Ведь Михаил Владиславович

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория спиновой и оптической электроники

младший научный сотрудник

Ученая степень
нет
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 5 лет, 9 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Магистр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.

Высшее образование
Бакалавр. Специальность: нанотехнология. Квалификация: бакалавр.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2020

Труды (тезисы) конференции

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Исследование гетероструктур (А3Fe)В5/GaAs как элементов спинового светоизлучающего диода // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIV Международного симпозиума, 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1, 469 с.. 2020. С. 161-162.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Демина П.Б. Использование разбавленных магнитных полупроводников в качестве элементов спиновых светоизлучающих диодов // Программа и тезисы докладов XXIII Уральской международной зимней школы по физике полупроводников UIWSPS-2020, 17-22 февраля 2020 г., Екатеринбург. Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 212 с.. 2020. С. 121-122.

Данилов Ю.А., Ведь М.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Ковальский В.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Юнин П.А., Андреев А.М. Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs структур // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума. 10-13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2020. С. 545-546.

Публикации в научных журналах

Dorokhin M.V., Demina P.B., Malysheva E.I., Kudrin A.V., Vedy M.V., Zdoroveishchev A.V. Long-Range Magnetic Interaction in InGaAs/GaAs/ δ-Mn Heterostructures // Technical Physics Letters. № 1. V. 46. 2020. P. 87-90.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Кудрин А.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Милин В.Е., Данилов Ю.А. Циркулярно поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb // Письма в Журнал технической физики. Т. 46. 2020. С. 17-20.

2019

Труды (тезисы) конференции

Кудрин А.В., Лесников В.П., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Милин В.Е., Ведь М.В., Кузнецов Ю.М., Крюков Р.Н. Создание эпитаксиальных гетероструктур на основе магнитных полупроводников (In,Fe)Sb и (Ga,Fe)Sb // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 229-230.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Люминесцентные свойства и получение диодов (In,Fe)Sb/GaAs/InGaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2019. С. 618-619.

Демина П.Б., Дорохин М.В., Буданов А.В., Ведь М.В., Вихрова О.В., Власов Ю.Н., Здоровейщев А.В., Котов Г.И., Крюков Р.Н., Кудрин А.В. Селенид галлия как пассивирующий слой в спиновых светоизлучающих диодах на основе наногетероструктур GaAs/InGaAs // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIII Международного симпозиума, 11–14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 185-186.

Vedy M.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Kudrin A.V. Circularly polarized electroluminescence of spin light-emitting diodes based on (In,Fe)Sb ferromagnetic injector // Book of аbstracts «The 3rt International Baltic Conference on Magnetism: nanobiomedicine and smart materials. IBCM 2019», Kaliningrad, Russia 18-22 August, 2019.. Immanuel Kant Baltic Federal University. 189 с.. 2019. P. 171.

Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В., Кудрин А.В., Буданов А.В., Власов Ю.Н., Котов Г.И., Крюков Р.Н., Вихрова О.В. Модифицирование границы раздела металл/полупроводник в спиновых светоизлучающих диодах СoPt/(In)GaAs // Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск. М. Издательство Перо. Т.2. 272 с.. 2019. С. 288.

Прохоров Д.С., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Здоровейщев А.В., Ведь М.В., Дорохин М.В., Рыков А.В., Байдакова Н.А., Зайцев А.В. Светоизлучающие структуры на основе слоев Ge/Si(001), выращенных методом HW CVD, для кремниевой оптоэлектроники // Сборник трудов ИТНТ-2019, V Международная конференция и молодежная школа «Информационные технологии и нанотехнологии». Самара: Изд-во Новая техника, 2019. Т. 1. Компьютерная оптика и нанофотоника. 761 с. 2019. С. 406-410.

Vedy M.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A. Study of spin light-emitting diodes based on InGaAs/GaAs structures with (In,Fe)Sb injector // Joint European Magnetic Symposia, 26-30 August 2019. Uppsala, Sweden. 2019. P. 1045-1046.

Публикации в научных журналах

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Trushin V.N., Zaitsev A.V., Prokhorov D., Filatov D.O., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Buzynin Yu. Ultra-high phosphorus-doped epitaxial Ge layers grown by HWCVD method on Si substrates // Materials Science in Semiconductor Processing. V. 100. 2019. P. 175-178.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs // Письма в Журнал технической физики. № 13. Т. 45. 2019. С. 33-36.

Kukushkin V.A., Lobaev M.A., Bogdanov S.A., Stepanov A.N., Kraev S.A., Okhapkin A.I., Arkhipova E.A., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V. Visible and near-infrared photodetector on chemically vapor deposited diamond // Diamond and Related Materials. № 8. V. 97. 2019. P. 107444.

Dorokhin M.V., Gavva V.A., Vedy M.V., Demina P.B., Kuznetsov Yu.M., Erofeeva I.V., Nezhdanov A.V., Boldin M.S., Lantsev E.A., Popov A.A., Trushin V.N., Vikhrova O.V., Boryakov A.V., Yakimov E.B., Tabakov N.Yu. New functional material: spark plasma sintered Si/ SiO2 nanoparticles – fabrication and properties // RSC Advances. V. 9. 2019. P. 16746-16753.

Vedy M.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Kudrin A.V. Fabrication and luminescent properties of (In,Fe)Sb/GaAs/InGaAs diodes // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012053, 1-4.

2018

Сборники статей

Демина П.Б., Ведь М.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В. Модифицирование границы раздела металл/полупроводник в спиновых светоизлучающих диодах СoPt/(In)GaAs // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1. 2018. С. 184-185.

Труды (тезисы) конференции

Здоровейщев А.В., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Ведь М.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотолюминесценция сильнолегированных фосфором эпитаксиальных слоёв Ge на Si (001) // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. 2 С.. 2018. С. 627-628.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InFeSb/GaAs/InGaAs // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород... Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1.. 2018. С. 154-155.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Парафин А.Е., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путём постростовых воздействий // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1.. 2018. С. 220-221.

Ved M., Malysheva E., Dorokhin M., Zdoroveyshchev A., Danilov Yu., Parafin A. Enhancement the operating temperature of spin light-emitting diodes based on dilute magnetic semiconductors // Book of Abstracts of 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, April 2-5, 2018, Saint Petersburg, Russia. St. Petersburg Academic University. 2018. P. 469-470.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Рыков А.В., Ведь М.В., Белкин М.А., Темирязева М.П., Темирязев А.Г. Свойства и применение пленок типа «ферромагнетик/тяжелый металл» в приборах спинтроники // Труды Х Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 01-06 октября 2018г., Рязань. Т.1. 2018. С. 64-84.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Биполярная инжекция в спиновых светоизлучающих диодах, содержащих слои разбавленных магнитных полупроводников InFeSb // «НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОФОТОНИКА И НЕЛИНЕЙНАЯ ФИЗИКА».. Сборник трудов XIII Всероссийской конференции молодых ученых, 04-06 сентября 2018 г. Саратов.. 2018. С. 41.

Публикации в научных журналах

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Парафин А.Е., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий // Физика твердого тела. № 11. Т. 60. 2018. С. 2141-2146.

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Vergeles P.S., Kovalskiy V.A., Yakimov E.B., Ved' M.V., Baidus N.V., Zdoroveyshchev A.V., Shengurov V.G., Denisov S.A. Structural investigation of light-emitting A3B5 structures grown on Ge/Si(100) substrate // Journal of Physics: Conference Series. № 1124. 2018. P. 022037.

2017

Труды (тезисы) конференции

Демина П.Б., Ведь М.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Хомицкий Д.В. Методы управление спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. Электронный адрес публикации: http://nanosymp.ru/UserFiles/Symp/2017_v1.pdf. 2017. С. 175-176.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Ведь М.В. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетерострукутр InGaAs/GaAs/δMn // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. 2017. С. 205-206.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Температурная стабилизация спиновых светодиодов с инжектором CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. 2017. С. 230-231.

Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Kudrin A.V., Demina P.B., Danilov Yu.A., Vedy M.V., Zdoroveishchev A.V. Electrical spin injection in InFeSb/GaAs ferromagnetic heterostructures // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 868.

Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Kalentyeva I.L., Vedy M.V. Circularly polarized light detector based on MDP structure of CoPt/(Al2O3/SiO2/Al2O3)/InGaAs/GaAs // Book of abstracts III International conference on Modern problems in physics of surfaces and nanostructures, 9-11 october 2017, Yaroslavl, Russia.. Yaroslavl Demidov State University, 121p.. 2017. P. 59.

Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. Детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП структуры CoPt/(Al2O3/SiO2)/InGaAs/GaAs // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников, 2-6 октября 2017, Екатеринбург.. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2017.. 2017. С. 268.

Публикации в научных журналах

Dorokhin M.V., Ved' M.V., Malysheva E.I., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Danilov Yu.A. Room temperature spin injection in a light-emitting diode based on a GaMnSb/n-GaAs/InGaAs tunnel junction // Journal of Physics: Conference Series. V. 816. 2017. P. 012035.

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Ved' M.V. Temperature stabilization of spin-LEDs with a CoPt injector // Journal of Physics: Conference Series. V. 816. 2017. P. 012034.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/deltaMn // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2142-2147.

Дорохин М.В., Ведь М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Рыков А.В., Кузнецов Ю.М. Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2135-2141.

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Демина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2203-2205.

2016

Труды (тезисы) конференции

Дорохин М.В., Бобров А.И., Ведь М.В., Павлов Д.А., Лесников В.П., Ерофеева И.В., Демина П.Б., Малышева Е.И., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Эпитаксиальный слой MnGa – перспективный материал для практического применения в полупроводниковых приборах // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 435с. 2016. С. 564-565.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(A3,Mn)B5 и InGaAs/n+-GaAs/(A3,Mn)B5 // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобаческого, Т. 1: Секция 2. 2016. С. 229-231.

Публикации в научных журналах

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/n+-GaAs/(Ga,Mn)As // Физика твердого тела. № 11. Т. 58. 2016. С. 2190.

Malysheva E.I., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V. Tunneling and Injection in Ferromagnetic Structures InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As and InGaAs/n+-GaAs/(Ga,Mn)As // Physics of the Solid State. № 11. V. 58. 2016. P. 2271-2276.

2015

Труды (тезисы) конференции

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. С. 168-169.

Ведь М.В., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Крюков Р.Н., Кудрин А.В. Электронно-лучевое послойное осаждение CoPt на поверхность InGaAs/GaAs гетероструктуры // Тезисы докладов XV Всероссийской конференции и VIII школы молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы: получение, анализ, применение», Нижний Новгород 26-29 мая 2015г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. С.113.. 2015. С. С.113.

Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Demina P.B., Vedy M.V. Room temperature spin injection in GaMnSb/GaAs/InGaAs spin light-emitting diodes // Proceedings International Conference «Spin physics, spin chemistry and spin technology» June 1-5, 2015, St. Petersburg, Russia.. 2015. P.70.. 2015. P. P.70.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В. Формирование ферромагнитных слоев спиновых светоизлучающих диодов на основе GaAs методом импульсного лазерного осаждения // Тезисы докладов XV Всероссийской конференции и VIII школы молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы: получение, анализ, применение», Нижний Новгород 26-29 мая 2015г.. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. С.113.. 2015.. 2015. С. 199.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция диодов Зеннера на основе наноструктур InGaAs/GaAs/(A3,Mn)B5 // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10 – 14 марта 2015 г. Нижний Новгород, 2015.. Из-во ННГУ им.Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 2015. Т.1.. 2015. С. 184-185.

Публикации в научных журналах

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1649-1653.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/(A III,Mn)BV на основе структур с туннельным барьером // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1497-1500.

Zdoroveishchev A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Vedy M.V., Danilov Yu.A., Erofeeva I.V., Kryukov R.N., Nikolichev D.E. CoPt Ferromagnetic Injector in Light-Emitting Schottky Diodes Based on InGaAs/GaAs Nanostructures // Semiconductors. № 12. V. 49. 2015. P. 1601-1604.

Malysheva E.I., Dorokhin M.V., Vedy M.V., Kudrin A.V., Zdoroveishchev A.V. Circularly Polarized Electroluminescence of Light-Emitting InGaAs/GaAs (III/Mn)V Diodes on the Basis of Structures with a Tunnelling Barrier // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1497-1500.

2014

Труды (тезисы) конференции

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция диодов с туннельным барьером GaMnAs/n+GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVIII международного симпозиума. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского Том 1.. 2014. С. 160-162.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского