Оболенский Сергей Владимирович

Место работы

Научно-исследовательский радиофизический институт

Дирекция

директор НИИ

Радиофизический факультет

Кафедра квантовой радиофизики и электроники

профессор

Ученая степень
Доктор технических наук
Ученое звание
Профессор
Дата начала работы в университете лобачевского: 1994
Общий стаж работы 28 лет, 5 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специалитет. Специальность: радиофизика и электроника. Квалификация: радиофизик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

17.01.2018 - 17.01.2018
Повышение квалификации: Оказание первой помощи, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 8 час., документ № Сертификат б/н, рег. № 1117 от 17.01.2018

23.03.2017 - 23.05.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404997558, рег. № 33-1474 от 23.05.2017

Список преподаваемых дисциплин


Аспиранты 6 аспирантов по 25 часов
Конструирование полупроводниковых приборов
Полупроводниковая электроника
Прием экзаменов в аспирантуру и рецензирование автореферата
Рецензирование диссертационных работ 3-х аспирантов
Спецкурс
Электроника

Публикации

2019

Труды (тезисы) конференции

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Моделирование процесса формирования разупорядоченной области радиационных дефектов в кремнии // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 690-691.

Насеткин К.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Моделирование реакции субмикронных структур "кремний на изоляторе" на воздействие низкоинтенсивных проникающих излучений // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 774-775.

Пузанов А.С., Венедиктов М.М., Оболенский С.В., Козлов В.А. Применение локально-неравновесных физико-топологических моделей переноса носителей заряда для оценки сбоеустойчивости интегральных схем при воздействии заряженных частиц и ультракоротких импульсов ионизирующего излучения // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 805-806.

Шоболова Т.А., Коротков А.В., Петрякова Е.В., Липатников А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов на структурах с полупроводниковыми и диэлектрическими подложками // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 892-893.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Козлов В.А., Латышева Н.Д., Боженькина А.С., Иванов А.Б., Хазанова С.В., Дегтярев В.Е. Анализ причин интермодуляционных искажений перспективных квазибаллистических полевых транзисторов до и после радиационного воздействия // Труды XXIII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: изд. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 957 стр.. 2019. С. С. 837-838.

2018

Труды (тезисы) конференции

М.М. Венедиктов, Тарасова Е.А., Боженькина А.Д., Оболенский С.В. Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов после импульсного гамма- нейтронного облучения // Материалы XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 390 страниц. 2018. С. 566-567.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Реинжиниринг диодных структур по результатам измерений вольтфарадных и вольтамперных характеристик // Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. С. 623-624.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Применение модели Каттанео-Вернотта к решению задачи релаксации фотопроводимости в диодных структурах при воздействии ультракоротких импульсов ионизирующих излучений // Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. С. 743-744.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С. Фемто- и пикосекундные процессы формирования кластеров радиационных дефектов при ионном и нейтронном облучении полупроводниковых гетероструктур: моделирование и эксперимент // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов ""Физические и физико-химические основы ионной имплантации, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 2018 г.. Т. 1, 174 стр.. 2018. С. 16-17.

Забавичев И.Ю., Васин А.А., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Особенности расчета макропараметров полупроводниковых материалов для различных моделей дефектообразования в некоторых полупроводниках при воздействии проникающих излучений // Труды XXII научной конференции по радиофизике. Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород). 2018. С. 73-76.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Сравнение моделей развития каскадов атомных столкновений в полупроводниках при воздействии отдельных ядерных частиц // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), 174 стр.. 2018. С. 89-90.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенская Е.С. Радиационная стойкость приборов наноэлектроники // Труды IV Международной научно-технической конференции "Элементная база отечественной радиоэлектроники". 79 стр.. 2018. С. 3.

Публикации в научных журналах

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Венедиктов М.М., Боженькина А.Д., Елесин В.В., Чуков Г.В., Метелкин И.О., Кревский М.А., Дюков Д.И., Фефелов А.Г. Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного gamma- и gamma-нейтронного облучения // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 52. 2018. С. 1414.

M. M. Venediktov, Tarasova E.A., Obolenskii S.V., A. D. Bozhen’kina, V. V. Elesin, G. V. Chukov, I. O. Metelkin, M. A. Krevskiy, D. I. Dukov, A. G. Fefelov Analysis of the Behavior of Nonequilibrium Semiconductor Structures and Microwave Transistors During and After Pulsed γ- and γ-Neutron Irradiation // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1518–1524.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 52. 2018. С. 1295-1299.

Obolenskaya E.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A., Pavelyev D.G., Vasilyev A.P., Ustinov V.M. INCREASE OF SELF-OSCILLATION AND TRANSFORMATION FREQUENCIES IN THZ DIODES // IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology. № 2. V. 8. 2018. P. 231-236.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Линев А.В., Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Васин А.А., Хананова А.А., Иванов А.Б. Применение физико-топологического моделирования для анализа радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 4. 2018. С. 10-17.

2017

Труды (тезисы) конференции

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Галкин О.Е., Хананова А.В., Макаров А.Б. Методы экспериментального и численного анализа параметров GaN HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия // Материалы XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Том 2, 2 с.. 2017. С. 734-735.

Забавичев И.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Транспорт горячих носителей заряда в полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2017. С. 598-599.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Козлов В.А., Васильев А.П., Устинов В.М. Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, т.2, 2017 с.686-687. 2017. С. 686.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Венедиктов М.М. Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур диодов и транзисторов после воздействия излучений различной природы // Современная элементная база радиоэлектроники и ее применение. -. 2017. С. 71-74.

Забавичев И. Ю., Иванов А. Б., Линев А.В., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Хананова А.А. Применение физико-топологического моделирования для расчетной оценки радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Труды III Российско-Белорусской международной конференции "Современная элементная база радиоэлектроники и ее применение". Электронное издание, 165 с.. 2017. С. 71-74.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние профиля потенциала кластера радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2017. С. 600-601.

Васин А.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Влияние технологического разброса и погрешности измерений профиля легирования на достоверность расчетной оценки стойкости кремниевых диодных структур к необратимым отказам при воздействии импульсных ионизирующих излучений // Труды XXI научной конференции по радиофизике. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2017. С. 70-73.

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Перенос горячих носителей заряда в полупроводниковых структурах с включениями кластеров радиационных дефектов // Труды XXI научной конференции по радиофизике. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2017. С. 67.

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Влияние точки возникновения кластера радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора // Труды XXI научной конференции по радиофизике. Издательство Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 74.

Публикации в научных журналах

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Галкин О.Е., Хананова А.В., Макаров А. Б. Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1543-1546.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Венедиктов М.М., Киселев В.К. Оценка воздействия ионизирующих излучений на электронные компоненты по результатам испытаний ограниченных выборок // Журнал радиоэлектроники. № 1. Т. 1. 2017. С. 1-17.

Tarasova E.A., Obolenskii S.V., Galkin O.E., Khananova A.V., Makarov A. B. Analysis of the GaN-HEMT Parameters Before and After Gamma-Neutron Irradiation // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1490-1494.

Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1489-1492.

Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Потехин А.А., Оболенский С.В., Козлов В.А. Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1520-1524.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Пузанов А.С., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот // Физика и техника полупроводников. № 51. Т. 11. 2017. С. 1435-1438.

Obolenskaya E.S., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A., Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A. Transport of hot charge carriers in Si, GaAs, InGaAs, and GaN submicrometer semiconductor structures with nanometer-scale clusters of radiation-induced defects // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1435-1438.

Obolenskaya E.S., Obolenskii S.V., Pavelyev D.G., Kozlov V.A., Vasilyev A.P., Ustinov V.M. Optimization of the superlattice parameters for THz diodes // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1439-1443.

2016

Труды (тезисы) конференции

Малин Т.В., Мансуров В.Г., Журавлев К.С., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Парнес Я.М., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Хананова А.В., Оболенский С.В., Медведев Г.В. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных, вольт-фарадных и импульсных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Т. 2., 2 841 стр., Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 655-666.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Козлов В.А., Китаев М.А. Исследование генерации СВЧ-сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 841 стр.. 2016. С. 682-683.

Потехин А.А., Оболенская Е.С., Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Линев А.В., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Итерационное моделирование для восстановления структуры полупроводниковых приборов и анализа их радиационной стойкости // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 841 стр., Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 698-699.

Тарасова Е.А., Хананова А.В., Оболенский С.В., Чурин А.Ю. Методика анализа профилей легирования GaAs структур до и после гамма-нейтронного воздействия в диапазоне температур // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 65-66.

Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Хананова А.В., Линев А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Опыт применения физико-топологического моделирования для анализа радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 71-72.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Козлов В.А., Чурин А.Ю. Моделирование радиационной стойкости планарных диодов Ганна с управляющим электродом // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 73-74.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Экспериментальная методика анализа параметров GaAs и GaN HEMT-структур до и после гамма-нейтронного воздействия // Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". 24 - 27 октября 2016 года, с. 32-33. 2016. С. 32-33.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Тарасова Е.А., Павельев Д.Г., Чурин А.Ю. Исследование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках и диодах Ганна в условиях радиационного воздействия // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 24–27 октября 2016 г.). –Н.Новгород, 2016. – 141 с.. 2016. С. 33-35.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Павельев Д.Г. Моделирование транспорта электронов в терагерцовых диодах на основе сверхрешеток // Труды XX научной конференции по радиофизике, посвященной 110-летию со дня рождения Г.С. Горелика. Труды ХХ научной конференции по радиофизике, посвящённой 110-летию со дня рождения Г.С. Горелика (Нижний Новгород, 12–20 мая 2016 г.) / Под ред. С.В. Оболенского, В.В. Матросова. Нижний Новгород: ННГУ, 2016. – 320 с. 2016. С. 52-54.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора // Труды XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2016. С. 702-703.

Волкова Е.В., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Пузанов А.С. Терагерцовое детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов при нейтронном воздействии // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016". Издательство НИЯУ МИФИ. 2016. С. 67-68.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Аналитическая оценка вероятности возникновения структурных повреждений в микрообъеме GaAs при воздействии потока мгновенных нейтронов спектра деления // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016". Издательство НИЯУ МИФИ. 2016. С. 69-70.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая оценка вероятности возникновения кластера радиационных дефектов в микрообъеме рабочей области полупроводникового прибора при воздействии потока нейтронов // Тезисы докладов VI Всероссийской конференции "Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 89-90.

Публикации в научных журналах

Тарасова Е.А., Хананова А.В., Оболенский С.В., Земляков В.Е., Свешников Ю.Н., Смотрин Д.С., Иванов В.А., Егоркин В.И., Медведев Г.В. Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после гамма-нейтронного облучения // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 50. 2016. С. 331-338.

Tarasova E.A., Khananova A.V., Obolenskii S.V., Zemlyakov V.E., Sveshnikov Yu.N., Egorkin V.I., Ivanov V.A., Medvedev G.V., Smotrin D.S. Study of the Electron Distribution in GaN and GaAs after γ-Neutron Irradiation // Semiconductors. № 3. V. 50. 2016. P. 331-338.

Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Хананова А.В., Оболенский С.В., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Неженцев А.В., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Медведев Г.В. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1599-1604.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Козлов В.А. Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1605-1609.

Tarasova E.A., Obolenskaya E.S., Khananova A. V., Obolenskii S.V., Zemlyakov V.E., Egorkin V. I., Nezhentsev A. V., Sakharov A. V., Tsatsulynikov A. F., Lundin V. V., Zavarin E. E., Medvedev G. V. Theoretical and Experimental Studies of the Current–Voltage and Capacitance–Voltage of HEMT Structures and Field-Effect Transistors // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1599-1604.

Obolenskaya E.S., Tarasova E.A., Churin A.Yu., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Microwave-Signal Generation in a Planar Gunn Diode with Radiation Exposure Taken into Account // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1580-1584.

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Васильев А.П., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Оболенский С.В., Устинов В.М. Диодные гетероструктуры для приборов терагерцового диапазона частот // Журнал радиоэлектроники. № 1. Т. 1. 2016. С. 1.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Васильев А.П., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Устинов В.М. Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот // Физика и техника полупроводников. 2016. [принято к печати]

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 59. 2016. С. 1706-1712.

2015

Сборники статей

Пузанов А.С., Волкова Е.В., Оболенский С.В. Суперкомпьютерное моделирование перспективных полупроводниковых приборов с учетом радиационного воздействия // Суперкомпьютерные технологии и высокопроизводительные вычисления в ННГУ. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2015. С. 67-74.

Труды (тезисы) конференции

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Земляков В.Е., Свешников Ю.Н., Иванов В.А., Смотрин Д.С., Хананова А.В. Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хананова А.В., Земляков В.Е., Свешников Ю.Н., Иванов В.А., Смотрин Д.С. Исследование процессов в GaN и GaAs структурах при воздействии гамма-нейтронного облучения // Сборник трудов 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника",. 10-14 марта, 2015 г.. : Т.1. 2014.. 2015. С. 51-52.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Мурель А.В., Шашкин В.И. Транспорт электронов в диодах и транзисторах с двумерным электронным газом при радиационном воздействии // Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Мурель А.В., Шашкин В.И. Сборник трудов 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника",. Т. 1. 2015.. 2015. С. 34-35.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Волкова Е.В., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Высокочастотный отклик нанометровых диодов, вызываемый динамикой образования кластеров радиационных дефектов // Труды 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Т. 2, 2015 г.. 2015. С. С. 529-530.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Чурин А.Ю., Иванов В.А., Медведев Г.В. Методика анализа профилей легирования GaAs структур до и после гамма-воздействия // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т 1, 2 стр.. 2015. С. 61-62.

Панкратов Е.Л., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Козлов В.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Влияние радиационно-стимулированной диффузии на процессы восстановления работоспособности планарных диодов и транзисторов после импульсного гамма-нейтронного воздействия // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т.1 с 2. 2015. С. 63-64.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Оценка дисперсии результатов измерений вольт-фарадных характеристик полупроводниковых приборов // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т 1., 2 с.. 2015. С. 67-68.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Программа физико-топологического моделирования переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия на основе многочастичного метода Монте-Карло // Труды II российско-белорусской научно-технической конференции «элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение » им. О.В.Лосева. Типография ННГУ, том 1, 512 стр. 2015. С. 70-74.

Потехин А.А., Оболенская Е.С., Линев А.В., Оболенский С.В. Итерационное моделирование для реинжиниринга полупроводниковых приборов и анализа их радиационной стойкости // Тез.докл. 18 Всерос. Научн.-техн. конф. по радиационной стойкости электронных систем. «Стойкость-2015». Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 2015, Т.1, 450. 2015. С. 69-70.

Потехин А.А., Листратов А.И., Оболенский С.В. ИЗМЕРЕНИЕ СТАТИЧЕСКИХ И ИМПУЛЬСНЫХ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК И ОЦЕНКА ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ГЕРМАНИЕВОГО ДИОДА // Труды XIX научной конференции по радиофизике, посвященной 70-летию радиофизического факультета. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского (национальный исследовательский университет) т.1, 304 стр. 2015. С. 47-48.

Пузанов А.С., Дубровских С.М., Ткачев О.В., Шукайло В.П., Оболенский С.В. Оценка неоднородности энерговыделения в области пространственного заряда мелкого p-n перехода при нейтронном воздействии // Тезисы докладов 18-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2015". Издательство НИЯУ МИФИ. 2015. С. 65-66.

Потехин А.А., Линев А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Итерационное моделирование с использованием суперкомпьютера для реинжиниринга полупроводниковых приборов и анализа их радиационной стойкости // Труды международной конференции "Суперкомпьютерные дни в России". Издательство МГУ. 2015. С. 555.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Волкова Е.В., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Моделирование динамики образования кластеров радиационных дефектов с использованием высокопроизводительных вычислений // Труды международной конференции "Суперкомпьютерные дни в России". Издательство МГУ. 2015. С. 585.

Публикации в научных журналах

Оболенский С.В., Козлов В.А., Пузанов А.С. Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 71-75.

Оболенский С.В., Оболенская Е.С., Шашкин В.И., Мурель А.В., Тарасова Е.А. Транспорт электронов в планарных диодах Ганна при радиационном воздействии // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1507-1515.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Козлов В.А. ВЫСОКОЧАСТОТНОЕ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ И СТАБИЛИЗАЦИИ КЛАСТЕРА РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1585-1592.

Оболенский С.В., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Шашкин В.И., Мурель А.В. РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ ПЛАНАРНЫХ ДИОДОВ ГАННА // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 11. Т. 49. 2015. С. 1507-1515.

Потехин А.А., Оболенский С.В., Забавичев И.Ю., Рябов А.А., Линев А.В., Чурин А.Ю., Ротков Л.Ю. СТРУКТУРА ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ СРЕДСТВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНФОРМАЦИОННАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ ПРОЦЕДУРЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика ядерных реакторов. № 2. Т. 1. 2015. С. 24-30.

2014

Труды (тезисы) конференции

Потехин А.А., Рябов А.А., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Использование стенда для измерения статических и импульсных вольтамперных характеристик полупроводниковых структур и оценка угроз информационной безопасности локальной вычислительной сети // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной дню радио, Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г.. Т. 1., 2 стр.. 2014. С. 41-42.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Применение атомно-силового микроскопа при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и создание информационно-защищенного канала обмена результатами измерений // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной дню радио, Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г... Т. 1, с. 3. 2014. С. 42-44.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хананова А.В., Земляков В.Е., Свешников Ю.Н., Иванов В.А., Смотрин Д.С. Исследование процессов в GaN и GaAs структурах при воздействии гамма-нейтронного облучения // Сборник тезисов 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 10-14 марта, 2015 г.. Т.1. 2014. [принято к печати]

Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Мурель А.В., Шашкин В.И. Транспорт электронов в диодах и транзисторах с двумерным электронным газом при радиационном воздействии // Сборник тезисов 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 10-14 марта, 2015 г.. Т. 1. 2014. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Использование атомносилового микроскопа при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и создание информационнозащищенного канала обмена результатами измерений. // Труды 4-ой Всероссийской конференции «Радиоэлектронные средства получения, обработки и визуализации информации», 24-26 сентября 2014 г.. Http://www.rf.unn.ru/eledep/conferences.html. 2014. С. 10.

Потехин А.А., Рябов А.А., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Применение стенда для измерения статических и импульсных вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и структур и оценка угроз информационной безопасности локальной вычислительной сети. // Труды 4-ой Всероссийской конференции «Радиоэлектронные средства получения, обработки и визуализации информации», 24-26 сентября 2014 г.. Http://www.rf.unn.ru/eledep/conferences.html. 2014. С. 10.

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н. Ионно-лучевая имитация радиационных повреждений в гетероструктурах при облучении быстрыми нейтронами // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014.. 2014. С. 81.

Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Транспорт электронов в планарном диоде Ганна // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио. Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио (Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г.) /Под ред. С.М. Грача, А.В. Якимова. Нижний Новгород: ННГУ, 2014. – с.48-50. 2014. С. 2.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Мурель А.В., Шашкин В.И. Радиационная стойкость планарных диодов Ганна // Тезисы докладов Всероссийской конференции «Радиационная стойкость электронных систем. стойкость-2014». Тез.докл. Всерос конф. «Радиационная стойкость электронных систем. стойкость-2014», г.Лыткарино, июнь, 2014, Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 2014, с.217-218. 2014. С. 1.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационно-стимулированном воздействии // Труды XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2014. С. 491-492.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Параллельные вычисления в задачах оптимизации полупроводниковых структур с учетом радиационного воздействия // Тезисы докладов 17-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2014". Издательство НИЯУ МИФИ. 2014. С. 67-68.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора при воздействии дефектообразующих излучений // Тезисы докладов V Всероссийской конференции. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2014. С. 83-84.

Публикации в научных журналах

Obolenskii S.V., Tetelybaum D.I., Guseinov D.V., Vasilyev V.K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Kachemtsev A.N. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and methods. V. B236. 2014. P. 41-44.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С., Скупов А.В. ПАРАЛЛЕЛЬНЫЕ ВЫЧИСЛЕНИЯ В ЗАДАЧАХ ФИЗИКО- ТОПОЛОГИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ПЕРСПЕКТИВНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ С УЧЕТОМ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ // Журнал Радиоэлектроники. № 2. 2014. С. 1-31.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Рябов А.А., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Организация и информационная безопасность высокопроизводительных вычислений при моделировании радиационной стойкости полупроводниковых приборов // Успехи современной радиоэлектроники. 2014. [принято к печати]

2013

Труды (тезисы) конференции

Оболенский С.В., Басаргина Н.В., В.П.Шукайло, С.М.Дубровских, И.В.Ворожцова, Чурин А.Ю., Тарасова Е.А. Исследование процессов в GaN транзисторах с двумерным электронным газом при гамма-нейтронном облучении // Труды XVII международной конференции "Нанофизика и наноэлектроника". Изд. ИФМ РАН, 11-15 марта 2013 г, т.2. 2013. С. 542-543.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Клюев А.В., Шмелев Е.И., Якимов А.В. Транспорт электронов в терагерцовом диоде Шоттки в момент формирования кластера радиационных дефектов // Труды XVII международной конференции "Нанофизика и наноэлектроника". Изд. ИФМ РАН, 11-15 марта 2013 г, т.2. 2013. С. 546-547.

Оболенский С.В. Радиационная стойкость перспективных полупроводниковых диодов и транзисторов: моделирование и эксперимент // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2013», г. Лыткарино, Московской области, 2-3 июня 2013 г.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2013.. 2013. С. 117-118.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Якимов А.В., Клюев А.В., Шмелев Е.И., Демидова Д.С., Оболенская Е.С. Исследование транспорта электронов в терагерцовом диоде Шоттки в момент формированиякластера радиационных дефектов // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2013», г. Лыткарино, Московской области, 2-3 июня 2013 г.. . 123 с.. 2013. С. 115-116.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2013. С. 115-116.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Шукайло В.П., Басаргина Н.В., Ткачев О.В., Дубровских С.М. Исследование процессов в GaN транзисторах с двумерным электронным газом при радиационном облучении // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2013», г. Лыткарино, Московской области, 2-3 июня 2013 г.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2013. С. 116-117.

Оболенский С.В., Пузанов А.С. Аналитическая модель разогрева электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора при воздействии стационарного потока квантов высоких энергий // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2013», г. Лыткарино, Московской области, 2-3 июня 2013 г.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2013. С. 117-118.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С. Анализ влияния нейтронного облучения на характеристики гетероструктурных СВЧ полевых транзисторов // Тезисы докладов форума молодых ученых. Н.Новгород, ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 122-123.

Оболенский С.В., Забавичев И.Ю. Исследование радиационной стойкости системы квантовой криптографии // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 143-144.

Оболенский С.В., Потехин А.А. Исследование радиационной стойкости системы квантового компьютера // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ,16-18 сентября. 2013. С. 209-210.

Оболенский С.В., Пузанов А.С. Разогрев электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 211-212.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А. Сопоставление радиационной стойкости GaN и GaAs HEMT // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 226-227.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Клюев А.В., Шмелев Е.И., Якимов А.В. Транспорт электронов в терагерцовом диоде Шоттки в условиях нейтронного облучения // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 120-122.

Потехин А.А., Оболенский С.В. Оценка радиационной стойкости квантового компьютера // Труды XVII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения В.С. Троицкого.. Нижний Новгород, 13-17 мая 2013 г.. 2013. С. 37.

Потехин А.А., Оболенский С.В. Исследование радиационной стойкости квантового компьютера // Форум молодых учёных. Тезисы докладов.. ННГУ, Т1, 2 стр.. 2013. С. 143-144.

Забавичев И.Ю., Оболенский С.В. Оценка радиационной стойкости системы квантовой криптографии // Труды XVII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения В.С. Троицкого.. Т.1, с. 1. 2013. С. 37.

Забавичев И.Ю., Оболенский С.В. Исследование радиационной стойкости системы квантовой криптографии // Форум молодых учёных. Тезисы докладов.. Изд–во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, с. 2. 2013. С. 143-144.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С., Скупов А.В. Разработка пакета программ с распараллеливанием вычислений для физико-топологического моделирования процессов в перспективных полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия // Материалы XIX Международной научно-технической конференции "Информационные системы и технологии" "ИСТ-2013". Издательство Нижегородского государственного технического университета им. Р.Е. Алексеева. 2013. С. 416.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С., Скупов А.В. Программа физико-топологического моделирования процессов в перспективных полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия с распараллеливанием вычислений // Труды I Российско-Белорусской научно-технической конференции "Элементная база отечественной электроники". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2013. С. 17-20.

Киселёв М.Р., Клюев А.В., Шмелёв Е.И., Якимов А.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболеснкая Е.С., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Спектральные характеристики Низкочастотных шумов в терагерцовых диодах Шоттки // Семнадцатая научная конференция по радиофизике, посвященная 100-летию со дня рождения В.С. Троицкого. Семнадцатая научная конференция по радиофизике, посвященная 100-летию со дня рождения В.С. Троицкого, C 189-190.. 2013. С. 189-190..

Публикации в научных журналах

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Киселев В.К. Аналитическая модель деградации характеристик кремниевых биполярных транзисторов с тонкой базой при воздействии дефектообразующих излучений // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского.. № 2. 2013. С. 60-65.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Шукайло В.П., Басаргина Н.В., Ткачев О.В., Дубровских С.М. Исследование спектров электролюминисценции светодиодов на основе GaN структур при нейтронном облучении // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. № 1. 2013. С. 60-65.

Tetelbaum D.I., Guseinov D.V., Mikhaylov A.N., Vasiliev V.K., Belov A.I., Korolev D.S., Obolensky S.V., Kachemtsev A.N. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 2013. [принято к печати]

Тарасова Е.А., Басаргина Н.В., Ворожцова И.В., Дубровских С.М., Ткачев О.В., Шукайло В.П., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Влияние гамма-нейтронного излучения на GaN транзисторы с двумерным электронным газом // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 3. Т. 1. 2013. С. 61-65.

Tarasova E.A., Demidova D.S., Obolenskii S.V., Fefelov A.G., Dyukov D.I. Modeling of high-power HEMT irradiated with high-energy photons // SEMICONDUCTORS. № 1. V. 47. 2013. P. 152-157.

2012

Труды (тезисы) конференции

Волкова Е.В., Оболенский С.В. Моделирование транспорта электронов в наноструктурном диоде в момент формирования кластера радиационных дефектов // Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-2012». М.: МИФИ, 2012, 243 с.. 2012. С. 127-128.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С. Моделирование полевых транзисторов с двумерным электронным газом при радиационном облучении // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2012», г. Лыткарино, Московской области, 1-3 июня 2012 г.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2012. С. 116-117.

Оболенский С.В., Кислев В.К., Пузанов А.С. Деградация малосигнальных характеристик биполярного транзистора с тонкой базой при воздействии дефектообразующих излучений // Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-2012. М.: МИФИ, 2012, 243 с.. 2012. С. 121-122.. 2012. С. 121-122.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Дюков Д.И., Фефелов А.Г. Исследование параметров гетеронаноструктур с двумерным электронным газом при радиационном облучении // Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-2012. М.: МИФИ, 2012, 243 с.. 2012.. 2012. С. 123-124.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Киселев В.К. ДЕГРАДАЦИЯ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА С ТОНКОЙ БАЗОЙ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИ ДЕФЕКТООБРАЗУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ // Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-2012. М.: МИФИ, 2012, 243 с.. 2012... 2012. С. 125-126.

Оболенский С.В., Демидова Д.С., Фефелов А.Г., Дюков Д.И., Тарасова Е.С. МОДЕЛИРОВАНИЕ МОЩНЫХ HEMT ПРИ ОБЛУЧЕНИИ КВАНТАМИ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ // Труды XVI международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". 12–16 марта 2012 г., Нижний Новгород, 635 с.. 2012. С. 338-339.

Оболенский С.В., Киселев В.К., Пузанов А.С. Аналитическая модель реакции биполярного транзистора с тонкой базой на радиационное воздействие // Сборник трудов X Межотраслевой конференции по радиационной стойкости (г. Саров, 16-19 октября 2012 г.). Изд. РФЯЦ ВНИИЭФ, т.1. 2012. [принято к печати]

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Расчет коэффициента переноса неосновных носителей заряда в биполярном транзисторе с тонкой базой // Материалы XVIII Международной научно-технической конференции "Информационные системы и технологии" "ИСТ-2012". Издательство Нижегородского государственного технического университета. 2012. С. 24-25.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Деградация статических характеристик биполярного транзистора с тонкой базой при воздействии дефектообразующих излучений // Тезисы докладов 15-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2012". Издательство НИЯУ МИФИ. 2012. С. 55-56.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Деградация малосигнальных характеристик биполярного транзистора с тонкой базой при воздействии дефектообразующих излучений // Тезисы докладов 15-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2012". Издательство НИЯУ МИФИ. 2012. С. 57-58.

Публикации в научных журналах

Козлов В.А., Оболенский С.В., Шмагин В.Б., Красильник З.Ф. Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого p-n-перехода // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 46. 2012. С. 134-139.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Дюков Д.И., Фефелов А.Г., Демидова Д.С. Моделирование мощных HEMT при облучении квантами высоких энергий // Физика и техника полупроводников. 12. 2012. № 12. Т. 46. 2012. С. 1587-1593.

Оболенский С.В., Пузанов А.С. ОСОБЕННОСТИ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУРАХ С ТОНКОЙ БАЗОЙ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ПОТОКА КВАНТОВ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ // Микроэлектроника. № 4. Т. 41. 2012. С. 304-309.

Оболенский С.В., Пузанов А.С. Аналитическая модель переходных ионизационных процессов в кремниевых биполярных транзисторах с тонкой базой при воздействии ионизирующего излучения // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 4. 2012. С. 5-8.

Оболенский С.В., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А. Тепловая модель мощных полевых транзисторов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 4. 2012. С. 12-14.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С. Особенности анализа вольт-фарадных характеристик транзисторов Шоттки при оценке уровня радиационной стойкости // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру.. № 4. 2012. С. 9-11.

Оболенский С.В., Шукайло В.П., Басаргина Н.В., Ворожцова И.В., Дубровских С.М., Ткачев О.В. Люминесценция GaN и GaAs светодиодов при n-y облучении // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. № 5. 2012. С. 60-65.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Особенности переноса электронов в биполярных транзисторных структурах с тонкой базой при воздействии потока квантов высоких энергий // Микроэлектроника. № 4. Т. 41. 2012. С. 304-312.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая модель переходных ионизационных процессов в кремниевых биполярных транзисторах с тонкой базой при воздействии импульсного фотонного излучения // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 4. 2012. С. 5-8.

2011

Труды (тезисы) конференции

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая модель ионизационных процессов в мощных биполярных транзисторах с тонкой базой // Труды XV научной конференции по радиофизике (г. Нижний Новгород, 7 мая 2011 г.). Нижний Новгород: Изд-во «ТАЛАМ». 2011. С. 40-41.

Асмолова Н.Ф., Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Анализ динамики развития пробоя в биполярном транзисторе с тонкой базой при радиационном воздействии // Материалы XVII Международной научно-технической конференции «Информационные системы и технологии ИСТ-2011». Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского государственного технического университета им. Р.Е. Алексеева. 2011. С. 60.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая модель переходных ионизационных процессов в кремниевых биполярных транзисторах с тонкой базой при воздействии ионизирующего излучения // Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем – Стойкость-2011». М.: НИЯУ МИФИ. 2011. С. 99-100.

Публикации в научных журналах

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Применение квазигидродинамического приближения для решения задачи переноса заряда в кремниевых наноструктурах при повышенных температурах // Вестник ННГУ. Серия: Радиофизика. № 2. 2011. С. 62-70.

Оболенский С.В., Мурель А.В., Vostokov N.V. Electron Transport in a Mott Diode by the Monte Carlo Method // IEEE Transaction on Electron Devices. № 8. V. 58. 2011. P. 2507-2510.

Красильник З.Ф., Кулрявцев К.Е., Качемцев А.В., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Оболенский С.В., Шенгуров В.Г. Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si гетеростурктур с самоформирующимися наноостровками // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 57. 2011. С. 230-234.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Моделирование тепловых полей в мощных InAlAs / InGaAs полевых транзисторах 0.1…0.3 ТГц диапазона частот // Вестник ННГУ. Серия: Радиофизика. № 5. 2011. С. 348-353.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Петров С.Г. Особенности ударной ионизации в полупроводниковых приборах с субмикронными областями пространственного заряда при воздействии потока квантов высоких энергий // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру.. № 2. 2011. С. 10-13.

Krasilynik Z.F., Novikov A.V., Lobanov D.N., Kudryavtsev K.E., Antonov A.V., Obolenskii S.V., Zakharov N.D., Werner P. SiGe nanostructures with self-assembled islands for Si-based optoelectronics // Semiconductor Science and Technology. V. 26. 2011. P. 014209.

Obolenskii S.V., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Lobanov D.N., Novikov A.V., Shengurov D.V., Kachemtsev A.N. COMPARATIVE ANALYSIS OF RADIATION EFFECTS ON THE ELECTROLUMINESCENCE OF SI AND SIGE/SI(001) HETEROSTRUCTURES WITH SELF-ASSEMBLED ISLANDS // Semiconductors. № 2. V. 45. 2011. P. 225-229.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Применение квазигидродинамического приближения для решения задачи переноса заряда в кремниевых наноструктурах при повышенных температурах // Вестник ННГУ. Серия: Радиофизика.. № 2. 2011. С. 62-70.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Петров С.Г. Особенности ударной ионизации в полупроводниковых приборах с субмикронными областями пространственного заряда при воздействии потока квантов высоких энергий // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 2. 2011. С. 10-13.

Патенты, авторские свидетельства

2017

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Шарапов А.Н. Способ имитационного тестирования стойкости приборной структуры к облучению быстрыми нейтронами (варианты) (Патент).

Контакты

462-32-66

Нижний Новгород, пр-кт. Гагарина 23, корп. 4, комн. 408

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского