Денисов Сергей Александрович

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория электроники твердого тела

научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в университете лобачевского: 2003
Общий стаж работы 16 лет, 2 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Высшее образование
Бакалавр. Специальность: физика. Квалификация: физик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

14.11.2017 - 14.11.2017
Повышение квалификации: специальная подготовка по качеству, АНО ЦРМ "СПК", документ № № 8380/СПК от 14.11.2017

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2018

Публикации в научных журналах

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Vergeles P.S., Kovalskiy V.A., Yakimov E.B., Ved' M.V., Baidus N.V., Zdoroveyshchev A.V., Shengurov V.G., Denisov S.A. Structural investigation of light-emitting A3B5 structures grown on Ge/Si(100) substrate // Journal of Physics: Conference Series. № 1124. 2018. P. 022037.

2017

Труды (тезисы) конференции

Шенгуров В.Г., Бузынин Ю.Н., Бузынин А.Н., Байдусь Н.В., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Сушков А.А., Павлов Д.А., Дроздов М.Н., Нежданов А.В., Юнин П.А., Трушин В.Н. Эпитаксиальные подложки GaAs/Ge/Si // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 770-771.

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Detochenko A.P., Ezhevskii A.A., Nezhdanov A.V., Stepikhova M.V., Gavva V.A., Bulanov A.D. Molecular beam epitaxy of monoisotopic 30Si and 30Si1-x74Gex // Abstract book 19th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (EuroMBE19), March 19-22, 2017. Korobitsyno, Saint-Petersburg, Russia. 2017. P. 87.

Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Guseinov D.V., Mishkin V.P. Ballistic hole emission spectroscopy of self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands // 25th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”. St Petersburg Academic University, Saint Petersburg, Russia, June 26 – July 1, 2017, 320 р.. 2017. P. 224-225.

Detochenko A.P., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Konakov A.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Novikov A.V., Abrosimov N. Spin transport in silicon doped with heavy donors // Technical Digest of 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-2017). Matsue, Japan, July 31 – Aug.4. 2017. P. 116.

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Nezhdanov A.V., Trushin V.N., Filatov D.O., Prokhorov D.S., Buzynin Yu.N., Buzynin A.N., Baidusy N.V. Growth of high quality Ge epitaxial layer on Si(001) substrate using hot-wire chemical vapor deposition // Book of abstracts the III International Conference «Modern problems in the physics of surfaces and nanostructures» (ICMPSN-2017). Yaroslavl, Russia, October 9-11, 2017, 123 p.. 2017. P. 65.

Сушков А.А., Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Павлов Д.А. Эффективное подавление ростовых дефектов и взаимной диффузии атомов Ge, As, Ga на гетерогранице GaAs/Ge // Тезисы докладов 24-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 2017". Зеленоград, Россия, 19 - 20 апреля 2017. 2017. С. 49.

Бардина Е.Е., Прохоров Д.С., Денисов С.А., Деточенко А.П., Ежевский А.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Эпитаксиальные слои кремния с высоким структурным совершенством для создания приборов микро-, оптоэлектроники и спинтроники // Тезисы докладов XII Всероссийской конференции молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика». Саратов, Россия, 5 - 7 сентября 2017 г.. 2017. С. 14.

Прохоров Д.С., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Легирование фосфором эпитаксиальных слоев Ge на Si(100) в процессе низкотемпературного роста методом газофазной эпитаксии с «горячей проволокой» // Тезисы докладов XII Всероссийской конференции молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика». Саратов, Россия, 5 - 7 сентября 2017 г.. 2017. С. 211.

Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Степихова М.В., Деточенко А.П., Ежевский А.А., Бардина Е.Е., Нежданов А.В., Гавва В.А., Буланов А.Д. Люминесцентные свойства моноизотопных 28Si и 28Si1-x74Gex, легированных эрбием // Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «Фотоника 2017». Новосибирск, Россия, 11-15 сентября 2017 г.. 2017. С. 147.

Прохоров Д.С., Щурупова Д.Н., Кудрин А.В., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Зайцев А.В. Сильнолегированные фосфором эпитаксиальные слои Ge на Si(100) подложке при использовании GaP источника в методе «горячей проволоки» // ХIX Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур. Санкт-Петербург, Россия, 27 ноября - 1 декабря 2017 г.. 2017. С. 27.

Монографии

Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Matveev S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Kruglov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Photodiodes based on Thick Ge/Si(001) Epilayers Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition. New York: Horizons in World Physics. Volume 288. Ed. Albert Reimer. / New York: Nova Science, 2017. Chapter 9. P.171-200. ISBN: 978-1-63485-882-3(eBook). 2017.

Публикации в научных журналах

Buzynin Yu.N., Shengurov V.G., Zvonkov B.N., Buzynin A.N., Denisov S.A., Baidusy N.V., Drozdov M.N., Pavlov D.A., Yunin P.A. GaAs/Ge/Si epitaxial substrates: development and characteristics // AIP Advances. V. 7. 2017. P. 015304.

Филатов Д.О., Казанцева И.А., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Горшков А.П., Мишкин В.П. Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si-p−n-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии // Физика и техника полупроводников. № 4. Т. 51. 2017. С. 563-568.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Mishkin V.P., Gorshkov A.P. Investigation of Spatial Distribution of Photocurrent in the Plane of a Si p–n Photodiode with GeSi Nanoislands by Scanning Near-Field Optical Microscopy // Semiconductors. № 4. V. 51. 2017. P. 536-541.

2016

Труды (тезисы) конференции

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Эпитаксиальные моноизотопные слои Si, Ge и Si1-xGex // Материалы ХX Международного Симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника",. Нижний Новгород, Россия, 14-18 марта 2016 г.. 2016. С. 561-563.

Матвеев С.А., Зайцев А.В., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Низкотемпературные слои германия на кремнии, осажденные с использованием метода горячей проволоки // Тезисы докладов 23-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 2016". Зеленоград, Россия, 20-22 апреля 2016 г.. 2016. С. 45.

Зайцев А.В., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Влияние температуры роста и отжига на свойства слоев Ge, выращенных методом «горячей проволоки» на Si(100) // XI Всероссийская конференция молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика». Саратов, 6-8 сентября 2016. 2016. С. 49-50.

Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Филатов Д.О., Ежевский А.А., Деточенко А.П., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Зайцев А.В., Нежданов А.В. Эпитаксиальный рост слоев Ge на Si(100) с использованием метода «горячей проволоки» // Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск, Россия, 12-15 сентября 2016. 2016. С. 129.

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., N.V. Abrosimov, H.Riemann 4. Получение и исследование тонких пленок моноизотопных кремния и твердого раствора Si1-xGeх // Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск, Россия, 12-15 сентября 2016 г. 2016. С. 130.

Зайцев А.В., Денисов С.А., Трушин В.Н., Нежданов А.В., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Влияние температурного режима на структуру и морфологию слоев Ge, выращенных методом «горячей проволоки» на Si(100) // Сборник трудов 15-й Международной научной конференции-школы «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (МНКШ-2016). Саранск, Россия, 11-14 октября 2016 г.,. 2016. С. 112.

Денисов С.А., Степихова М.В., Тетельбаум Д.И., Трушин В.Н., Чалков В.Ю., Здоровейщев А.В., Зайцев А.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Светоизлучающие слои германия на кремнии, легированные фосфором в процессе ионной имплантации // Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Нижний Новгород, Россия, 24-27 октября 2016 г.. 2016. С. 87-88.

Публикации в научных журналах

Казанцева И.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А. Телеграфный шум в туннельных Si p-n-переходах с наноостровками GeSi // Письма в ЖТФ. № 8. Т. 42. 2016. С. 94-101.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A. A Random Telegraph Signal in Tunneling Silicon p–n Junctions with GeSi Nanoislands // Technical Physics Letters. № 4. V. 42. 2016. P. 435-437.

Denisov S.A., Matveev S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G. High-quality Ge epilayers grown on a Si substrate in one step process via hot wire chemical vapor deposition // Journal of Physics: Conference Series. V. 690. 2016. P. 012014.

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si1-xGex: получение и некоторые свойства // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 50. 2016. С. 350-353.

Detochenko A.P., Denisov S.A., Drozdov M.N., Mashin A.I., Gavva V.A., Bulanov A.D., Nezhdanov A.V., Ezhevskii A.A., Stepikhova M.V., Chalkov V.Yu., Trushin V.N., Shengurov D.V., Shengurov V.G., Abrosimov N.V., Riemann H. Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si1 – xGex alloy layers: production and some properties // Semiconductors. № 3. V. 50. 2016. P. 345-348.

Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В. Устройство для нагревания подложки при молекулярно-лучевой эпитаксии // Приборы и техника эксперимента. № 2. 2016. С. 152-155.

Shengurov V.G., Denisov S.A., Svetlov S.P., Chalkov V.Yu., Shengurov D.V. A device for heating a substrate during Molecular Beam Epitaxy // Instruments and Experimental Techniques. № 2. V. 59. 2016. P. 317-320.

Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В. Кремниевый сублимационный источник для молекулярно-лучевой эпитаксии // Приборы и техника эксперимента. № 3. 2016. С. 138-141.

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov D.V. A Silicon Sublimation Source for Molecular-Beam Epitaxy // Instruments and Experimental Techniques. № 3. V. 59. 2016. P. 466-469.

Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Matveev S.A., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Filatov D.O., Stepikhova M.V., Krasilynik Z.F. Conditions of Growth of High-Quality Relaxed Si1 – xGex Layers with a High Ge Content by the Vapor-Phase Decomposition of Monogermane on a Sublimating Si Hot Wire // Semiconductors. № 9. V. 50. 2016. P. 1248-1253.

Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Матвеев С.А., Нежданов А.В., Машин А.И., Филатов Д.О., Степихова М.В., Красильник З.Ф. Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si1-xGex с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 50. 2016. С. 1270-1275.

2015

Сборники статей

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Юнин П.А. Стимулированное излучение в GaAs/InGaAsструктуре с тонкими InGaP слоями, выращенной на Ge/Si подложке // Сборник трудов 10-го Белорусско-Российского Семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», 26–29 мая 2015 г., Минск, Беларусь. Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2015. 2015. [принято к печати]

Труды (тезисы) конференции

Степихова М.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Гусейнов Д.В., Тетельбаум Д.И., Шенгуров В.Г. Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев германия на кремнии, выращенных методом химического газофазного осаждения с горячей проволокой // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. Т.2, 2 стр. 2015. С. 658-659.

Денисов С.А., Нежданов А.В., Трушин В.Н., Машин А.И., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Шенгуров В.Г. Низкотемпературный рост эпитаксиальных слоев германия на Si(100) методом газофазного осаждения, усиленного разложением моногермана на горячей проволоке // XV Всероссийская конференция и VIII Школа молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение». Нижний Новгород, Россия, 26-29 мая 2015 г.. 2015. С. 110.

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Исследование моноизотопных эпитаксиальных слоев 30Si и твердого раствора Si1-xGex, осажденных из молекулярных пучков // XV Всероссийская конференция и VIII Школа молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение». Нижний Новгород, Россия, 26-29 мая 2015 г.. 2015. С. 112.

Гусейнов Д.В., Денисов С.А., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Юнин П.А., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Степихова М.В., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Имплантируемые ионами P+ слои германия на Si(100) для светоизлучающих приборов // XXII международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2015)». Москва, Россия, 20-24 августа 2015, Т.2. 2015. С. 120-123.

Денисов С.А., Нежданов А.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Бузынин Ю.Н., Шенгуров В.Г. Гетероэпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 154.

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и Si1 xGex: получение и свойства // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 159.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е., Красильник З.Ф. Стимулированное излучение в InGaP/GaAs/InGaAs структуре на Ge/Si подложке // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 376.

Публикации в научных журналах

Филатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // ФТП. № 3. Т. 49. 2015. С. 399-405.

Filatov D.O., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Guseinov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Shengurov V.G. Photodiodes Based on Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoisland Arrays Grown by the Combined Sublimation Molecular-Beam Epitaxy of Silicon and Vapor-Phase Epitaxy of Germanium // Semiconductors. № 3. V. 49. 2015. P. 387-393.

Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Дроздов М.Н., Бузынин А.Н., Юнин П.А. Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-х дюймовых подложках Si // Письма в журнал технической физики. № 1. Т. 41. 2015. С. 71-78.

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Buzynin Yu.N., Drozdov M.N., Buzynin A.N., Yunin P.A. Thin Single-Crystal Ge Layers on 2′′ Si Substrates // Technical Physics Letters. № 1. V. 41. 2015. P. 36-39.

Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Горшков А.П., Волкова Н.С., Иванова М.М., Круглов А.В., Филатов Д.О. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 49. 2015. С. 1411-1414.

Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Ivanova M.M., Kruglov A.V., Filatov D.O. Photodetectors on the Basis of Ge/Si(001) Heterostructures Grown by the HotWire CVD Technique // Semiconductors. № 10. V. 49. 2015. P. 1365-1368.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Denisov S.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Matveev S.A., Nekorkin S.M., Shengurov V.G. Stimulated Emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructure Grown on a Si Substrate // JETP Letters. № 12. V. 100. 2015. P. 795-797.

Денисов С.А., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г. Устройство для выращивания слоев кремния из сублимационного источника на подложках стандартной формы // Приборы и техника эксперимента. № 6. 2015. С. 113-116.

Denisov S.A., Svetlov S.P., Chalkov V.Yu., Shengurov D.V., Shengurov V.G. Device for Growing Silicon Films on Standard Wafers Using a Sublimation Source // Instruments and Experimental Techniques. № 6. V. 58. 2015. P. 813-816.

Болдыревский П.Б., Коровин А.Г., Денисов С.А., Светлов С.П., Шенгуров В.Г. Анализ неравномерности толщины эпитаксиального слоя кремния при осаждении из сублимационных источников в вакууме // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. № 4. 2015. С. 93-100.

2014

Труды (тезисы) конференции

Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Нежданов А.В., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Низкотемпературная гетероэпитаксия слоев германия на Si(100) с использованием метода горячей проволоки // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014. С. 551-552.

Сухоруков А.В., Ежевский А.А., Конаков А.А., Попков С.А., Гусейнов Д.В., Курова Н.В., Кузнецов О.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Спиновый резонанс электронов проводимости в эпитаксиальных слоях твердого раствора кремний-германия // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014. С. 634-635.

Гусейнов Д.В., Горшков А.П., Денисов С.А., Иванова М.М., Волкова Н.С., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Алябина Н.А., Трушин В.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотодетекторы на базе гетероэпитаксиальных слоёв Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 684-685.

Matveev S.A., Denisov S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Filatov D.O., Shengurov V.G. Low temperature growth of the epitaxial Ge layers on Si(100) by Hot Wire Chemical Vapor Deposition // Book of abstracts of Saint-Petersburg OPEN 2014, March 25-27, 2014. ISBN 978-5-906433-10-7 Published by St. Petersburg Academic University RAS. 2014. P. 107-108.

Денисов С.А., Матвеев С.А., Нежданов А.В., Зайцев А.В., Волкова Н.С. Влияние толщины слоя на структурное совершенство эпитаксиальных слоев Ge, выращенных методом горячей проволоки на Si(100) // Конспекты лекций и тезисы докладов 3-й школы молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов, Нижний Новгород, Россия, 15-17 мая 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 175 с. 2014. 2014. С. 142-143.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Коблов Э.А., Вихрова О.В., Некоркин С.М., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Новиков А.В., Юрасов Д.В. Излучательные свойства лазерных GaAs гетероструктур, выращенных на проводящей Ge/Si подложке // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио (Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г.). Нижний Новгород. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 2014, 334 с. 2014. С. 37-38.

Guseinov D.V., Denisov S.A., Shengurov V.G., Shengurov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Stepikhova M.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Chalkov V.Yu. Silicon-based nano-optoelectronic components for optical interconnections // E-MRS 2014 Fall Meeting, Symposium Q : Terahertz and infrared optoelectronics: from materials to devices, September 15-19, 2014, Warsaw, Poland. Warsaw University of Technology (Poland). 2014. P. Q7.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Степихова М.В., Шенгуров В.Г., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. Рост слоев твердого раствора Si1 XGeX/Si(100) с низкой плотностью дислокаций комбинированным методом молекулярно-пучковой эпитаксии // Сборник трудов 13-й Международной научной конференции-школы «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» Саранск, Россия, 07-10 октября 2014. Мордовский университет, 2014, 180 с. 2014. С. 48.

Гусейнов Д.В., Королев Д.С., Денисов С.А., Филатов Д.О., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Трушин В.Н., Степихова М.В., Шенгуров В.Г. Влияние режимов имплантации ионов P+ в слои Ge на Si(100) и последующего отжига на их фотолюминесценцию // Тезисы докладов V-ой Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», Нижний Новгород, Россия, 27- 31 октября 2014. ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2014, 142 с. 2014. С. 68-69.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Нежданов А.В. Структурные и фотолюминесцентные свойства слоев твердого раствора Si1-XGeX с низкой плотностью дислокаций, выращенных методом низкотемпературной молекулярно-пучковой эпитаксии с газовым источником германия // Тезисы докладов II-ой Всероссийской научной молодежной конференции «Актуальные проблемы нано- и микроэлектроники» Уфа, Россия, 02 - 05 декабря 2014. Уфа, Россия. 2014. С. 1.

Гусейнов Д.В., Денисов С.А., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Степихова М.В., Шенгуров В.Г. Формирование и исследование растянутых слоев n+ - Ge на Si // Тезисы докладов XXXIII научных чтений им. академика Н.В. Белова, Нижний Новгород, Россия, 16 - 17 декабря 2014. ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 2014. - 144 с.. 2014. С. 83-85.

Денисов С.А., Гавва В.А., Гусев А.В., Дроздов М.Н., Ежевский А.А., Деточенко А.П., Шенгуров В.Г. Рост эпитаксиальных слоев моноизотопного кремния методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии // Тезисы докладов XXXIII научных чтений им. академика Н.В. Белова, Нижний Новгород, Россия, 16 - 17 декабря 2014. ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 2014. - 144 с.. 2014. С. 87-88.

Публикации в научных журналах

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Юнин П.А., Захаров Н.Д. Периодические гетероструктуры Si/SiGe, выращенные на Si(100) из атомарного потока Si и молекулярного потока моногремана // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1(2). 2014. С. 84-87.

Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Дроздов Ю.Н., Степихова М.В., Шенгуров Д.В., Красильник З.Ф. Гетероструктуры Si(1-X)Ge(X)/Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 48. 2014. С. 417-420.

Denisov S.A., Matveev S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G., Drozdov Yu.N., Stepikhova M.V., Shengurov D.V., Krasilynik Z.F. Si(1–x)Ge(x)/Si Heterostructures Grown by Molecular-Beam Epitaxy on Silicon-On-Sapphire Substrates // Semiconductors. № 3. V. 48. 2014. P. 402-405.

Коровин А.Г., Болдыревский П.Б., Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Денисов С.А. Расчет однородности толщин эпитаксиальных слоев, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии из сублимационного источника // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского.. № 2(1). 2014. С. 72-74.

Болдыревский П.Б., Коровин А.Г., Денисов С.А., Светлов С.П., Шенгуров В.Г. Исследование однородности толщин слоев кремния, выращенных в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии из сублимационного источника // Журнал технической физики. № 11. Т. 84. 2014. С. 155-158.

Matveev S.A., Denisov S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Filatov D.O., Shengurov V.G. Low temperature growth of the epitaxial Ge layers on Si(100) by Hot Wire Chemical Vapor Deposition // Journal of Physics: Conference Series. V. 541. 2014. P. 012026.

Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Дроздов М.Н., Бузынин А.Н., Юнин П.А. Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-х дюймовых подложках Si // Письма в журнал технической физики. № 1. Т. 41. 2014. С. 71-78. [принято к печати]

Филатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // Физика и техника полупроводников. Т. 49. 2014. [принято к печати]

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Денисов С.А., Красильник З.Ф., Матвеев С.А., Некоркин С.М., Шенгуров В.Г. Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке // Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики". № 12. Т. 100. 2014. С. 900-903.

Boldyrevskii P.B., Korovin A.G., Denisov S.A., Svetlov S.P., Shengurov V.G. Thickness Uniformity of Silicon Layers Grown from a Sublimation Source by Molecular-Beam Epitaxy // Technical Physics. V. 59. 2014. P. 1732-1735.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Denisov S.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Matveev S.A., Nekorkin S.M., Shengurov V.G. Stimulated Emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructure Grown on a Si Substrate // JETP LETTERS. № 12. V. 100. 2014. P. 795-797.

2013

Труды (тезисы) конференции

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Шенгуров Д.В., Красильник З.Ф. Влияние температуры эпитаксиального роста гетероструктур Si/Si(1-X)Ge(X):Er/Si/Al2O3 из сублимирующего источника кремния в среде моногермана на их фотолюминесцентные свойства // Труды XVII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 11-15 марта, 2013. Том 2, 2 стр.. 2013. С. 525-526.

Tetelbaum D.I., Guseinov D.V., Vasiliev V.K., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shengurov V.G., Denisov S.A. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Book of abstracts of the 17th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-2013). Helsinki, Finland, June 30- July 5, 2013. 2013. P. 68.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Бирюков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Матвеев С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е. Лазерная структура GaAs/AlGaAs на подложке Ge/Si // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе» 28-31 мая 2013. 4 стр.. 2013. С. 25-28.

Денисов С.А., Дроздов Ю.Н., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Степихова М.В., Шалеев М.В., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г. Морфология, микроструктура и фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Si и SiGe, выращенных с приложением к подложке отрицательного потенциала // Труды XXI международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2013)», 22-26 августа 2013. Т.1., 4 стр.. 2013. С. 131-134.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. Релаксированные слои твердого раствора Si1-XGeX (x=0,25–0,4) с низкой плотностью дислокаций, выращенные на Si(100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с газовым источником германия // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XI РКФП), 16-20 сентября 2013. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2013. С. 224.

Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Юнин П.А., Жукавин Р.Х., Красильник З.Ф., Захаров Н.Д. Периодические структуры SiGe/Si, выращенные молекулярно-пучковой эпитаксией с газовым источником германия // Тезисы докладов ХI-ой Российской конференции по физике полупроводников, 16-20 сентября 2013. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2013. С. 239.

Денисов С.А., Матвеев С.А. Исследование условий низкотемпературного роста гетероструктур Si/SiGe:Er/Si/Si(100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии кремния в среде германа и их влияние на фотолюминесцентные свойства // Форум молодых учёных Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия, 16-18 сентября 2013. НН.; Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского. 2013. С. 133-134.

Публикации в научных журналах

Шенгуров Д.В., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Красильник З.Ф. Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 47. 2013. С. 410-413.

Shengurov D.V., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Shengurov V.G., Stepikhova M.V., Drozdov M.N., Krasilynik Z.F. Low-Temperature Growth of Silicon Epitaxial Layers Codoped with Erbium and Oxygen Atoms // Semiconductors. № 3. V. 47. 2013. P. 433-436.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Трушин В.Н., Питиримова Е.А. Структура и морфология поверхности слоев твердого раствора Si(1-X)Ge(X), выращенных на КНС-подложках методом МЛЭ с сублимационным кремниевым и газовым германиевым источниками // Неорганические материалы. № 7. Т. 49. 2013. С. 805-809.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В. Выращивание и исследование фотолюминесценции кремниево-германиевых структур, активированных эрбием, на подложках сапфира // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. № 1. Т. 165. 2013. С. 24-28.

Matveev S.A., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G., Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Trushin V.N., Pitirimova E.A. Structure and surface morphology of Si(1–x)Ge(x) layers grown on Si/Sapphire by Molecular Beam Epitaxy using a sublimation silicon source and gaseous germanium source // Inorganic Materials. V. 49. 2013. P. 749-753.

2012

Труды (тезисы) конференции

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Трушин В.Н., Тихов С.В., Питиримова Е.А., Николичев Д.Е., Боряков А.В. Выращивание эпитаксиальных слоев Si1-XGeX и Ge на КНС-подложках и их свойства // Тезисы докладов IX-ой Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2012». Санкт-Петербург, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, 9-13 июля 2012 г. 2012. С. 285.

Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Питиримова Е.А., Бузынин Ю.Н. Низкотемпературный эпитаксиальный рост толстых слоев Ge на Si(100) // Тезисы докладов IX-ой Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2012». Санкт-Петербург, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, 9-13 июля 2012 г. 2012. С. 286.

Денисов С.А., Дроздов Ю.Н., Матвеев С.А., Красильникова Л.В., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г. Низкотемпературный рост эпитаксиальных гетероструктур Si/Si1-xGex/Si методом сублимации кремния в среде германа // Труды XVI Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 12-16 марта, 2012, Т.2.. 2012. С. 227-228.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Гетероструктуры Si1-XGeX, выращенные методом МЛЭ с сублимационным кремниевым и газовым германиевым источниками на КНС-подложках // Сборник трудов 11-й Всероссийской с международным участием конференции-школы "Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение". Издательство Мордовского университета 02-05 октября, г.Саранск. 2012. С. 111.

Косарева О.С., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Матвеев С.А., Шенгуров В.Г., Карзанов В.В. Структурные и электрофизические свойства слоев германия, выращенных методом МЛЭ на Si(100) // Сборник трудов 11-й Всероссийской с международным участием конференции-школы "Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение". Издательство Мордовского университета 02-05 октября, г.Саранск.. 2012. С. 108.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Гетероэпитаксиальные структуры SiGe/Si выращенные при низких температурах на подложках сапфира // XVII-я Нижегородская сессия молодых ученых (естественные, математические науки). Н.Новгород, 28-31 мая 2012. 2012. [принято к печати]

Монографии

Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Эпитаксиальные слои кремния на сапфире, выращенные сублимационной МЛЭ. Рост, структура, морфология и некоторые свойства. Germany.: LAP Lambert Academic Publishing, 88с. ISBN: 978-3-8484-2311-8. 2012.

Публикации в научных журналах

Ежевский А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кузнецов О.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Исследование спектров электронного спинового резонанса в SiGe/Si гетерослоях, легированных фосфором // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 230-232.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kuznetsov O.A., Shengurov V.G., Denisov S.A. Investigating the Spectra of Electron Spin Resonance in SiGe/Si Heterolayers Doped with Phosphorous // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 2. V. 76. 2012. P. 201-203.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Гетероструктуры Si1-XGeX на КНС-подложках, полученные методом сублимации кремния в среде германа // Физическое образование в ВУЗах. № 1. Т. 18. 2012. С. 32.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Низкотемпературный эпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки // Физическое образование в ВУЗах. № 1. Т. 18. 2012. С. 47.

Бузынин Ю.Н., Шенгуров В.Г., Звонков Б.Н., Бузынин А.Н., Хрыкин О.И., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Денисов С.А. Рост и свойства пленок GaAs, GaN и низкоразмерных структур GaAs/QWs InGaAs на подложках Si с буферным слоем Gе // Известия РАН. Серия физическая. № 9. Т. 76. 2012. С. 1153-1157.

Buzynin Yu.N., Shengurov V.G., Zvonkov B.N., Buzynin A.N., Khrykin O.I., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Denisov S.A. Growth and Properties of GaAs and GaN Films and Low-Dimensional GaAs/QWsInGaAs Structures on Si Substrates with a Ge Buffer Layer // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 9. V. 76. 2012. P. 1036-1040.

Шенгуров Д.В., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Красильник З.Ф. Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода // Физика и техника полупроводников. 2012. [принято к печати]

2011

Труды (тезисы) конференции

Звонков Б.Н., Бирюков А.А., Вихрова О.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Бузынин Ю.Н. Рост и свойства гетероструктур InGaAs/GaAs/Ge(буфер) на кремниевых подложках // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.1. – C.414 - 415.. 2011. С. 414-415.

Жукавин Р.Х., Бекин Н.А., Шастин В.Н., Лобанов Д.Н., Пряхин Д.А., Шенгуров Д.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Чхало Е.Д., Ковалевский К.А., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Резонансное туннелирование дырок в структурах Si/SiGe с одиночным селективно-легированным барьером // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.1. – C.418 - 419. 2011. С. 418-419.

Денисов С.А., Чалков В.Ю., Светлов С.П., Шенгуров В.Г. Эпитаксиальное выращивание слоев Si из сублимационного источника на подложках диаметром до 100 мм // VIII-я Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2011». Москва, НИТУ МИСИС, 5-8 июля. 2011. С. 135.

Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Тихов С.В., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Питиримова Е.А. Структурные и морфологические свойства эпитаксиальных слоев SiGe, выращенных на сапфире // VIII-я Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2011». Москва, НИТУ МИСИС, 5-8 июля. 2011. С. 136.

Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Шенгуров Д.В., Трушин В.Н. Эпитаксиальные слои Ge на Si с гладкой поверхностью и низкой плотностью дислокаций // VIII-я Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2011». Москва, НИТУ МИСИС, 5-8 июля. 2011. С. 150.

Тихов С.В., Шенгуров В.Г., Павлов Д.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Тестов В.Г. Фотоэлектрический метод определения химического состава пленок SiGe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // VIII-я Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2011. Москва, НИТУ МИСИС, 5-8 июля. 2011. С. 232.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Гетероструктры Si1 XGeX/Si на КНС-подложках, выращенные сублимацией кремния в среде германа // Тезисы докладов ХIII-ой Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто - и наноэлектронике. Санкт-Петербург, 21-25 ноября. 2011. С. 58.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Кривулин Н.О., Питиримова Е.А., Трушин В.Н., Шенгуров В.Г. Структура и морфология слоев SiGe на подложках кремний-на-сапфире // Сборник трудов конференции «ХХХ научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова». Нижний Новгород, 20-21 декабря. 2011. С. 144.

Ежевский А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Кузнецов О.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Исследование спектров электронного спинового резонанса в SiGe/Si гетерослоях, легированных фосфором // Труды XV Международного Симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”. Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.1. – C.60-61. 2011. С. 60-61.

Публикации в научных журналах

Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Светлов С.П., Шенгуров Д.В. Установка и вакуумный метод эпитаксиального выращивания многослойных структур, содержащих слои Si, Ge и SiGe // Вакуумная техника и технология. № 1. Т. 21. 2011. С. 45-48.

Бородин П.А., Бухараев А.А., Филатов Д.О., Исаков М.А., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А. Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si(001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 45. 2011. С. 414-418.

Borodin P.A., Bukharaev A.A., Filatov D.O., Isakov M.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A. Investigation of the Local Density of States in Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoislands by Combined Scanning Tunneling and Atomic Force Microscopy // Semiconductors. № 3. V. 45. 2011. P. 403-407.

Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров Д.В., Жукавин Р.Х., Дроздов М.Н. Легирование бором гетероструктур Si1-XGeX/Si в процессе сублимации кремния в среде германа // Письма в журнал технической физики. № 13. Т. 37. 2011. С. 24-30.

Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Shengurov D.V., Zhukavin R.Kh., Drozdov M.N. Boron Doping of Si1–xGex/Si Heterostructures Grown by Silicon Sublimation in Germane Medium // Technical Physics Letters. № 7. V. 37. 2011. P. 601-604.

Тихов С.В., Павлов Д.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Тестов В.Г. Адмиттанс диодных структур, полученных на основе тонких слоев кремния на сапфире методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. № 5. 2011. С. 37-41.

Бузынин Ю.Н., Дроздов М.Н., Бузынин А.Н., Осико В.В., Дроздов Ю.Н., Хрыкин О.И., Лукьянов А.Е., Лукьянов Ф.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Эпитаксиальные пленки GeSi, AlGaN, GaSb и сверхрешетки GaSb/InAs НА подложках фианита // Известия РАН. Серия физическая. № 9. Т. 75. 2011. С. 1291-1296.

Buzynin Yu.N., Drozdov M.N., Buzynin A.N., Osiko V.V., Drozdov Yu.N., Khrykin O.I., Lukyyanov A.E., Lukyyanov F.A., Shengurov V.G., Denisov S.A. Epitaxial films of GeSi, AlGaN, and GaSb and GaSb/InAs superlattices on substrates of fianite // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 9. V. 75. 2011. P. 1221-1226.

Патенты, авторские свидетельства

2017

Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Филатов Д.О., Гусейнов Д.В., Шенгуров Д.В., Горшков А.П., Волкова Н.С., Алябина Н.А. Применение вакуумного осаждения германия из газовой среды германа в качестве способа удаления диоксида кремния с рабочей поверхности кремниевой подложки и способ изготовления монокристаллической плёнки германия на кремниевой подложке, включающий указанное применение (Патент).

2016

Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Способ выращивания кремний-германиевой гетероструктуры (Патент).

2013

Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В. Установка вакуумного напыления (Патент).

Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В. Способ изготовления полупроводниковой структуры молекулярно-лучевой эпитаксией и установка для сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (Патент).

2012

Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров Д.В. Сублимационный источник напыляемого материала для установки молекулярно-лучевой эпитаксии (Патент).

Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Светлов С.П. Устройство нагрева подложки для установки изготовления полупроводниковой структуры (Патент).

2011

Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Денисов С.А. Устройство для вакуумного напыления пленок (Патент).

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского