Вихрова Ольга Викторовна

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория спиновой и оптической электроники

ведущий научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в университете лобачевского: 1990
Общий стаж работы 26 лет, 3 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Квалификация: физик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

14.11.2017 - 13.11.2017
Повышение квалификации: специальная подготоака по качеству, АНО ЦРМ "СПК", документ № № 8396/СПК от 14.11.2017

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2019

Труды (тезисы) конференции

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Павлов Д.А., Пашенькин И.Ю., Сушков А.А. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур // Материалы XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.. Изд-во ННГУ, 2 т., 957 с.. 2019. С. 795-796.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Ларионова Е.А., Ковальский В.А. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 201-202.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Никитов С.А., Садовников А.В. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 205-206.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Вихрова О.В., Соболев Н.А. Изменение концентрации носителей заряда в слоях магнитных полупроводников (In,Fe)Sb и (In,Fe)As // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 227-228.

Кудрин А.В., Лесников В.П., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Милин В.Е., Усов Ю.В., Ведь М.В., Кузнецов Ю.М., Крюков Р.Н. Создание эпитаксиальных гетероструктур на основе магнитных полупроводников (In,Fe)Sb и (Ga,Fe)Sb // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 229-230.

Алафердов А.В., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Мошкалев С.А. Использование многослойного графена для формирования контактного слоя к светоизлучающим GaAs структурам // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2019. С. 579-580.

Демина П.Б., Дорохин М.В., Буданов А.В., Ведь М.В., Вихрова О.В., Власов Ю.Н., Здоровейщев А.В., Котов Г.И., Крюков Р.Н., Кудрин А.В. Селенид галлия как пассивирующий слой в спиновых светоизлучающих диодах на основе наногетероструктур GaAs/InGaAs // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIII Международного симпозиума, 11–14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 185-186.

Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Темирязев А.Г., Темирязева М.П. Магнитооптические и микромагнитные свойства плёночных структур вида ферромагнетик/тяжелый металл // Труды XXIII Международного симпозиума, 11–14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 203-204.

Публикации в научных журналах

Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Konakov A.A., Vasilyev V.K., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Zvonkov B.N. The nature of transport and ferromagnetic properties of the GaAs structures with the Mn δ-doped layer // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 478. 2019. P. 84-90.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л., Ларионова Е.А., Ковальский В.А., Солтанович О.А. Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 53. 2019. С. 351-358.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Konakov A.A., Dudin Yu.A., Kuznetsov Yu.M., Temiryazeva M.P., Sobolev N.A. Robustness of ferromagnetism in (In,Fe)Sb diluted magnetic semiconductor to variation of charge carrier concentration // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 485. 2019. P. 236–243.

2018

Сборники статей

Демина П.Б., Ведь М.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В. Модифицирование границы раздела металл/полупроводник в спиновых светоизлучающих диодах СoPt/(In)GaAs // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1. 2018. С. 184-185.

Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Демина П.Б. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с CoPt барьером Шоттки // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1. 2018. С. 214-215.

Труды (тезисы) конференции

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Антонов И.Н. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs структур // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума. 12-15 марта 2018 г. Нижний Новгород.. Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 2 стр.. 2018. С. 639-640.

Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Вихрова О.В., Крюков Р.Н., Антонов И.Н., Толкачев Д.С. Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А3В5, сильно легированных железом // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума, 12-15 марта 2018. Н.Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. - Т.1. 2018. С. 180-181.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Антонов И.Н. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs структур // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума, 12-15 марта 2018. Н. Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. - Т.2. 2018. С. 639-640.

Планкина С.М., Боряков А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Определение состава твердых растворов GaInAs и GaInP из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света // Нанофизика и наноэлектроника. XXII Международный симпозиум. Изд-во ННГУ, т.2, 897. 2018. С. 731-732.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Демидов Е.С., Чигинева А.Б., Самарцев И.В., Вихрова О.В. Тиристор с оптической передачей эмиттерного тока на основе GaAs // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898с. 2018. С. 811-812.

Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Ершов А.В., Здоровейщев А.В., Котомина В.Е., Некоркин С.М., Самарцев И.В., Чигинева А.Б. Комбинированная структура – оптический тиристор и светодиод с гетеропереходами GaAs/InGaP // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898 с. 2018. С. 625-626.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Рыков А.В., Ведь М.В., Белкин М.А., Темирязева М.П., Темирязев А.Г. Свойства и применение пленок типа «ферромагнетик/тяжелый металл» в приборах спинтроники // Труды Х Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 01-06 октября 2018г., Рязань. Т.1. 2018. С. 64-84.

Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Вихрова О.В., Крюков Р.Н., Антонов И.Н., Толкачев Д.С. Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А3В5, сильно легированных железом // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г.. Н. Новгород: Издательство ННГУ Н. Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2018. С. 180-181.

Планкина С.М., Боряков А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Определение состава твёрдых растворов GaInAs и GaInP из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г.. Н. Новгород: Издательство ННГУ Н. Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2018. С. 731-732.

Публикации в научных журналах

Кунькова З.Э., Ганьшина Е.А., Голик Л.Л., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Ковалев В.И., Зыков Г.С., Маркин Ю.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением // Физика твердого тела. № 5. Т. 60. 2018. С. 940-946.

Kunkova Z.E., Ganshina E.A., Golik L.L., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Kovalev V.I., Zykov G.S., Markin Yu.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Phase Separation in GaMnAs Layers Grown by Laser Pulsed Deposition // Physics of the Solid State. № 5. V. 60. 2018. P. 943-949.

Kuznetsov Yu.M., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V. Anomalous Nernst-Ettingshausen effect in δMnGaAs/InGaAs ferromagnetic semiconductor heterostructures // Journal of Physics: Conference Series. № 993. V. 1. 2018. P. 012015.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Антонов И.Н. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 52. 2018. С. 1286-1290.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Юрасов Д.В. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 μm в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001) // Письма в Журнал технической физики. № 44. Т. 16. 2018. С. 67-74.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Vikhrova O.V., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Samartsev I.V., Yurasov D.V. Stimulated Emission at 1.3-μm Wavelength in Metamorphic InGaAs/InGaAsP Structure with Quantum Wells Grown on Ge/Si(001) Substrate // Technical Physics Letters. № 44. V. 8. 2018. P. 735-738.

Темирязев А.Г., Темирязева М.П., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В. Формирование доменной структуры в многослойных пленках CoPt с помощью магнитного зонда атомно-силового микроскопа // Физика твердого тела. № 11. Т. 60. 2018. С. 2158-2165.

Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Демина П.Б. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 60. 2018. С. 2236-2239.

Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Vikhrova O.V., Kryukov R.N., Antonov I.N., Tolkachev D.S., Alaferdov A.V., Kunkova Z..E., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G. The Study of Features of Formation and Properties of A3B5 Semiconductors Highly Doped by Iron // Physics of the Solid State. № 11. V. 60. 2018. P. 2178-2181.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Antonov I.N. The effect of the Composition of a Carrier Gas during the Growth of a Mn delta-Layer on the Electrical and Magnetic Properties of GaAs Structures // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1398-1402.

2017

Труды (тезисы) конференции

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 149-150.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Крюков Р.Н., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Николичев Д.Е., Павлов С.А., Парафин А.Е., Пашенькин И.Ю., Планкина С.М. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений А3В5 импульсным лазерным отжигом // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 151-152.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Питиримова Е.А., Антонов И.Н., Вихрова О.В., Алафердов А.В., Крюков Р.Н. Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2017. С. 195-196.

Калентьева И.Л., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Павлов Д.А., Пирогов А.В., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Юнин П.А. Особенности селективного легирования марганцем GaAs гетероструктур // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 612-613.

Демина П.Б., Ведь М.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Хомицкий Д.В. Методы управление спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. Электронный адрес публикации: http://nanosymp.ru/UserFiles/Symp/2017_v1.pdf. 2017. С. 175-176.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Magnetic properties of epitaxial GaMnAs layers // Saint Petersburg OPEN 2017 «4th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures». Academic University Publishing St. Petersburg, 2017, 640. 2017. P. 503-504.

Kalentyeva I.L., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V. Magneto-optical effects of CoPt and CoPd alloys // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 139.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Pitirimova E.A., Antonov I.N., Kryukov R.N. Ferromagnetism of indium antomonide, highly doped by iron // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 873.

Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L., Kudrin A.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Pitirimova E.A., Tolkachev D.S., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Yakubov R.R. Formation of the ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As by ion implantation and pulse laser annealing // III International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 9-11 October. 2017. P. 60.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Pitirimova E.A., Antonov I.N., Kryukov R.N. High-temperature intrinsic ferromagnetism in the InFeSb semiconductor // III International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 9-11 October. 2017. P. 61.

Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Kalentyeva I.L., Vedy M.V. Circularly polarized light detector based on MDP structure of CoPt/(Al2O3/SiO2/Al2O3)/InGaAs/GaAs // Book of abstracts III International conference on Modern problems in physics of surfaces and nanostructures, 9-11 october 2017, Yaroslavl, Russia.. Yaroslavl Demidov State University, 121p.. 2017. P. 59.

Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. Детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП структуры CoPt/(Al2O3/SiO2)/InGaAs/GaAs // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников, 2-6 октября 2017, Екатеринбург.. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2017.. 2017. С. 268.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур // Материалы XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта 2017г., Нижний Новгород. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т.2. 2017. С. 690.

Публикации в научных журналах

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Афоненко А.А., Ушаков Д.В. Влияние «объема» активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 51. 2017. С. 75-78.

Kudrin A.V., Plankina S.M., Vikhrova O.V., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Drozdov Yu.N., Shvetsov A.V. Characterization of the cleaved edge cross section of the heterostructures with GaMnAs layer by the confocal micro-Raman spectroscopy // Micron. № 2. V. 93. 2017. P. 38-42.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1510-1513.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Nezhdanov A.V., Pashenykin I.Yu. Cleaved-Edge Photoluminescence Spectroscopy of Multilayer Heterostructures // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1456–1459.. [принято к печати]

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Пашенькин И.Ю., Планкина С.М. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений А3В5 импульсным лазерным отжигом // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2130-2134.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Nezhdanov A.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Pashenykin I.Yu., Plankina S.M. Modification of the Properties of Ferromagnetic Layers Based on A3B5 Compounds by Pulsed Laser Annealing // Physics of the Solid State. № 11. V. 59. 2017. P. 2150-2154.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2196-2199.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Вихрова О.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Питиримова Е.А., Антонов И.Н. Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2200-2202.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Дроздов М.Н., Усов Ю.В. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1468-1472.

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Демина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2203-2205.

Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Alaferdov A.V., Sobolev N.A. High-temperature intrinsic ferromagnetism in the (In,Fe)Sb semiconductor // Journal of Applied Physics. V. 122. 2017. P. 183901.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Некоркин С.М., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb // Semiconductors. № 2017. Т. 51. 2017. С. 1410-1413.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Alaferdov A.V., Sobolev N.A. High-temperature intrinsic ferromagnetism in the (In,Fe)Sb semiconductor // Journal of Applied Physics. V. 122. 2017. P. 183901.

2016

Труды (тезисы) конференции

Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А., Планкина С.М., Якубов Р.Р. Формирование однофазных ферромагнитных полупроводников (III,Mn)V импульсным лазерным отжигом // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.1. 2016. С. 179-180.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с дельта-легированным Mn слоем GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.2. 2016. С. 600-602.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Коннова Н.Ю., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.2. 2016. С. 686-687.

Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В. Изготовление образцов со спиновым латеральным переносом на основе GaAs структур с дельта-слоем Mn // 23-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика-2016». Зеленоград.: МИЭТ. 2016. С. 10.

Самарцев И.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Вихрова О.В., Колпаков Д.А. Исследование возможности создания излучающих структур на диапазон длин волн 1.3 мкм с метаморфными буферными слоями InGaAs, GaAsSb и квантовой ямой InGaAs // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород:. Издательство Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, Т. 2: Секция 3, 406 с.. 2016. С. 718-719.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Кудрин А.В. Магнитонезависимый спиновый светодиод с инжектором CoPt // Тезисы докладов XXI Уральской междунородной зимней школы по физике полупроводников, 15-20 февраля 2016г., Екатеринбург-Алпатьевск.. Из-во ИПМ УрО РАН. 2016. С. 234-235.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Темирязев А.Г., Темирязева М.П. Магнитонезависимые спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур In(Ga)As/GaAs и ферромагнитного инжектора CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.1, 434с. 2016. С. 206-207.

Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А., Толкачев Д.С., Якубов Р.Р. Экспериментальное исследование и моделирование процесса импульсного лазерного отжига GaAs, облученного большими дозами ионов Mn+ // IX Международная научная конференция «Кинетика и механизм кристаллизации. Кристаллизация и материалы будущего» 13-16 сентября 2016 г. Иваново. 2016. С. 133-134.

Kunkova Z.E., Ganshina E.A., Golik L.L., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Novikov A.I., Kovalev V.I., Bykov I.V., Zykov G.S., Markin Y.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Blue shift in magneto-optical spectra of ferromagnetic (Ga,Mn)As // Book of Abstracrs, VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016), August 15 – 19, 2016. Krasnoyarsk, Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch. 2016. P. 323.

Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А. Имплантация ионов Mn в GaAs: сравнение быстрого термического и импульсного лазерного отжигов // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 73-74.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Дроздов М.Н. Влияние точечных дефектов на диффузию Mn и C в квантово-размерных гетероструктурах на основе GaAs // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 123-124.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н., Вихрова О.В., Морозов А.И. Электрофизические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе n-GaAs с квантовыми точками InAs, Выращенными на поверхности слоя n-GaAs // Материалы XX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 14-18 марта 2016). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 406 с.. 2016. С. 750-751.

Публикации в научных журналах

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 204-207.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V. GaAs Structures with a Gate Dielectric Based on Aluminium-Oxide Layers // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 204-207.

Balanta M.A.G., Brasil M.L.S.P., Iikawa F., Mendes U.C., Brum J.A., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Optically controlled spin-polarization memory effect on Mn delta-doped heterostructures // Scientific Reports. № 24537. V. 6. 2016. P. 1-6.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В. Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с дельта-слоем Mn // Физика и техника полупроводников. № 50. Т. 1. 2016. С. 3-8.

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Demina P.B., Vikhrova O.V., Zdoroveishev A.V. Effect of the Dopant Concentration on the Luminescence Properties of InGaAs/GaAs Spin Light-Emitting Diodes with a Mn δ Layer // Semiconductors. № 50. V. 1. 2016. P. 1-7.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Вихрова О.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н. Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке // Физика и техника полупроводников. Т. 50. 2016. С. 596-599.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Темирязев А.Г., Темирязева М.П. Свойства ферромагнитных слоев CoPt для применения в спиновых светоизлучающих диодах // Физика твердого тела. № 11. Т. 58. 2016. С. 2186-2189.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н., Вихрова О.В., Морозов А.И. Электрофизические свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе n-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя n-GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1615-1619.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Drozdov M.N. Effect of Thermal Annealing on the Photoluminescence of Structures with InGaAs/GaAs Quantum Wells and a Low-temperature GaAs Layer delta-doped with Mn // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1469-1474.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дроздов М.Н. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным дельта-легированным Mn слоем GaAs // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1490-1496.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Коннова Н.Ю., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1561-1564.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Konnova N.Yu., Nezhdanov A.V., Pashenkin I.Yu Study of the Structures of Cleaved Cross Sections by Ramsn Spectroscopy // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1539-1542.

Данилов Ю.А., Boudinov H., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А., Якубов Р.Р. Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga,Mn)As импульсным лазерным отжигом // Физика твердого тела. № 11. Т. 58. 2016. С. 2140-2144.

Danilov Yu.A., Boudinov H., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Pitirimova E.A., Yakubov R.R. Formation of the Single-Phase Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As by Pulsed Laser Annealing // Physics of Solid State. № 11. V. 58. 2016. P. 2218-2222.

Zdoroveishchev A.V., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Kudrin A.V., Temiryazev A.G., Temiryazeva M.P. Properties of CoPt Ferromagnetic Layers for Application in Spin Light-Emitting Diodes // Physics of the Solid State. № 11. V. 58. 2016. P. 2267-2270.

Яблонский А.Н., Морозов С.В., Гапонова Д.М., Алешкин В.Я., Шенгуров В.Г., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Байдусь Н.В., Красильник З.Ф. Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001) // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1455-1458.

Yablonskii A.N., Morozov S.V., Gaponova D.M., Aleshkin V.Ya., Zvonkov B.N., Shengurov V.G., Vikhrova O.V., Baidusy N.V., Krasilynik Z.F. Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1435-1438.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Koryazhkina M.N., Kasatkin A.P., Antonov I.N., Vikhrova O.V., Morozov A.I. Physical properties of metal–insulator–semiconductor structures based on n-GaAs with InAs quantum dots deposited onto the surface of an n-GaAs layer // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1589–1594.

2015

Труды (тезисы) конференции

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В. Влияние числа квантовых ям на излучательные свойства лазерных гетероструктур с вытеканием излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2015. [принято к печати]

Вихрова О.В., Ганьшина Е.А., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дудин Ю.А., Звонков Б.Н., Зыков Г.С., Кудрин А.В., Кунькова З.Э., Лесников В.П., Петрякова Е.В., Питиримова Е.А., Темирязева М.П., Юнин П.А., Якубов Р.Р. Ферромагнетизм в InFeAs-слоях, сформированных методом импульсного лазерного нанесения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. С. 160-161.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. С. 168-169.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.2. 2015. С. 523-524.

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Нежданов А.В., Планкина С.М., Дроздов Ю.Н. Использование спектроскопии комбинационного рассеяния для анализа влияния упругих напряжений на магнитные свойства слоев GaMnAs // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". 10-14 марта 2015 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского университета. 2015. С. 615-617.

Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Drozdov M.N. Annealing of delta-doped (Mn,C) GaAsSb/GaAs heteronanostructures // International Conference Nanomeeting-2015 “Physics, Chemistry and Applications of Nanostructures”. Reviews and Short Notes, Minsk, Belarus, 26-29 May 2015. World Scientific Publ.. 2015. P. 402-405.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б., Вихрова О.В. Люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов с легированными Mn слоями // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10 – 14 марта 2015 г. Нижний Новгород, 2015.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. С.199-200.. 2015. С. 199-200.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Диагностика структур с двухслойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным инжектором GaMnAs // Труды VIII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 14-18 cентября, Рязань. РГРТУ, т.3. 2015. С. 95-99.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Юнин П.А. Конструктивные особенности активной среды полупроводниковых лазеров с вытеканием излучения через подложку. // Труды XIX научной конференции по радиофизике, Н. Новгород. ННГУ, 2015, 300с.. 2015. С. 31.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б., Вихрова О.В. Люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов с легированными Mn слоями // Материалы XIX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2012. Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, 402 с. 2015. С. 199-200.

Публикации в научных журналах

Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Некоркин С.М., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb // ФТП. № 1. Т. 49. 2015. С. 11-14.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Чунин И.И., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 102-106.

Ganshina E.A., Golik L.L., Kunkova Z.E., Kovalev V.I., Markin Y.V., Novikov A.I., Zykov G.S., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Magneto-Optical Evidence for Intrinsic Ferromagnetism in (Ga,Mn)As Layers Grown by Pulsed Laser Deposition // Solid State Phenomena. V. 233-2. 2015. P. 101-104.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kalentyeva I.L., Nezhdanov A.V., Chunin I.I., Yunin P.A. Raman Spectroscopy of InGaAs/GaAs Nanoheterostructures Delta-doped with Mn // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 99-103.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1478-1483.

Dikareva N.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Pirogov A.V. Effect of thermal annealing on the emission properties of heterostructures containing a quantum-confined GaAsSb layer // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 9-12.

Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Бобров А.И., Вихрова О.В., Волкова Е.И., Малехонова Н.В., Сорокин Д.С. Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 3-5.

Pavlov D.A., Baidus N.V., Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Volkova E.I., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Sorokin D.S. Distribution of Elastic Strains Appearing in Gallium Arsenide as a Result of Doping with Isovalent Impurities of Phosphorus and Indium // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 1-3.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1649-1653.

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Морозов С.В., Крыжков Д.И., Юнин П.А. Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения // Физика и техника полупроводников. № 49. Т. 1. 2015. С. 113-116.

Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yunin P.A. Structural and optical properties of GaAsSb QW heterostructures grown by laser deposition // Semiconductors. № 49. V. 1. 2015. P. 109-112.

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Малышева Е.И., Труфанов А.Н. Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами // Физика и техника полупроводников. № 49. Т. 3. 2015. С. 370-375.

Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Baidus N.V., Malysheva E.I., Trufanov A.N. Emission Properties of InGaAs/GaAs Heterostructures with Quantum Wells and Dots after Irradiation with Neutrons // Semiconductors. № 49. V. 3. 2015. P. 358–363.

Zdoroveishchev A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Vedy M.V., Danilov Yu.A., Erofeeva I.V., Kryukov R.N., Nikolichev D.E. CoPt Ferromagnetic Injector in Light-Emitting Schottky Diodes Based on InGaAs/GaAs Nanostructures // Semiconductors. № 12. V. 49. 2015. P. 1601-1604.

Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V. Optical and magnetotransport properties of InGaAs/GaAsSb/GaAs structures doped with a magnetic impurity // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1430-1434.

Pavlov D.A., Baidus N.V., Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Volkova E.I., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Sorokin D.S. Distribution of Elas-tic Strains Appearing in Gallium Arsenide as a Result of Doping with Isovalent Impurities of Phosphorus and Indium // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 1-3.

2014

Труды (тезисы) конференции

Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Бобров А.И., Вихрова О.В., Волкова Е.И., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Сорокин Д.С. Исследование поперечного среза гетероструктур с квантовыми точками InGaAs/GaAs и фосфидными слоями GaAsP // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 419-420.

Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Некоркин С.М., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 452-453.

Планкина С.М., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Скворцов В.В., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". 10-14 марта 2014 г. Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского университета, т.1. 2014. С. 186-187.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Коблов Э.А., Вихрова О.В., Некоркин С.М. Излучательные свойства лазерных GaAs гетероструктур, выращенных на проводящей Ge/Si подложке // Сборник трудов XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио. ННГУ. 2014. [принято к печати]

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Юнин П.А. Свойства квантовых ям GaAs/InGaAs/GaAs, легированных атомами переходных 3d-элементов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVIII Международного симпозиума. Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госун-та. Т.2.. 2014. С. 446-447.

Balanta M.A.G., Mendes U.C., Gazoto A.L., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Brum J.A., Maialle M.Z., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Optical properties of two-dimensional III-V diluted magnetic semiconductors // 5th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology, 30 March – 2 April 2014, Vanderbijlpark, South Africa. Vanderbijlpark. 2014. P. 22-23.

Danilov Yu.A., Drozdov Yu.N., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Pitirimova E.A., Vikhrova O.V., Yunin P.A., Zvonkov B.N. Ferromagnetism in InFeAs layers, formed by laser deposition // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts.. MSU. 2014. P. 203.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Light-emitting GaAsSb/GaAs structures with GaMnAs ferromagnetic injector // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 233.

Ganshina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., Kunkova Z.E., Markin Yu.V., Novikov A.I., Zykov G.S., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Magneto-optical evidence for intrinsic ferromagnetism in (Ga,Mn)As layers grown by pulsed-laser deposition // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 367.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Исследование возможности создания на основе слоев оксида алюминия подзатворного диэлектрика для арсенид-галлиевых структур // Труды VII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 15-19 сентября 2014 г., Рязань. Рязань: изд-во РГРТУ. Т.3. 2014. С. 93-97.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Коблов Э.А., Вихрова О.В., Некоркин С.М., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Новиков А.В., Юрасов Д.В. Излучательные свойства лазерных GaAs гетероструктур, выращенных на проводящей Ge/Si подложке // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио (Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г.). Нижний Новгород. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 2014, 334 с. 2014. С. 37-38.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В. Влияние числа квантовых ям на излучательные свойства лазерных гетероструктур с вытеканием излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014,. 2014. [принято к печати]

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Коннова Н.Ю., Нежданов А.В., Планкина С.М. Свойства слоев GaMnAs, выращенных методом лазерного осаждения в потоке арсина // Тезисы докладов V Всероссийской конференции "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". 27-31 октября 2014 года, Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского университета. 2014. С. 114-115.

Публикации в научных журналах

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Istomin L.A., Utsyna E.V., Levichev S.B., Zvonkov B.N. Comparison of optoelectronic properties of InAs/GaAs quantum dots grown under different conditions by metalorganic vapor phase epitaxy // Journal of Luminescence. № 147. 2014. P. 59-62.

Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yablonskii A.N., Aleshkin V.Ya., Krasilynik Z.F., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V. Dependence of the ground-state transition energy versus optical pumping in GaAsSb/InGaAs/GaAs heterostructures // Applied Physics Letters. № 2. V. 104. 2014. P. 021108-1 -021108-5.

Бобров А.И., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Павлова Е.Д. Структурное совершенство и распределение примеси в магнитных полупроводниковых наногетеросистемах на основе GaAs // Известия РАН. Серия физическая. № 1. Т. 78. 2014. С. 18-21.

Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Drozdov Yu.N., Drozdov M.N., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Pavlova E.D. Structural Perfection and the Distribution of Impurities in Magnetic Semiconductor Nanoheterosystems Based on GaAs // Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. № 1. V. 78. 2014. P. 6-8.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Юнин П.А. Влияние особенностей дизайна гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства // Известия РАН. Серия физическая. № 1. Т. 78. 2014. С. 26-31.

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Пирогов А.В. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb // ФТП. № 1. Т. 49. 2014. С. 11.

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Вихрова О.В. Полупроводниковый AlGaAs/GaAs/InGaAs лазер со значительным вытеканием излучения через подложку // Вестник ННГУ. 2014. [принято к печати]

Вихрова О.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Калентьева И.Л. Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs // Письма в журнал технической физики. № 20. Т. 40. 2014. С. 96-103.

Vikhrova O.V., Vasin A.S., Vasilevskiy M. I. Effects of alloy disorder and confinement on phonon modes and Raman scattering in SixGe1-x nanocrystals: A microscopic modeling // Journal of Applied Physics. V. 115. 2014. P. 143505.

Vikhrova O.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L. The effect of Ferromagnetic Mn-Delta-Doped Layer on the Emission Properties of GaAsSb/GaAs and InGaAs/GaAsSb/GaAs Heterostructures // Technical Physics Letters. № 10. V. 40. 2014. P. 930-933.

Balanta M. A. G., Brasil M. J. S. P., Iikawa F., Brum J.A., Mendes Udson C., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Effects of a nearby Mn delta layer on the optical properties of an InGaAs/GaAs quantum well // Journal of Applied Physics. № 20. V. 116. 2014. P. 203501, 1-7.

Zvonkov B.N., Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yablonskii A.N., Aleshkin V.Ya., Vikhrova O.V., Krasilynik Z.F. Long-wavelength shift and enhanced room temperature photoluminescence efficiency in GaAsSb/InGaAs/GaAs-based heterostructures emitting in the spectral range of 1.0–1.2 mkm due to increased charge carrier’s localization // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. V. 116. 2014. P. 203102.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Чунин И.И., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № Выпуск 1. Т. 49. 2014. С. 102-106.

2013

Сборники статей

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Бирюков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Матвеев С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е. Лазерная структура GaAs/AlGaAs на подложке Ge/Si // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе». Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2013. 2013. С. 25-28.

Труды (тезисы) конференции

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Кудрин А.В. Влияние особенностей дизайна гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 122-123.

Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Malysheva E.I., Vikhrova O.V., Kudrin A.V. Combination of MOVPE and laser sputtering for epitaxial growth of GaAs-based ferromagnetic semiconductor heterostructures // 15th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (EWMOVPE XV), June 2-5, 2013, Aachen, Germany. Extended Abstracts. Julich: Forschungszentrum. 2013. P. 219-222.

Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L. Peculiarities of manifestation of spin-dependent effects in the ferromagnetic quantum confined GaAs structures // Proceedings of International Conference. Nanomeeting-2013. Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Reviews and Short Notes. Minsk, Belarus, 28-31 May2013. World Scientific. 2013. P. 40-42.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Бирюков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Матвеев С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е. Лазерная структура GaAs/AlGaAs на подложке Ge/Si // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе» 28-31 мая 2013. 4 стр.. 2013. С. 25-28.

Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Kalentyeva I.L. Peculiarities of manifestation of spin-dependent effects in the ferromagnetic quantum confined GaAs structures // 10 International conference "Nanomeeting 2013" 28-31 May, Minsk. Belarus. 2013. 3P.. 2013. P. 40-42.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Ферромагнитные свойства наноструктур на основе гетеросистемы InGaAs/GaAs-дельта Mn // Всероссийская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. С. Петербург. 16-20 сентября 2013.. Изд-во ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 2013. С. 312.

Планкина С.М., Ковалев А.А., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Вихрова О.В. ИК-спектроскопия внутризонного поглощения в гетероструктурах Al-GaAs/GaAs с квантовыми ямами // Труды XVII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 11 – 15 марта 2013 г.. Изд-во ННГУ, том 2, с.2. 2013. С. 556-557.

Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В. Влияние фосфидирования на формирование и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs // XI Российская конференция по физике полупроводников (XI РКФП). Санкт-Петербург, 16-20 сентября, 2013. Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе, 2013.-с.504. 2013. С. 276.

Бобров А.И., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Павлова Е.Д. Структурное совершенство и распределение примеси в магнитных полупроводниковых наногетеросистемах на основе GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII Международного симпозиума. 11 – 15 марта 2013 г. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 110-111.

Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Mendes U.C., Brum J.A., Maialle M.Z., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Effect of nearby Mn ions on the spin dynamics of confined electrons // Spintech VII. Spintech VII. 2013. P. GD3.

Ganshina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., Kunkova Z.E., Markin Yu.V., Novikov A.I., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Magneto-optical properties of composite GaMnAs layers deposited by pulse laser ablation // International Conference “Functional Materials”. ICFM-2013. Abstracts. Ukraine, Crimea, Partenit. Partenit. 2013. P. 201.

Публикации в научных журналах

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л. Свойства гетероструктур MnSb/GaAs // Известия РАН. Сер. Физическая. № 1. Т. 77. 2013. С. 79-81.

Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Mendes U.C., Brum J.A., Maialle M.Z., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Compensation effect on the CW spin-polarization degree of Mn-based structures // Journal of Physics D: Appied Physics. № 21. V. 46. 2013. P. 215103, 1-6.

Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Вихрова О.В., Дикарева Н.В. Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb-InGaAs)/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 47. 2013. С. 1231.

Алешкин В.Я., Морозов С.В., Крыжков Д.И., Звонков Б.Н., Вихрова О.В. Спектрокинетические свойства гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0-1.2 мкм.ФТП т.47 в.11. cc.1517-1520 (2013) // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 47. 2013. С. 1517-1520.

Vasin A.S., Vikhrova O.V., Vasilevskii M.I. Phonon modes and Raman scattering in SixGe1-x nanocrystals: microscopic modelling // PHYSICA STATUS SOLIDI C:. № 4. V. 10. 2013. P. 701-704.

Zvonkov B.N., Nekorkin S.M., Vikhrova O.V., Dikareva N.V. Emission properties of heterostructures with (GaAsSb-InGaAs)/GaAs bilayer quantun well // Semiconductors. № 9. V. 47. 2013. P. 1219-1223.

Morozov S.V., Aleshkin V.Ya., Kryzhkov D.I., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V. Spectral-kinetic properties of heterostructures with GaAsSb/InGaAs/GaAs-based quantum well emitting in range 1.0-1.2 mkm // Semiconductors. № 11. V. 47. 2013. P. 1504-1507.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Истомин Л.А., Левичев С.Б. Влияние режима выращивания слоев квантовых точек InAs/GaAs в методе газофазной эпитаксии на их оптоэлектронные свойства // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия физическая.. № 4. 2013. С. 33-37.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 47. 2013. С. 1609-1612.

Volkova N.S., Gorshkov A.P., Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Optoelectronic properties of heteronanostructures with combined layers of In(Ga)As/GaAs quantum wells and dots // Semiconductors. № 12. V. 47. 2013. P. 1583-1586.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Drozdov Yu.N., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L. Properties of MnSb/GaAs Heterostructures // Bulletin of Russian Academy of Sciences. Physics. № 1. V. 77. 2013. P. 69-71.

2012

Труды (тезисы) конференции

Морозов С.М., Крыжков Д.И., Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Садофьев Ю.Г. Исследование спектров и кинетики ФЛ гетероструктур с КЯ GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs в области 1-1.3 мкм // «Нанофизика и наноэлектроника».Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород.. ННГУ, т1, 2. 2012. С. 316-317. [принято к печати]

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л. Необычные свойства гетероструктур MnSb/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. Т.1, 640 С. 2012. С. 111-112.

Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Bobrov A.I., Dunaev V.S., Pavlova E.D., Pitirimova E.A., Plankina S.M., Yakubov R.R., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Suchkov A.I. Structure, composition distribution and properties of the (Ga,Mn)Sb/GaAs and MnSb/GaAs heterosystems // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 2012. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 66-67.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Некоркин С.М. Полупроводниковые гетеролазеры с двухслойной квантовой ямой GaAsSb/InGaAs. // Труды XVI научной конференции по радиофизике. Н.Новгород: ННГУ. 2012. С. 51-52.

Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N. The carrier transport in the ferromagnetic quantum confined structures // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 116-117.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Получение и свойства гетеронаноструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. Т.1. 2012. С. 259-260.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L., Prokofyeva M.M., Vikhrova O.V. Ferromagnetic effect of delta-Mn doping in GaAs/InGaAs heterostructures: galvanomagnetic and luminescence studies // 20th Int.Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Nizhny Novgorod, Russia, June 24-30, 2012. St. Petersburg Academic University, 2012. 2012. P. 170-171.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Prokofeva M.M., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Ferromagnetic effect of deltaMn doping in GaAs/InGaAs heterostructures // 31st International Conference on the Physics of Semiconductors. Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd, 2012. 2012. P. 228.

Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Brum J.A., Mendes U.C., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Optical investigation of the Mn impurity band in Mn:GaAs structures // 31st International Conference on the Physics of Semiconductors. Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd, 2012. 2012. P. 250-251.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Влияние толщины спейсерного слоя GaAs между квантовой ямой InGaAs/GaAs и дельта-слоем Mn на гальваномагнитные и светоизлучающие свойства структур // Труды V Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Рязань: РГРТУ. Т.III. 2012. С. 219-223.

Публикации в научных журналах

Прокофьева М.М., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Кудрин А.В., Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Формирование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих ферромагнитные включения // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 255-258.

Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Plankina S.M., Dunaev V.S., Nezhdanov A.V., Drozdov Yu.N. Room-Temperature Ferromagnetism in (III,Mn)Sb Semiconductors // Solid State Phenomena. V. 190. 2012. P. 109-112.

Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Kudrin A.V., Zvonkov B.N. Ferromagnetic GaAs Structures with Single Mn Delta-Layer Fabricated Using Laser Deposition // Journal of nanoscience and nanotechnology. № 6. V. 12. 2012. P. 5122-5124.

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Планкина С.М., Дунаев В.С., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Сапожников М.В. Магнитный полупроводник (Ga,Mn)Sb как перспективный материал для приборов спинтроники // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 199-201.

Danilov Yu.A., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Kalentyeva I.L., Dunaev V.S. Manganese Distribution and Galvanomagnetic Properties of DeltaMn-Doped GaAs Structures // Journal of Spintronics and Magnetic Nanomaterials. № 1. V. 1. 2012. P. 82-84.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л. Диффузия марганца в InGaAs/GaAs квантово-размерных структурах // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.. № 6. 2012. С. 51-54.

Дунаев В.С., Звонков Б.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Сучков А.И. Состав и структурное совершенство нанослоев (AIII,Mn)BV и MnBV, где A – Ga, In; B – Sb, As, P // Неорганические материалы. № 6. Т. 48. 2012. С. 643-648.

Gan’shina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., Kun’kova Z.E., Temiryazeva M.P., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Novikov A.I., Vinogradov A.N. Peculiarities in optical and magneto-optical spectra of GaMnSb layers grown by laser ablation // Solid State Phenomena. V. 190. 2012. P. 562-565.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1527-1531.

Морозов С.В., Крыжков Д.И., Гавриленко В.И., Яблонский А.Н., Курицын Д.И., Гапонова Д.М., Садофьев Ю.Г., Звонков Б.Н., Вихрова О.В. Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной молярной долей сурьмы // ФТП. № 11. Т. 46. 2012. С. 1402-1407.

2011

Сборники статей

Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Алёшкин В.Я., Дубинов А.А. Особенности генерации лазерных диодов на квантовых ямах GaAsSb. // Сборник статей 8го Белорусско-Российского семинара Полупроводниковые лазеры и системы на их основе.. Минск: Институт физики им.Б.И.Степанова Национальной академии наук Беларуси,Т1,4. 2011.

Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Некоркин С.М. Особенности генерации лазерных диодов на квантовых ямах GaAsSb // Полупроводниковые лазеры и системы на их основе: Сборник статей 8-го Белорусско-Российского семинара, Минск, Беларусь, 17-20 мая 2011 г. Минск:: Институт физики им. Б.И. Степанова. 2011.

Труды (тезисы) конференции

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Kulakovskii V.D., Prokofyeva M.M., Vikhrova O.V., Zaitsev S.V., Zvonkov B.N. Electroluminescence of InGaAs/GaAs quantum size heterostructures with GaAs barrier modified by delta-Mn doping // Moscow International Symposium on Magnetism. August 21-25, 2011. Book of Abstracts. Moscow, 2011. 944 P.. 2011. P. 674.

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Планкина С.М., Дунаев В.С., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Сапожников М.В. Магнитный полупроводник (Ga,Mn)Sb как перспективный материал для приборов спинтроники // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г. Нижний Новгород. T.1. 670 C. 2011. С. 129-130.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л. Диффузия марганца в InGaAs/GaAs квантово-размерных структурах // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г. Нижний Новгород. Т.2. 670 С. 2011. С. 424-425.

Дунаев В.С., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н. Определение элементного состава нанослоев ферромагнитных полупроводников (III,Mn)V // Вторая школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. 19-21 мая 2011 г. Конспекты лекций и тезисы докладов. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2011. С. 94-95.

Суровегина Д.А., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Вихрова О.В. Исследование кристаллической структуры, магнитных, гальваномагнитных свойств слоев антимонидов галлия и индия, легированных марганцем // Вторая школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. 19-21 мая 2011 г. Конспекты лекций и тезисы докладов. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2011. С. 123-124.

Дунаев В.С., Звонков Б.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Сучков А.И. Определение состава и структурного совершенства нанослоев ферромагнитных полупроводников (AIII,Mn)BV и полуметаллических соединений типа MnBV // Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ и применение. XIV конференция и VI школа молодых ученых. Нижний Новгород, 30 мая – 2 июня 2011 года. Тезисы докладов. Нижний Новгород. 2011. С. 219.

Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Plankina S.M., Dunaev V.S., Nezhdanov A.V., Drozdov Yu.N. Room-temperature ferromagnetism in (III,Mn)Sb semiconductors // Moscow International Symposium on Magnetism. August 21-25, 2011. Book of Abstracts. Moscow. 944 P. 2011. P. 688.

Gan’shina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., Kun’kova Z.E., Temiryazeva M.P., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Novikov A.I., Vinogradov A.N. Peculiarities in optical and magneto-optical spectra of GaMnSb layers grown by laser ablation // Moscow International Symposium on Magnetism. August 21-25, 2011. Book of Abstracts. Moscow. 944 P. 2011. P. 719-720.

Danilov Yu.A., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Dunaev V.S., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Distribution of Mn and galvanomagnetic properties for deltaMn-doped GaAs structures // Moscow International Symposium on Magnetism. August 21-25, 2011. Book of Abstracts. Moscow. 944 P. 2011. P. 726.

Дунаев В.С., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н. Определение и анализ элементного состава нанослоев ферромагнитных полупроводников типа (III,Mn)V // Труды Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 12-16 сентября 2011 г. Рязань. Т.3. 2011. С. 222-226.

Звонков Б.Н., Бирюков А.А., Вихрова О.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Бузынин Ю.Н. Рост и свойства гетероструктур InGaAs/GaAs/Ge(буфер) на кремниевых подложках // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.1. – C.414 - 415.. 2011. С. 414-415.

Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Колесников М.Н. Двухчастотная генерация излучения в лазерных диодах на квантовых ямах GaAsSb. // Труды 15й научной конференции по радиофизике,посвященной 110й годовщине со дня рождения А.А. Андронова.. ННГУ,Т1,2. 2011. С. 36-37.

Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Некоркин С.М. Двухчастотная генерация излучения в лазерных диодах на квантовых ямах GaAsSb // Труды XV научной конференции по радиофизике, посвященной 110-й годовщине со дня рождения А.А. Андронова, Н.Новгород, 10-13 мая 2011 г. Н.Новгород: ННГУ. 2011. С. 47-48. [принято к печати]

Zaitsev S.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Magneto-optics of Ferromagnetic InGaAs/GaAs/deltaMn Heterostructures // AIP Conference Procedings. V.1399. 2011. P. 651-652.

Публикации в научных журналах

Gan’shina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., Kun’kova Z.E., Temiryazeva M.P., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Rubacheva A.D., Tcherbak P.N., Vinogradov A.N. On Nature of Resonant Transversal Kerr Effect in InMnAs and GaMnAs Layers // Solid State Phenomena. V. 168-1. 2011. P. 35-38.

Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Ferromagnetic Semiconductors and Half-Metal Compounds Obtained by Laser Deposition // Solid State Phenomena. V. 168-1. 2011. P. 245-248.

Gazoto A.L., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Brum J.A., Ribeiro E., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Enhanced magneto-optical oscillations from two-dimensional hole-gases in the presence of Mn ions // Applied Physics Letters. № 25. V. 98. 2011. P. 251901, 1-3.

Alaferdov A.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Drozdov Yu.N., Nicolodi S. Structure, magnetic and electrical properties of InMnAs layers with MnAs inclusions // Smart Nanomaterials. № 1. V. 2. 2011. P. 19-27.

Васин А.С., Вихрова О.В., Василевский М.И. Расчет спектров комбинационного рассеяния света сплава Si1-xGex . // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 5(1). 2011. С. 62-68.

Патенты, авторские свидетельства

2018

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Калентьева И.Л. Способ определения знака циркулярной поляризации света и детектор для его осуществления (Патент).

2017

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Шарапов А.Н. Способ имитационного тестирования стойкости приборной структуры к облучению быстрыми нейтронами (варианты) (Патент).

2016

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Калентьева И.Л. Светоизлучающий диод на основе гетероструктуры второго рода (Патент).

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского