Красильник Захарий Фишелевич

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2024

Новиков А.В., Шалеев М.В., Юрасов Д.В., Дроздов М.Н., Демидов Е.В., Ревин Л.С., Панкратов А.Л., Антонов А.В., Красильникова Л.В., Шмырин Д.А., Юнин П.А., Ситников С.В., Щеглов Д.В., Таран Д.А., Павлов Д.А., Красильник З.Ф. Изотопнообогащенные Si/SiGe эпитаксиальные гетерострукту-ры для квантовых вычислений // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.).. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — 492 с.. 2024. С. 1005-1006.

2021

Lobanov D.N., Kudryavtsev K.E., Kalinnikov M.I., Krasilynikova L.V., Yunin P.A., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Novikov A.V., Krasilynik Z.F. Near-infrared stimulated emission from indium-rich InGaN layers grown by plasma-assisted MBE // Applied Physics Letters. № 118. V. 15. 2021. P. 151902.

2020

Gavrilenko V.I., Krasilynik Z.F., Rumyantsev V.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Morozov S.V., Ryzhov D.A., Fadeev M.A., Utochkin V.V., Antonov A.V., Kuritsin D.I., Sirtori C., Teppe F., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A. Terahertz Emission from HgCdTe QWs under Long-Wavelength Optical Pumping // Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves. V. 41. 2020. P. 750-757.

Novikov A.V., Krasilynik Z.F., Yurasov D.V., Aleshkin V.Ya., Baidakova N.A., Bushuikin P.A., Andreev B.A., Yunin P.A., Drozdov M.N., Yablonskii A.N., Dubinov A.A. Effect of antimony doping on the energy of optical transitions in n-Ge layers grown on Si (001) and Ge (001) substrates // Journal of Applied Physics. V. 127. 2020. P. 165701-9.

Красильник З.Ф., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Дьяков С.А., Степихова М.В., Яблонский А.Н., Сергеев С.М., Уткин Д.Е. Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов // Физика и техника полупроводников. № 54. Т. 8. 2020. С. 822-829.

Красильник З.Ф., Новиков А.В., Яблонский А.Н., Степихова М.В., Сергеев С.М., Байдакова Н.А. Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в двумерные фотонные кристаллы // Физика и техника полупроводников. № 54. Т. 10. 2020. С. 1150-1157.

2019

Новиков А.В., Красильник З.Ф., М.В. Степихова, А.Н. Яблонский, С.А. Дьяков, Е.В. Скороходов, С.М. Сергеев, М.В. Шалеев, Д.В. Шенгуров Явления усиления сигнала фотолюминесценции наноостровков Ge(Si) в фотонных кристаллах // Тезисы Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2019», 27-31 мая 2019 г.. Издательство ИФП СО РАН. 2019. С. 76.

Rumyantsev V.V., Fadeev M.A., Aleshkin V.Ya., Kulikov N.S., Utochkin V.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Pavlov S., Hubers H.W., Gavrilenko V.I., Sirtori C., Krasilynik Z.F., Morozov S.V. Carrier Recombination, Long-Wavelength Photoluminescence, and Stimulated Emission in HgCdTe Quantum Well Heterostructures // Physica Status Solidi (B): Basic Research. V. 256. 2019. P. 1800546.

Novikov A.V., Krasilynik Z.F., Stepikhova M.V., Yablonskii A.N., Shaleev M.V., Utkin D.E., Skorokhodov E.E., Sergeev S.M., Yurasov D.V. Light emission from Ge(Si)/SOI self-assembled nanoislands embedded in photonic crystal slabs of various period with and without cavities // Semiconductor Science and Technology. V. 34. 2019. P. 024003.

2018

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M., Yunin P.A., Yurasov D, Krasilnik Z.F. MOCVD Growth of InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures with Quantum Wells on Ge/Si Substrates // Crystals. № 8. V. 8. 2018. P. 311.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Юрасов Д.В. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 μm в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001) // Письма в Журнал технической физики. № 44. Т. 16. 2018. С. 67-74.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Vikhrova O.V., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Samartsev I.V., Yurasov D.V. Stimulated Emission at 1.3-μm Wavelength in Metamorphic InGaAs/InGaAsP Structure with Quantum Wells Grown on Ge/Si(001) Substrate // Technical Physics Letters. № 44. V. 8. 2018. P. 735-738.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Юнин П.А. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 52. Т. 12. 2018. С. 1443-1446.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Reunov D.G., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V. On the Application of Strain-Compensating GaAsP Layers for the Growth of InGaAs/GaAs Quantum-Well Laser Heterostructures Emitting at Wavelengths above 1100 nm on Artificial Ge/Si Substrates // Semiconductors. № 52. V. 12. 2018. P. 1547–1550.

Bushuikin P.A., Andreev B.A., Lobanov D.N., Kuritsyn D.I., Yablonskii A.N., Krasilynik Z.F., Davydov V.Yu., Averkiev N.S., Savchenko G.M. New photoelectrical properties of InN: Interband spectra and fast kinetics of positive and negative photoconductivity of InN // Journal of Applied Physics. № 19. V. 123. 2018. P. 195701.

2017

Крыжановская Н.В., Полубавкина Ю.С., Моисеев Э.И., Зубов Ф.И., Максимов М.В., Липовский А.А., Жуков А.Е., Кулагина М.М., Трошков С.И., Задиранов Ю.М., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Юрасов Д.В., Новиков А.В., Дубинов А.А., Красильник З.Ф. Микролазеры на основе дисковых резонаторов и квантоворазмерных гетероструктур для перспективных устройств нанофотоники // Электроника и микроэлектроника СВЧ. СПб.: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина). Т. 1.. 2017. С. 115-116.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Фефелов А.Г., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Самарцев И.В., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Сушков А.А., Яблонский А.Н., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Лазерные диоды InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на Ge/Si(001) подложках // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 491-492.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs на подложках Ge/Si методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 523-524.

Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Polubavkina Yu.S., Maximov M.V., Kulagina M.M., Troshkov S.I., Zadiranov Yu.M., Lipovskii A.A., Baidusy N.V., Dubinov A.A., Krasilynik Z.F., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Yurasov D.V., Zhukov A.E. Electrically pumped InGaAs/GaAs quantum well microdisk lasers directly grown on Si(100) with Ge/GaAs buffer // Optics Express. № 14. V. 25. 2017. P. 16754-16760.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н. Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001) // Физика и техника полупроводников. № 5. Т. 51. 2017. С. 695-698.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Yurasov D.V., Yablonskiy A.N. On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates // Semiconductors. № 5. V. 51. 2017. P. 663-666.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Фефелов А.Г., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1530-1533.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н., Красильник З.Ф. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1579-1582.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Samartsev I.V., Fefelov A.G., Yurasov D.V., Krasilnik Z.F. Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1477-1480.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Yablonskiy A.N., Krasilnik Z.F. Peculiarities of Growing InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures by MOCVD on Ge/Si Substrates / N.V. Baidus, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, M.V. Shaleev, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, A.N. Yablonskiy, Z.F. Krasilnik // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1527-1530.

2016

Денисов С.А., Степихова М.В., Тетельбаум Д.И., Трушин В.Н., Чалков В.Ю., Здоровейщев А.В., Зайцев А.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Светоизлучающие слои германия на кремнии, легированные фосфором в процессе ионной имплантации // Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Нижний Новгород, Россия, 24-27 октября 2016 г.. 2016. С. 87-88.

Andreev B.A., Yablonskii A.N., Krasilynik Z.F., Ershov A.V., Grachev D.A., Gert A.V., Gusev O.B., Yassievich I.N. Exciton self-trapped on Si–Si dimmers on the surface of silicon nanocrystal: Experimental evidence: Evidence of exciton self-trapping on Si–Si dimmers // Phys. Status Solidi (b). № 11. V. 253. 2016. P. 2150–2153.

Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Matveev S.A., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Filatov D.O., Stepikhova M.V., Krasilynik Z.F. Conditions of Growth of High-Quality Relaxed Si1 – xGex Layers with a High Ge Content by the Vapor-Phase Decomposition of Monogermane on a Sublimating Si Hot Wire // Semiconductors. № 9. V. 50. 2016. P. 1248-1253.

Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Матвеев С.А., Нежданов А.В., Машин А.И., Филатов Д.О., Степихова М.В., Красильник З.Ф. Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si1-xGex с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 50. 2016. С. 1270-1275.

Яблонский А.Н., Морозов С.В., Гапонова Д.М., Алешкин В.Я., Шенгуров В.Г., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Байдусь Н.В., Красильник З.Ф. Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001) // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1455-1458.

Yablonskii A.N., Morozov S.V., Gaponova D.M., Aleshkin V.Ya., Zvonkov B.N., Shengurov V.G., Vikhrova O.V., Baidusy N.V., Krasilynik Z.F. Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1435-1438.

Aleshkin V.Ya., Baidusy N.V., Dubinov A.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Samartsev I.V., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Sushkov A.A., Yablonskii A.N., Yunin P.A., Yurasov D.V. Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grownby MOCVD on exact Ge/Si(001) substrate // Appl. Phys. Lett.. № 061111. V. 109. 2016. P. 1-5.

2015

Степихова М.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Гусейнов Д.В., Тетельбаум Д.И., Шенгуров В.Г. Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев германия на кремнии, выращенных методом химического газофазного осаждения с горячей проволокой // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. Т.2, 2 стр. 2015. С. 658-659.

Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Светоизлучающие SiGe -структуры, выращенные на структурах «напряженный кремний на изоляторе» // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX международного симпозиума (Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.) в 2-х томах. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015.- Т. 2.- 359 с. 2015. С. 427-428.

Андреев Б.А., Гусев О.Б., Яблонский А.Н., Ершов А.В., Грачев Д.А., Яссиевич И.Н., Красильник З.Ф. Спектры возбуждения и кинетика люминесценции экситонов, автолокализованных на состояниях поверхностных димеров в нанокристаллах кремния // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников (Москва, 21-25 сентября 2015 г.). Москва: Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 2015. 456 с.. 2015. С. 151.

Гусейнов Д.В., Денисов С.А., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Юнин П.А., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Степихова М.В., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Имплантируемые ионами P+ слои германия на Si(100) для светоизлучающих приборов // XXII международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2015)». Москва, Россия, 20-24 августа 2015, Т.2. 2015. С. 120-123.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е., Красильник З.Ф. Стимулированное излучение в InGaP/GaAs/InGaAs структуре на Ge/Si подложке // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 376.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Красильник З.Ф., Некоркин С.М. Излучательные характеристики лазерных диодов на основе А3В5, выращенных на германиевой подложке // Письма в журнал технической физики. № 6. Т. 41. 2015. С. 105.

Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках «напряженный кремний-на-изоляторе» с тонким слоем окисла // Физика и техника полупроводников. № 8. Т. 49. 2015. С. 11129-1135.

Baidakova N.A., Bobrov A.I., Drozdov M.N., Novikov A.V., Pavlov D.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Krasilynik Z.F. Growth of Light Emitting SiGe Heterostructures on Strained Silicon on Insulator Substrates with a Thin Oxide Layer // Semiconductors. № 8. V. 49. 2015. P. 1104-1110.

Шмагин В.Б., Кудрявцев К.Е., Новиков А.В., Шенгуров Д.В., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Применение техники годографа к диагностике диодных структур // Физика и техника полупроводников. Т. 49. 2015. С. 1492-1496.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Krasilynik Z.F., Nekorkin S.M. Optical characteristics of laser diodes based on A3B5 compounds grown on germanium substrates // Technical Physics Letters. № 3. V. 41. 2015. P. 304-306.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Denisov S.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Matveev S.A., Nekorkin S.M., Shengurov V.G. Stimulated Emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructure Grown on a Si Substrate // JETP Letters. № 12. V. 100. 2015. P. 795-797.

2014

Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Шмагин В.Б., Красильник З.Ф. Активные волноводные структуры Si:Er/SOI с рекомбинационным и ударным механизмами возбуждения люминесценции // Труды XVIII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 10-14 марта, 2014, Т.2, 2 стр.. 2014. С. 501-502.

Кудрявцев К.Е., Крыжков Д.И., Красильникова Л.В., Шенгуров Д.В., Шмагин В.Б., Андреев Б.А., Красильник З.Ф. Сечение оптического поглощения ионов Er3+ в кремнии // Труды XVIII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 10-14 марта, 2014, Т.2, 2 стр.. 2014. С. 515-516.

Stepikhova M.V., Novikov A.V., Verbus V.A., Sergeev S.M., Krasilynik Z.F., Shengurov V.G., Kolomiytsev A.S., Talalaev V.G., Schilling J. Si-based microresonators for photonic applications // XII International Conference on Nanostructured Materials (NANO 2014), July 13-18, 2014, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia. Lomonosov Moscow State University,. 2014. P. 10.032.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Степихова М.В., Шенгуров В.Г., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. Рост слоев твердого раствора Si1 XGeX/Si(100) с низкой плотностью дислокаций комбинированным методом молекулярно-пучковой эпитаксии // Сборник трудов 13-й Международной научной конференции-школы «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» Саранск, Россия, 07-10 октября 2014. Мордовский университет, 2014, 180 с. 2014. С. 48.

Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yablonskii A.N., Aleshkin V.Ya., Krasilynik Z.F., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V. Dependence of the ground-state transition energy versus optical pumping in GaAsSb/InGaAs/GaAs heterostructures // Applied Physics Letters. № 2. V. 104. 2014. P. 021108-1 -021108-5.

Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Дроздов Ю.Н., Степихова М.В., Шенгуров Д.В., Красильник З.Ф. Гетероструктуры Si(1-X)Ge(X)/Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 48. 2014. С. 417-420.

Denisov S.A., Matveev S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G., Drozdov Yu.N., Stepikhova M.V., Shengurov D.V., Krasilynik Z.F. Si(1–x)Ge(x)/Si Heterostructures Grown by Molecular-Beam Epitaxy on Silicon-On-Sapphire Substrates // Semiconductors. № 3. V. 48. 2014. P. 402-405.

Курицын Д.И., Сергеев С.М., Гапонова Д.М., Гавриленко Л.В., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И. Многофункциональная установка для измерения резонансных оптических откликов полупроводниковых структур в видимом и ближнем ИК диапазонах с субпикосекундным временным разрешением // ЖТФ. № 3. 2014. [принято к печати]

Zvonkov B.N., Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yablonskii A.N., Aleshkin V.Ya., Vikhrova O.V., Krasilynik Z.F. Long-wavelength shift and enhanced room temperature photoluminescence efficiency in GaAsSb/InGaAs/GaAs-based heterostructures emitting in the spectral range of 1.0–1.2 mkm due to increased charge carrier’s localization // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. V. 116. 2014. P. 203102.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Денисов С.А., Красильник З.Ф., Матвеев С.А., Некоркин С.М., Шенгуров В.Г. Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке // Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики". № 12. Т. 100. 2014. С. 900-903.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Denisov S.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Matveev S.A., Nekorkin S.M., Shengurov V.G. Stimulated Emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructure Grown on a Si Substrate // JETP LETTERS. № 12. V. 100. 2014. P. 795-797.

Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Крыжков Д.И., Шенгуров Д.В., Шмагин В.Б., Андреев Б.А., Красильник З.Ф. Сечение поглощения для перехода 4I15/2→4I13/2 ионов Er3+ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 12. Т. 100. 2014. С. 913-918.

2013

Красильникова Л.В., Степихова М.В., Шенгуров В.Г., Красильник З.Ф. Процессы возбуждения фотолюминесценции ионов эрбия в эпитаксиальных структурах Si/Si(1-X)Ge(X):Er/Si // Труды XVII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 11-15 марта, 2013. Т.2, 2 стр.. 2013. С. 475-476.

Stepikhova M.V., Shengurov V.G., Pryakhin D., Krasilynik Z.F., Baryshev V., Ginzburg N., Ageev O.A., Kolomiitsev A.S. The structures for laser realization on Si:Er basis: from the theory to technological tasks // E-MRS Spring Meeting, Symposium J: Semiconductor Nanostructures towards Electronic and Optoelectronic Device Applications – IV, May 27-31, 2013, Strasbourg, France. P.J-XVII 8. 2013. P. - 8.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. Релаксированные слои твердого раствора Si1-XGeX (x=0,25–0,4) с низкой плотностью дислокаций, выращенные на Si(100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с газовым источником германия // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XI РКФП), 16-20 сентября 2013. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2013. С. 224.

Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Юнин П.А., Жукавин Р.Х., Красильник З.Ф., Захаров Н.Д. Периодические структуры SiGe/Si, выращенные молекулярно-пучковой эпитаксией с газовым источником германия // Тезисы докладов ХI-ой Российской конференции по физике полупроводников, 16-20 сентября 2013. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2013. С. 239.

Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Яблонский А.Н. Излучательные свойства волноводных структур Si:Er/SOI // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16 – 20 сентября, 2013 г.. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург. 2013. С. 366.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Ближнепольный излучательный перенос экситонных возбуждений между туннельно-несвязанными квантовыми ямами. // Труды XVII междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, г., Нижний Новгород, Россия, т.2. 2013. С. 403-404.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Когерентный оптический отклик квантово-каскадной структуры // Труды XVII междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия, т.2, с.502-503. 2013. С. 502-503.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Динамика экситонных состояний в условиях ближнепольного излучательного переноса энергии в AlGaAs/GaAs гетероструктурах с квантовыми ямами // Труды XI Российской конференции по физике полупроводников. ФТИ им.Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия,. 2013. С. 230.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Кадыков А.М., Лысенко В.Г. Нерезонансный ближнепольный излучательный перенос экситонных возбуждений между туннельно-несвязанными квантовыми ямами. // Труды XI Российской конференции по физике полупроводников. ФТИ им.Иоффе, Санкт-Петербург, Россия. 2013. С. 219.

Aleshkin V.Ya., Gavrilenko L.V., Gaponova D.M., Krasilynik Z.F., Kryzhkov D.I., Kadykov A.M., Lyssenko V.G. Nonresonant near-field radiative transfer of excitonic excitations in tunnel-uncoupled quantum wells // Abstracts of the 21 International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". Saint Petersburg, Russia, June 24-28. 2013. P. 103.

Aleshkin V.Ya., Gavrilenko L.V., Gaponova D.M., Krasilynik Z.F., Kadykov A.M., Lyssenko V.G. The calculation of near-field radiative energy transfer in tunnel-uncoupled quantum wells // Abstracts of 21 International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". Saint Petersburg, Russia, June 24-28. 2013. P. 107.

Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Яблонский А.Н. Оптические свойства волноводных структур Si:Er/SOI // Труды XVII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 11-15 марта, 2013. Т.2, 2 стр. 2013. С. 477-478.

Шенгуров Д.В., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Красильник З.Ф. Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 47. 2013. С. 410-413.

Shengurov D.V., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Shengurov V.G., Stepikhova M.V., Drozdov M.N., Krasilynik Z.F. Low-Temperature Growth of Silicon Epitaxial Layers Codoped with Erbium and Oxygen Atoms // Semiconductors. № 3. V. 47. 2013. P. 433-436.

Krasilynikova L.V., Stepikhova M.V., Antonov A.V., Shengurov V.G., Krasilynik Z.F. The processes of erbium impurity excitation in Si/Si(1-x)Ge(x):Er/Si heteroepitaxial structures // Optical Materials. V. 35. 2013. P. 1404-1409.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Кадыков А.М., Лысенко В.Г., Красильник З.Ф. Нерезонансный излучательный перенос экситонных возбуждений за счет ближнего поля между квантовыми ямами // Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 5(11). Т. 144. 2013. С. 1080-1085.

Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yablonskii A.N., Antonov A.V., Kuritsyn D.I., Gaponova D.M., Sadofyev Yu.G., Samal N., Gavrilenko V.I., Krasilynik Z.F. Type II–type I conversion of GaAs/GaAsSb heterostructure energy spectrum under optical pumping // Journal of Applied Physics. V. 113. 2013. P. 163107.

Новиков А.В., Hartmann J.M., Шалеев М.В., Юрасов Д.В., Кузнецов О.А., Лобанов Д.Н., Красильник З.Ф. Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 47. 2013. С. 404-409.

2012

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Ближнепольный механизм передачи энергии между квантовыми ямами. // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. ННГУ, т.1, 2. 2012. С. 181-182.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М. Экспериментальное исследование ближнепольного переноса энергии в гетероструктурах GaAs/AlGaAs с туннельно-непрозрачными барьерами. // Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. Т.1, с. 299-300. ННГУ, Т1,2. 2012. С. 299-300.

Красильникова Л.В., Степихова М.В., Шенгуров В.Г., Красильник З.Ф. Процессы возбуждения редкоземельной примеси эрбия в эпитаксиальных структурах Si/Si1 xGex:Er/Si // Труды XVI Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 12-16 марта, 2012, Т.2. 2012. С. 278-279.

Степихова М.В., Юрасова Н.В., Климов А.Ю., Пряхин Д.А., Коломийцев А.С., Шалеев М.В., Красильникова Л.В., Агеев А.О., Шенгуров В.Г., Красильник З.Ф. Микрорезонаторы на основе структур кремния и кремния-германия для фотонных приложений // Труды XVI Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 12-16 марта 2012, Т.2. 2012. С. 396-397.

Павлов Д.А., Бобров А.И., Красильник З.Ф., Новиков А.В., Лобанов Д.Н. Гетероструктуры с Ge(Si) самоформирующимися нано-островками на Si/Si(001): исследование структуры и элементного состава методами просвечивающей электронной микроскопии // XXIV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2012: Тез. докл.. 29 мая – 1 июня 2012 г., Черноголовка, Россия. 2012. С. 47.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Ближнепольный механизм передачи энергии между квантовыми ямами // Труды XVI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия, т.1. 2012. С. 180-181.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Экспериментальное исследование ближнепольного переноса энергии в гетероструктурах GaAs/AlGaAs с туннельно-непрозрачными барьерами // Труды XVI междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия, т.1. 2012. С. 299-300.

Козлов В.А., Оболенский С.В., Шмагин В.Б., Красильник З.Ф. Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого p-n-перехода // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 46. 2012. С. 134-139.

Шенгуров Д.В., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Красильник З.Ф. Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода // Физика и техника полупроводников. 2012. [принято к печати]

Yurasova N.V., Stepikhova M.V., Krasilynikova L.V., Krasilynik Z.F. Theoretical analysis of microdisk resonators based on Si/Si1-xGex:Er light-emitting structures // Journal of luminescence. № 12. V. 132. 2012. P. 3122-3124.

Novikov A.V., Shaleev M.V., Krasilynik Z.F., Kuznetsov O.A., Lobanov D.N., Yurasov D.V., Hartmann J.M. Transition from planar to island growth mode in SiGe structures fabricated on SiGe/Si(001) strain-relaxed buffers // Applied Physics Letter. V. 101. 2012. P. 151601-3.

2011

Шенгуров Д.В., Степихова М.В., Дроздов Ю.Н., Шалеев М.В., Кудрявцев К.Е., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г., Наумова О.В. Особенности предростовой подготовки и эпитаксиальный рост волноводных светоизлучающих структур SOI/Si:Er для лазерных применений // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.2. – C.448 - 449. 2011. С. 448-449.

Красильникова Л.В., Степихова М.В., Яблонский А.Н., Шенгуров В.Г., Красильник З.Ф. Особенности процессов возбуждения редкоземельной примеси эрбия в эпитаксиальных структурах Si/Si1-xGex:Er/Si // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.2. – C.490 - 491. 2011. С. 490-491.

Степихова М.В., Красильникова Л.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Излучающие свойства волноводных гетероструктур Si/Si1-xGex:Er/Si // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.2. – C.527 - 528. 2011. С. 527-528.

Юрасова Н.В., Степихова М.В., Красильникова Л.В., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г., Коломийцев А.С., Громов А.Л., Ильин О.И., Агеев О.А. Микродисковые резонаторы на основе светоизлучающих структур Si/SiGe:Er: теоретический расчет и технология формирования // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.2. – C.533 - 534. 2011. С. 533-534.

Stepikhova M.V., Krasilynikova L.V., Yurasova N.V., Krasilynik Z.F., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu. Light-emitting properties of Si/Si1-xGex:Er structures being of interest for optoelectronic applications // Second International Conference on RARE EARTH MATERIALS (REMAT). Wroclaw, Poland, 13-15 June 2011. 2011. P. -43.

Красильникова Л.В., Степихова М.В., Яблонский А.Н., Шенгуров В.Г., Красильник З.Ф. Процессы возбуждения редкоземельной примеси эрбия в эпитаксиальных структурах Si/Si1-xGex:Er/Si // X-я Российская конференция по физике полупроводников. Нижний Новгород, 19-23 сентября. 2011. С. 170.

Krasilynikova L.V., Stepikhova M.V., Drozdov Yu.N., Krasilynik Z.F., Shengurov V.G. Photoluminescence excitation spectroscopy of the optically active Er3+ centers in Si/Si1 xGex:Er structures // E-MRS Fall Meeting Symposium: “A - Stress, structure, and stoichiometry effects on the properties of nanomaterials". Warsaw, Poland, September 19 - 23. 2011. P. 4.

Stepikhova M.V., Krasilynikova L.V., Yurasova N.V., Shengurov V.G., Krasilynik Z.F., Ageev O.A., Kolomeitsev A.S. Light-emitting Si/SiGe:Er structures for photonic applications // E-MRS Fall Meeting Symposium: “J - Rare earth doped semiconductors and nanostructures for photonics”. Warsaw, Poland, September 19 - 23. 2011. P. 2.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Влияние поперечного электрического поля на экситонную и трионную фотолюминесценцию в гетероструктурах GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами. // Труды XV междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, г., Нижний Новгород, Россия, т.1. 2011. С. 208-209.

Гапонова Д.М., Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Процессы остывания и высвечивания экситонов в двойных квантовых ямах в электрическом поле // Труды XV междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия, т.2. 2011. С. 463-464.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Влияние квантово-размерного эффекта Штарка на экситонную фотолюминесценцию в одиночных и двойных туннельно-связанных квантовых ямах // Труды XV междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН г., Нижний Новгород, Россия, т.2, с.496-497.. 2011. С. 496-497.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Время формирования, остывания и излучательной рекомбинации экситонов в двойных квантовых ямах // Тезисы Х Российской конференции по физике полупроводников. ИФМ РАН, Нижний Новгород, 19-23 сентября. 2011. С. 52.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Зависимость времени потери когерентности от температуры в гетероструктурах GaAs/AlGaAs // Тезисы Х Российской конференции по физике полупроводников. ИФМ РАН, Нижний Новгород. 2011. С. 60.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Влияние туннельной прозрачности барьера на кинетику экситонной фотолюминесценции в двойных квантовых ямах // Тезисы Х Российской конференции по физике полупроводников. ИФМ РАН, Нижний Новгород, 19-23 сентября. 2011. С. 78.

Yurasova N.V., Stepikhova M.V., Krasilynikova L.V., Krasilynik Z.F. Theoretical analysis of microdisk resonators based on Si/Si1-xGex:Er light-emitting structures // E-MRS Fall Meeting Symposium: “J - Rare earth doped semiconductors and nanostructures for photonics”. Warsaw, Poland, September 19 - 23. 2011. P. J/5.

Красильникова Л.В., Степихова М.В., Юрасова Н.В., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г., Коломийцев А.С. Cтруктуры Si/Si1-xGex:Er/Si для кремниевой нанофотоники // Известия ЮФУ. Технические науки. № 4. 2011. С. 46-55.

Stepikhova M.V., Drozdov Yu.N., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G., Krasilynik Z.F., Krasilynikova L.V. On the role of heterolayer relaxation in luminescence response of Si/SiGe:Er structures // Physica Status Solidi C. № 3. V. 8. 2011. P. 1044-1048.

Yurasova N.V., Stepikhova M.V., Krasilynikova L.V., Krasilynik Z.F. Theoretical analysis of microdisk resonators based on Si/Si1-xGex:Er light-emitting structures // Journal of luminescence. № 12. V. 132. 2011. P. 3122-3124.

Красильник З.Ф., Кулрявцев К.Е., Качемцев А.В., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Оболенский С.В., Шенгуров В.Г. Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si гетеростурктур с самоформирующимися наноостровками // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 57. 2011. С. 230-234.

Krasilynik Z.F., Novikov A.V., Lobanov D.N., Kudryavtsev K.E., Antonov A.V., Obolenskii S.V., Zakharov N.D., Werner P. SiGe nanostructures with self-assembled islands for Si-based optoelectronics // Semiconductor Science and Technology. V. 26. 2011. P. 014209.

Шалеев М.В., Новиков А.В., Байдакова Н.А., Яблонский А.Н., Кузнецов О.А., Лобанов Д.Н., Красильник З.Ф. Ширина линии фотолюминесценции от Ge(Si) самоформирующихся островков, заключенных между напряженными Si слоями // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 45. 2011. С. 202-206.

Novikov A.V., Shaleev M.V., Baidakova N.A., Yablonskii A.N., Kuznetsov O.A., Drozdov Yu.N., Lobanov D.N., Krasilynik Z.F. Narrow photoluminescence peak from Ge(Si) islands embedded between tensile-strained Si layers // Physica Status Solidi С. № 3. V. 8. 2011. P. 1055-1059.

Obolenskii S.V., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Lobanov D.N., Novikov A.V., Shengurov D.V., Kachemtsev A.N. COMPARATIVE ANALYSIS OF RADIATION EFFECTS ON THE ELECTROLUMINESCENCE OF SI AND SIGE/SI(001) HETEROSTRUCTURES WITH SELF-ASSEMBLED ISLANDS // Semiconductors. № 2. V. 45. 2011. P. 225-229.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Оптическое детектирование электрического поля в n-i-n GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами // Письма в ЖЭТФ. № 7. Т. 93. 2011. С. 437-441.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре с квантовыми ямами // Письма в ЖЭТФ. № 11. Т. 94. 2011. С. 890-894.