейтронного воздействия // Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". 24 - 27 октября 2016 года, с. 32-33. 2016. С. 32-33.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Тарасова Е.А., Павельев Д.Г., Чурин А.Ю. Исследование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках и диодах Ганна в условиях радиационного воздействия // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 24–27 октября 2016 г.). –Н.Новгород, 2016. – 141 с.. 2016. С. 33-35.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Павельев Д.Г. Моделирование транспорта электронов в терагерцовых диодах на основе сверхрешеток // Труды XX научной конференции по радиофизике, посвященной 110-летию со дня рождения Г.С. Горелика. Труды ХХ научной конференции по радиофизике, посвящённой 110-летию со дня рождения Г.С. Горелика (Нижний Новгород, 12–20 мая 2016 г.) / Под ред. С.В. Оболенского, В.В. Матросова. Нижний Новгород: ННГУ, 2016. – 320 с. 2016. С. 52-54.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора // Труды XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2016. С. 702-703.

Волкова Е.В., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Пузанов А.С. Терагерцовое детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов при нейтронном воздействии // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016". Издательство НИЯУ МИФИ. 2016. С. 67-68.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Аналитическая оценка вероятности возникновения структурных повреждений в микрообъеме GaAs при воздействии потока мгновенных нейтронов спектра деления // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016". Издательство НИЯУ МИФИ. 2016. С. 69-70.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая оценка вероятности возникновения кластера радиационных дефектов в микрообъеме рабочей области полупроводникового прибора при воздействии потока нейтронов // Тезисы докладов VI Всероссийской конференции "Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 89-90.

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Козлов В.А., Васильев А.П., Кошуринов Ю.И., Оболенский С.В., Устинов В.М. Моделирование транспорта электронов в малопериодных квантовых GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума (Нижний Н-25 Новгород, 14–18 марта 2016 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2016. — 406 с.. 2016. С. 684-685.

Публикации в научных журналах

Тарасова Е.А., Хананова А.В., Оболенский С.В., Земляков В.Е., Свешников Ю.Н., Смотрин Д.С., Иванов В.А., Егоркин В.И., Медведев Г.В. Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после гамма-нейтронного облучения // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 50. 2016. С. 331-338.

Tarasova E.A., Khananova A.V., Obolenskii S.V., Zemlyakov V.E., Sveshnikov Yu.N., Egorkin V.I., Ivanov V.A., Medvedev G.V., Smotrin D.S. Study of the Electron Distribution in GaN and GaAs after γ-Neutron Irradiation // Semiconductors. № 3. V. 50. 2016. P. 331-338.

Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Хананова А.В., Оболенский С.В., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Неженцев А.В., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Медведев Г.В. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1599-1604.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Козлов В.А. Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1605-1609.

Tarasova E.A., Obolenskaya E.S., Khananova A. V., Obolenskii S.V., Zemlyakov V.E., Egorkin V. I., Nezhentsev A. V., Sakharov A. V., Tsatsulynikov A. F., Lundin V. V., Zavarin E. E., Medvedev G. V. Theoretical and Experimental Studies of the Current–Voltage and Capacitance–Voltage of HEMT Structures and Field-Effect Transistors // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1599-1604.

Obolenskaya E.S., Tarasova E.A., Churin A.Yu., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Microwave-Signal Generation in a Planar Gunn Diode with Radiation Exposure Taken into Account // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1580-1584.

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Васильев А.П., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Оболенский С.В., Устинов В.М. Диодные гетероструктуры для приборов терагерцового диапазона частот // Журнал радиоэлектроники. № 1. Т. 1. 2016. С. 1.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Васильев А.П., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Устинов В.М. Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1548-1553.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 59. 2016. С. 1706-1712.

Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Effect of random inhomogeneities in the spatial distribution of radiation-induced defect clusters on carrier transport through the thin base of a heterojunction bipolar transistor upon neutron irradiation // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1678-1683.

Obolenskaya E.S., Obolenskii S.V., Pavelyev D.G., Vasilyev A.P., Kozlov V.A., Koshurinov Yu.I., Ustinov V.M. Simulation of electron transport in GaAs/AlAs superlattices with a small number of periods for the THz frequency range // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1526-1531.

2015

Сборники статей

Пузанов А.С., Волкова Е.В., Оболенский С.В. Суперкомпьютерное моделирование перспективных полупроводниковых приборов с учетом радиационного воздействия // Суперкомпьютерные технологии и высокопроизводительные вычисления в ННГУ. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2015. С. 67-74.

Труды (тезисы) конференции

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Земляков В.Е., Свешников Ю.Н., Иванов В.А., Смотрин Д.С., Хананова А.В. Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хананова А.В., Земляков В.Е., Свешников Ю.Н., Иванов В.А., Смотрин Д.С. Исследование процессов в GaN и GaAs структурах при воздействии гамма-нейтронного облучения // Сборник трудов 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника",. 10-14 марта, 2015 г.. : Т.1. 2014.. 2015. С. 51-52.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Мурель А.В., Шашкин В.И. Транспорт электронов в диодных и транзисторных δ-легированных структурах при радиационном воздействии // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.) В 2 т. Том II.— Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015. — 359 с.. Т. 1. 2015.. 2015. С. 34-35.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Волкова Е.В., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Высокочастотный отклик нанометровых диодов, вызываемый динамикой образования кластеров радиационных дефектов // Труды 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Т. 2, 2015 г.. 2015. С. С. 529-530.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Чурин А.Ю., Иванов В.А., Медведев Г.В. Методика анализа профилей легирования GaAs структур до и после гамма-воздействия // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т 1, 2 стр.. 2015. С. 61-62.

Панкратов Е.Л., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Козлов В.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Влияние радиационно-стимулированной диффузии на процессы восстановления работоспособности планарных диодов и транзисторов после импульсного гамма-нейтронного воздействия // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т.1 с 2. 2015. С. 63-64.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Оценка дисперсии результатов измерений вольт-фарадных характеристик полупроводниковых приборов // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т 1., 2 с.. 2015. С. 67-68.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Программа физико-топологического моделирования переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия на основе многочастичного метода Монте-Карло // Труды II российско-белорусской научно-технической конференции «элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение » им. О.В.Лосева. Типография ННГУ, том 1, 512 стр. 2015. С. 70-74.

Потехин А.А., Оболенская Е.С., Линев А.В., Оболенский С.В. Итерационное моделирование для реинжиниринга полупроводниковых приборов и анализа их радиационной стойкости // Тез.докл. 18 Всерос. Научн.-техн. конф. по радиационной стойкости электронных систем. «Стойкость-2015». Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 2015, Т.1, 450. 2015. С. 69-70.

Потехин А.А., Листратов А.И., Оболенский С.В. ИЗМЕРЕНИЕ СТАТИЧЕСКИХ И ИМПУЛЬСНЫХ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК И ОЦЕНКА ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ГЕРМАНИЕВОГО ДИОДА // Труды XIX научной конференции по радиофизике, посвященной 70-летию радиофизического факультета. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского (национальный исследовательский университет) т.1, 304 стр. 2015. С. 47-48.

Пузанов А.С., Дубровских С.М., Ткачев О.В., Шукайло В.П., Оболенский С.В. Оценка неоднородности энерговыделения в области пространственного заряда мелкого p-n перехода при нейтронном воздействии // Тезисы докладов 18-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2015". Издательство НИЯУ МИФИ. 2015. С. 65-66.

Потехин А.А., Линев А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Итерационное моделирование с использованием суперкомпьютера для реинжиниринга полупроводниковых приборов и анализа их радиационной стойкости // Труды международной конференции "Суперкомпьютерные дни в России". Издательство МГУ. 2015. С. 555.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Волкова Е.В., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Моделирование динамики образования кластеров радиационных дефектов с использованием высокопроизводительных вычислений // Труды международной конференции "Суперкомпьютерные дни в России". Издательство МГУ. 2015. С. 585.

Публикации в научных журналах

Оболенский С.В., Козлов В.А., Пузанов А.С. Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 71-75.

Оболенский С.В., Оболенская Е.С., Шашкин В.И., Мурель А.В., Тарасова Е.А. Транспорт электронов в планарных диодах Ганна при радиационном воздействии // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1507-1515.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Козлов В.А. ВЫСОКОЧАСТОТНОЕ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ И СТАБИЛИЗАЦИИ КЛАСТЕРА РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1585-1592.

Оболенский С.В., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Шашкин В.И., Мурель А.В. РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ ПЛАНАРНЫХ ДИОДОВ ГАННА // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 11. Т. 49. 2015. С. 1507-1515.

Потехин А.А., Оболенский С.В., Забавичев И.Ю., Рябов А.А., Линев А.В., Чурин А.Ю., Ротков Л.Ю. СТРУКТУРА ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ СРЕДСТВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНФОРМАЦИОННАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ ПРОЦЕДУРЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика ядерных реакторов. № 2. Т. 1. 2015. С. 24-30.

Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Transport of charge carriers through the thin base of a heterobipolar transistor under the impact of radiation // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 69-74.

Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A., Volkova E.V., Pavelyev D.G. High-frequency detection of the formation and stabilization of a radiation-induced defect cluster in semiconductor structures // Semiconductors. № 12. V. 49. 2015. P. 1537-1544.

Волкова Е.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Козлов В.А. Высокочастотное детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в полупроводниковых структурах // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1585-1592.

2014

Труды (тезисы) конференции

Потехин А.А., Рябов А.А., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Использование стенда для измерения статических и импульсных вольтамперных характеристик полупроводниковых структур и оценка угроз информационной безопасности локальной вычислительной сети // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной дню радио, Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г.. Т. 1., 2 стр.. 2014. С. 41-42.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Применение атомно-силового микроскопа при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и создание информационно-защищенного канала обмена результатами измерений // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной дню радио, Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г... Т. 1, с. 3. 2014. С. 42-44.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хананова А.В., Земляков В.Е., Свешников Ю.Н., Иванов В.А., Смотрин Д.С. Исследование процессов в GaN и GaAs структурах при воздействии гамма-нейтронного облучения // Сборник тезисов 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 10-14 марта, 2015 г.. Т.1. 2014. [принято к печати]

Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Мурель А.В., Шашкин В.И. Транспорт электронов в диодах и транзисторах с двумерным электронным газом при радиационном воздействии // Сборник тезисов 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 10-14 марта, 2015 г.. Т. 1. 2014. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Использование атомносилового микроскопа при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и создание информационнозащищенного канала обмена результатами измерений. // Труды 4-ой Всероссийской конференции «Радиоэлектронные средства получения, обработки и визуализации информации», 24-26 сентября 2014 г.. Http://www.rf.unn.ru/eledep/conferences.html. 2014. С. 10.

Потехин А.А., Рябов А.А., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Применение стенда для измерения статических и импульсных вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и структур и оценка угроз информационной безопасности локальной вычислительной сети. // Труды 4-ой Всероссийской конференции «Радиоэлектронные средства получения, обработки и визуализации информации», 24-26 сентября 2014 г.. Http://www.rf.unn.ru/eledep/conferences.html. 2014. С. 10.

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н. Ионно-лучевая имитация радиационных повреждений в гетероструктурах при облучении быстрыми нейтронами // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014.. 2014. С. 81.

Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Транспорт электронов в планарном диоде Ганна // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио. Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио (Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г.) /Под ред. С.М. Грача, А.В. Якимова. Нижний Новгород: ННГУ, 2014. – с.48-50. 2014. С. 2.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Мурель А.В., Шашкин В.И. Радиационная стойкость планарных диодов Ганна // Тезисы докладов Всероссийской конференции «Радиационная стойкость электронных систем. стойкость-2014». Тез.докл. Всерос конф. «Радиационная стойкость электронных систем. стойкость-2014», г.Лыткарино, июнь, 2014, Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 2014, с.217-218. 2014. С. 1.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационно-стимулированном воздействии // Труды XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2014. С. 491-492.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Параллельные вычисления в задачах оптимизации полупроводниковых структур с учетом радиационного воздействия // Тезисы докладов 17-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2014". Издательство НИЯУ МИФИ. 2014. С. 67-68.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора при воздействии дефектообразующих излучений // Тезисы докладов V Всероссийской конференции. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2014. С. 83-84.

Публикации в научных журналах

Obolenskii S.V., Tetelybaum D.I., Guseinov D.V., Vasilyev V.K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Kachemtsev A.N. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and methods. V. B236. 2014. P. 41-44.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С., Скупов А.В. ПАРАЛЛЕЛЬНЫЕ ВЫЧИСЛЕНИЯ В ЗАДАЧАХ ФИЗИКО- ТОПОЛОГИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ПЕРСПЕКТИВНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ С УЧЕТОМ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ // Журнал Радиоэлектроники. № 2. 2014. С. 1-31.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Рябов А.А., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Организация и информационная безопасность высокопроизводительных вычислений при моделировании радиационной стойкости полупроводниковых приборов // Успехи современной радиоэлектроники. 2014. [принято к печати]

2013

Труды (тезисы) конференции

Оболенский С.В., Басаргина Н.В., В.П.Шукайло, С.М.Дубровских, И.В.Ворожцова, Чурин А.Ю., Тарасова Е.А. Исследование процессов в GaN транзисторах с двумерным электронным газом при гамма-нейтронном облучении // Труды XVII международной конференции "Нанофизика и наноэлектроника". Изд. ИФМ РАН, 11-15 марта 2013 г, т.2. 2013. С. 542-543.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Клюев А.В., Шмелев Е.И., Якимов А.В. Транспорт электронов в терагерцовом диоде Шоттки в момент формирования кластера радиационных дефектов // Труды XVII международной конференции "Нанофизика и наноэлектроника". Изд. ИФМ РАН, 11-15 марта 2013 г, т.2. 2013. С. 546-547.

Оболенский С.В. Радиационная стойкость перспективных полупроводниковых диодов и транзисторов: моделирование и эксперимент // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2013», г. Лыткарино, Московской области, 2-3 июня 2013 г.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2013.. 2013. С. 117-118.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Якимов А.В., Клюев А.В., Шмелев Е.И., Демидова Д.С., Оболенская Е.С. Исследование транспорта электронов в терагерцовом диоде Шоттки в момент формированиякластера радиационных дефектов // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2013», г. Лыткарино, Московской области, 2-3 июня 2013 г.. . 123 с.. 2013. С. 115-116.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2013. С. 115-116.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Шукайло В.П., Басаргина Н.В., Ткачев О.В., Дубровских С.М. Исследование процессов в GaN транзисторах с двумерным электронным газом при радиационном облучении // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2013», г. Лыткарино, Московской области, 2-3 июня 2013 г.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2013. С. 116-117.

Оболенский С.В., Пузанов А.С. Аналитическая модель разогрева электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора при воздействии стационарного потока квантов высоких энергий // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2013», г. Лыткарино, Московской области, 2-3 июня 2013 г.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2013. С. 117-118.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С. Анализ влияния нейтронного облучения на характеристики гетероструктурных СВЧ полевых транзисторов // Тезисы докладов форума молодых ученых. Н.Новгород, ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 122-123.

Оболенский С.В., Забавичев И.Ю. Исследование радиационной стойкости системы квантовой криптографии // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 143-144.

Оболенский С.В., Потехин А.А. Исследование радиационной стойкости системы квантового компьютера // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ,16-18 сентября. 2013. С. 209-210.

Оболенский С.В., Пузанов А.С. Разогрев электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 211-212.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А. Сопоставление радиационной стойкости GaN и GaAs HEMT // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 226-227.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Клюев А.В., Шмелев Е.И., Якимов А.В. Транспорт электронов в терагерцовом диоде Шоттки в условиях нейтронного облучения // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 120-122.

Потехин А.А., Оболенский С.В. Оценка радиационной стойкости квантового компьютера // Труды XVII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения В.С. Троицкого.. Нижний Новгород, 13-17 мая 2013 г.. 2013. С. 37.

Потехин А.А., Оболенский С.В. Исследование радиационной стойкости квантового компьютера // Форум молодых учёных. Тезисы докладов.. ННГУ, Т1, 2 стр.. 2013. С. 143-144.

Забавичев И.Ю., Оболенский С.В. Оценка радиационной стойкости системы квантовой криптографии // Труды XVII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения В.С. Троицкого.. Т.1, с. 1. 2013. С. 37.

Забавичев И.Ю., Оболенский С.В. Исследование радиационной стойкости системы квантовой криптографии // Форум молодых учёных. Тезисы докладов.. Изд–во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, с. 2. 2013. С. 143-144.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С., Скупов А.В. Разработка пакета программ с распараллеливанием вычислений для физико-топологического моделирования процессов в перспективных полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия // Материалы XIX Международной научно-технической конференции "Информационные системы и технологии" "ИСТ-2013". Издательство Нижегородского государственного технического университета им. Р.Е. Алексеева. 2013. С. 416.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С., Скупов А.В. Программа физико-топологического моделирования процессов в перспективных полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия с распараллеливанием вычислений // Труды I Российско-Белорусской научно-технической конференции "Элементная база отечественной электроники". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2013. С. 17-20.

Киселёв М.Р., Клюев А.В., Шмелёв Е.И., Якимов А.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболеснкая Е.С., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Спектральные характеристики Низкочастотных шумов в терагерцовых диодах Шоттки // Семнадцатая научная конференция по радиофизике, посвященная 100-летию со дня рождения В.С. Троицкого. Семнадцатая научная конференция по радиофизике, посвященная 100-летию со дня рождения В.С. Троицкого, C 189-190.. 2013. С. 189-190..

Публикации в научных журналах

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Киселев В.К. Аналитическая модель деградации характеристик кремниевых биполярных транзисторов с тонкой базой при воздействии дефектообразующих излучений // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского.. № 2. 2013. С. 60-65.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Шукайло В.П., Басаргина Н.В., Ткачев О.В., Дубровских С.М. Исследование спектров электролюминисценции светодиодов на основе GaN структур при нейтронном облучении // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. № 1. 2013. С. 60-65.

Tetelbaum D.I., Guseinov D.V., Mikhaylov A.N., Vasiliev V.K., Belov A.I., Korolev D.S., Obolensky S.V., Kachemtsev A.N. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 2013. [принято к печати]

Тарасова Е.А., Басаргина Н.В., Ворожцова И.В., Дубровских С.М., Ткачев О.В., Шукайло В.П., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Влияние гамма-нейтронного излучения на GaN транзисторы с двумерным электронным газом // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 3. Т. 1. 2013. С. 61-65.

Tarasova E.A., Demidova D.S., Obolenskii S.V., Fefelov A.G., Dyukov D.I. Modeling of high-power HEMT irradiated with high-energy photons // SEMICONDUCTORS. № 1. V. 47. 2013. P. 152-157.

2012

Труды (тезисы) конференции

Волкова Е.В., Оболенский С.В. Моделирование транспорта электронов в наноструктурном диоде в момент формирования кластера радиационных дефектов // Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-2012». М.: МИФИ, 2012, 243 с.. 2012. С. 127-128.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С. Моделирование полевых транзисторов с двумерным электронным газом при радиационном облучении // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2012», г. Лыткарино, Московской области, 1-3 июня 2012 г.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2012. С. 116-117.

Оболенский С.В., Кислев В.К., Пузанов А.С. Деградация малосигнальных характеристик биполярного транзистора с тонкой базой при воздействии дефектообразующих излучений // Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-2012. М.: МИФИ, 2012, 243 с.. 2012. С. 121-122.. 2012. С. 121-122.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Дюков Д.И., Фефелов А.Г. Исследование параметров гетеронаноструктур с двумерным электронным газом при радиационном облучении // Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-2012. М.: МИФИ, 2012, 243 с.. 2012.. 2012. С. 123-124.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Киселев В.К. ДЕГРАДАЦИЯ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА С ТОНКОЙ БАЗОЙ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИ ДЕФЕКТООБРАЗУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ // Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-2012. М.: МИФИ, 2012, 243 с.. 2012... 2012. С. 125-126.

Оболенский С.В., Демидова Д.С., Фефелов А.Г., Дюков Д.И., Тарасова Е.С. МОДЕЛИРОВАНИЕ МОЩНЫХ HEMT ПРИ ОБЛУЧЕНИИ КВАНТАМИ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ // Труды XVI международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". 12–16 марта 2012 г., Нижний Новгород, 635 с.. 2012. С. 338-339.

Оболенский С.В., Киселев В.К., Пузанов А.С. Аналитическая модель реакции биполярного транзистора с тонкой базой на радиационное воздействие // Сборник трудов X Межотраслевой конференции по радиационной стойкости (г. Саров, 16-19 октября 2012 г.). Изд. РФЯЦ ВНИИЭФ, т.1. 2012. [принято к печати]

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Расчет коэффициента переноса неосновных носителей заряда в биполярном транзисторе с тонкой базой // Материалы XVIII Международной научно-технической конференции "Информационные системы и технологии" "ИСТ-2012". Издательство Нижегородского государственного технического университета. 2012. С. 24-25.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Деградация статических характеристик биполярного транзистора с тонкой базой при воздействии дефектообразующих излучений // Тезисы докладов 15-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2012". Издательство НИЯУ МИФИ. 2012. С. 55-56.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Деградация малосигнальных характеристик биполярного транзистора с тонкой базой при воздействии дефектообразующих излучений // Тезисы докладов 15-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2012". Издательство НИЯУ МИФИ. 2012. С. 57-58.

Публикации в научных журналах

Козлов В.А., Оболенский С.В., Шмагин В.Б., Красильник З.Ф. Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого p-n-перехода // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 46. 2012. С. 134-139.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Дюков Д.И., Фефелов А.Г., Демидова Д.С. Моделирование мощных HEMT при облучении квантами высоких энергий // Физика и техника полупроводников. 12. 2012. № 12. Т. 46. 2012. С. 1587-1593.

Оболенский С.В., Пузанов А.С. ОСОБЕННОСТИ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУРАХ С ТОНКОЙ БАЗОЙ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ПОТОКА КВАНТОВ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ // Микроэлектроника. № 4. Т. 41. 2012. С. 304-309.

Оболенский С.В., Пузанов А.С. Аналитическая модель переходных ионизационных процессов в кремниевых биполярных транзисторах с тонкой базой при воздействии ионизирующего излучения // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 4. 2012. С. 5-8.

Оболенский С.В., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А. Тепловая модель мощных полевых транзисторов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 4. 2012. С. 12-14.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С. Особенности анализа вольт-фарадных характеристик транзисторов Шоттки при оценке уровня радиационной стойкости // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру.. № 4. 2012. С. 9-11.

Оболенский С.В., Шукайло В.П., Басаргина Н.В., Ворожцова И.В., Дубровских С.М., Ткачев О.В. Люминесценция GaN и GaAs светодиодов при n-y облучении // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. № 5. 2012. С. 60-65.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Особенности переноса электронов в биполярных транзисторных структурах с тонкой базой при воздействии потока квантов высоких энергий // Микроэлектроника. № 4. Т. 41. 2012. С. 304-312.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая модель переходных ионизационных процессов в кремниевых биполярных транзисторах с тонкой базой при воздействии импульсного фотонного излучения // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 4. 2012. С. 5-8.

2011

Труды (тезисы) конференции

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая модель ионизационных процессов в мощных биполярных транзисторах с тонкой базой // Труды XV научной конференции по радиофизике (г. Нижний Новгород, 7 мая 2011 г.). Нижний Новгород: Изд-во «ТАЛАМ». 2011. С. 40-41.

Асмолова Н.Ф., Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Анализ динамики развития пробоя в биполярном транзисторе с тонкой базой при радиационном воздействии // Материалы XVII Международной научно-технической конференции «Информационные системы и технологии ИСТ-2011». Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского государственного технического университета им. Р.Е. Алексеева. 2011. С. 60.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая модель переходных ионизационных процессов в кремниевых биполярных транзисторах с тонкой базой при воздействии ионизирующего излучения // Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем – Стойкость-2011». М.: НИЯУ МИФИ. 2011. С. 99-100.

Публикации в научных журналах

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Применение квазигидродинамического приближения для решения задачи переноса заряда в кремниевых наноструктурах при повышенных температурах // Вестник ННГУ. Серия: Радиофизика. № 2. 2011. С. 62-70.

Оболенский С.В., Мурель А.В., Vostokov N.V. Electron Transport in a Mott Diode by the Monte Carlo Method // IEEE Transaction on Electron Devices. № 8. V. 58. 2011. P. 2507-2510.

Красильник З.Ф., Кулрявцев К.Е., Качемцев А.В., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Оболенский С.В., Шенгуров В.Г. Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si гетеростурктур с самоформирующимися наноостровками // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 57. 2011. С. 230-234.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Моделирование тепловых полей в мощных InAlAs / InGaAs полевых транзисторах 0.1…0.3 ТГц диапазона частот // Вестник ННГУ. Серия: Радиофизика. № 5. 2011. С. 348-353.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Петров С.Г. Особенности ударной ионизации в полупроводниковых приборах с субмикронными областями пространственного заряда при воздействии потока квантов высоких энергий // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру.. № 2. 2011. С. 10-13.

Krasilynik Z.F., Novikov A.V., Lobanov D.N., Kudryavtsev K.E., Antonov A.V., Obolenskii S.V., Zakharov N.D., Werner P. SiGe nanostructures with self-assembled islands for Si-based optoelectronics // Semiconductor Science and Technology. V. 26. 2011. P. 014209.

Obolenskii S.V., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Lobanov D.N., Novikov A.V., Shengurov D.V., Kachemtsev A.N. COMPARATIVE ANALYSIS OF RADIATION EFFECTS ON THE ELECTROLUMINESCENCE OF SI AND SIGE/SI(001) HETEROSTRUCTURES WITH SELF-ASSEMBLED ISLANDS // Semiconductors. № 2. V. 45. 2011. P. 225-229.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Применение квазигидродинамического приближения для решения задачи переноса заряда в кремниевых наноструктурах при повышенных температурах // Вестник ННГУ. Серия: Радиофизика.. № 2. 2011. С. 62-70.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Петров С.Г. Особенности ударной ионизации в полупроводниковых приборах с субмикронными областями пространственного заряда при воздействии потока квантов высоких энергий // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 2. 2011. С. 10-13.

Патенты, авторские свидетельства

2017

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Шарапов А.Н. Способ имитационного тестирования стойкости приборной структуры к облучению быстрыми нейтронами (варианты) (Патент).

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского