Румянцев Владимир Владимирович

Место работы

Радиофизический факультет

Межфакультетская базовая кафедра "Физика наноструктур и наноэлектроника"

доцент

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 15 лет, 4 мес.
Педагогический стаж 8 лет, 8 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
бакалавр. Специальность: физика. Квалификация: бакалавр физики.

Высшее образование
магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

22.05.2018 - 22.05.2018
Повышение квалификации: Оказание первой помощи, ННГУ, 8 час., документ № сертификат рег. номер 2276 от 22.05.2018

16.01.2018 - 01.02.2018
Повышение квалификации: Современные подходы в преподавании естественнонаучных дисциплин (в условиях введения ФГОС), Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 72 час., документ № 522405002163; рег. № 33-1034 от 01.02.2018

13.03.2017 - 13.05.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404111727, рег. № 33-957 от 13.05.2017

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2025

Публикации в научных журналах

Gavrilenko V.I., Razova A.A., Rumyantsev V.V., Dubinov A.A., Aleshkin V.Ya., Mazhukina K.A., Utochkin V.V., Fadeev M.A., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Shengurov D.V., Gusev N.S., Morozova E.E., Morozov S.V. Microdisk HgCdTe lasers operating at 22–25 µm under optical pumping // Applied Physics Letters. № 12. V. 126. 2025. P. 121102.

2022

Публикации в научных журналах

Гавриленко В.И., Румянцев В.В., Разова А.А., Козлов Д.В., Фадеев М.А., Маремьянин К.В., Уточкин В.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Морозов С.В. Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15−30 мкм // Физика и техника полупроводников. № 5. Т. 56. 2022. С. 472-478.

Gavrilenko V.I., Utochkin V.V., Kudryavtsev K.E., Dubinov A.A., Fadeev M.A., Rumyantsev V.V., Razova A.A., Andronov E.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Teppe F., Morozov S.V. Stimulated Emission up to 2.75 µm from HgCdTe/CdHgTe QW Structure at Room Temperature // Nanomaterials. V. 12. 2022. P. 2599.

Gavrilenko V.I., Kozlov D.V., Rumyantsev V.V., Ikonnikov A.V., Utochkin V.V., Razova A.A., Mazhukina K.A., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Morozov S.V. Non-Radiative Transitions of Holes on Mercury Vacancies in Narrow-Gap HgCdTe // Photonics. V. 9. 2022. P. 887.

Гавриленко В.И., Козлов Д.В., Румянцев В.В., Алешкин В.Я., Морозов С.В. Влияние оптических фононов на гашение фотолюминесценции вакансий ртути в узкозонных твердых растворах HgСdTe при повышении температуры // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 56. 2022. С. 1060-1065.

Разова А.А., Уточкин В.В., Фадеев М.А., Румянцев В.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Морозова Е.Е., Скороходов Е.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И., Морозов С.В. Лазерная генерация в гетероструктуре с квантовыми ямами CdxHg1-xTe/CdyHg1-yTe с микродисковыми резонаторами в диапазоне длин волн 4.1-5.1 мкм // Journal of Applied Spectroscopy. № 5. Т. 89. 2022. С. 844-848.

Rumyantsev V.V., Dubinov A.A., Utochkin V. V., Fadeev M.A., Aleshkin V.Ya., Razova A.A., Mikhailov N. N., Dvoretsky S. A., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Stimulated emission in 24 – 31 µm range and «Reststrahlen» waveguide in HgCdTe structures grown on GaAs // Applied Physics Letters. V. 121. 2022. P. 182103.

Fadeev M.A., Dubinov A.A., Razova A.A., Yantser A. A., Utochkin V. V., Rumyantsev V.V., Aleshkin V.Ya., Gavrilenko V.I., Mikhailov N. N., Dvoretsky S. A., Morozov S.V. Balancing the Number of Quantum Wells in HgCdTe/CdHgTe Heterostructures for Mid-Infrared Lasing // Nanomaterials. V. 12. 2022. P. 4398.

2021

Публикации в научных журналах

Gavrilenko V.I., Rumyantsev V.V., Razova A.A., Morozov S.V., Fadeev M.A., Utochkin V.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. Urbach tail and nonuniformity probe of HgCdTe thin films and quantum well heterostructures grown by molecular beam epitaxy // Optical Engineering. № 60. 2021. P. 082007.

Gavrilenko V.I., Dubinov A.A., Rumyantsev V.V., Morozov S.V. InP-based waveguide frequency doubler for sub-terahertz range radiation sources // Optical Engineering. № 8. V. 60. 2021. P. 082014.

Gavrilenko V.I., Rumyantsev V.V., Razova A.A., Bovkun L.S., Tatarskiy D.A., Mikhailovskii V.Ya., Zholudev M.S., Ikonnikov A.V., Uaman Svetikova T.A., Maremyyanin K.V., Utochkin V.V., Fadeev M.A., Remesnik V.G., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Potemski M., Orlita M., Morozov S.V. Optical Studies and Transmission Electron Microscopy of HgCdTe Quantum Well Heterostructures for Very Long Wavelength Lasers // Nanomaterials. V. 11. 2021. P. 1855.

Gavrilenko V.I., Kozlov D.V., Uaman Svetikova T.A., Ikonnikov A.V., Rumyantsev V.V., Razova A.A., Zholudev M.S., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Morozov S.V. Photothermal Ionization Spectroscopy of Mercury Vacancies in HgCdTe Epitaxial Films // JETP Letters. V. 113. 2021. P. 402-408.

2020

Публикации в научных журналах

Alymov G.V., Rumyantsev V.V., Morozov S.V., Aleshkin V.Ya., Gavrilenko V.I., Svintsov D.A. Fundamental Limits to Far-Infrared Lasing in Auger-Suppressed HgCdTe Quantum Wells // ACS Photonics. V. 7. 2020. P. 98-104.

Gavrilenko V.I., Krasilynik Z.F., Rumyantsev V.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Morozov S.V., Ryzhov D.A., Fadeev M.A., Utochkin V.V., Antonov A.V., Kuritsin D.I., Sirtori C., Teppe F., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A. Terahertz Emission from HgCdTe QWs under Long-Wavelength Optical Pumping // Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves. V. 41. 2020. P. 750-757.

Rumyantsev V.V., Maremyyanin K.V., Razova A.A., S.M.Sergeev, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretskii, Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Investigation of the Photosensitivity of Narrow-Gap and Gapless HgCdTe Solid Solutions in the Terahertz and Sub-Terahertz Range // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1096-1102.

V.V.Utochkin, M.A.Fadeev, S.S.Krishtopenko, Rumyantsev V.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Morozov S.V., B.R.Semyagin, M.A.Putyato, E.A.Emelyanov, V.V.Preobrazhenskii, Gavrilenko V.I. Photoluminescence Spectra of InAs/GaInSb/InAs Quantum Wells in the Mid-Infrared Region // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1119-1122.

2019

Публикации в научных журналах

Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Rumyantsev V.V., Morozov S.V. Threshold energies of Auger recombination in HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures with 30–70 meV bandgap // Journal of Physics Condensed Matter. V. 31. 2019. P. 425301.

Kozlov D.V., Rumyantsev V.V., Kadykov A.M., Fadeev M A., Kulikov N.S., Utochkin V.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I., Khyubers Kh.-V., Teppe F., Morozov S.V. Features of Photoluminescence of Double Acceptors in HgTe/CdHgTe Heterostructures with Quantum Wells in a Terahertz Range // JETP Letters. № 10. V. 109. 2019. P. 657–662.

Rumyantsev V.V., Fadeev M.A., Aleshkin V.Ya., Kulikov N.S., Utochkin V.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Pavlov S., Hubers H.W., Gavrilenko V.I., Sirtori C., Krasilynik Z.F., Morozov S.V. Carrier Recombination, Long-Wavelength Photoluminescence, and Stimulated Emission in HgCdTe Quantum Well Heterostructures // Physica Status Solidi (B): Basic Research. V. 256. 2019. P. 1800546.

Kozlov D.V., Rumyantsev V.V., Morozov S.V. Spectra of Double Acceptors in Layers of Barriers and Quantum Wells of HgTe/CdHgTe Heterostructures // Semiconductors. № 9. V. 53. 2019. P. 1198–1202.

2018

Публикации в научных журналах

Козлов Д.В., Румянцев В.В., Морозов С.В., Гавриленко В.И., Кадыков А.М., Фадеев М.А., Михайлов Н.Н., Жолудев М.С., Варавин В.С, Дворецкий С.А., Теппе Ф. Терагерцовая фотолюминесценция двойных акцепторов в объемных эпитаксиальных слоях HgСdTe и гетерострутрурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами // Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 6. Т. 154. 2018. С. 1226–1231.

Kozlov D.V., Rumyantsev V.V., Morozov S.V., Fadeev M.A., Kadykov A.M., Hübers H.-W., Gavrilenko V.I. Calculation of Multiply Charged States of Impurity-Defect Centers in Epitaxial Hg1 –xCdxTe Layers. Semiconductors // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1369–1374.

Fadeev M.A., Rumyantsev V.V., Kadykov A.M., Dubinov A.A., Antonov A.V., Kudryavtsev K.E., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Stimulated emission in the 2.8 - 3.5 um wavelength range from Peltier cooled HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures // Optics Express. V. 26. 2018. P. 12755-12760.

Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Rumyantsev V.V., Fadeev M.A., Domnina O.L., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Teppe F., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Radiative recombination in narrow gap HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures for laser applications // Journal of Physics Condensed Matter. V. 30. 2018. P. 495301.

2017

Публикации в научных журналах

S. Ruffenach, A. Kadykov, Rumyantsev V.V., J. Torres, D. Coquillat, D. But, S. S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winnerl, M. Helm, M. A. Fadeev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, Gavrilenko V.I., Morozov S.V., F. Teppe HgCdTe-based heterostructures for terahertz photonics // APL Materials. № 5. 2017. P. 035503.

Rumyantsev V.V., Kozlov D.V., Morozov S.V., Fadeev M.A., Kadykov A. M., Teppe F., Varavin V.S., Yakushev M.V., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Gavrilenko V.I. Terahertz photoconductivity of double acceptors in narrow gap HgCdTe epitaxial films grown by molecular beam epitaxy on GaAs(013) and Si(013) substrates // Semiconductor Science and Technology. V. 32. 2017. P. 095007.

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Fadeev M.A., Zholudev M.S., Kudryavtsev K.E., Antonov A.V., Kadykov A. M., Dubinov A.A., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Gavrilenko V.I. Stimulated emission from HgCdTe quantum well heterostructures at wavelengths up to 19.5 µm // Applied Physics Letters. V. 111. 2017. P. 192101.

2016

Публикации в научных журналах

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Kadykov A. M., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Antonov A.V., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Gavrilenko V.I. Long wavelength stimulated emission up to 9.5 m from HgCdTe quantum well heterostructures // Applied Physics Letters. V. 108. 2016. P. 092104-1-092104-5.

Kozlov D.V., Rumyantsev V.V., Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Kadykov A.M., Fadeev M.A., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Teppe F. Mercury Vacancies as Divalent Acceptors in HgTe/CdxHg1-xTe Structures with Quantum Wells // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1690-1696.

Маремьянин К.В., Румянцев В.В., Иконников А.В., Бовкун Л.С., Чижевский Е.Г., Засавицкий И.И., Гавриленко В.И. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1697-1700.

2015

Публикации в научных журналах

Алешкин В.Я., Морозов С.В., Румянцев В.В., Тузов И.В. Наблюдение динамики примесной фотопроводимости в n-GaAs, обусловленной остыванием электронов // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 117-121.

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Dubinov A.A., Antonov A.V., Kadykov A.M., Kudryavtsev K.E., Kuritsyn D.I., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I. Long wavelength superluminescence from narrow gap HgCdTe epilayer at 100 K // Applied Physics Letters. V. 107. 2015. P. 042105-1-042105-4.

Козлов Д.В., Морозов С.В., Румянцев В.В., Тузов И.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И. Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в p -Si : B // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 49. 2015. С. 192-195.

Козлов Д.В., Румянцев В.В., Морозов С.В., Кадыков А.М., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И., Teppe F. Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий-ртуть-теллур // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1654-1659.

Kozlov D.V., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Tuzov I.V., Kudryavtsev K.E., Gavrilenko V.I. Effect of the Direct Capture of Holes with the Emission of Optical Phonons on ImpurityPhotoconductivity Relaxation in p-Si:B // Semiconductors. № 2. V. 49. 2015. P. 187-190.

Маремьянин К.В., Иконников А.В., Антонов А.В., Румянцев В.В., Морозов С.В., Бовкун Л.С., Умбеталиева К.Р., Чижевский Е.Г., Засавицкий И.И., Гавриленко В.И. Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb1-xSnxSe и их использование для спектроскопии твердого тела // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1672-1675.

2014

Публикации в научных журналах

Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Rumyantsev V.V., Tonkikh A.A., Zakharov N.D., Zvonkov B.N. 1.3 \mu m Photoluminescence of Ge/GaAs multi-quantum-well structure // Journal of Applied Physics. № 4. V. 115. 2014. P. 043512-1 -043512-4.

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Antonov A.V., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I. Efficient long wavelength interband photoluminescence from HgCdTe epitaxial films at wavelengths up to 26μm // Applied Physics Letters. V. 104. 2014. P. 072102.

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Antonov A.V., Kadykov A.M., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I. Time resolved photoluminescence spectroscopy of narrow gap Hg1-xCdxTe/CdyHg1-yTe quantum well heterostructures // Applied Physics Letters. V. 105. 2014. P. 022102.

2013

Труды (тезисы) конференции

Gavrilenko V.I., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Zholudev M.S., Antonov A.V., Dubinov A.A., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. THz Response of HgTe/CdTe Quantum Wells and Narrow-Gap HgCdTe Films: from Fundamentals to Applications // Abstract the International Conference on Coherent and Nonlinear Optics (ICONO) and The Lasers, Applications, and Technologies (LAT) ICONO/LAT, Moscow, 18-22 June, 2013. Moscow. 2013. P. JDB2.

Гавриленко В.И., Румянцев В.В., Жолудев М.С., Антонов А.В., Кудрявцев К.Е., Красильникова Л.В., Иконников А.В., Дубинов А.А., Морозов С.В., Алешкин В.Я., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. Генерация и детектирование ТГц-излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe и эпитаксиальных слоях CdHgTe // Тезисы докладов IX Всероссийского семинара по радиофизике миллиметровых и субмиллиметровых волн, 26 февраля – 1 марта, 2013. ИПФ РАН, Нижний Новгород. 2013. С. 23-24.

Gavrilenko V.I., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Zholudev M.S., Antonov A.V., Dubinov A.A., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. Optical study of HgCdTe based narrow-gap heterostructures // Proc. 21st Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology. June 24-28, 2013. St. Petersburg. 2013. P. 252-253.

Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Rumyantsev V.V., Antonov A.V., Maremyyanin K.V., Krasilynikova L.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. THz Emission of Narrow- Gap HgCdTe Films and HgTe/CdTe Quantum Wells Structure // Extended Abstracts of 38th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2013), September 1– 6, 2013. Mainz on the Rhine, Germany. 2013. P. Mo6-5.

Публикации в научных журналах

Румянцев В.В., Иконников А.В., Антонов А.В., Морозов С.В., Жолудев М.С., Спирин К.Е., Гавриленко В.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe // Физика и техника полупроводников. Т. 47. 2013. С. 1446-1450.

Морозов С.В., Румянцев В.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В. Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в p-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях // Физика и техника полупроводников. Т. 47. 2013. С. 1472-1475.

Rumyantsev V.V., Morozov S.V., Antonov A.V., Zholudev M.S., Kudryavtsev K.E., Gavrilenko V.I., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N. Spectra and kinetics of THz photoconductivity in narrow-gap Hg1-xCdxTe (x0.2) epitaxial films // Semiconductor Science and Technology. V. 28. 2013. P. 125007.

Rumyantsev V.V., Ikonnikov A.V., Antonov A.V., Morozov S.V., Zholudev M.S., Spirin K.E., Gavrilenko V.I., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N. Specific Features of the Spectra and Relaxation Kinetics of Long-Wavelength Photoconductivity in Narrow-Gap HgCdTe Epitaxial Films and Heterostructures with Quantum Wells // Semiconductors. № 11. V. 47. 2013. P. 1438-1441.

2012

Публикации в научных журналах

Морозов С.В., Антонов А.В., Жолудев М.С., Румянцев В.В., Гавриленко В.И., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Drachenko O., Winnerl S., Schneider H., Helm M. Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами HgxCd1-xTe/CdyHg1-yTe // Физика и техника полупроводников. Т. 46. 2012. С. 1388-1392.

Румянцев В.В., Морозов С.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В. Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором // Физика и техника полупроводников. Т. 46. 2012. С. 1414-1418.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского