Красильник Захарий Фишелевич

Место работы

Радиофизический факультет

Межфакультетская базовая кафедра "Физика наноструктур и наноэлектроника"

заведующий кафедрой

Ученая степень
Доктор физико-математических наук
Ученое звание
Профессор
Общий стаж работы 48 лет, 11 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: Радиофизика. Квалификация: радиофизик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

02.04.2018 - 27.04.2018
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № удостоверение № 522405003118, рег. № 33-1959 от 27.04.2018

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2018

Публикации в научных журналах

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M., Yunin P.A., Yurasov D, Krasilnik Z.F. MOCVD Growth of InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures with Quantum Wells on Ge/Si Substrates // Crystals. № 8. V. 8. 2018. P. 311.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Юрасов Д.В. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 μm в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001) // Письма в Журнал технической физики. № 44. Т. 16. 2018. С. 67-74.

2017

Публикации в научных журналах

Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Polubavkina Yu.S., Maximov M.V., Kulagina M.M., Troshkov S.I., Zadiranov Yu.M., Lipovskii A.A., Baidusy N.V., Dubinov A.A., Krasilynik Z.F., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Yurasov D.V., Zhukov A.E. Electrically pumped InGaAs/GaAs quantum well microdisk lasers directly grown on Si(100) with Ge/GaAs buffer // Optics Express. № 14. V. 25. 2017. P. 16754-16760.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н., Красильник З.Ф. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1579-1582.

2015

Труды (тезисы) конференции

Степихова М.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Гусейнов Д.В., Тетельбаум Д.И., Шенгуров В.Г. Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев германия на кремнии, выращенных методом химического газофазного осаждения с горячей проволокой // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. Т.2, 2 стр. 2015. С. 658-659.

Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Светоизлучающие SiGe -структуры, выращенные на структурах «напряженный кремний на изоляторе» // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX международного симпозиума (Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.) в 2-х томах. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015.- Т. 2.- 359 с. 2015. С. 427-428.

Андреев Б.А., Гусев О.Б., Яблонский А.Н., Ершов А.В., Грачев Д.А., Яссиевич И.Н., Красильник З.Ф. Спектры возбуждения и кинетика люминесценции экситонов, автолокализованных на состояниях поверхностных димеров в нанокристаллах кремния // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников (Москва, 21-25 сентября 2015 г.). Москва: Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 2015. 456 с.. 2015. С. 151.

Гусейнов Д.В., Денисов С.А., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Юнин П.А., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Степихова М.В., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Имплантируемые ионами P+ слои германия на Si(100) для светоизлучающих приборов // XXII международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2015)». Москва, Россия, 20-24 августа 2015, Т.2. 2015. С. 120-123.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е., Красильник З.Ф. Стимулированное излучение в InGaP/GaAs/InGaAs структуре на Ge/Si подложке // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 376.

Публикации в научных журналах

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Красильник З.Ф., Некоркин С.М. Излучательные характеристики лазерных диодов на основе А3В5, выращенных на германиевой подложке // Письма в журнал технической физики. № 6. Т. 41. 2015. С. 105.

Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках «напряженный кремний-на-изоляторе» с тонким слоем окисла // Физика и техника полупроводников. № 8. Т. 49. 2015. С. 11129-1135.

Baidakova N.A., Bobrov A.I., Drozdov M.N., Novikov A.V., Pavlov D.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Krasilynik Z.F. Growth of Light Emitting SiGe Heterostructures on Strained Silicon on Insulator Substrates with a Thin Oxide Layer // Semiconductors. № 8. V. 49. 2015. P. 1104-1110.

Шмагин В.Б., Кудрявцев К.Е., Новиков А.В., Шенгуров Д.В., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Применение техники годографа к диагностике диодных структур // Физика и техника полупроводников. Т. 49. 2015. С. 1492-1496.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Krasilynik Z.F., Nekorkin S.M. Optical characteristics of laser diodes based on A3B5 compounds grown on germanium substrates // Technical Physics Letters. № 3. V. 41. 2015. P. 304-306.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Denisov S.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Matveev S.A., Nekorkin S.M., Shengurov V.G. Stimulated Emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructure Grown on a Si Substrate // JETP Letters. № 12. V. 100. 2015. P. 795-797.

2014

Труды (тезисы) конференции

Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Шмагин В.Б., Красильник З.Ф. Активные волноводные структуры Si:Er/SOI с рекомбинационным и ударным механизмами возбуждения люминесценции // Труды XVIII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 10-14 марта, 2014, Т.2, 2 стр.. 2014. С. 501-502.

Кудрявцев К.Е., Крыжков Д.И., Красильникова Л.В., Шенгуров Д.В., Шмагин В.Б., Андреев Б.А., Красильник З.Ф. Сечение оптического поглощения ионов Er3+ в кремнии // Труды XVIII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 10-14 марта, 2014, Т.2, 2 стр.. 2014. С. 515-516.

Stepikhova M.V., Novikov A.V., Verbus V.A., Sergeev S.M., Krasilynik Z.F., Shengurov V.G., Kolomiytsev A.S., Talalaev V.G., Schilling J. Si-based microresonators for photonic applications // XII International Conference on Nanostructured Materials (NANO 2014), July 13-18, 2014, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia. Lomonosov Moscow State University,. 2014. P. 10.032.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Степихова М.В., Шенгуров В.Г., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. Рост слоев твердого раствора Si1 XGeX/Si(100) с низкой плотностью дислокаций комбинированным методом молекулярно-пучковой эпитаксии // Сборник трудов 13-й Международной научной конференции-школы «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» Саранск, Россия, 07-10 октября 2014. Мордовский университет, 2014, 180 с. 2014. С. 48.

Публикации в научных журналах

Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yablonskii A.N., Aleshkin V.Ya., Krasilynik Z.F., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V. Dependence of the ground-state transition energy versus optical pumping in GaAsSb/InGaAs/GaAs heterostructures // Applied Physics Letters. № 2. V. 104. 2014. P. 021108-1 -021108-5.

Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Дроздов Ю.Н., Степихова М.В., Шенгуров Д.В., Красильник З.Ф. Гетероструктуры Si(1-X)Ge(X)/Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 48. 2014. С. 417-420.

Denisov S.A., Matveev S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G., Drozdov Yu.N., Stepikhova M.V., Shengurov D.V., Krasilynik Z.F. Si(1–x)Ge(x)/Si Heterostructures Grown by Molecular-Beam Epitaxy on Silicon-On-Sapphire Substrates // Semiconductors. № 3. V. 48. 2014. P. 402-405.

Курицын Д.И., Сергеев С.М., Гапонова Д.М., Гавриленко Л.В., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И. Многофункциональная установка для измерения резонансных оптических откликов полупроводниковых структур в видимом и ближнем ИК диапазонах с субпикосекундным временным разрешением // ЖТФ. № 3. 2014. [принято к печати]

Zvonkov B.N., Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yablonskii A.N., Aleshkin V.Ya., Vikhrova O.V., Krasilynik Z.F. Long-wavelength shift and enhanced room temperature photoluminescence efficiency in GaAsSb/InGaAs/GaAs-based heterostructures emitting in the spectral range of 1.0–1.2 mkm due to increased charge carrier’s localization // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. V. 116. 2014. P. 203102.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Денисов С.А., Красильник З.Ф., Матвеев С.А., Некоркин С.М., Шенгуров В.Г. Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке // Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики". № 12. Т. 100. 2014. С. 900-903.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Denisov S.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Matveev S.A., Nekorkin S.M., Shengurov V.G. Stimulated Emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructure Grown on a Si Substrate // JETP LETTERS. № 12. V. 100. 2014. P. 795-797.

2013

Труды (тезисы) конференции

Красильникова Л.В., Степихова М.В., Шенгуров В.Г., Красильник З.Ф. Процессы возбуждения фотолюминесценции ионов эрбия в эпитаксиальных структурах Si/Si(1-X)Ge(X):Er/Si // Труды XVII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 11-15 марта, 2013. Т.2, 2 стр.. 2013. С. 475-476.

Stepikhova M.V., Shengurov V.G., Pryakhin D., Krasilynik Z.F., Baryshev V., Ginzburg N., Ageev O.A., Kolomiitsev A.S. The structures for laser realization on Si:Er basis: from the theory to technological tasks // E-MRS Spring Meeting, Symposium J: Semiconductor Nanostructures towards Electronic and Optoelectronic Device Applications – IV, May 27-31, 2013, Strasbourg, France. P.J-XVII 8. 2013. P. - 8.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. Релаксированные слои твердого раствора Si1-XGeX (x=0,25–0,4) с низкой плотностью дислокаций, выращенные на Si(100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с газовым источником германия // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XI РКФП), 16-20 сентября 2013. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2013. С. 224.

Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Юнин П.А., Жукавин Р.Х., Красильник З.Ф., Захаров Н.Д. Периодические структуры SiGe/Si, выращенные молекулярно-пучковой эпитаксией с газовым источником германия // Тезисы докладов ХI-ой Российской конференции по физике полупроводников, 16-20 сентября 2013. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2013. С. 239.

Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Яблонский А.Н. Излучательные свойства волноводных структур Si:Er/SOI // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16 – 20 сентября, 2013 г.. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург. 2013. С. 366.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Ближнепольный излучательный перенос экситонных возбуждений между туннельно-несвязанными квантовыми ямами. // Труды XVII междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, г., Нижний Новгород, Россия, т.2. 2013. С. 403-404.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Когерентный оптический отклик квантово-каскадной структуры // Труды XVII междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия, т.2, с.502-503. 2013. С. 502-503.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Динамика экситонных состояний в условиях ближнепольного излучательного переноса энергии в AlGaAs/GaAs гетероструктурах с квантовыми ямами // Труды XI Российской конференции по физике полупроводников. ФТИ им.Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия,. 2013. С. 230.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Кадыков А.М., Лысенко В.Г. Нерезонансный ближнепольный излучательный перенос экситонных возбуждений между туннельно-несвязанными квантовыми ямами. // Труды XI Российской конференции по физике полупроводников. ФТИ им.Иоффе, Санкт-Петербург, Россия. 2013. С. 219.

Aleshkin V.Ya., Gavrilenko L.V., Gaponova D.M., Krasilynik Z.F., Kryzhkov D.I., Kadykov A.M., Lyssenko V.G. Nonresonant near-field radiative transfer of excitonic excitations in tunnel-uncoupled quantum wells // Abstracts of the 21 International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". Saint Petersburg, Russia, June 24-28. 2013. P. 103.

Aleshkin V.Ya., Gavrilenko L.V., Gaponova D.M., Krasilynik Z.F., Kadykov A.M., Lyssenko V.G. The calculation of near-field radiative energy transfer in tunnel-uncoupled quantum wells // Abstracts of 21 International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". Saint Petersburg, Russia, June 24-28. 2013. P. 107.

Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Яблонский А.Н. Оптические свойства волноводных структур Si:Er/SOI // Труды XVII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 11-15 марта, 2013. Т.2, 2 стр. 2013. С. 477-478.

Публикации в научных журналах

Шенгуров Д.В., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Красильник З.Ф. Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 47. 2013. С. 410-413.

Shengurov D.V., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Shengurov V.G., Stepikhova M.V., Drozdov M.N., Krasilynik Z.F. Low-Temperature Growth of Silicon Epitaxial Layers Codoped with Erbium and Oxygen Atoms // Semiconductors. № 3. V. 47. 2013. P. 433-436.

Krasilynikova L.V., Stepikhova M.V., Antonov A.V., Shengurov V.G., Krasilynik Z.F. The processes of erbium impurity excitation in Si/Si(1-x)Ge(x):Er/Si heteroepitaxial structures // Optical Materials. V. 35. 2013. P. 1404-1409.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Кадыков А.М., Лысенко В.Г., Красильник З.Ф. Нерезонансный излучательный перенос экситонных возбуждений за счет ближнего поля между квантовыми ямами // Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 5(11). Т. 144. 2013. С. 1080-1085.

Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yablonskii A.N., Antonov A.V., Kuritsyn D.I., Gaponova D.M., Sadofyev Yu.G., Samal N., Gavrilenko V.I., Krasilynik Z.F. Type II–type I conversion of GaAs/GaAsSb heterostructure energy spectrum under optical pumping // Journal of Applied Physics. V. 113. 2013. P. 163107.

Новиков А.В., Hartmann J.M., Шалеев М.В., Юрасов Д.В., Кузнецов О.А., Лобанов Д.Н., Красильник З.Ф. Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 47. 2013. С. 404-409.

2012

Труды (тезисы) конференции

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Ближнепольный механизм передачи энергии между квантовыми ямами. // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. ННГУ, т.1, 2. 2012. С. 181-182.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М. Экспериментальное исследование ближнепольного переноса энергии в гетероструктурах GaAs/AlGaAs с туннельно-непрозрачными барьерами. // Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. Т.1, с. 299-300. ННГУ, Т1,2. 2012. С. 299-300.

Красильникова Л.В., Степихова М.В., Шенгуров В.Г., Красильник З.Ф. Процессы возбуждения редкоземельной примеси эрбия в эпитаксиальных структурах Si/Si1 xGex:Er/Si // Труды XVI Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 12-16 марта, 2012, Т.2. 2012. С. 278-279.

Степихова М.В., Юрасова Н.В., Климов А.Ю., Пряхин Д.А., Коломийцев А.С., Шалеев М.В., Красильникова Л.В., Агеев А.О., Шенгуров В.Г., Красильник З.Ф. Микрорезонаторы на основе структур кремния и кремния-германия для фотонных приложений // Труды XVI Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 12-16 марта 2012, Т.2. 2012. С. 396-397.

Павлов Д.А., Бобров А.И., Красильник З.Ф., Новиков А.В., Лобанов Д.Н. Гетероструктуры с Ge(Si) самоформирующимися нано-островками на Si/Si(001): исследование структуры и элементного состава методами просвечивающей электронной микроскопии // XXIV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2012: Тез. докл.. 29 мая – 1 июня 2012 г., Черноголовка, Россия. 2012. С. 47.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Ближнепольный механизм передачи энергии между квантовыми ямами // Труды XVI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия, т.1. 2012. С. 180-181.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Экспериментальное исследование ближнепольного переноса энергии в гетероструктурах GaAs/AlGaAs с туннельно-непрозрачными барьерами // Труды XVI междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия, т.1. 2012. С. 299-300.

Публикации в научных журналах

Козлов В.А., Оболенский С.В., Шмагин В.Б., Красильник З.Ф. Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого p-n-перехода // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 46. 2012. С. 134-139.

Шенгуров Д.В., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Красильник З.Ф. Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода // Физика и техника полупроводников. 2012. [принято к печати]

Yurasova N.V., Stepikhova M.V., Krasilynikova L.V., Krasilynik Z.F. Theoretical analysis of microdisk resonators based on Si/Si1-xGex:Er light-emitting structures // Journal of luminescence. № 12. V. 132. 2012. P. 3122-3124.

Novikov A.V., Shaleev M.V., Krasilynik Z.F., Kuznetsov O.A., Lobanov D.N., Yurasov D.V., Hartmann J.M. Transition from planar to island growth mode in SiGe structures fabricated on SiGe/Si(001) strain-relaxed buffers // Applied Physics Letter. V. 101. 2012. P. 151601-3.

2011

Труды (тезисы) конференции

Шенгуров Д.В., Степихова М.В., Дроздов Ю.Н., Шалеев М.В., Кудрявцев К.Е., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г., Наумова О.В. Особенности предростовой подготовки и эпитаксиальный рост волноводных светоизлучающих структур SOI/Si:Er для лазерных применений // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.2. – C.448 - 449. 2011. С. 448-449.

Красильникова Л.В., Степихова М.В., Яблонский А.Н., Шенгуров В.Г., Красильник З.Ф. Особенности процессов возбуждения редкоземельной примеси эрбия в эпитаксиальных структурах Si/Si1-xGex:Er/Si // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.2. – C.490 - 491. 2011. С. 490-491.

Степихова М.В., Красильникова Л.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Излучающие свойства волноводных гетероструктур Si/Si1-xGex:Er/Si // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.2. – C.527 - 528. 2011. С. 527-528.

Юрасова Н.В., Степихова М.В., Красильникова Л.В., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г., Коломийцев А.С., Громов А.Л., Ильин О.И., Агеев О.А. Микродисковые резонаторы на основе светоизлучающих структур Si/SiGe:Er: теоретический расчет и технология формирования // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.2. – C.533 - 534. 2011. С. 533-534.

Stepikhova M.V., Krasilynikova L.V., Yurasova N.V., Krasilynik Z.F., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu. Light-emitting properties of Si/Si1-xGex:Er structures being of interest for optoelectronic applications // Second International Conference on RARE EARTH MATERIALS (REMAT). Wroclaw, Poland, 13-15 June 2011. 2011. P. -43.

Красильникова Л.В., Степихова М.В., Яблонский А.Н., Шенгуров В.Г., Красильник З.Ф. Процессы возбуждения редкоземельной примеси эрбия в эпитаксиальных структурах Si/Si1-xGex:Er/Si // X-я Российская конференция по физике полупроводников. Нижний Новгород, 19-23 сентября. 2011. С. 170.

Krasilynikova L.V., Stepikhova M.V., Drozdov Yu.N., Krasilynik Z.F., Shengurov V.G. Photoluminescence excitation spectroscopy of the optically active Er3+ centers in Si/Si1 xGex:Er structures // E-MRS Fall Meeting Symposium: “A - Stress, structure, and stoichiometry effects on the properties of nanomaterials". Warsaw, Poland, September 19 - 23. 2011. P. 4.

Stepikhova M.V., Krasilynikova L.V., Yurasova N.V., Shengurov V.G., Krasilynik Z.F., Ageev O.A., Kolomeitsev A.S. Light-emitting Si/SiGe:Er structures for photonic applications // E-MRS Fall Meeting Symposium: “J - Rare earth doped semiconductors and nanostructures for photonics”. Warsaw, Poland, September 19 - 23. 2011. P. 2.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Влияние поперечного электрического поля на экситонную и трионную фотолюминесценцию в гетероструктурах GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами. // Труды XV междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, г., Нижний Новгород, Россия, т.1. 2011. С. 208-209.

Гапонова Д.М., Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Процессы остывания и высвечивания экситонов в двойных квантовых ямах в электрическом поле // Труды XV междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия, т.2. 2011. С. 463-464.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Влияние квантово-размерного эффекта Штарка на экситонную фотолюминесценцию в одиночных и двойных туннельно-связанных квантовых ямах // Труды XV междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН г., Нижний Новгород, Россия, т.2, с.496-497.. 2011. С. 496-497.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Время формирования, остывания и излучательной рекомбинации экситонов в двойных квантовых ямах // Тезисы Х Российской конференции по физике полупроводников. ИФМ РАН, Нижний Новгород, 19-23 сентября. 2011. С. 52.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Зависимость времени потери когерентности от температуры в гетероструктурах GaAs/AlGaAs // Тезисы Х Российской конференции по физике полупроводников. ИФМ РАН, Нижний Новгород. 2011. С. 60.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Влияние туннельной прозрачности барьера на кинетику экситонной фотолюминесценции в двойных квантовых ямах // Тезисы Х Российской конференции по физике полупроводников. ИФМ РАН, Нижний Новгород, 19-23 сентября. 2011. С. 78.

Yurasova N.V., Stepikhova M.V., Krasilynikova L.V., Krasilynik Z.F. Theoretical analysis of microdisk resonators based on Si/Si1-xGex:Er light-emitting structures // E-MRS Fall Meeting Symposium: “J - Rare earth doped semiconductors and nanostructures for photonics”. Warsaw, Poland, September 19 - 23. 2011. P. J/5.

Публикации в научных журналах

Красильникова Л.В., Степихова М.В., Юрасова Н.В., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г., Коломийцев А.С. Cтруктуры Si/Si1-xGex:Er/Si для кремниевой нанофотоники // Известия ЮФУ. Технические науки. № 4. 2011. С. 46-55.

Stepikhova M.V., Drozdov Yu.N., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G., Krasilynik Z.F., Krasilynikova L.V. On the role of heterolayer relaxation in luminescence response of Si/SiGe:Er structures // Physica Status Solidi C. № 3. V. 8. 2011. P. 1044-1048.

Yurasova N.V., Stepikhova M.V., Krasilynikova L.V., Krasilynik Z.F. Theoretical analysis of microdisk resonators based on Si/Si1-xGex:Er light-emitting structures // Journal of luminescence. № 12. V. 132. 2011. P. 3122-3124.

Красильник З.Ф., Кулрявцев К.Е., Качемцев А.В., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Оболенский С.В., Шенгуров В.Г. Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si гетеростурктур с самоформирующимися наноостровками // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 57. 2011. С. 230-234.

Krasilynik Z.F., Novikov A.V., Lobanov D.N., Kudryavtsev K.E., Antonov A.V., Obolenskii S.V., Zakharov N.D., Werner P. SiGe nanostructures with self-assembled islands for Si-based optoelectronics // Semiconductor Science and Technology. V. 26. 2011. P. 014209.

Шалеев М.В., Новиков А.В., Байдакова Н.А., Яблонский А.Н., Кузнецов О.А., Лобанов Д.Н., Красильник З.Ф. Ширина линии фотолюминесценции от Ge(Si) самоформирующихся островков, заключенных между напряженными Si слоями // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 45. 2011. С. 202-206.

Novikov A.V., Shaleev M.V., Baidakova N.A., Yablonskii A.N., Kuznetsov O.A., Drozdov Yu.N., Lobanov D.N., Krasilynik Z.F. Narrow photoluminescence peak from Ge(Si) islands embedded between tensile-strained Si layers // Physica Status Solidi С. № 3. V. 8. 2011. P. 1055-1059.

Obolenskii S.V., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Lobanov D.N., Novikov A.V., Shengurov D.V., Kachemtsev A.N. COMPARATIVE ANALYSIS OF RADIATION EFFECTS ON THE ELECTROLUMINESCENCE OF SI AND SIGE/SI(001) HETEROSTRUCTURES WITH SELF-ASSEMBLED ISLANDS // Semiconductors. № 2. V. 45. 2011. P. 225-229.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Оптическое детектирование электрического поля в n-i-n GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами // Письма в ЖЭТФ. № 7. Т. 93. 2011. С. 437-441.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре с квантовыми ямами // Письма в ЖЭТФ. № 11. Т. 94. 2011. С. 890-894.

Контакты

417-94-73

Нижний Новгород, ул. Ульянова 46, корп. ИФМ РАН, комн. 223

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского