Ведь Михаил Владиславович

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория спиновой и оптической электроники

младший научный сотрудник

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория спиновой и оптической электроники

научный сотрудник

Передовая инженерная школа

Научно-образовательное отделение радиофотоники и оптоэлектроники

научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 10 лет, 1 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
магистр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.

Высшее образование
бакалавр. Специальность: нанотехнология. Квалификация: бакалавр.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2024

Труды (тезисы) конференции

Калентьева И.Л., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Здоровейщев Д.А., Демина П.Б., Ведь М.В., Кудрин А.В., Татарский Д.А., Темирязева М.П., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Трушин В.Н., Орлова А.Н., Темирязев А.Г., Садовников А.В. Формирование различных топологических магнитных состояний в тонких ферромагнитных пленках Co/Pd // Труды XXVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 1-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — 560 с.. 2024. С. 248-249.

Публикации в научных журналах

Малышева Е.И., Демина П.Б., Ведь М.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Байдусь Н.В., Трушин В.Н. Модификация функциональных характеристик спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt // Physics of the Solid State. Т. 66. 2024. С. 184-189.

Dorokhin M.V., Vedy M.V., Kalentyeva I.L., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Zdoroveishchev D.A., Kudrin A.V., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G., Tatarskii D.A., Trushin V.N., Orlova A.N., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Sadovnikov A.V. Exotic Topological Magnetic States in Thin Co/Pd Ferromagnetic Films // Annalen der Physik. V. 536. 2024. P. 2300480.

Dorokhin M.V., Kuznetsov Yu.M., Demina P.B., Erofeeva I.V., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V., Zdoroveishchev D.A., Zavrazhnov A.Yu., Nekrylov I.N., Peshcherova S.M., Presnyakov R.V., Sakharov N.V. Application of the Bridgman Method to Obtain Thermoelectric Silicon Doped with Germanium and Phosphorus // Inorganic Materials. V. 15. 2024. P. 289-295.

Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Yakovleva A.A., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Vedy M.V. The features of magnetotransport properties of the Mn δ-doped GaAs structure with multiple conduction channels // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 609. 2024. P. 172463.

2023

Труды (тезисы) конференции

Ведь М.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Демина П.Б., Здоровейщев Д.А., Дудин Ю.А., Котомина В.Е., Калентьева И.Л. Детектор магнитного поля на основе магнитоуправляемого спинового светодиода // Труды XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта 2023 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т.1. 2023. С. 209-210.

Dorokhin M.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Lesnikov V.P., Kuznetsov Yu.M., Vedy M.V., Zdoroveishchev D.A. Magnetotransport properties of transition metal silicides // Book of abstract V International Baltic Conference on Magnetism 2023 (IBCM-2023), 20-24 august. Svetlogorsk: BFU. 2023. P. 81.

Публикации в научных журналах

Dorokhin M.V., Kuznetsov Yu.M., Demina P.B., Erofeeva I.V., Zavrazhnov A. Yu., Boldin M.S., Lantsev E.A., Popov A.A., Boryakov A.V., Zdoroveyshchev A.V., Vedy M.V., Zdoroveyshchev D.A., Korotkova M.G. High-efficiency spark plasma sintered Ge0.3Si0.7:P thermoelectric energy converters with silicone phosphide as a source of phosphorus doping // Nanoscale and Microscale Thermophysical Engineering. № 27. V. 2. 2023. P. 125-134.

Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Демина П.Б., Ерофеева И.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В., Здоровейщев Д.А., Завражнов А.Ю., Некрылов И.Н., Пещерова С.М., Пресняков Р.В., Сахаров Н.В. Применение метода Бриджмена для получения термоэлектрического кремния, легированного германием и фосфором // Перспективные материалы. № 9. 2023. С. 26-35.

2022

Труды (тезисы) конференции

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Вихрова О.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором GaAs:Fe // Материалы XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14-17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т. 1, 643 с.. 2022. С. 197-198.

Дорохин М.В., Демина П.Б., Ведь М.В., Хомицкий Д.В., Кабаев К.С., Звонков Б.Н., Balanta M.A.G., Iikawa F. Циркулярно-поляризованная фотолюминесценция в наноструктурах InGaAs/GaAs, дельта-легированных Mn // Материалы XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14-17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т. 1, 643 с.. 2022. С. 228-229.

Дорохин М.В., Ведь М.В., Дикарева Н.В., Демина П.Б., Здоровейщев Д.А., Болдин М.С., Воронин А.В. Люминесцентные свойства наноструктурированного объемного кремния // Материалы XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14-17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т. 2, 501 с.. 2022. С. 772-773.

Здоровейщев Д.А., Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Демина П.Б., Ерофеева И.В., Здоровейщев А.В., Завражнов А.Ю., Ведь М.В., Воронин А.В. Способ легирования фосфором GexSi1-x в методе электроимпульсного плазменного спекания // Материалы XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14-17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т. 2, 501 с.. 2022. С. 808-809.

Короткова М.Г., Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Демина П.Б., Ерофеева И.В., Ведь М.В., Воронин А.В. Исследование теплопроводности твердых растворов Si1-xGex, полученных методом электроимпульсного плазменного спекания // Материалы XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14-17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т. 2, 501 с.. 2022. С. 854-855.

Kuznetsov Yu.M., Dorokhin M.V., Demina P.B., Erofeeva I.V., Zdoroveishchev A.V., Zavrazhnov A.Yu., Ved M.V., Zdoroveishchev D.A., Voronin A.V. Method of GexSi1-x doping with phosphorus in the spark plasma sintering process // IX International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (SPB-OPEN), 24-27 may. Sankt-Peterburg: HSE University. 2022. P. 486-487.

Кузнецов Ю.М., Дорохин М.В., Демина П.Б., Ерофеева И.В., Здоровейщев А.В., Завражнов А. Ю., Ведь М.В., Воронин А.В. Термоэлектрические свойства GexSi1-x, легированного из источника фосфида кремния // Сборник тезисов XV Российской конференции по физике полупроводников, 3-7 октября. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2022. С. 28.

Ved M.V., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Demina P.B., Zdoroveishchev D.A., Dudin Yu.A., Kotomina V.E. Spin light-emitting diode with intensity modulation // Book of abstracts. 9th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, 24-27 May 2022, Saint-Petersburg, Russia.. 2022 National Research University Higher School of Economics - St. Petersburg and individual contributors. 2022. P. 144-145.

Vedy M.V., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Demina P.B., Zdoroveishchev D.A., Dudin Yu.A., Kotomina V.E. Spin light-emitting diode with intensity control // Book of abstracts: VIII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EASTMAG-2022», August 22–26, 2022, Kazan, Russia.. Zavoisky Physical-Technical Institute FRC Kazan SC RAS. 2022. P. 189-190.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Демина П.Б., Здоровейщев Д.А., Дудин Ю.А., Котомина В.Е. Спиновый светодиод с модуляцией интенсивности // Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников, 3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород.. Институт физики микроструктур РАН, 451с.. 2022. С. 196.

Дорохин М.В., Ведь М.В., Дикарева Н.В., Демина П.Б., Здоровейщев Д.А., Болдин М.С., Воронин А.В. Люминесценция наноструктурированного кремния // Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников, 3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород.. Институт физики микроструктур РАН, 451с.. 2022. С. 15.

Публикации в научных журналах

Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Kalentyeva I.L., Vergeles P.S., Yakimov E.B., Lesnikov V.P., Zvonkov B.N., Vedy M.V., Danilov Yu.A., Zdoroveishchev A.V. GaAs diodes for TiT2-based betavoltaic cells // Applied Radiation and Isotopes. № 11. V. 179. 2022. P. 110030.

Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L., Vedy M.V., Trushin V.N., Tatarskii D.A. Manipulation of micromagnetic structure of thin Co/Pt multilayer films by precise variation of Co and Pt thicknesses // Journal of Alloys and Compounds. № 926. 2022. P. 166956.

Filatov D.O., Titova A.M., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Vedy M.V., Zaitsev A.V., Sushkov A.A., Alyabina N.A. Epitaxial n+-Ge/p+-Si(001) heterostructures with ultra sharp doping profiles for light emitting diode applications // Materials Science and Engineering: B. № 11. V. 289. 2022. P. 116219.

2021

Труды (тезисы) конференции

Дорохин М.В., Демина П.Б., Ведь М.В., Звонков Б.Н., Iikawa F., Balanta M.A.G. Циркулярно-поляризованная фотолюминесценция наногетероструктур InGaAs/GaAs/дельтаMn // Труды XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 9–12 марта 2021 г., Нижний Новгород.. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1, 521 с.. 2021. С. 158-159.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb // Труды XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 9–12 марта 2021 г., Нижний Новгород.. Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т.1, 521 с.. 2021. С. 134-135.

Дорохин М.В., Ведь М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Лесников В.П. Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (A3,Fe)B5/GaAs // Труды XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 9–12 марта 2021 г., Нижний Новгород.. Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т.1, 521 с.. 2021. С. 156-157.

Здоровейщев А.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Дудин Ю.А., Здоровейщев Д.А., Котомина В.Е., Кузнецов Ю.М., Кудрин А.В. Магнеторезистивный светоизлучающий диод с токовым управлением // Труды XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 9–12 марта 2021 г., Нижний Новгород.. Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т.1, 521 с.. 2021. С. 168-169.

Лесников В.П., Ведь М.В., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Крюков Р.Н. Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными A3FeB5 областями разного типа проводимости // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.). Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета,2021. - Том 1. – 521с.. 2021. С. 187-188.

Vedy M.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Kotomina V.E., Kudrin A.V., Kuznetsov Yu.M., Zdoroveishchev A.V., Zdoroveishchev D.A. Switching of magnetoresistive light-emitting diode by external magnetic field // Book of Abstracts «The 4th International Baltic Conference on Magnetism» IBCM-2021, August 29 - September 2 2021, Svetlogorsk, Russia.. Immanuel Kant Baltic Federal University. 226 с.. 2021. P. 43.

Danilov Yu.A., Demina P.B., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Vedy M.V., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Zvonkov B.N. Circularly polarized luminescence of GaAs/InGaAs spin light-emitting diodes with CoPt/Al2O3/C injector // Book of Abstracts «The 4th International Baltic Conference on Magnetism» IBCM-2021, August 29 - September 2 2021, Svetlogorsk, Russia.. Immanuel Kant Baltic Federal University. 226 c.. 2021. P. 112.

Vedy M.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Kudrin A.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A. Room temperature circularly polarized electroluminescence in heterostructures based on a diluted magnetic semiconductor // Book of Abstracts «The 4th International Baltic Conference on Magnetism» IBCM-2021, August 29 - September 2 2021, Svetlogorsk, Russia.. Immanuel Kant Baltic Federal University. 226с.. 2021. P. 211.

Ved M.V., Demina P.B., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Kuznetsov Yu.M., Zdoroveishchev A.V., Zdoroveishchev D.A. Magnetoresistive current driven light-emitting diode // Book of abstract VIII International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (SPB OPEN-2021). Sankt Peterburg: HSE University. 2021. P. 163-164.

Публикации в научных журналах

Vedy M.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Dorokhin M.V., Dudin Yu.A., Kotomina V.E., Kudrin A.V., Kuznetsov Yu.M., Zdoroveishchev A.V., Zdoroveishchev D.A. Switching of magnetoresistive light-emitting diode by external magnetic field // Applied Physics Letters. V. 118. 2021. P. 092402.

Kuznetsov Yu.M., Dorokhin M.V., Nezhdanov A.V., Zdoroveishchev D.A., Lesnikov V.P., Vedy M.V. Formation of the β-FeSi2 phase by pulsed laser deposition // Journal of Physics: Conference Series. V. 1851. 2021. P. 012007.

Lesnikov V.P., Vedy M.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kalentyeva I.L., Kudrin A.V., Kryukov R.N. Diode Heterostructures with Narrow-Gap Ferromagnetic A3FeB5 Semiconductors of Various Conduction Type // Physics of the Solid State. № 7. V. 53. 2021. P. 998-1005.

Dorokhin M.V., Vedy M.V., Demina P.B., Khomitskii D.V., Kabaev K.S., Balanta M.A.G., Iikawa F., Zvonkov B.N. Role of resident electrons in the manifestation of a spin polarization memory effect in Mn delta-doped GaAs heterostructures // Physical Review B. V. 104. 2021. P. 125309.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Кудрин А.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. Циркулярно поляризованная электролюминесценция при комнатной температуре в гетероструктурах на основе разбавленного магнитного полупроводника GaAs:Fe // Technical Physics Letters. № 20. Т. 41. 2021. С. 38-41.

Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Kalentyeva I.L., Vergeles P.S., Yakimov E.B., Lesnikov V.P., Zvonkov B.N., Vedy M.V., Danilov Yu.A., Zdoroveishchev A.V. GaAs diodes for TiT2-based betavoltaic cells // Applied Radiation and Isotopes. V. 179. 2021. P. 110030.

2020

Труды (тезисы) конференции

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Исследование гетероструктур (А3Fe)В5/GaAs как элементов спинового светоизлучающего диода // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIV Международного симпозиума, 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1, 469 с.. 2020. С. 161-162.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Демина П.Б. Использование разбавленных магнитных полупроводников в качестве элементов спиновых светоизлучающих диодов // Программа и тезисы докладов XXIII Уральской международной зимней школы по физике полупроводников UIWSPS-2020, 17-22 февраля 2020 г., Екатеринбург. Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 212 с.. 2020. С. 121-122.

Данилов Ю.А., Ведь М.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Ковальский В.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Юнин П.А., Андреев А.М. Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs структур // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума. 10-13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2020. С. 545-546.

Vedy M.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Demina P.B. Diluted magnetic semiconductors as elements of spin light emitting diodes // Тезисы докладов VII Международной молодежной научной конференции, посвященной 100-летию Уральского федерального университета «Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2020», Екатеринбург, 18-22 мая 2020 г.. Екатеринбург: УрФУ, 2020.. 2020. P. 371-372.

Vedy M.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Kudrin A.V. Study of (A3,Fe)B5/GaAs heterostructures as elements of a spin light-emitting diode // Book of abstracts: 7th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures «Saint Petersburg OPEN 2020», April 26-30, 2020, Saint Petersburg, Russia.. St. Petersburg Academic University, 537р.. 2020. P. 406-407.

Публикации в научных журналах

Dorokhin M.V., Demina P.B., Malysheva E.I., Kudrin A.V., Vedy M.V., Zdoroveishchev A.V. Long-Range Magnetic Interaction in InGaAs/GaAs/ δ-Mn Heterostructures // Technical Physics Letters. № 1. V. 46. 2020. P. 87-90.

Vedy M.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Kudrin A.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Milin V.E., Danilov Yu.A. Circularly Polarized Electroluminescence of Spin LEDs with a Ferromagnetic (In, Fe)Sb Injector // Technical Physics Letters. № 7. V. 46. 2020. P. 17-20.

Данилов Ю.А., Ведь М.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Ковальский В.А., Крюков Р.Н., Кудрин А.В., Лесников В.П., Юнин П.А., Андреев А.М. Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур // Semiconductors. № 9. Т. 54. 2020. С. 868-872.

Дорохин М.В., Демина П.Б., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Кузнецов Ю.М., Ведь М.В., Iikawa F., Balanta M.A.G. Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs:Cr/GaAs // Semiconductors. № 10. Т. 54. 2020. С. 1139-1144.

Dorokhin M.V., Demina P.B., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Kuznetsov Yu.M., Vedy M.V., Iikawa F., Balanta M.A.G. Time-Resolved Photoluminescence in Heterostructures with InGaAs:Cr/GaAs Quantum Wells // Semiconductors. № 10. V. 54. 2020. P. 1341-1346.

Kuznetsov Yu.M., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vedy M.V., Lesnikov V.P. Anomalous Nernst-Ettingshausen effect in diluted magnetic semiconductors // Journal of Physics: Conference Series. № 1695. 2020. P. 012145.

2019

Труды (тезисы) конференции

Кудрин А.В., Лесников В.П., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Милин В.Е., Ведь М.В., Кузнецов Ю.М., Крюков Р.Н. Создание эпитаксиальных гетероструктур на основе магнитных полупроводников (In,Fe)Sb и (Ga,Fe)Sb // Сборник тезисов XXIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 11-14 марта. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 229-230.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Люминесцентные свойства и получение диодов (In,Fe)Sb/GaAs/InGaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2019. С. 618-619.

Демина П.Б., Дорохин М.В., Буданов А.В., Ведь М.В., Вихрова О.В., Власов Ю.Н., Здоровейщев А.В., Котов Г.И., Крюков Р.Н., Кудрин А.В. Селенид галлия как пассивирующий слой в спиновых светоизлучающих диодах на основе наногетероструктур GaAs/InGaAs // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIII Международного симпозиума, 11–14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 185-186.

Vedy M.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Kudrin A.V. Circularly polarized electroluminescence of spin light-emitting diodes based on (In,Fe)Sb ferromagnetic injector // Book of аbstracts «The 3rt International Baltic Conference on Magnetism: nanobiomedicine and smart materials. IBCM 2019», Kaliningrad, Russia 18-22 August, 2019.. Immanuel Kant Baltic Federal University. 189 с.. 2019. P. 171.

Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В., Кудрин А.В., Буданов А.В., Власов Ю.Н., Котов Г.И., Крюков Р.Н., Вихрова О.В. Модифицирование границы раздела металл/полупроводник в спиновых светоизлучающих диодах СoPt/(In)GaAs // Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск. М. Издательство Перо. Т.2. 272 с.. 2019. С. 288.

Прохоров Д.С., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Здоровейщев А.В., Ведь М.В., Дорохин М.В., Рыков А.В., Байдакова Н.А., Зайцев А.В. Светоизлучающие структуры на основе слоев Ge/Si(001), выращенных методом HW CVD, для кремниевой оптоэлектроники // Сборник трудов ИТНТ-2019, V Международная конференция и молодежная школа «Информационные технологии и нанотехнологии». Самара: Изд-во Новая техника, 2019. Т. 1. Компьютерная оптика и нанофотоника. 761 с. 2019. С. 406-410.

Vedy M.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A. Study of spin light-emitting diodes based on InGaAs/GaAs structures with (In,Fe)Sb injector // Joint European Magnetic Symposia, 26-30 August 2019. Uppsala, Sweden. 2019. P. 1045-1046.

Дорохин М.В., Ведь М.В., Демина П.Б., Кузнецов Ю.М., Ерофеева И.В., Болдин М.С., Ланцев Е.А., Попов А.А., Боряков А.В. Получение методом электроимпульсного плазменного спекания и исследование свойств нового функционального наноматериала, содержащего наночастицы Si в матрице SiO2 // Сборник тезисов Конференции с международным участием «Электронно-лучевые технологии» (КЭЛТ-2019), 30 сентября - 3 октября. Черноголовка: «Богородский печатник». 2019. С. 150.

Филатов Д.О., Прохоров Д.С., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Здоровейщев А.В., Чалков В.Ю., Ведь М.В., Дорохин М.В., Степихова М.В. Усиленная фотолюминесценция сильнолегированных слоев Ge/Si(001) n-типа проводимости // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 11-14 марта 2019). Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2019. Т.2. 416 с. 2019. С. 4Ср 40.

Публикации в научных журналах

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Trushin V.N., Zaitsev A.V., Prokhorov D., Filatov D.O., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Buzynin Yu. Ultra-high phosphorus-doped epitaxial Ge layers grown by HWCVD method on Si substrates // Materials Science in Semiconductor Processing. V. 100. 2019. P. 175-178.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs // Письма в Журнал технической физики. № 13. Т. 45. 2019. С. 33-36.

Kukushkin V.A., Lobaev M.A., Bogdanov S.A., Stepanov A.N., Kraev S.A., Okhapkin A.I., Arkhipova E.A., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V. Visible and near-infrared photodetector on chemically vapor deposited diamond // Diamond and Related Materials. № 8. V. 97. 2019. P. 107444.

Dorokhin M.V., Gavva V.A., Vedy M.V., Demina P.B., Kuznetsov Yu.M., Erofeeva I.V., Nezhdanov A.V., Boldin M.S., Lantsev E.A., Popov A.A., Trushin V.N., Vikhrova O.V., Boryakov A.V., Yakimov E.B., Tabakov N.Yu. New functional material: spark plasma sintered Si/ SiO2 nanoparticles – fabrication and properties // RSC Advances. V. 9. 2019. P. 16746-16753.

Vedy M.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Kudrin A.V. Fabrication and luminescent properties of (In,Fe)Sb/GaAs/InGaAs diodes // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012053, 1-4.

Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Trushin V.N., Zaitsev A.V., Prokhorov D.V., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Buzynin Yu.I. Ultra-high phosphorus-doped epitaxial Ge layers grown by HWCVD method on Si substrates // Materials Science in Semiconductor Processing. V. 100. 2019. P. 175-178.

Filatov D.O., Prokhorov D.S., Shengurov V.G., Denisov S.A., Zdoroveishchev A.V., Chalkov V.Yu., Zaitsev A.V., Vedy M.V., Dorokhin M.V., Baidakova N.A. Enhanced Photoluminescence of Heavily Doped n-Ge/Si(001) Layers // Semiconductors. № 9. V. 53. 2019. P. 1262–1265.

2018

Сборники статей

Демина П.Б., Ведь М.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В. Модифицирование границы раздела металл/полупроводник в спиновых светоизлучающих диодах СoPt/(In)GaAs // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1. 2018. С. 184-185.

Труды (тезисы) конференции

Здоровейщев А.В., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Ведь М.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотолюминесценция сильнолегированных фосфором эпитаксиальных слоёв Ge на Si (001) // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. 2 С.. 2018. С. 627-628.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InFeSb/GaAs/InGaAs // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород... Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1.. 2018. С. 154-155.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Парафин А.Е., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путём постростовых воздействий // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1.. 2018. С. 220-221.

Ved M., Malysheva E., Dorokhin M., Zdoroveyshchev A., Danilov Yu., Parafin A. Enhancement the operating temperature of spin light-emitting diodes based on dilute magnetic semiconductors // Book of Abstracts of 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, April 2-5, 2018, Saint Petersburg, Russia. St. Petersburg Academic University. 2018. P. 469-470.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Рыков А.В., Ведь М.В., Белкин М.А., Темирязева М.П., Темирязев А.Г. Свойства и применение пленок типа «ферромагнетик/тяжелый металл» в приборах спинтроники // Труды Х Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 01-06 октября 2018г., Рязань. Т.1. 2018. С. 64-84.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Биполярная инжекция в спиновых светоизлучающих диодах, содержащих слои разбавленных магнитных полупроводников InFeSb // «НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОФОТОНИКА И НЕЛИНЕЙНАЯ ФИЗИКА».. Сборник трудов XIII Всероссийской конференции молодых ученых, 04-06 сентября 2018 г. Саратов.. 2018. С. 41.

Кудрин А.В., Лесников В.П., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Милин В.Е., Ведь М.В., Крюков Р.Н., Кузнецов Ю.М. Формирование эпитаксиальных p-i-n структур на основе магнитных полупроводников (In,Fe)Sb и (Ga,Fe)Sb // Сборник тезисов Х Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 1-6 октября. Рязань: ФГБОУ ВО «Рязанский государственный радиотехнический университет». Т. 3. 2018. С. 161-164.

Кудрин А.В., Лесников В.П., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Ведь М.В., Крюков Р.Н., Кузнецов Ю.М. Формирование эпитаксиальных P-I-N структур на основе магнитных полупроводников (In,Fe)Sb и (Ga,Fe)Sb // Сборник тезисов XX Всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 26-30 ноября. Санкт-Петербург: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. 2018. С. 27.

Публикации в научных журналах

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Парафин А.Е., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий // Физика твердого тела. № 11. Т. 60. 2018. С. 2141-2146.

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Vergeles P.S., Kovalskiy V.A., Yakimov E.B., Ved' M.V., Baidus N.V., Zdoroveyshchev A.V., Shengurov V.G., Denisov S.A. Structural investigation of light-emitting A3B5 structures grown on Ge/Si(100) substrate // Journal of Physics: Conference Series. № 1124. 2018. P. 022037.

Ved M.V., Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Parafin A.E., Kuznetsov Yu.M. On the mechanism of spin-polarized injection in (Ga,Mn)As/n+GaAs/InGaAs Zener tunnel diode // Journal of Physics: Conference Series. № 1124. 2018. P. 061005.

2017

Труды (тезисы) конференции

Демина П.Б., Ведь М.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Хомицкий Д.В. Методы управление спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. Электронный адрес публикации: http://nanosymp.ru/UserFiles/Symp/2017_v1.pdf. 2017. С. 175-176.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Ведь М.В. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетерострукутр InGaAs/GaAs/δMn // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. 2017. С. 205-206.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Температурная стабилизация спиновых светодиодов с инжектором CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. 2017. С. 230-231.

Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Kudrin A.V., Demina P.B., Danilov Yu.A., Vedy M.V., Zdoroveishchev A.V. Electrical spin injection in InFeSb/GaAs ferromagnetic heterostructures // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 868.

Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Kalentyeva I.L., Vedy M.V. Circularly polarized light detector based on MDP structure of CoPt/(Al2O3/SiO2/Al2O3)/InGaAs/GaAs // Book of abstracts III International conference on Modern problems in physics of surfaces and nanostructures, 9-11 october 2017, Yaroslavl, Russia.. Yaroslavl Demidov State University, 121p.. 2017. P. 59.

Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. Детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП структуры CoPt/(Al2O3/SiO2)/InGaAs/GaAs // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников, 2-6 октября 2017, Екатеринбург.. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2017.. 2017. С. 268.

Публикации в научных журналах

Dorokhin M.V., Ved' M.V., Malysheva E.I., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Danilov Yu.A. Room temperature spin injection in a light-emitting diode based on a GaMnSb/n-GaAs/InGaAs tunnel junction // Journal of Physics: Conference Series. V. 816. 2017. P. 012035.

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Ved' M.V. Temperature stabilization of spin-LEDs with a CoPt injector // Journal of Physics: Conference Series. V. 816. 2017. P. 012034.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/deltaMn // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2142-2147.

Дорохин М.В., Ведь М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Рыков А.В., Кузнецов Ю.М. Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2135-2141.

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Демина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2203-2205.

Ved M.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Rykov A.V., Kuznetsov Yu.M. Methods for spin injection managing in InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt spin light-emitting diodes // Physics of the Solid State. № 11. V. 59. 2017. P. 2155-2161.

2016

Труды (тезисы) конференции

Дорохин М.В., Бобров А.И., Ведь М.В., Павлов Д.А., Лесников В.П., Ерофеева И.В., Демина П.Б., Малышева Е.И., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Эпитаксиальный слой MnGa – перспективный материал для практического применения в полупроводниковых приборах // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 435с. 2016. С. 564-565.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(A3,Mn)B5 и InGaAs/n+-GaAs/(A3,Mn)B5 // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобаческого, Т. 1: Секция 2. 2016. С. 229-231.

Публикации в научных журналах

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/n+-GaAs/(Ga,Mn)As // Физика твердого тела. № 11. Т. 58. 2016. С. 2190.

Malysheva E.I., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V. Tunneling and Injection in Ferromagnetic Structures InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As and InGaAs/n+-GaAs/(Ga,Mn)As // Physics of the Solid State. № 11. V. 58. 2016. P. 2271-2276.

2015

Труды (тезисы) конференции

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. С. 168-169.

Ведь М.В., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Крюков Р.Н., Кудрин А.В. Электронно-лучевое послойное осаждение CoPt на поверхность InGaAs/GaAs гетероструктуры // Тезисы докладов XV Всероссийской конференции и VIII школы молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы: получение, анализ, применение», Нижний Новгород 26-29 мая 2015г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. С.113.. 2015. С. С.113.

Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Demina P.B., Vedy M.V. Room temperature spin injection in GaMnSb/GaAs/InGaAs spin light-emitting diodes // Proceedings International Conference «Spin physics, spin chemistry and spin technology» June 1-5, 2015, St. Petersburg, Russia.. 2015. P.70.. 2015. P. P.70.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В. Формирование ферромагнитных слоев спиновых светоизлучающих диодов на основе GaAs методом импульсного лазерного осаждения // Тезисы докладов XV Всероссийской конференции и VIII школы молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы: получение, анализ, применение», Нижний Новгород 26-29 мая 2015г.. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. С.113.. 2015.. 2015. С. 199.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция диодов Зеннера на основе наноструктур InGaAs/GaAs/(A3,Mn)B5 // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10 – 14 марта 2015 г. Нижний Новгород, 2015.. Из-во ННГУ им.Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 2015. Т.1.. 2015. С. 184-185.

Публикации в научных журналах

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1649-1653.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/(A III,Mn)BV на основе структур с туннельным барьером // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1497-1500.

Zdoroveishchev A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Vedy M.V., Danilov Yu.A., Erofeeva I.V., Kryukov R.N., Nikolichev D.E. CoPt Ferromagnetic Injector in Light-Emitting Schottky Diodes Based on InGaAs/GaAs Nanostructures // Semiconductors. № 12. V. 49. 2015. P. 1601-1604.

Malysheva E.I., Dorokhin M.V., Vedy M.V., Kudrin A.V., Zdoroveishchev A.V. Circularly Polarized Electroluminescence of Light-Emitting InGaAs/GaAs (III/Mn)V Diodes on the Basis of Structures with a Tunnelling Barrier // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1497-1500.

2014

Труды (тезисы) конференции

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция диодов с туннельным барьером GaMnAs/n+GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVIII международного симпозиума. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского Том 1.. 2014. С. 160-162.

Контакты

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского