Васильев Валерий Константинович

Место работы
Ученая степень
нет
Ученое звание
нет
Дата начала работы в университете лобачевского: 1961
Общий стаж работы 58 лет, 6 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: Физика. Квалификация: физик.

Награды

Награды ННГУ

Почетная грамота Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского (приказ № 49-од от 25.02.2016)

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2019

Публикации в научных журналах

Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Konakov A.A., Vasilyev V.K., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Zvonkov B.N. The nature of transport and ferromagnetic properties of the GaAs structures with the Mn δ-doped layer // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 478. 2019. P. 84-90.

2018

Труды (тезисы) конференции

Васильев В.К., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Питиримова Е.А. Ионно-имплантационное управление концентрацией дырок в слоях GaSb // Тезисы докладов XLVIII международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва 29 мая – 31 мая 2018). М.: Университетская книга, 2018. 2018. С. 168.

Васильев В.К., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Шаймерденова Л.К. Формирование арсенидгаллиевых p-i-n структур ионной имплантацией с последующим быстрым термическим отжигом // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 145.

Коряжкина М.Н., Окулич Е.В., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шуйский Р.А., Антонов И.Н., Васильев В.К. Влияние облучения ионами Si и постимплантационного отжига на параметры резистивного переключения в мемристивных структурах на основе // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 150.

2017

Труды (тезисы) конференции

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Васильев В.К., Питиримова Е.А., Звонков Б.Н. Влияние облучения протонами на электрические свойства гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs (x = 0.15 – 0.6) // Тезисы докладов XLVII международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва 30 мая – 1 июня 2017). М.: Университетская книга. 2017. С. 123.

Королев Д.С., Окулич Е.В., Шуйский Р.А., Окулич В.И., Белов А.И., Антонов И.Н., Васильев В.К., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Влияние ионно-лучевой обработки на параметры электроформовки и резистивного переключения мемристивных наноструктур // Материалы докладов, 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь, 19-22 сентября. 2017. С. 152-153.

Публикации в научных журналах

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Vasiliev V.K., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Tetelbaum D.I. Composition and luminescence of Si and SiO2 layers co-implanted with Ga and N ions // International Journal of Nanotechnology. № 7-8. V. 14. 2017. P. 637-645.

2016

Труды (тезисы) конференции

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Васильев В.К. Модифицирование электрических свойств структур InxGa1-xAs/GaAs (x = 0.15 – 0.6) облучением протонов // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 88-89.

Публикации в научных журналах

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Окулич Е.В., Шемухин А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 274-278.

Королев Д.С., Мастеров Д.В., Охапкин А.И., Павлов С.А., Парафин А.Е., Юнин П.А., Королев С.А., Михайлов А.Н., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Модификация пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d методом ионной имплантации // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 4. 2016. С. 80-83.

Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Shemmukhin A.A., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Layer-by-Layer Composition and Structure of Silicon Subjected to Combined Gallium and Nitrogen Ion Implantation for the Ion Synthesis of Gallium Nitride // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 271-275.

2015

Труды (тезисы) конференции

Королев С.А., Мастеров Д.В., Охапкин А.И., Павлов С.А., Парафин А.Е., Юнин П.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Модификация пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d методом ионной имплантации // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 79-80.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Смирнов А.Е., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Трушин В.Н., Маркелов А.С., Нежданов А.В. Ионно-лучевой синтез GaN в кремнии // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 663-664.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Guseinov D.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Tetelbaum D.I. Ion synthesis of GaN nanocrystals in silicon // 2nd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2015”. Book of abstracts, St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. 2015. P. 237-238.

Публикации в научных журналах

Sergeev V.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Guseinov D.V., Nezhdanov A.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Ion-beam synthesis of GaN in silicon // Journal of Physics: Conference Series. № 643. V. 1. 2015. P. 012082.

2014

Труды (тезисы) конференции

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н. Ионно-лучевая имитация радиационных повреждений в гетероструктурах при облучении быстрыми нейтронами // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014.. 2014. С. 81.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Белов А.И., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Маркелов А.С., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Структура и состав ионно-синтезированных нанокристаллов GaN в кремнии // XXXIII научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова, г. Нижний Новгород. Изд-во ННГу. 2014. С. 108.

Публикации в научных журналах

Obolenskii S.V., Tetelybaum D.I., Guseinov D.V., Vasilyev V.K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Kachemtsev A.N. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and methods. V. B236. 2014. P. 41-44.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si+ // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 48. 2014. С. 212-216.

Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Vasilyev V.K., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Shek E.I. Effect of Ion Doping on the Dislocation Related Photoluminescence in Si+ Implanted Silicon // Semiconductors. № 2. V. 48. 2014. P. 199-203.

2013

Труды (тезисы) конференции

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Шек Е.И., Соболев Н.А. Влияние ионной имплантации примесей на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 11–15 марта. 2013. С. 608-609.

Tetelbaum D.I., Guseinov D.V., Vasiliev V.K., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shengurov V.G., Denisov S.A. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Book of abstracts of the 17th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-2013). Helsinki, Finland, June 30- July 5, 2013. 2013. P. 68.

Публикации в научных журналах

Tetelbaum D.I., Guseinov D.V., Mikhaylov A.N., Vasiliev V.K., Belov A.I., Korolev D.S., Obolensky S.V., Kachemtsev A.N. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 2013. [принято к печати]

Степанов А.В., Филиппов Г.М., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Моделирование и экспериментальное изучение каналирования ионов в массивах углеродных нанотрубок // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2 (2). 2013. [принято к печати]

2012

Труды (тезисы) конференции

Михайлов А.Н., Белов А.И., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Жаворонков И.Ю., Барсуков А.В., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Шек Е.И., Соболев Н.А. Ионно-лучевая модификация наноструктур на основе кремния, излучающих свет на длине волны 1,54 мкм // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 94.

Патенты, авторские свидетельства

2017

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Шарапов А.Н. Способ имитационного тестирования стойкости приборной структуры к облучению быстрыми нейтронами (варианты) (Патент).

Контакты

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского