Тетельбаум Давид Исаакович

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2024

Тетельбаум Д.И., Никольская А.А., Королев Д.С., Матюнина К.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Трушин В.Н., М. Н. Дроздов, Юнин П.А., Кудрин А.В., Окулич Е.В., В. И. Окулич Структурные и электрические свойства слоев β-Ga2O3, подвергнутых ионной имплантации бора // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — 492 с.. 2024. С. 831-832.

Королев Д.С., Матюнина К.С., Никольская А.А., Крюков Р.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование структуры и светоизлучающих свойств ионно-синтезированных нановключений оксида галлия // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.).. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — 492 с.. 2024. С. 691-692.

Королев Д.С., Никольская А.А., Матюнина К.С., Крюков Р.Н., Белов А.И., Михайлов А.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Состав, структура и фотолюминесцентные свойства ионно-синтезированных нановключений оксида галлия // ХI Международная школа-конференция молодых учёных и специалистов Современные проблемы физики. 2024. Сборник трудов, Минск, 24-26 апреля 2024 г. – С. 102-104.. 2024. С. 102-104.

Матюнина К.С., Королев Д.С., Никольская А.А., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование фотолюминесцентных свойств ионно-синтезированных нанокристаллов Ga2O3 // Тезисы докладов 53-й международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Под ред. проф. Н.Г. Чеченина. - М.: «КДУ», 2024.- 194 с.. 2024. С. 30.

Никольская А.А., Королев Д.С., Матюнина К.С., Белов А.И., Кудрин А.В., Трушин В.Н., М.Н. Дроздов, Юнин П.А., Здоровейщев А.В., Тетельбаум Д.И. Влияние радиационного воздействия и химической природы ионов на структурные и электрические свойства β-Ga2O3 при ионной имплантации // Тезисы докладов 53-й международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Под ред. проф. Н.Г. Чеченина. - М.: «КДУ», 2024.- 194 с.. 2024. С. 99.

Никольская А.А., Королев Д.С., А.Н. Яблонский, Д.В. Юрасов, В.Е. Захаров, Б.А. Андреев, Конаков А.А., Тетельбаум Д.И. Образование и свойства светоизлучающих дефектов в кремнии, полученных с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов 53-й международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристалла. Под ред. проф. Н.Г. Чеченина. - М.: «КДУ», 2024.- 194 с.. 2024. С. 169.

Королев Д.С., Матюнина К.С., Никольская А.А., Крюков Р.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Ионно-синтезированные нанокристаллы Ga2O3: состав, структура, оптические свойства // Тезисы докладов 53-й международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Под ред. проф. Н.Г. Чеченина. - М.: «КДУ», 2024.- 194 с.. 2024. С. 100.

Korolev D.S., Matyunina K.S., Nikolyskaya A.A., Belov A.I., Mikhailov A.N., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Effect of Post-Implantation Heat Treatment Conditions on Photoluminescent Properties of Ion-Synthesized Gallium Oxide Nanocrystals // Nanomaterials. № 10. V. 14. 2024. P. 870.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Pavlov D.A., Sushkov A.A., Okulich E.V., Chizhova A.A., Konakov A.A., Yunin P.A., A. Okhapkin, S. Kraev, A. Yablonskiy, D. Yurasov, V. Zakharov, B. Andreev, Tetelybaum D.I. Thermally stable photoluminescence centers at 1240 nm in silicon obtained by irradiation of the SiO2/Si system // Journal of Applied Physics. V. 135. 2024. P. 215703.

2023

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Kruglov A.V., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N., Shchanikov S.A., Kim S., Spagnolo B. Silicon-Compatible Memristive Devices Tailored by Laser and Thermal Treatments // Low Power Memory/Memristor Devices and Systems. Basel: MDPI, Т.1, 240 с.. 2023. P. 33-54.

Королев Д.С., Крюков Р.Н., Матюнина К.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Юнин П.А., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. ЗАКОНОМЕРНОСТИ ИОННО-ЛУЧЕВОГО СИНТЕЗА НАНОВКЛЮЧЕНИЙ GA2O3 В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТРИЦАХ // ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИОНОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ «ВИП-2023» Труды XXVI Международной конференции.. Издательство: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва), 267с.. 2023. С. 39-41.

Королев Д.С., Никольская А.А., Матюнина К.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Крюков Р.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Юнин П.А., Тетельбаум Д.И. Формирование нанокристаллов Ga2O3 в оксидных матрицах при имплантации ионов и последующем отжиге // 52-ая Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2023). Тезисы докладов. Москва, 30 мая – 1 июня, 2023.. 2023. С. 114.

Королев Д.С., Матюнина К.С., Никольская А.А., Крюков Р.Н., Белов А.И., Михайлов А.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование свойств ионно-синтезированных нановключений оксида галлия // Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы 15-й Междунар. конф.. Минск, Беларусь, 26-29 сентября 2023 г.. 2023. С. 398-400.

Чижова А.А., Гажулина А.П., Мухаматчин К.Р., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Конаков А.А. Теоретический анализ электронной зонной структуры в ромбоэдрических фазах германия // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума. Нижний Новгород: ИПФ РАН, Том 2-й, 486 с.. 2023. С. 630.

Королев Д.С., Матюнина К.С., Никольская А.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Нежданов А.В., Крюков Р.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Тетельбаум Д.И. Ионный синтез наноразмерных включений Ga2O3 в диэлектрических матрицах // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума. Нижний Новгород: ИПФ РАН, Том 2-й, 486 с.. 2023. С. 633-634.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние состава диэлектрической пленки на кремнии и способа ее нанесения на фотолюминесценцию системы диэлектрик / кремний, подвергнутой ионному облучению // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума. Нижний Новгород: ИПФ РАН, Том 2-й, 486 с.. 2023. С. 701-702.

Тетельбаум Д.И., Никольская А.А., Королев Д.С., Кудрин А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Дроздов М.Н., Ревин А.А., Чекушева С.С., Конаков А.А. Электрофизические свойства монокристаллов β-Ga2O3:Fe, ионно-легированных кремнием // ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИОНОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ "ВИП-2023". Труды XXVI Международной конференции. Издательство: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва). Том 1. Москва, 2023, 350 с.. 2023. С. 222-225.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Конаков А.А., Охапкин А.И., Краев С.А., Моисеев А.Д., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Люминесцентные свойства и фазообразование в Si при ионном облучении SiO2/Si // ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИОНОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ "ВИП-2023". Труды XXVI Международной конференции. Издательство: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва), Том 1. Москва. 2023, 350 с.. 2023. С. 214-217.

Savinov D.A., Antonov A.V., Masterov D.V., Mikhaylov A.N., Morozov S.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Tetelbaum D.I., Yunin P.A., Ustavschikov S.S. Diffusive limit in YBCO films with non-zero Tc // Сборник тезисов XXVII международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”. Т.1, 495 стр.. 2023. P. 99-100.

Korolev D.S., Kryukov R.N., Matyunina K.S., Nikolyskaya A.A., Belov A.I., Mikhailov A.N., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Structure and chemical composition of ion-synthesized gallium oxide nanocrystals in dielectric matrices // Nanomaterials. V. 13. 2023. P. 1658.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Trushin V.N., Yunin P.A., Pitirimova E.A., Kudrin A.V., Okulich E.V., Okulich V.I., Mikhailov A.N., Tetelybaum D.I. Structural disorder and distribution of impurity atoms in β-Ga2O3 under boron ion implantation // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. V. 537. 2023. P. 65-70.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Konakov A.A., Okhapkin A.I., Kraev S.A., Andrianov A.I., Moiseev A.D., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Formation of Hexagonal Phase 9R-Si in SiO2/Si System upon Kr+ Ion Implantation // Moscow University Physics Bulletin (English Translation of Vestnik Moskovskogo Universiteta, Fizika). № 78. V. 3. 2023. P. 361–367.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Конаков А.А., Охапкин А.И., Краев С.А., Андрианов А.И., Моисеев А.Д., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Образование гексагональной фазы кремния 9R-Si при имплантации системы SiO2/Si ионами Kr+ // Вестник Московского университета. Серия 3: Физика. Астрономия. № 78. Т. 3. 2023. С. 2330501.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Konakov A.A., Okhapkin A.I., Kraev S.A., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Luminescence of modified W-centers arising in silicon upon irradiation of the SiO2/Si system by Kr+ ions // Materials Letters. № 342. 2023. P. 134302.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Trushin V.N., Yunin P.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Okulich E.V., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Photoluminescent properties of the SiO2/Si system with ion-synthesized hexagonal silicon of the 9R-Si phase: Effect of post-implantation annealing // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. № 537. 2023. P. 60-64.

Yakovlev N., Almaev A., Butenko P., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N., Nikolyskaya A.A., Pechnikov A., Stepanov S., Boiko M., Chikiryaka A., Nikolaev V. Effect of Si+ Ion Implantation in α-Ga2O3 Films on Their Gas Sensitivity // IEEE Sensors Journal. № 3. V. 23. 2023. P. 1885-1895.

Korolev D.S., Tereshchenko A.N., Nikolyskaya A.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Tetelybaum D.I. Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation // St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. № 1.1. V. 16. 2023. P. 162-166.

Nikolyskaya A.A., Revin A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Trushin V.N., Kudrin A.V., Zdoroveishchev A.V., Zdoroveishchev D.A., Yunin P.A., Drozdov M.N., Konakov A.A., Tetelybaum D.I. Electrical properties of silicon-implanted β-Ga2O3:Fe crystals // Applied Physics Letters. V. 123. 2023. P. 211901.

Савинов Д.А., Антонов А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Критерий определения верхних критических полей Hc2 в тонких пленках YBCO с разной дозой ионного облучения // Физика твердого тела. № 6. Т. 65. 2023. С. 907-913.

2022

Савинов Д.А., Антонов А.В., Васильев В.К., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С. Влияние ионного облучения на электронный транспорт в тонких пленках YBaCuO // Сборник тезисов XXVI международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”. Т.1, 643 стр.. 2022. С. 28-29.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Pitirimova E.A., Pavlov D.A., Trushin V.N., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Konakov A.A., Kudrin A.V., Drozdov M.N., Tetelybaum D.I. Modification of Ga₂O₃ by ion implantation // 22th INTERNATIONAL CONFERENCE ON ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS (IBMM-2022). Book of abstracts, Lisbon, Portugal, July 10-15, 2022.- 220 рр.. 2022. P. 154.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Light-emitting 9R hexagonal silicon phase synthesized by ion implantation // 22th INTERNATIONAL CONFERENCE ON ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS (IBMM-2022). Book of abstracts, Lisbon, Portugal, July 10-15, 2022.- 220 pp. 2022. P. 155.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Павлов Д.А., Galeckas A., Азаров А.Ю., Кузнецов А.Ю., Тетельбаум Д.И. Влияние химической природы имплантированных в систему SiO2/Si атомов на фотолюминесценцию ионно-синтезированного гексагонального кремния фазы 9R-Si // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 958-959.

Тетельбаум Д.И., Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Кудрин А.В., Нежданов А.В., Трушин В.Н., Питиримова Е.А., Павлов Д.А., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Kumar M., Giulian R. Влияние имплантации ионов Si+ на структуру и свойства бета-Ga2O3 // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 1031-1032.

Королев Д.С., Матюнина К.С., Никольская А.А., Крюков Р.Н., Белов А.И., Михайлов А.Н., Нежданов А.В., Сушков А.А., Павлов Д.А., Юнин П.А., Тетельбаум Д.И. Исследование фотолюминесцентных свойств ионно-синтезированных нановключений оксида галлия // Х Международная школа-конференция молодых учёных и специа-листов «Современные проблемы физики», 27-29 апреля 2022 г. Сборник научных трудов, Минск: Институт физики НАН Беларуси, 2022.- 167 с. 2022. С. 79-80.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Павлов Д.А., Galeckas A., Азаров А.Ю., Кузнецов А.Ю., Тетельбаум Д.И. Влияние химической природы имплантированных в систему SiO2/Si атомов на формирование и свойства фазы 9R-Si // 51-ая Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2022), 24 - 26 мая 2022 г. Тезисы докладов, Москва: МГУ имени М.В. Ломоносова, 2022.- 200 с. 2022. С. 117.

Тетельбаум Д.И., Павлов Д.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Сушков А.А., Трушин В.Н., Никольская А.А. Формирование гексагональной фазы 9R-Si и светоизлучающие свойства кремния при ионном облучении системы SiO2/Si // XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе КРЕМНИЙ-2022 (Новосибирск, 26-30 сентября, 2022). Сборник тезисов, М.: Издательство «Перо», 2022.- 160 с. 2022. С. 68.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Ионно-лучевой синтез гексагонального кремния фазы 9R-Si на подложках Si с разной ориентацией // XV Российская конференция по физике полупроводников (Нижний Новгород, 03-07 октября, 2022). Тезисы докладов, Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2022.- 464 с. 2022. С. 32.

Никольская А.А., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Трушин В.Н., Павлов Д.А., Питиримова Е.А., Кудрин А.В., Дроздов М.Н., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Тетельбаум Д.И. Свойства слоев монокристаллов β-Ga2O3, подвергнутых имплантации ионов кремния // XV Российская конференция по физике полупроводников (Нижний Новгород, 03-07 октября, 2022). Тезисы докладов, Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2022.- 464 с. 2022. С. 38.

Королев Д.С., Никольская А.А., Матюнина К.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Нежданов А.В., Крюков Р.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Юнин П.А., Тетельбаум Д.И. Исследование процессов ионно-лучевого формирования нановключений оксида галлия в диэлектрических матрицах // XV Российская конференция по физике полупроводников (Нижний Новгород, 03-07 октября, 2022). Тезисы докладов, Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2022.- 464 с. 2022. С. 71.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Трушин В.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Galeckas A., Азаров А.Ю., Кузнецов А.Ю., Тетельбаум Д.И. Формирование фазы 9R-Si и фотолюминесценция в образцах SiO2/Si, облученных различными ионами // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Казань, 11–14 ноября 2022 г.).- Н. Новгород, 2022.- 92 с. 2022. С. 17.

Королев Д.С., Матюнина К.С., Никольская А.А., Нежданов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Крюков Р.Н., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Ионный синтез нанокристаллических включений Ga2O3 в оксидных матрицах // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Казань, 11–14 ноября 2022 г.).- Н. Новгород, 2022.- 92 с. 2022. С. 25.

Никольская А.А., Королев Д.С., Трушин В.Н., Дроздов М.Н., Белов А.И., Михайлов А.Н., Нежданов А.В., Питиримова Е.А., Павлов Д.А., Конаков А.А., Ревин А.А., Kumar M., Giulian R., Тетельбаум Д.И. Изменение свойств слоев β-Ga2O3 под действием имплантации ионов Si+ и последующего отжига // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Казань, 11–14 ноября 2022 г.).- Н. Новгород, 2022.- 92 с. 2022. С. 33.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Изменение свойств ионно-синтезированного гексагонального кремния фазы 9R-Si при вариации режимов постимплантационного отжига // ФизикА.СПб. Тезисы докладов международной конференции (Санкт-Петербург, 17-21 октября, 2022 г.).- СПб.: ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2022.- 562 с. 2022. С. 305-306.

Mikhailov A.N., Koryazhkina M.N., Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Antonov I.N., Shuiskii R.A., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shenina M.E., Gryaznov E.G., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Gorshkov O.N., Spanyolo B Resistive switching in metal-oxide memristive materials and devices. Amsterdam: Elsevier, chapter 2, pp. 33-78. 2022.

Mikhailov A.N., Koryazhkina M.N., Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Antonov I.N., Shuiskii R.A., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shenina M.E., Gryaznov E.G., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Gorshkov O.N., Emelyyanov A.V., Nikirui K.E., Rylykov V.V., Demin V.A., Spanyolo B Technology and neuromorphic functionality of magnetron-sputtered memristive devices. Amsterdam: Elsevier, chapter 4, pp. 109-131. 2022.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Belov A.I., Konakov A.A., Pavlov D.A., Mikhailov A.N., Tetelbaum D.I. Influence of chemical nature of implanted atoms on photoluminescence of ion-synthesized 9R-Si hexagonal silicon // Materials Letters. V. 308. 2022. P. 131103(1-3).

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Kruglov A.V., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Mikhailov A.N., Shchanikov S.A., Kim S., Spagnolo B. Silicon-Compatible Memristive Devices Tailored by Laser and Thermal Treatments // Journal of Low Power Electronics and Applications. № 1. V. 12. 2022. P. 1-22.

Korolev D.S., Matyunina K.S., Nikolyskaya A.A., Kryukov R.N., Nezhdanov A.V., Belov A.I., Mikhailov A.N., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Yunin P.A., Drozdov M.N., Tetelbaum D.I. Ion-Beam Synthesis of Gallium Oxide Nanocrystals in a SiO2/Si Dielec-tric Matrix // Nanomaterials. № 11. V. 12. 2022. P. 1840(1-9).

Trushin V.N., Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Pitirimova E.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Disordering of β-Ga2O3 upon irradiation with Si+ ions: Effect of sur-face orientation // Materials Letters. V. 319. 2022. P. 132248(1-3).

Коряжкина М.Н., Филатов Д.О., Тихов С.В., Белов А.И., Королев Д.С., Круглов А.В., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Воронцов В.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Ким С. Электрофизические свойства мемристоров на основе нитрида кремния на подложках "кремний-на-изоляторе" // Российские нанотехнологии. № 1. Т. 17. 2022. С. 98-105.

Савинов Д.А., Антонов А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Влияние ионного облучения на электронный транспорт в тонких пленках YBCO // Физика твердого тела. № 9. Т. 64. 2022. С. 1162-1168.

Tetelybaum D.I., Nikolyskaya A.A., Dorokhin M.V., Vasilyev V.K., Smolyakov D., Lukayanenko A., Tarasov A. Implanted gallium impurity detection in silicon by impedance spectroscopy // Materials Letters. № 308. 2022. P. 131244.

2021

Тетельбаум Д.И., Никольская А.А., Королев Д.С., Алмаев А.В., Чигиринский Ю.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Нежданов А.В., Трушин В.Н., Николичев Д.Е., Giulian R., Kumar M. Синтез и модификация наноструктур на основе оксида галлия методами ионной имплантации и магнетронного осаждения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 360.

Savinov D.A., Antonov A.V., Vasilyev V.K., Masterov D.V., Mikhailov A.N., Morozov S.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Tetelybaum D.I., Ustavshchikov S.S. Resistivity of thin disordered superconducting YBCO films in external magnetic fields // Сборник тезисов XXV международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”. Т.1, 522 стр.. 2021. P. 7-8.

Королев Д.С., Никольская А.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Конаков А.А., Тетельбаум Д.И. Люминесцентные свойства ионно-синтезированных нановключений 9R-Si в структурах SiO2/Si // Взаимодействие излучений с твердым телом, Материалы 14-й Международной конференции. Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., по-свящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21–24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021.. 2021. С. 472-475.

Tetelybaum D.I., Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mullagaliev T.D., Belov A.I., Trushin V.N., Dudin Yu.A., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Mikhailov A.N., Plechnikov A., Shcheglov M., Nikolaev V., Gogova D. Ion-beam modification of metastable gallium oxide polymorphs // Materials Letters. V. 302. 2021. P. 130346.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Mullagaliev T.D., Chigirinskii Yu.I., Belov A.I., Nezhdanov A.V., Trushin V.N., Nikolichev D.E., Almaev A.V., Giulian R., Kumar M., Tetelybaum D.I. Non-equilibrium methods for synthesis and modification of gallium oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 2103. 2021. P. 012062.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Kruglov A.V., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N., Kim S. Electrical Properties of Silicon-Oxide-Based Memristors on Silicon-on-Insulator Substrates // NANOBIOTECHNOLOGY REPORTS. № 6. V. 16. 2021. P. 745-754.

Nikolyskaya A.A., Okulich E.V., Korolev D.S., Stepanov A., Nikolichev D.E., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N., Almaev A., Bolzan C.A., Buaczik A.Jr., Giulian R., Grande P.L., Kumar A., Kumar M., Gogova D. Ion implantation in β-Ga2O3: Physics and technology // Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. V. 39. 2021. P. 030802.

Nikolyskaya A.A., Belov A.I., Mikhailov A.N., Konakov A.A., Tetelybaum D.I., Korolev D.S. Photoluminescence of ion-synthesized 9R-Si inclusions in SiO2/Si structure: Effect of irradiation dose and oxide film thickness // Applied Physics Letters. № 21. V. 118. 2021. P. 212101.

Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Belov A.I., Tikhov S.V., Korolev D.S., Kruglov A.V., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N., Shchannikov S.A., Kim S., Spagnolo B. Silicon-Compatible Memristive Devices Tailored by Laser and Thermal Treatments // Journal of Low Power Electronics and Applications. № 1. V. 12. 2021. P. 14.

2020

Никольская А.А., Королев Д.С., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Муртазин Р.И., Павлов Д.А., Мухаматчин К.Р., Марычев М.О., Тетельбаум Д.И. Изучение природы фотолюминесценции при 1235 нм в кремнии при облучении кремния и системы SiO2/Si тяжелыми ионами // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–13 марта 2020 г.). Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 505 с. 2020. С. 683–684.

Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Питиримова Е.А., Чигиринский Ю.И., Тетельбаум Д.И. Состав и топография слоев Ga2O3/Si, выращенных магнетронным распылением // XXVIII Российская конференция по электронной микроскопии «Современные методы электронной, зондовой микроскопии и комплементарных методов исследованиях наноструктур и наноматериалов».. XXVIII Российская конференция по электронной микроскопии «Современные методы электронной, зондовой микроскопии и комплементарных методов исследованиях наноструктур и наноматериалов». г. Черноголовка, 7 – 10 сентября 2020 г. Том 2. 272 с.. 2020. С. 151-152.

Савинов Д.А., Антонов А.В., Елькина А.И., Васильев В.К., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Экспериментальное наблюдение s-компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO // Сборник тезисов XXIV международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”. Типография ННГУ, т. 1, 482 стр.. 2020. С. 27-28.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Konakov A.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Light-emitting hexagonal 9R-Si phase obtained by Kr+ ion into implan-tation Si and SiO2/Si // 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, Russia, April 26 – 30, 2020. Book of Abstracts. St. Petersburg Academic University, 2020.- 543 pp. 2020. P. 96-97.

Белов А.И., Конаков А.А., Королев Д.С., Марычев М.О., Михайлов А.Н., Муртазин Р.И., Никольская А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Светоизлучающая гексагональная фаза 9R-Si // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: прогр. и материалы 18-й Междунар. науч. конф.-шк. (Саранск, 15-18 сент. 2020 г.). Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2020.- 228 с. 2020. С. 155.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Муртазин Р.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Люминесцентные свойства ионно-синтезированных структур, содержащих фазу 9R-Si // XIII Международная конференция «Кремний - 2020». (Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сент. 2020 г.). Москва: МАКС Пресс, 2020.- 402 с. 2020. С. 199-202.

Никольская А.А., Королев Д.С., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Ионно-лучевой способ формирования светоизлучающих областей гексагональной фазы 9R-Si кремния // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов Всерос. науч. молодежн. конф., 23–27 ноября 2020 г.. СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, - 111 с.. 2020. С. 22.

Antonov A.V., Yunin P.A., Ikonnikov A.V., Masterov D.V., Mikhaylov A.N., Morozov S.V., Nozdrin Yu.N., Pavlov S.A., Parafin A.E., Tetelbaum D.I., Ustavshchikov S.S., Vasiliev V.K., Savinov D.A. Critical-field slope reduction and upward curvature of the phase-transition lines of thin disordered superconducting YBa2Cu3O7−x films in strong magnetic fields // Physica C: Superconductivity and its Applications. V. 568. 2020. P. 1353581.

Guseinov D.V., Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N. Flexible Monte-Carlo approach to simulate electroforming and resistive switching in filamentary metal-oxide memristive devices // Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering. № 28. V. 1. 2020. P. 015007.

Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Mikhailov A.N. Electrophysical Characteristics of Multilayer Memristive Nanostruc-tures Based on Yttria-Stabilized Zirconia and Tantalum Oxide // Technical Physics. № 2. V. 65. 2020. P. 284–290.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Konakov A.A., Belov A.I., Marychev M.O., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Photoluminescence of silicon at 1235 nm produced by irradiation of SiO2/Si with Kr+ ions and subsequent high-temperature annealing // Surface and Coatings Technology. V. 386. 2020. P. 125496(1-4).

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Kotomina V.E., Kotina A.Yu., Gryaznov E.G., Sharapov A.N., Koryazhkina M.N., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Morozov O.A., Tetelbaum D.I. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Advanced Materials Technologies. № 5. V. 5. 2020. P. 1900607(1-9).

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Tereshchenko A.N., Pavlenkov V.I., Nagornyh S.N., Belov A.I., Vasiliev V.K., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I. Temperature dependence of dislocation-related photoluminescence (D1) of self-implanted silicon subjected to additional boron implantation // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. V. 472. 2020. P. 32-35.

Антонов А.В., Елькинa А.И., Васильев В.К., Галин М.А., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А., Савинов Д.А. Экспериментальное наблюдение s-компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO // Физика твердого тела. № 9. Т. 62. 2020. С. 1434-1439.

Rajbhar M.K., Raiamani S., Singh G.H., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Korolev D.S., Nikolyskaya A.A., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelybaum D.I., Kumar M. Gallium nitride nanocrystal formation in Si3N4 matrix by ion synthesis // Bulletin of Materials Science. V. 43. 2020. P. 234.

Михайлов А.Н., Королев Д.С., Белов А.И., Герасимова С.А., Мищенко М.А., Гусейнов Д.В., Коряжкина М.Н., Тетельбаум Д.И., Филатов Д.О., Горшков О.Н., Агудов Н.В., Дубков А.А., Казанцев В.Б., Спаньоло Б. Мемристивные устройства под действием нейроноподобной активности и шума // Наноиндустрия. № S4 (99). Т. 13. 2020. С. 561-562.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Konakov A.A., Belov A.I., Marychev M.O., Murtazin R. I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Photoluminescence of silicon at 1235 nm produced by irradiation of SiO2/Si with Kr+ ions and subsequent high-temperature annealing // Surface and Coatings Technology. V. 386. 2020. P. 125496.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Konakov A.A., Mikhailov A.N., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Light-emitting hexagonal 9R-Si phase obtained by implantation of Kr+ ions in Si and SiO2/Si // Journal of Physics: Conference Series. V. 1695. 2020. P. 012031(1-5).

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Konakov A.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Light-emitting hexagonal 9R-Si phase obtained by implantation of Kr+ions in Si and SiO2/Si // Journal of Physics: Conference Series. № Issue 1. V. 1695. 2020. P. Статья № 012031.

Rajbhar M.K., Rajamani S., Singh S.K., Surodin S., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Korolev D.S., Nikolyskaya A.A., Belov A.I., Nezhdanov A.V., Mikhailov A.N., Tetelybaum D.I., Kumar M. Gallium nitride nanocrystal formation in Si3N4 matrix by ion synthesis // Bulletin of Materials Science. № 43. V. 234. 2020. P. 1-9.

2019

Тихов С.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Сушков А.А., Милин В.Е., Зубков С.Ю., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н. Повышение воспроизводимости резистивного переключения в многослойных мемристивных наноструктурах на основе стабилизированного иттрием оксида циркония // Материалы ХХIII Международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". ННГУ им. Н.И.Лобачевского, т.2, 2 страницы. 2019. С. 758-759.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Кривулин Н.О., Марычев М.О., Мухаматчин К.Р., Елизарова А.А., Конаков А.А., Тетельбаум Д.И., Павлов Д.А. Светоизлучающая 9R фаза кремния, сформированная методом ионной имплантации инертного газа в подложки SiO2/Si // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума. Нижний Новгород, 11-14 марта. 2019. С. 780-781.

Королев Д.С., Терещенко А.Н., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Исследование дислокационной фотолюминесценции в кремнии при вариации параметров ионного синтеза // XLIX Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2019). Тезисы докладов. Москва, 29 - 31 мая. 2019. С. 143.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Муртазин Р.И., Павлов Д.А., Конаков А.А., Мухаматчин К.Р., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональной фазы кремния при ионной имплантации в плёнку SiO2 на Si // XLIX Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2019). Тезисы докладов. Москва, 29 - 31 мая. 2019. С. 9.

Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Tereshchenko A.N., Mikhailov A.N., Belov A.I., Tetelybaum D.I. Towards an efficient light-emitting source based on self-implanted silicon with dislocationrelated luminescence // 6th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Book of abstracts. Saint Petersburg, April 22-25. 2019. P. 374-375.

Тетельбаум Д.И. Ионно-лучевое формирование светоизлучающих структур на основе кремния // Тезисы докладов Тринадцатого Международного Уральского Семинара «Радиационная физика металлов и сплавов». Кыштым, 24 февраля - 2 марта. 2019. С. 105.

Тетельбаум Д.И., Туловчиков В.С., Степанов А.В., Курильчик Е.В., Никольская А.А., Шуйский Р.А. Эффект дальнодействия, обусловленный генерацией акустических волн при облучении материалов ионами или светом и распространением волн по границе раздела твердое тело–вода: эксперимент и моделирование // Тезисы докладов Тринадцатого Международного Уральского Семинара «Радиационная физика металлов и сплавов». Кыштым, 24 февраля - 2 марта. 2019. С. 109.

Окулич Е.В., Тетельбаум Д.И., Окулич В.И. Накопление дефектов и аморфизация при ионном облучении кремния // XLIX Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2019). Тезисы докладов. Москва, 29 - 31 мая. 2019. С. 145.

Antonov A.V., Ikonnikov A.V., Masterov D.V., Mikhaylov A.N., Morozov S.V., Nozdrin Yu.N., Pavlov S.A., Parafin A.E., Tetelbaum D.I., Ustavshchikov S.S., Yunin P.A., Savinov D.A. Critical-field slope reduction and intriguing phase diagrams of thin disordered superconducting YBCO films in strong magnetic fields // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума.. Нижний Новгород, 11-14 марта, Т.1. 2019. P. 7-8.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Зубков С.Ю., Шенина М.Е., Милин В.Е., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Тихов С.В. Повышение воспроизводимости резистивного переключения в многослойных мемристивных наноструктурах на основе стабилизированного иттрием оксида циркония // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума. Нижний Новгород, 11-14 марта, Т.2. 2019. С. 758-759.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Чигиринский Ю.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Изучение механизмов формирования светоизлучающей гексагональной фазы 9R-Si // Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2019». Материалы докладов. Москва, 8-12 апреля. 2019. С. 918-919.

Тысченко И.Е., Voelskow M., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Перераспределение атомов In и As в пленках SiO2 в процессе постимплантационного отжига // XLIX Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2019). Тезисы докладов. Москва, 29 - 31 мая. 2019. С. 185.

Степанов А.В., Тетельбаум Д.И., Курильчик Е.В., Димитриева А.И., Константинова А.В., Юманов Д.С. Молекулярно-динамическое моделирование дальнего распространения в H2O-Na+ гиперзвуковых волн, возбужденных при ионном или световом облучении твердого тела и их взаимодействие с клеточной мембраной // XLIX Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2019). Тезисы докладов. Москва, 29 - 31 мая. 2019. С. 194.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Antonov A.E., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Mechanism of formation of light-emitting hexagonal phase 9R-Si // 6th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Book of abstracts. Saint Petersburg, April 22-25. 2019. P. 109-110.

Окулич Е.В., Окулич В.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Молекулярно-динамическое моделирование влияния стехиометрии на структуру филамента в мемристорах на основе диоксида кремния // Двадцать третья научная конференция по радиофизике. Труды конференции. Нижний Новгород, 13-17 мая. 2019. С. 505.

Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Belov A.I., Gerasimova S.A., Guseinov D.V., Tikhov S.V., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Koryazhkina M.N., Agudov N.V., Dubkov A.A., Emelyyanov A.V., Nikiruy K.E., Demin A.V., Spanyolo B. From device engineering and adaptive programming to stochastic multistable models of metal-oxide memristors // International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems (MEMRISYS). Conference Proceedings. Dresden, Germany, 8-11 July. 2019. P. 98.

Королев Д.С., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., Павлов Д.А., Сушков А.А., Тетельбаум Д.И. Новые ионно-лучевые подходы к формированию кремниевых светоизлучающих наноматериалов // XXIX Международная конференция «Радиационная физика твердого тела». Тезисы докладов. Севастополь, 08 - 13 июля. 2019. С. 140-147.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Pavlov D.A., Sushkov A.A., Konakov A.A., Tetelbaum D.I. Properties of Hexagonal Silicon (9R Phase) Synthesized by Ion Implantation Into SiO2/Si // German-Russian Travelling Seminar “Nanomaterials and Large-Scale Research Centers”. Book of abstracts. Irkutsk – Lake Baikal – Novosibirsk – Moscow, July 30 – August 10. 2019. P. 12.

Korolev D.S., Tereshchenko A.N., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Tetelbaum D.I. Influence of ion implantation and heat treatment regimes on dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon // The 24th International Conference on Ion-Surface Interactions (ISI-2019). Proceedings of the XXIV International Conference. Moscow, August 19-23. 2019. P. 198-201.

Tetelbaum D.I., Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A. Formation of light-emitting layers in Si at ion implantation in SiO2 on Si // 20th International conference on Radiation Effects in Insulators. Book of abstracts. Nur-Sultan (Astana), Kazakhstan, August 19-23. 2019. P. 178.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tereshchenko A.N., Pavlenkov V., Nagornykh S. Ion-beam modification of Si and SiO2/Si structures for the development of light-emitting silicon-based devices // The 21st International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams. Abstract Book. Tomsk, August 25-30. 2019. P. 21.

Okulich E.V., Vorobyev V.L., Bayankin V.Ya., Chigirinskii Yu.I., Dudin Yu.A., Tetelbaum D.I. Effect of ion irradiation and annealing on quantitative composition of SiO2-based memristive structures // IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 26-29 August. 2019. P. 61.

Okulich V.I., Okulich E.V., Tetelbaum D.I. Computer simulation of structural rearrangement of amorphous silicon dioxide under strong supersaturation with oxygen vacancies // IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 26-29 August. 2019. P. 62.

Королев Д.С., Никольская А.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Эволюция дефектной структуры при ионном синтезе гексагональной фазы кремния // 13-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Материалы докладов. Минск, Беларусь, 30 сентября – 3 октября. 2019. С. -.

Guseinov D.V., Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Gerasimova S.A., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Kazantsev V.B. Atomistic and dynamical stochastic models of metal-oxide memristive devices // International Conference “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)”. Book of abstracts. Erice, Italy, October 18-21. 2019. P. 23.

Korolev D.S., Okulich E.V., Koryazhkina M.N., Shuiski R.A., Belov A.I., Shenina M.E., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Okulich V.I., Antonov I.N., Dudin Yu.A., Spagnolo B. Effect of irradiation with Si+ ions on resistive switching in memristive structures based on yttria-stabilized zirconia and silicon dioxide // International Conference “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)”. Book of abstracts. Erice, Italy, October 18-21. 2019. P. 27.

Никольская А.А., Королев Д.С., Антонов А.Е., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Исследование природы фотолюминесценции системы SiO2/Si, облученной ионами Kr+ // XXI Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов. Санкт-Петербург, 25-29 ноября. 2019. С. 38.

Savinov D.A., Ikonnikov A.V., Antonov A.V., Masterov D.V., Mikhaylov A.N., Morozov S.V., Nozdrin Yu.N., Pavlov S.A., Parafin A.E., Tetelybaum D.I., Ustavshchikov S.S., Yunin P.A. Critical-field slope reduction and intriguing phase diagrams of thin disordered superconducting YBCO films in strong magnetic fields // Сборник тезисов XXIII международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”. Типография ННГУ, т. 1, 545 стр.. 2019. P. 7-8.

Савинов Д.А., Антонов А.В., Васильев В.К., Елькина А.И., Мастеров Д.В., Иконников А.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Возможное наблюдение s-фазы в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO // Тезисы докладов, XVIII Международная школа-конференция молодых ученых «Проблемы физики твердого тела и высоких давлений» с тематическим названием «Идеи и методы физики конденсированного состояния». ФИАН, 130 стр.. 2019. С. 100-102.

Тетельбаум Д.И., Туловчиков В.С., Мавричева Ю.А., Курильчик Е.В., Никольская А.А., Степанов А.В. Роль границы раздела водная среда--твердое тело в передаче возбуждения кремния светом // Журнал технической физики. № 9. Т. 89. 2019. С. 1427-1433.

Tereshchenko A.N., Korolev D.S., Khorosheva M., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Nikolskaya A.A., Tetelbaum D.I. The Effects of Aluminum Gettering and Thermal Treatments on the Light-Emitting Properties of Dislocation Structures in Self-Implanted Silicon Subjected to Boron Ion Doping // PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. V. 216. 2019. P. 1900323.

Okulich E.V., Koryazhkina M.N., Korolev D.S., Belov A.I., Shenina M.E., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Antonov I.N., Dudin Yu.A. The Effect of Irradiation with Si+ Ions on Resistive Switching in Memristive Structures Based on Yttria-Stabilized Zirconia // Technical Physics Letters. № 7. V. 45. 2019. P. 690–693.

Tetelbaum D.I., Tulovchikov V.S., Mavricheva Yu.A., Kurilychik E.V., Nikolskaya A.A., Stepanov A.V. Role of the Solid–Aqueous Medium Interface in Transferring Light-Induced Excitation of Silicon // Technical Physics. № 9. V. 64. 2019. P. 1350-1356.

Антонов А.В., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А., Савинов Д.А. Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa2Cu3O7−x во внешних магнитных полях // Физика твердого тела. № 9. Т. 61. 2019. С. 1573-1578.

Tyschenko I.E., Voelskow M., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I. Diffusion and Interaction of In and As Implanted into SiO2 Films // Semiconductors. № 8. V. 53. 2019. P. 1004–1010.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Mechanism of formation of light-emitting silicon hexagonal phase 9R-Si // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012037.

Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Tereshchenko A.N., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Tetelbaum D.I. Towards an efficient light-emitting source based on self-implanted silicon with dislocation-related luminescence // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012152.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Kotomina V.E., Kotina A.Yu., Gryaznov E.G., Sharapov A.N., Koryazhkina M.N., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Morozov O.A., Tetelbaum D.I. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Advanced Materials Technologies. V. 5. 2019. P. 1900607.

Sharma N.L., Rajamani S., Shengurov V.G., Baidus N.V., Korolev D.S., Nikolyskaya A.A., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Sequential nitrogen ion implantation in Si-based GaAs matrix and subsequent thermal annealing process: electrical characterization // Proceedings of the Indian National Science Academy. № 3. V. 85. 2019. P. 681-687.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Gerasimova S.A., Antonov I.N., Okulich E.V., Shuiskiy R.A., Tetelbaum D.I. Effect of ion irradiation on resistive switching in metal-oxide memristive nanostructures // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012245.

Савинов Д.А., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa_2Cu_3O_{7−x} во внешних магнитных полях // Физика твердого тела. № 9. Т. 61. 2019. С. 1573.

2018

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Мухаматчин К.Р., Елизарова А.А., Конаков А.А., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Диагностика образования и свойств включений гексагонального кремния, полученных методом ионной имплантации // Труды X Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Типография РГРУ, Рязань, 01-06 октября, Т.2, 176 стр. 2018. С. 147.

Савинов Д.А., Антонов А.В., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Особенности фазовых диаграмм узких сверхпроводящих мостиков на основе YBaCuO с разной дозой имплантации ионов кислорода // Сборник тезисов XXII международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". Типография ННГУ, Н. Новгород, 12-15 марта, Т.1, 507 стр. 2018. С. 112-113.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование включений кремния гексагональной фазы при ионной имплантации в структуру SiO2/Si // Сборник тезисов XXII международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". Типография ННГУ, Н. Новгород, 12-15 марта, Т.2, 390 стр. 2018. С. 717-718.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И. Синтез гексагональной модификации кремния методом ионной имплантации // Сборник тезисов работ участников XII Всероссийской конференции обучающихся «Национальное Достояние России» IV Всероссийского молодежного форума «АПК – МОЛОДЁЖЬ, НАУКА, ИННОВАЦИИ». Издательство общероссийской общественной организации «Интеграция», 966 стр. 2018. С. 752-753.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Formation of hexagonal silicon inclusions in Si-based systems // Book of abstracts. 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Published by St. Petersburg Academic University, Saint Petersburg, April 2-5, 621 стр. 2018. P. 94-95.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И., Нагорных С.Н., Павленков В.И. Температурная зависимость дислокационной фотолюминесценции в ионно-имплантированном кремнии, дополнительно легированном акцепторными примесями // Тезисы докладов XLVIII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: "КДУ", "Университетская книга", Москва, 29-31 мая, 206 стр. 2018. С. 131.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Свойства гексагонального кремния, синтезируемого с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов XLVIII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: "КДУ", "Университетская книга", Москва, 29-31 мая, 206 стр. 2018. С. 155.

Окулич Е.В., Окулич В.И., Тетельбаум Д.И., Шемухин А.А. Моделирование кинетики накопления точечных дефектов при ионном облучении кремния с учетом пространственно-временной стохастичности генерации и эволюции дефектов // Тезисы докладов XLVIII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: "КДУ", "Университетская книга", Москва, 29-31 мая, 206 стр. 2018. С. 160.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С. Исследование свойств гексагональной фазы 9R-Si, полученной с помощью ионной имплантации в системе SiO2/Si // Сборник докладов конференции научной молодежи физического факультета ННГУ. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 11 мая, 29 стр. 2018. С. 20-23.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональных включений кремния в системе SiO2/Si с помощью ионной имплантации // XXIII Нижегородская сессия молодых ученых. Княгинино : НГИЭУ, Нижний Новгород, 22-23 мая, Т.2, 226 стр. 2018. С. 36-37.

Korolev D.S., Tereshchenko A.N., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shteinman E.A., Tetelbaum D.I. Influence of boron implantation and gettering on light-emitting properties of dislocation structures in ion-implanted silicon // E-MRS Spring Meeting 2018. Abstracts, France, Strasbourg. 2018. P. K.P1.31.

Sidorenko K.V., Shenina M.E., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N. Self-consistent Monte-Carlo simulation of ion, electron and heat transport in ZrO2(Y)-based memristive nanostructures // E-MRS Spring Meeting 2018. Abstracts, France, Strasbourg. 2018. P. K.P1.32.

Никольская А.А., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А. Синтез и свойства гексагональной модификации 9R-Si, полученной с помощью ионной имплантации // Сборник трудов XIII Всероссийской Научной конференция молодых ученых «Наноэлектроника, Нанофотоника и Нелинейная физика». Издательство "Техно-Декор", Саратов, 4-6 сентября, 404 стр. 2018. С. 209-210.

Савинов Д.А., Антонов А.В., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Аномальные температурные зависимости верхнего критического поля тонких пленок ВТСП YBCO с контролируемой дозой ионной имплантации // XVII Школа-конференция молодых ученых "Проблемы физики твердого тела и высоких давлений". Тезисы. Москва, ФИАН, пос. Вишневка, пансионат МГУ "Буревестник", 14-23 сентября, 190 стр. 2018. С. 168-170.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование свойств гексагонального кремния, полученного с помощью ионной имплантации // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение. Издательство Мордовского университета, Саранск, 18-21 сентября, 224 стр. 2018. С. 182.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Фотолюминесцентная спектроскопия кремния с центрами дислокационной люминесценции, сформированных имплантацией ионов Si+ // Труды X Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Типография РГРУ, Рязань, 01-06 октября, Т.2, 176 стр. 2018. С. 152.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Zubkov S.Yu., Shenina M.E., Milin V.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N. Improvement of resistive switching reproducibility by stabilized oxygen exchange in Au/Ta/ZrO2(Y)/Ta2O5/TiN/Ti devices // INTERNATIONAL WORKSHOP From ReRAM and Memristors to new Computing Paradigms. Book of Abstracts, Rethymno, Crete, Greece, October 28-31, 35 стр. 2018. P. 18.

Korolev D.S., Belov A.I., Antonov I.N., Gerasimova S.A., Pigareva Ya.I., Pimashkin A.S., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N. Dynamic response of metal-oxide memristive devices to complex electric signals // INTERNATIONAL WORKSHOP From ReRAM and Memristors to new Computing Paradigms. Book of Abstracts, Rethymno, Crete, Greece, October 28-31, 35 стр. 2018. P. 15.

Королев Д.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Герасимова С.А., Пигарева Я.И., Пимашкин А.С., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Мемристивные структуры на основе оксидных диэлектриков для применения в нейроморфных системах нового поколения // Сборник докладов VIII Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела». Минск: Ковчег, Минск, Беларусь, 24-28 сентября, Т.2, 286 стр. 2018. С. 249-250.

Терещенко А.Н., Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И., Хорошева М.А., Штейнман Э.А. Влияние геттерирования на температурную зависимость дислокационной люминесценции в ионно-имплантированном кремнии // Сборник тезисов XII Международной конференции КРЕМНИЙ-2018. Российская Академия наук, Черноголовка, 22-26 ноября, 130 стр. 2018. С. 31.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование особенностей формирования и люминесцентных свойств гексагональных фаз кремния, синтезированных с применением ионной имплантации // Сборник тезисов XII Международной конференции КРЕМНИЙ-2018. Российская Академия наук, Черноголовка, 22-26 ноября, 130 стр. 2018. С. 87.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Okulich E.V., Okulich V.I., Shuisky R.A., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Stepanov A.V., Gorshkov O.N. Ion Implantation in the Technology of Metal-Oxide Memristive Devices // XII International Conference on Ion implantation and other applications of ions and electrons. Book of Abstracts, Kazimierz Dolny, Poland, June 18-21, 137 стр. 2018. P. 122.

Tetelbaum D.I., Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A. Synthesis of hexagonal silicon by ion implantation // XII International Conference on Ion implantation and other applications of ions and electrons. Book of Abstracts, Kazimierz Dolny, Poland, June 18-21, 137 стр. 2018. P. 123.

Никольская А.А., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Мухаматчин К.Р., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Елизарова А.А., Конаков А.А. Структура и оптические свойства гексагональной модификации кремния, полученной методом ионной имплантации // «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов VII Всероссийской конференции (Нижний Новгород, 7-9 ноября 2018 г.). Отпечатано в РИУ Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Н. Новгород, 174 стр.. 2018. С. 28.

Тетельбаум Д.И. Некоторые актуальные проблемы ионной имплантации // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 15.

Королев Д.С., Терещенко А.Н., Никольская А.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Температурная зависимость дислокационной люминесценции в ионно-имплантированном кремнии, дополнительно облученном ионами бора и подвергнутом внешнему геттерированию // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 32.

Терещенко А.Н., Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Дефектная люминесценция в кремнии, имплантированном ионами кислорода // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 33.

Колычев А.В., Керножицкий В.А., Дудин Ю.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Ионно-лучевая обработка жаропрочных материалов для увеличения их термоэмиссионной способности // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 53.

Степанов А.В., Тетельбаум Д.И. Модели эффекта дальнодействия в твердотельных и гетерогенных (жидкостно-твердотельных) системах при ионном и световом воздействии // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 88.

Тетельбаум Д.И., Туловчиков В.С., Курильчик Е.В., Дудин Ю.А., Шуйский Р.А., Степанов А.В. Латеральный эффект дальнодействия в твердотельно-жидкостной системе с раствором (H2O:NaCl) при ионном облучении кремния // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 93.

Васильев В.К., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Шаймерденова Л.К. Формирование арсенидгаллиевых p-i-n структур ионной имплантацией с последующим быстрым термическим отжигом // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 145.

Коряжкина М.Н., Окулич Е.В., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шуйский Р.А., Антонов И.Н., Васильев В.К. Влияние облучения ионами Si и постимплантационного отжига на параметры резистивного переключения в мемристивных структурах на основе // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 150.

Шуйский Р.А., Окулич Е.В., Окулич В.И., Белов А.И., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Чигиринский Ю.И., Тетельбаум Д.И. Влияние ионной имплантации на параметры формовки и переключения мемристивных структур на основе диоксида кремния // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 153.

Окулич Е.В., Окулич В.И., Тетельбаум Д.И. Моделирование влияния ионного облучения на структуру аморфного оксида кремния методом молекулярной динамики // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 163.

Никольская А.А., Королев Д.С., Сушков А.А., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Изучение светоизлучающей гексагональной фазы 9R-Si // Тезисы докладов XX Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Издательство Политехнического университета, Санкт-Петербург, 26-30 ноября, 128 стр. 2018. С. 121.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Okulich E.V., Okulich V.I., Shuisky R.A., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N. Ion implantation in the technology of metal-oxide memristive devices. New York:: Nova Science Publishers, Inc. - Ion Implantation: Synthesis, Applications and Technology / A.D. Pogrebnyak (Ed.), ISBN: 978-1-53613-962-4.. 2018.

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Bipolar resistive switching in metal-insulator-semiconductor nanostructures based on silicon nitride and silicon oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 993. 2018. P. 012028.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Mukhamatchin K.R., Elizarova A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

Rajamani S., Arora K., Konakov A.A., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Surodin S., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Deep UV Narrow-Band Photodetector Based on Ion Beam Synthesized Indium Oxide Quantum Dots in Al2O3 Matrix // Nanotechnology. V. 29. 2018. P. 305603.

Rajamani S., Arora K., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Usov Yu.V., Pavlov D.A., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Enhanced Solar-blind Photodetection Performance of Encapsulated Ga2O3 Nanocrystals in Al2O3 Matrix // IEEE Sensors Journal. № 10. V. 18. 2018. P. 4046-4052.

Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors // Microelectronic Engineering. V. 187-1. 2018. P. 134-138.

Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Antonov I.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N. Manipulation of resistive state of silicon oxide memristor by means of current limitation during electroforming // Superlattices and Microstructures. V. 122. 2018. P. 371-376.

Sobolev N.A., Kalyadin A.E., Shek E.I., Shtel’makh K.F., Fedina L.I., Gutakovskii A.K., Vdovin V.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Lie D., Yang D. Luminescent and Structural Properties of Electron-Irradiated Silicon Light-Emitting Diodes with Dislocation-Related Luminescence // Materials Today: Proceedings. № 6(3). V. 5. 2018. P. 14772-14777.

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Bipolar resistive switching in metal-insulator-semiconductor nanostructures based on silicon nitride and oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 993. 2018. P. 012028.

Tereshchenko A.N., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Nikolskaya A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Shteinman E.A. Effect of Boron Impurity on the Light-Emitting Properties of Dislocation Structures Formed in Silicon by Si+ Ion Implantation // Semiconductors. № 7. V. 52. 2018. P. 843-848.

Okulich E.V., Okulich V.I., Tetelbaum D.I. Calculation of the Influence of the Ion Current Density and Temperature on the Accumulation Kinetics of Point Defects under the Irradiation of Si with Light Ions // Semiconductors. № 9. V. 52. 2018. P. 1091-1096.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Morozov A.N., Karakolis P., Dimitrakis P. Behavioral Features of MIS Memristors with a Si3N4 Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1540-1546.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Formation of hexagonal silicon regions in silicon // Journal of Physics: Conference Series. V. 1124. 2018. P. 022007.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Muhamatchin K.R., Elizarova A.A., Marychev M.O., Konakov A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Морозов А.И., Белов А.И., Karacolis P., Dimitrakis P. Особенности биполярного переключения в МДП-стркутурах на основе проводящего кремния // Физика и техника полупроводников. № 2018. Т. 12. 2018. С. 1436.

Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shuisky R.A., Antonov I.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N. Manipulation of resistive state of silicon oxide memristor by means of current limitation during electroforming // Superlattices and Microstructures. V. 122. 2018. P. 371-376.

2017

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С. Синтез гексагональной модификации кремния с помощью ионной имплантации // Сборник докладов, конференции научной молодежи физического факультета ННГУ. Нижний Новгород, 11 мая. 2017. С. 80-83.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Влияние легирования бором на температурную зависимость дислокационной люминесценции в кремнии // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Т.2. Нижний Новгород, 13-16 марта. 2017. С. 625-626.

Королев Д.С., Никольская А.А., Белов А.И., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Маркелов А.С., Шушунов А.Н., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Формирование нановключений нитрида галлия при имплантации ионов галлия и азота в кремний и кремний-совместимые диэлектрические пленки // Тезисы докладов, 11 Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы. Москва, 1-3 февраля. 2017. С. 146-147.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Okulich E.V., Antonov I.N., Tetelbaum D.I. Influence of current limitation on the adaptive behavior of the memristive nanostructures // Book of abstracts, International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, April 3-6. 2017. P. 554-555.

Степанов А.В., Тетельбаум Д.И. Применение суперкомпьютерных технологий для моделирования процессов генерации и распространения гиперзвуковых волн, возникающих в кремнии при воздействии света // Тезисы школы, XI Всероссийская молодежная научно-инновационная школа «Математика и математическое моделирование». Нижегородская область, Саров, 11-13 апреля. 2017. С. 181.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Дислокационная люминесценция в имплантированном ионами Si+ кремнии с разными типами проводимости и концентрациями легирующей примеси // Тезисы докладов, XLVII Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2017). Москва, 30 мая-1 июня. 2017. С. 124.

Окулич Е.В., Королев Д.С., Белов А.И., Окулич В.И., Шуйский Р.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние ионной имплантации на параметры мемристивных структур на основе оксида кремния // Тезисы докладов, XLVII Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2017). Москва, 30 мая-1 июня. 2017. С. 145.

Степанов А.В., Тетельбаум Д.И. Моделирование нетермической генерации и распространения КВЧ акустических волн в конденсированных гетеросистемах при внешних воздействиях // Тезисы докладов, XLVII Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2017). Москва, 30 мая-1 июня. 2017. С. 7.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Нагорных С.Н., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Механизм влияния температуры на дислокационную фотолюминесценцию ионно-имплантированного кремния // Труды, XXIII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью» (ВИП 2017). Москва, 21-25 августа. 2017. С. 93-96.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Krivulin N.O., Pavlov D.A. Formation of nanocrystalline 9R silicon hexagonal phase under multi-ion implantation into Si and SiO2/Si substrates // Abstracts, Nineteenth Annual Conference YUCOMAT 2017. Herceg Novi, Montenegro, September 4-8. 2017. P. 95.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Синтез гексагональной модификации кремния с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов, III Всероссийский научный форум «Наука будущего – наука молодых». Нижний Новгород, 12-14 сентября. 2017. С. 374-375.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Соболев Н.А., Kumar M. Ионно-лучевой синтез кремния с гексагональной структурой // Материалы докладов, 16-ая Международная научная конференция -школа «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение». Саранск, 19-22 сентября. 2017. С. 24.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональной фазы кремния при ионном облучении // Материалы докладов, 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь, 19-22 сентября. 2017. С. 150-151.

Королев Д.С., Окулич Е.В., Шуйский Р.А., Окулич В.И., Белов А.И., Антонов И.Н., Васильев В.К., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Влияние ионно-лучевой обработки на параметры электроформовки и резистивного переключения мемристивных наноструктур // Материалы докладов, 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь, 19-22 сентября. 2017. С. 152-153.

Савинов Д.А., Антонов А.В., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Особенности фазовых диаграмм узких сверхпроводящих мостиков на основе YBaCuO с разной дозой имплантации ионов кислорода // Тезисы докладов, XVI Международная школа-конференция молодых ученых «Проблемы физики твердого тела и высоких давлений» с тематическим названием «Идеи и методы физики конденсированного состояния». Сочи, 14 сентября – 24 сентября. 2017. С. 125-126.

Rajamani S., Korolev D.S., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Ultraviolet Photodetectors Based on Ion-Beam Synthesized GaN Nanocrystals // Book of abstracts,International Conference on Nano Structuring by Ion beam (ICNIB 2017). Indore, India, October 11-13. 2017. P. O-07.

Tetelbaum D.I., Stepanov A.V., Mavricheva Yu.A. The propagation of light-induced excitation of Si along the solid / (water solution of NaCl) interface // Book of abstracts, III Международная конференция «Актуальные проблемы физики поверхности и наноструктур». Ярославль, 9-11 октября. 2017. P. 45.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Tetelbaum D.I. Influence of ambient and temperature of annealing on dislocation-related luminescence in silicon // Book of abstracts, III Международная конференция «Актуальные проблемы физики поверхности и наноструктур». Ярославль, 9-11 октября. 2017. P. 46.

Конаков А.А., Сидоренко К.В., Тетельбаум Д.И. Излучение и фотоотлик нанокристаллов нитрида галлия, внедренных в различные диэлектрические матрицы // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 622.

Тысченко И.Е., Voelskow M., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Пространственное распределение индия и мышьяка в пленках SiO2 в условиях ионно-лучевого синтеза соединения InAs // Тезисы докладов, XLVII Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2017). Москва, 30 мая-1 июня. 2017. С. 109.

Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shenina M.E., Korolev D.S., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Okulich E.V., Okulich V.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G. Filamentary model of bipolar resistive switching in capacitor-like memristive nanostructures on the basis of yttria-stabilised zirconia // International Journal of Nanotechnology. № 7/8. V. 14. 2017. P. 604-617.

Королев Д.С., Никольская А.А., Кривулин Н.О., Белов А.И., Михайлов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Соболев Н.А., Kumar M. Формирование гексагональной фазы кремния 9R при ионной имплантации // Письма в Журнал технической физики. № 16. Т. 43. 2017. С. 87-92.

Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Krivulin N.O., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Sobolev N.A., Kumar M. Formation of Hexagonal 9R Silicon Polytype by Ion Implantation // Technical Physics Letters. № 8. V. 43. 2017. P. 767-769.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Vasiliev V.K., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Tetelbaum D.I. Composition and luminescence of Si and SiO2 layers co-implanted with Ga and N ions // International Journal of Nanotechnology. № 7-8. V. 14. 2017. P. 637-645.

Степанов А.В., Тетельбаум Д.И. Молекулярно-динамическое моделирование проникновения в кремний гиперзвуковых волн, генерируемых в естественном оксиде кремния при облучении // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 7. 2017. С. 82-88.

Stepanov A.V., Tetelbaum D.I. Molecular Dynamics Simulation of the Penetration of Silicon by Hypersonic Waves Generated in Native Silicon Oxide under Irradiation // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION. № 4. V. 11. 2017. P. 756-761.

Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., P. Karakolis, P. Dimitrakis Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors // Microelectronic Engineering. № 187. V. 188. 2017. P. 134-138.

2016

Тетельбаум Д.И., Туловчиков В.С., Курильчик Е.В., Мавричева Ю.А., Никольская А.А. VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». // Тезисы докладов. Нижний Новгород, 24-27 октября 2016 г.. 2016. С. 18-20.

Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Belov A.I., Shenina M.E., Koryazhkina M.N., Guseinov D.V., Okulich V.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Antonov D.A., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching in capacitor-like structures based on ionic and covalent oxide dielectrics // Abstracts 20th International Symposium On Non-Oxide and New Optical Glasses. Nizhny Novgorod, Russia, August 21-26, 2016. 2016. P. 103-104.

Денисов С.А., Степихова М.В., Тетельбаум Д.И., Трушин В.Н., Чалков В.Ю., Здоровейщев А.В., Зайцев А.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Светоизлучающие слои германия на кремнии, легированные фосфором в процессе ионной имплантации // Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Нижний Новгород, Россия, 24-27 октября 2016 г.. 2016. С. 87-88.

Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Формирование нанокластеров в кремнии и оксидных пленках на кремнии, имплантированных Ga и N // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тез. докл. VI Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов, Нижний Новгород, 24–27 окт. 2016 г. Н. Новгород. : Изд-во Нижегорд. госун-та. 2016. 141 с. 2016. С. 62-63.

Суродин С.И., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Распределение химического состава по глубине в кремнии,имплантированном ионами галлия и азота // XX научный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", г. Нижний Новгород, 14-18 марта. Т.2, Изд-во ННГУ. 2016. С. 741-742.

Курильчик Е.В., Тетельбаум Д.И., Туловчиков В.С., Никольская А.А., Менделева Ю А Распространение и регистрация сигнала, возникающего при облучении, вдоль границы твердое тело–водная среда (объединённый док- лад, // 46 Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (PCI-2016). М.:"КДУ", "Университетская книга", 2016. - 224 с.. 2016. С. 9 стр.

Konakov A.A., Filatov D.O., Korolev D.S., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Electronic states in spherical GaN nanocrystals embedded in various dielectric matrices: The k⋅p-calculations // AIP Advances. V. 6. 2016. P. 015007.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Окулич Е.В., Шемухин А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 274-278.

Соболев Н.А., Калядин А.Е., Коновалов М.В., Аруев П.Н., Забродский В.В., Шек Е.И., Штельмах К.Ф., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Si:Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 241-244.

Белов А.И., Михайлов А.Н., Королев Д.С., Сергеев В.А., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiOx/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки // Письма в журнал технической физики. № 10. Т. 42. 2016. С. 17-24.

Королев Д.С., Мастеров Д.В., Охапкин А.И., Павлов С.А., Парафин А.Е., Юнин П.А., Королев С.А., Михайлов А.Н., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Модификация пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d методом ионной имплантации // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 4. 2016. С. 80-83.

Belov A.I., Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Okulich E.V., Sergeev V.A., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Kozlovski V.V. Medium-energy ion-beam simulation of the effect of ionizing radiation and displacement damage on SiO2-based memristive nanostructures // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. V. 379. 2016. P. 13-17.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiOx // Журнал технической физики. № 5. Т. 86. 2016. С. 107-111.

Rajamani S., Korolev D.S., Belov A.I., Surodin S.I., Nikolitchev D.E., Okulich E.V., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Effect of annealing on carrier transport properties of GaN-incorporated silicon // RSC Advances. V. 6. 2016. P. 74691.

Surodin S.I., Nikolitchev D.E., Kryukov R.N., Belov A.I., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I. Distribution of species and Ga–N bonds in silicon co-implanted with gallium and nitrogen ions // AIP Conference Proceedings. V. 1748. 2016. P. 050005.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I. Adaptive behaviour of silicon oxide memristive nanostructures // Journal of Physics: Conference Series. V. 741. 2016. P. 012161.

Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Shemmukhin A.A., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Layer-by-Layer Composition and Structure of Silicon Subjected to Combined Gallium and Nitrogen Ion Implantation for the Ion Synthesis of Gallium Nitride // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 271-275.

2015

Суродин С.И., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Королев Д.С., Белов А.И. Исследование химического состава кремния, имплантированного ионами галлия и азота // XX Нижегородская сессия молодых ученых. Естественные, математические науки. Княгинино : НГИЭУ. – 2015. – 218 с.. 2015. С. 60-63.

Королев С.А., Мастеров Д.В., Охапкин А.И., Павлов С.А., Парафин А.Е., Юнин П.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Модификация пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d методом ионной имплантации // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 79-80.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Смирнов А.Е., Тетельбаум Д.И. Исследование влияния отжига в окислительной атмосфере на дислокационную люминесценцию в кремнии, имплантированном Si+ // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 539-540.

Степихова М.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Гусейнов Д.В., Тетельбаум Д.И., Шенгуров В.Г. Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев германия на кремнии, выращенных методом химического газофазного осаждения с горячей проволокой // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. Т.2, 2 стр. 2015. С. 658-659.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Смирнов А.Е., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Трушин В.Н., Маркелов А.С., Нежданов А.В. Ионно-лучевой синтез GaN в кремнии // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 663-664.

Тетельбаум Д.И., Туловчиков В.С., Курильчик Е.В., Менделева Ю.А. Эффект дальнодействия в системе кремний – фторопласт – водный раствор NaCl ¬– кремний: роль кластеров Na+-(H2O)m и контактных явлений // XV конференция и VIII школа молодых учёных «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение». Тезисы докладов. Н. Новгород, 26–29 мая, 2015. 2015. С. 23.

Тетельбаум Д.И. Связанный с поверхностным оксидом эффект дальнодействия при облучении твердых тел ионами и светом // XXII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП 2015)». Труды. Москва, 20-24 августа, 2015. – Т.1. 2015. С. 165-170.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Efimovykh D.V., Antonov I.N., Okulich E.V., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tetelbaum D.I. Influence of ion irradiation on the resistive switching parameters of SiOx-based thin-film structures // 2nd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2015”. Book of abstracts. St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. 2015. P. 271-272.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Guseinov D.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Tetelbaum D.I. Ion synthesis of GaN nanocrystals in silicon // 2nd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2015”. Book of abstracts, St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. 2015. P. 237-238.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tetelbaum D.I. Effect of ion irradiation on resistive switching in silicon-oxide-based MIM structures // Proceedings of the International conference “Nanomeeting-2015”. Belarus, Minsk, 26-29 May, 2015. 2015. P. 88-90.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сергеев В.А., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения на параметры резистивного переключения в МДМ-структурах на основе оксида кремния // XXII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП 2015)». Труды. Москва, 20-24 августа, 2015. – Т.3. 2015. С. 101-104.

Гусейнов Д.В., Денисов С.А., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Юнин П.А., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Степихова М.В., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Имплантируемые ионами P+ слои германия на Si(100) для светоизлучающих приборов // XXII международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2015)». Москва, Россия, 20-24 августа 2015, Т.2. 2015. С. 120-123.

Менделева Ю.А., Тетельбаум Д.И., Курильчик Е.В., Туловчиков В.С., Успенская Г.И. Волновая (с участием КВЧ колебаний и гиперзвука) передача светового возбуждения от кристалла к кристаллу через водный раствор NaCl (к вопросу о при- роде биологической роли миллиметровых волн) // Тезисы докладов XIII международной научно-технической конференции «Физика и технические приложения волновых процессов», Казань, 21 – 25 сентября, 2015. Тезисы докладов. 2015. С. 436.

Тетельбаум Д.И., Туловчиков В.С., Курильчик Е.В., Мавричева Ю.А., Успенская Г.И. XIII Международная научно-техническая конференция «Физика и технические приложения волновых процессов» (ФТПВП 2015). // Материалы конференции. Казань, 21-25 сентября, 2015.. 2015. С. 342-344.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Konakov A.A., Shemukhin A., Ranwa S., Kumar M. Si and Si-compatible dielectric films subjected to Ga+N co-implantation: towards the Si-based technology of nc-GaN fabrication // 18th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-18), Dates: 26th to 31st October, 2015. Book of Abstracts. Jaipur, Rajasthan, India. 2015. P. 238.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor // Materials Science and Engineering B. V. 195. 2015. P. 48-54.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I., Sobolev N.A. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion implanted silicon and effect of additional boron ion doping // Physica Status Solidi C. № 1-2. V. 12. 2015. P. 84-88.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor // Materials Science and Engineering B. № 4. V. 194. 2015. P. 48-54.

Гуськова О.П., Воротынцев В.М., Абросимова Н.Д., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Шоболов Е.Л. Формирование фторсодержащих дефектов и нанокристаллов в SiO2 при имплантации ионов фтора, кремния и германия: компьютерное моделирование и фотолюминесцентная спектроскопия // Физика твердого тела. № 11. Т. 57. 2015. С. 2106-2111.

Белов А.И., Михайлов А.Н., Королев Д.С., Сергеев В.А., Окулич Е.В., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Грязнов Е.Г., Ятманов А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние облучения ионами H+ и Ne+ на резистивное переключение в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiOx // Письма в журнал технической физики. № 19. Т. 41. 2015. С. 81-89.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I. Distribution of D1 Dislocation Luminescence Centers in Si+-Implanted Silicon and the Photoluminescence Model // Modern Electronic Materials. № 2. V. 1. 2015. P. 33-37.

Sergeev V.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Guseinov D.V., Nezhdanov A.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Ion-beam synthesis of GaN in silicon // Journal of Physics: Conference Series. № 643. V. 1. 2015. P. 012082.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I. Influence of ion irradiation on the resistive switching parameters of SiOx-based thin-film structures // Journal of Physics: Conference Series. V. 643. 2015. P. 012094.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А. Распределение центров дислокационной люминесценции D1 в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+, и модель фотолюминесценции // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015. [принято к печати]

2014

Тихов С.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Королев Д.С., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Электрофизические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе оксида кремния, проявляющий эффект резистивного переключения // Труды ХY111 Международного симпозиума по Нанофизике и Наноэлектронике 10 -14 марта 2014. Нижний Новгород, том 2, 557-558. 2014. С. 557-558.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Смирнов А.Е., Шушунов А.Н., Шек Е.И., Тетельбаум Д.И. Влияние дозы ионного легирования бором и условий отжига на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // Труды XVIII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 10–14 марта, 2014. – С.638-639. 2014. С. 638-639.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Effect of boron ion doping on dislocation-related luminescence in silicon // Abstracts of E-MRS 2014 Spring Meeting. Lille, France, 26-30 May, 2014.. 2014. P. 1-35.

Спирин Д.Е., Терехов В.А., Минаков Д.Н., Степанова Н.А., Агапов Б.Л., Солдатенко С.А., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Михайлов А.Н., Ершов А.В. Возможность формирования нанокристаллов кремния и карбида кремния в матрице SiOx после ионной имплантации углерода и импульсно-фотонного отжига // Аморфные и микрокристаллические полупроводники: сборник трудов IX Международной конференции. 7–10 июля 2014 года. - Санкт-Петербург. СПб.: Издательство Политехнического университета, 431 с. 2014. С. 118–119.

Спирин Д.Е., Терехов В.А., Минаков Д.Н., Степанова Н.А., Агапов Б.Л., Солдатенко С.А., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Михайлов А.Н., Ершов А.В., Дудин Ю.А. Влияние имплантации углерода на формирование нанокристаллов кремния и карбида кремния в пленках SiOx // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: тезисы докладов V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 27–31 октября 2014 г.). Нижний Новгород: ННГУ. 142 с. 2014. С. 40-41.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Распределение структурных нарушений и центров дислокационной фотолюминесценции в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+ // Кремний – 2014 /Тезисы докладов X Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (Иркутск, 7–12 июля 2014 г.). Иркутск: Изд-во Института географии им. В.Б. Сочавы СО РАН, 229 с. 2014. С. 156.

Гусейнов Д.В., Королев Д.С., Денисов С.А., Филатов Д.О., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Трушин В.Н., Степихова М.В., Шенгуров В.Г. Влияние режимов имплантации ионов P+ в слои Ge на Si(100) и последующего отжига на их фотолюминесценцию // Тезисы докладов V-ой Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», Нижний Новгород, Россия, 27- 31 октября 2014. ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2014, 142 с. 2014. С. 68-69.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Антонов И.Н., Ефимовых Д.В., Тихов С.В., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Резистивное переключение в структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе оксида кремния // Материалы ІV Международной научной конференции "Наноструктурные материалы-2014: Беларусь-Россия-Украина". Минск, 7-10 октября,. 2014. С. 355.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Шушунов А.Н., Смирнов А.Е., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И., Соболев Н.А. Эволюция дислокационной люминесценции в кремнии при дополнительном ионном легировании и отжиге в различных атмосферах // Тезисы докладов V-ой Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации». Нижний Новгород, Россия, 27- 31 октября 2014. : ННГУ им. Н.И.Лобачевского. 2014. С. 61.

Королев Д.С., Смирнов А.Е., Михайлов А.Н., Белов А.И., Шушунов А.Н., Тетельбаум Д.И. Дислокационная фотолюминесценция в кремнии: влияние дозы ионного легирования бором и атмосферы отжига // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: сборник трудов 13-й Международной научной конференции-школы. Саранск, 7–10 октября 2014 г.. 2014. С. 43.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Ефимовых Д.В., Антонов И.Н., Тихов С.В., Касаткин А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Грязнов Е.Г. Влияние ионного облучения на параметры резистивного переключения в структурах «металл – оксид кремния – металл» // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014.. 2014. С. 36.

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н. Ионно-лучевая имитация радиационных повреждений в гетероструктурах при облучении быстрыми нейтронами // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014.. 2014. С. 81.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Белов А.И., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Бобров А.И., Павлов Д.А. Теоретическое исследование пространственного распределения центров дислокационной люминесценции с учетом кинетики их формирования и влияния упругих напряжений в атмосферах дислокаций // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014. 2014. С. 60.

Курильчик Е.В., Тетельбаум Д.И., Туловчиков В.С., Раснецов Л.Д., Мудров В.М., Медовникова А.И. V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" // Эффект дальнодействия в системе "кремний-фторопласт-водный раствор соли" при световом и токовом возбуждении Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября,2014. - С.19. 2014. С. 120.

Тетельбаум Д.И., Курильчик Е.В., Успенская Г.И., Мавричева Ю.А. V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». // Некоторые закономерности эффекта дальнодействия в кремнии при световом и ионном облучениях. Тезисы докладов, Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014. – С.120. 2014. С. 19.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Белов А.И., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Маркелов А.С., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Структура и состав ионно-синтезированных нанокристаллов GaN в кремнии // XXXIII научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова, г. Нижний Новгород. Изд-во ННГу. 2014. С. 108.

Obolenskii S.V., Tetelybaum D.I., Guseinov D.V., Vasilyev V.K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Kachemtsev A.N. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and methods. V. B236. 2014. P. 41-44.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si+ // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 48. 2014. С. 212-216.

Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Vasilyev V.K., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Shek E.I. Effect of Ion Doping on the Dislocation Related Photoluminescence in Si+ Implanted Silicon // Semiconductors. № 2. V. 48. 2014. P. 199-203.

Ершов А.В., Павлов Д.А., Грачев Д.А., Бобров А.И., Карабанова И.А., Чугров И.А., Тетельбаум Д.И. Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiOx /ZrO2, содержащей нанокластеры кремния // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 48. 2014. С. 44-48.

Ershov A.V., Pavlov D.A., Grachev D.A., Bobrov A.I., Karabanova I.A., Chugrov I.A., Tetelybaum D.I. Annealing Induced Evolution of the Structural and Morphological Properties of a Multilayer Nanoperiodic SiOx/ZrO2 System Containing Si Nanoclusters // Semiconductors. № 1. V. 48. 2014. P. 42-45.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Физика твердого тела. № 3. Т. 56. 2014. С. 607-610.

Demidov E.S., Karzanova M.V., Mikhailov A.N., Tetelybaum D.I., Belov A.I., Korolev D.S., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Gorshkov O.N., Demidova N.E., Chigirinskii Yu.I. Effect of Ion Irradiation on the Structure and Luminescence Characteristics of Porous Silicon Im-pregnated with Tungsten–Telluride Glass Doped by Er and Yb Impurities // Physics of the Solid State. № 3. V. 56. 2014. P. 631-634.

Terekhov V., Tetelbaum D., Spirin D., Pankov K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Ershov A.V., Turishchev S. X-ray absorption near edge structure anomalous behavior in structures with buried layers containing silicon nanocrystals // Journal of Synchrotron Radiation. № 1. V. 21. 2014. P. 209-214.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Карзанова М.В., Ершов А.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Закономерности влияния ионного облучения на фотолюминесценцию нанокристаллов кремния в матрице SiO2 // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1 (2). 2014. С. 71-75.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Burdov V.A., Krasilnikova L.V., Kryzhkov D.I., Tetelbaum D.I. On the temperature dependence of photoluminescence of silicon quantum dots // Russian Microelectronics. № 8. V. 43. 2014. P. 575-580.

Козловский В.В., Левшунова В.Л., Питиримова Е.А., Похил Г.П., Тетельбаум Д.И. Исследование эффекта дальнодействия по изменению ширины Кикучи линий // Поверхность. № 11. 2014. С. 1-4. [принято к печати]

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I., Sobolev N.A. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion im-planted silicon and effect of additional boron ion doping // Phys. Stat. Sol. (c). № 11-12. V. 11. 2014. P. 1-5.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Карзанова М.В., Ершов А.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Закономерности влияния ионного облучения на фотолюминесценцию нанокристаллов кремния в матрице SiO2 // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1 (2). 2014. С. 74–79.

2013

Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Karzanova M.V., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Bobrov A.I., Chugrov I.A., Ershov A.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Demidov E.S. Ion-beam engineering of silicon-based nanomaterials // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП 2013)». Ярославль, 22-26 августа, 2013, Т.2. 2013. P. 31-36.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Шек Е.И., Соболев Н.А. Влияние ионной имплантации примесей на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 11–15 марта. 2013. С. 608-609.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Михайлов А.Н., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 11–15 марта. 2013. С. 606-607.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И. Влияние облучения ионами Ar+, Ne+ и P+ пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb, на его люминесцентные свойства // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 427-428.

Tetelbaum D.I., Guseinov D.V., Vasiliev V.K., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shengurov V.G., Denisov S.A. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Book of abstracts of the 17th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-2013). Helsinki, Finland, June 30- July 5, 2013. 2013. P. 68.

Костюк А.Б., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Степанов А.Л. Влияние ионного облучения на структуру и оптические свойства нанокластеров Au в диэлектрических матрице // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2013)». Ярославль, 22-26 августа. 2013. С. 300-303.

Белов А.И., Королев Д.С., Костюк А.Б., Чугров И.А., Грачев Д.А., Михайлов А.Н., Ершов А.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Электронный транспорт и электролюминесценция в диэлектрических слоях с нанокластерами кремния, сформированных с применением ионной имплантации // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2013)». Ярославль, 22-26 августа, 2013. – Т. 2. 2013. С. 286-289.

Тетельбаум Д.И., Курильчик Е.В., Похил Г.П., Левшунова В.Л. Эффект дальнодействия: роль электронных процессов в приповерхностных слоях и дислокаций в объеме твердых тел // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2013)». Ярославль, 22-26 августа, 2013. – Т. 2.. 2013. С. 84-87.

Левшунова В.Л., Питиримова Е.А., Похил Г.П., Тетельбаум Д.И. Наблюдение эффекта дальнодействия по изменению ширины линий кикучи // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2013)». Ярославль, 22-26 августа, 2013. – Т. 2. 2013. С. 308-310.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Карзанова М.В., Бобров А.И., Ершов А.В., Павлов Д.А., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Закономерности ионно-лучевой обработки наноматериалов на основе кремния // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, T. 1.. 2013. С. 166-168.

Костюк А.Б., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения и последующего отжига на оптические и структурные свойства массива нанокристаллов Au в SiO2 // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н. И. Лобачевского, T. 1.. 2013. С. 170-172.

Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного легирования на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение»: сборник трудов 12-й Международной конференции-школы. Саранск, 1-4 октября 2013 г.. 2013. С. 28.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости дислокационной фотолюминесценции в кремнии // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2013». Санкт-Петербург, 16-20 сентября, 2013. 2013. С. 364.

Успенская Г.И., Тетельбаум Д.И., Белов Д.В. Индикация структурных и фотохимических процессов в системе кремний – естественный окисел // Тезисы докладов Международного семинара МНТ-XII «Структурные основы модифицирования материалов».. Обнинск, 17-20 июня, 2013. 2013. С. 82-85.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Ershov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Ion Beam Modification of Silicon-Based Nanomaterials Demonstrating Dislocation-Related Luminescence or Resistive Switching Phenomenon // Abstracts of 11th European Conference on Accelerators in Applied Research and Technology (ECAART-11). Namur, BELGIUM, September 8-13, 2013. 2013. P. 128.

Ершов А.В., Чугров И.А., Тетельбаум Д.И., Машин А.И., Павлов Д.А., Нежданов А.В., Бобров А.И., Грачев Д.А. Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO2 // Физика и техника полупроводников. № 4. Т. 47. 2013. С. 460-465.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Михайлов А.Н., Дудин Ю.А., Бобров А.И., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния // Физика твердого тела. № 11. Т. 55. 2013. С. 2243-2249.

Ershov A.V., Chugrov I.A., Tetelbaum D.I., Mashin A.I., Pavlov D.A., Nezhdanov A.V., Bobrov A.I., Grachev D.A. Thermal evolution of the morphology, structure, and optical properties of multilayer nanoperiodic systems produced by the vacuum evaporation of SiO and SiO2 // Semiconductors. № 4. V. 47. 2013. P. 481-486.

Левшунова В.Л., Похил Г.П., Тетельбаум Д.И. Эффект волновода для гиперзвука в кремнии с дислокациями // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 4. 2013. С. 61-65.

Тетельбаум Д.И., Курильчик Е.В., Менделева Ю.А., Пяткина А.А. Роль оксидного слоя в эффекте дальнодействия при облучении кремния светом и ионами средних энергий // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 7. 2013. С. 31-36.

Tetel'baum D.I., Kuril'chik E.V., Mendeleva Yu.A., Pyatkina A.A. Role of an Oxide Layer in the Long-Range Effect upon Irradiation of Silicon by Light and Ions with Medium Energy // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION: X-RAY, SYNCHROTRON AND NEUTRON TECHNIQUES. № 4. V. 7. 2013. P. 631-636.

Терехов В.А., Тетельбаум Д.И., Турищев С.Ю., Спирин Д.Н., Панков К.Н., Нестеров Д.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., Ершов А.В. Влияние имплантации углерода на фазовый состав пленок SiO2:nc-Si/Si по данным ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения // Конденсированные среды и межфазные границы. № 1. Т. 15. 2013. С. 48-53.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Физика твердого тела. № 3. Т. 56. 2013. С. 607-610.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Бурдов В.А., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости фотолюминесценции квантовых точек кремния // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. № 2. 2013. С. 68-73.

Tetelbaum D.I., Guseinov D.V., Mikhaylov A.N., Vasiliev V.K., Belov A.I., Korolev D.S., Obolensky S.V., Kachemtsev A.N. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 2013. [принято к печати]

Спирин Д.Е., Терехов В.А., Анисимов А.В., Нестеров Д.Н., Агапов Б.А., Степанова Н.А., Занин И.Е., Сербин О.В., Солдатенко С.А., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Михайлов А.Н. Влияние импульсного фотонного отжига на фазовый состав и электронное строение пленок SiOx, имплантированных углеродом // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика. № 2. 2013. С. 83-90.

Степанов А.В., Филиппов Г.М., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Моделирование и экспериментальное изучение каналирования ионов в массивах углеродных нанотрубок // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2 (2). 2013. [принято к печати]

Боряков А.В., Николичев Д.Е., Суродин С.И., Чугров И.А., Семерухин М.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Ершов А.В., Теруков Е.И., Тетельбаум Д.И. Диагностика химического и фазового состава тонкопленочных структур с нанокристаллами кремния в матрице ZrO2 методами электронной спектроскопии // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2 (2). 2013. С. 52-57.

Korolev D.S., Kostyuk A.B., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Dudin Yu.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Influence of the Ion Synthesis and Ion Doping Regimes on the Effect of Sensitization of Erbium Emission by Silicon Nanoclusters in Silicon Dioxide Films // Physics of the Solid State. № 11. V. 55. 2013. P. 2361-2367.

Тетельбаум Д.И., Курильчик Е.В., Похил Г.П., Влияние низкотемпературного (20-60°С) нагрева кремния на его микротвердость // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 11. 2013. С. 102-106.

Tetelybaum D.I., Kurilychik E.V., Pokhil G.P., Kuz'mina A.A. Effect of the Low-Temperature (20–60°C) Heating of Silicon on Its Microhardness // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 6. V. 7. 2013. P. 1110-1113.

Terekhov V., Tetelbaum D.I., Spirin D., Pankov K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Ershov A.V., Turishchev S. X-ray absorption near edge structure anomalous behavior in structures with buried layers containing silicon nanocrystals // Journal of Synchrotron Radiation. 2013. [принято к печати]

2012

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Карзанова М.В., Карзанов В.В., Рассолова И.С., Горшков О.Н., Чигиринский Ю.И., Тетельбаум Д.И. Влияние облучения ионами инертных и электрически активных элементов на люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Труды ХVI международного симпозиума “ Нанофизика и наноэлектроника”, Н. Новгород, 12–16 марта, 2012. T.2, 2 стр. 2012. С. 225-226.

Левшунова В.Л., Тетельбаум Д.И., Похил Г.П. Эффект волновода для гиперзвука вблизи линейной дислокации-2 // Тезисы докладов XLII международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Изд-во МГУ им. Ломоносова. 2012. С. 18.

Чугров И.А., Нагорных С.Н., Павленков В.И., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Крыжков Д.И., Красильникова Л.В., Тетельбаум Д.И. Температурная зависимость фотолюминесценции нанопериодических структур с упорядоченными массивами нанокристаллов кремния в оксидной матрице // Труды ХVI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 12–16 марта, 2012. Т.1. 2 стр. 2012. С. 426-427.

Тетельбаум Д.И., Костюк А.Б., Федонин М.П., Гусейнов Д.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Структурные аспекты ионно-лучевой модификации ансамбля наночастиц золота в оксидных матрицах // Труды XVI Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 12–16 марта 2012, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ, Т. 2. 2012. С. 402-403.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Дудин Ю.А., Павлов Д.А., Бобров А.И. Особенности формирования нанокластеров золота в матрице SiO2 // Тезисы докладов XXIV Российской конференции по электронной микроскопии. Черноголовка, 29 мая – 1 июня, 2012. 2012. С. 42-43.

Тетельбаум Д.И., Курильчик Е.В., Похил Г.П., Левшунова В.Л., Менделева Ю.А. Роль оксидных слоев в модификации объемных свойств кремния при ионном, световом и низкотемпературном термическом воздействиях // Книга тезисов IX Международной конференции и VIII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ-2012». Санкт-Петербург, 9-13 июля, 2012. 2012. С. 88.

Tetelbaum D., Mikhaylov A., Timofeeva A., Belov A., Korolev D., Zhavoronkov I., Barsukov A., Sakharov V., Serenkov I., Shek E., Sobolev N. Ion modification of silicon-based nanostructures with light-emitting erbium and dislocation-related centers // Book of abstracts of E-MRS 2012 Fall Meeting. Poland, Warsaw. September 17-21, 2012. 2012. P. 27.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Особенности радиационного повреждения нанокристаллов кремния в оксидных матрицах при имплантации ионов металлов // Тезисы докладов 11-й Всероссийской (с международным участием) конференции c элементами научной школы для молодежи «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (ВНКШ-2012). Саранск, 2-5 октября, 2012. 2012. С. 106.

Тимофеева А.О., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Эволюция дефектов в кремнии, ионно-индуцированных при наличии электрического поля // Тезисы докладов 11-й Всероссийской (с международным участием) конференции c элементами научной школы для молодежи «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (ВНКШ-2012). Саранск, 2-5 октября, 2012. 2012. С. 113.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Вторичное дефектообразование в кремнии при ионном облучении // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 82.

Тимофеева А.О., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние встроенного электрического поля при ионном облучении кремния на систему вторичных радиационных дефектов // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 41.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Особенности ионно-лучевого воздействия на структуру слоев оксидов кремния и алюминия, содержащих нанокластеры Au // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 39.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И., Крыжков Д.И., Красильникова Л.В. О влиянии размеров нанокристаллов кремния на температурную зависимость спектра фотолюминесценции // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012.. 2012. С. 40.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Жаворонков И.Ю., Барсуков А.В., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Шек Е.И., Соболев Н.А. Ионно-лучевая модификация наноструктур на основе кремния, излучающих свет на длине волны 1,54 мкм // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 94.

Михайлов А.Н., Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Тетельбаум Д.И., Грачев Д.А., Чугров И.А., Ершов А.В. Влияние облучения ионами Au, Er и Zr на оптические свойства оксидных структур с нанокристаллами Si // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 42.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б. Особенности формирования нанокластеров золота в матрице SiO2 // XXIV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2012: Тез. докл.. 29 мая – 1 июня 2012 г., Черноголовка, Россия. 2012. С. 42-43.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I. Peculiarities of ion-beam synthesis of carbon-based phases. In: Diamond-Like Carbon Films / Yuto S. Tanaka (Ed.). New York:: Nova Science Publishers, Inc., P.39-62. 2012.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Жаворонков И.Ю., Королев Д.С., Нежданов А.В., Ершов А.В., Гусейнов Д.В., Грачева Т.А., Малыгин Н.Д., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Особенности формирования и свойства светоизлучающих структур на основе ионно-синтезированных нанокристаллов кремния в матрицах SiO2 и Al2O3 // Физика твердого тела. № 2. Т. 54. 2012. С. 347-359.

Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Белов А.И., Бурдов В.А., Ершов А.В., Тетельбаум Д.И. Формирование методом ионной имплантации наночастиц золота в однослойных и многослойных массивах светоизлучающих нанокристаллов кремния // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 244-248.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Николичев Д.Е., Боряков А.В. Влияние ионного облучения на морфологию, структуру и оптические свойства наночастиц золота, синтезированных в диэлектрических матрицах SiO2 и Al2O3 // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 8. 2012. С. 58-64.

Тетельбаум Д.И., Тихов С.В., Курильчик Е.В., Менделева Ю.А. Дальнодействующее влияние облучения кремния светом на фотоэдс барьера Шоттки // Физика и техника полупроводников. № 5. Т. 46. 2012. С. 641-643.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Бурдов В.А., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости фотолюминесценции квантовых точек кремния // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. № 2. 2012. С. 68-73.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Тетельбаум Д.И. Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния // Журнал технической физики. № 12. Т. 82. 2012. С. 63-66.

Николичев Д.Е., Тетельбаум Д.И., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Боряков А.В., Белов А.И. Химический и фазовый состав пленок оксида кремния с нанокластерами, полученными путем ионной имплантации углерода // Физика твердого тела. № 2. Т. 52. 2012. С. 370-377.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Kostyuk A.B., Zhavoronkov I.Yu., Korolev D.S., Nezhdanov A.V., Ershov A.V., Guseinov D.V., Gracheva T.A., Malygin N.D., Demidov E.S., Tetelbaum D.I. Peculiarities of the Formation and Properties of Light-Emitting Structures Based on Ion-Synthesized Silicon Nanocrystals in SiO2 and Al2O3 Matrices // Physics of the Solid State. № 2. V. 54. 2012. P. 368-382.

Boryakov A.V., Nikolitchev D.E., Tetelbaum D.I., Belov A.I., Ershov A.V., Mikhaylov A.N. Chemical and Phase Compositions of Silicon Oxide Films with Nanocrystals Prepared by Carbon Ion Implantation // Physics of the Solid State. № 2. V. 54. 2012. P. 347-359.

Zatsepin A.F., Buntov E.A., Kortov V.S., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I. Mechanism of quantum dots luminescence excitation within implanted SiO2:Si:C films // J. Phys.: Condens. Matter. V. 24. 2012. P. 045301.

Mikhaylov A.N., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Zhavoronkov I.Yu., Chugrov I.A., Belov A.I., Burdov V.A., Ershov A.V., Tetelbaum D.I. Formation of Gold Nanoparticles in Single-Layer and Multi-Layer Ensembles of Light-Emitting Silicon Nanocrystals Using Ion Implantation // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 2. V. 76. 2012. P. 214-217.

Tetelbaum D.I., Tikhov S.V., Kuril'chik E.V., Mendeleva Yu.A. Long-Range Effect of the Irradiation of Silicon with Light on the Schottky-Barrier Photovoltage // Semiconductors. № 5. V. 46. 2012. P. 622-624.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Fedonin M.P., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Nikolitchev D.E., Boryakov A.V. Influence of Ion Irradiation on the Morphology, Structure, and Optical Properties of Gold Nanoparticles Synthesized in SiO2 and Al2O3 Dielectric Matrices // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 4. V. 6. 2012. P. 681-687.

Левшунова В.Л., Похил Г.П., Тетельбаум Д.И. Дислокации как проводники гиперзвука в эффекте дальнодействия // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.. № 3. 2012. С. 1-4.

Терехов В.А., Тетельбаум Д.И., Занин И.Е., Панков К.Н., Спирин Д.Е., Николичев Д.Е., Белов А.И., Зубков С.Ю. Дифракционные исследования формирования нанокристаллов кремния в структурах SiOx/Si с ионной имплантацией углерода // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012. [принято к печати]

Тетельбаум Д.И., Курильчик Е.В., Менделева Ю.А., Пяткина А.А. Роль оксидного слоя в эффекте дальнодействия при облучении кремния светом и ионами средних энергий // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.. 2012. [принято к печати]

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Суродин С.И., Чугров И.А., Семерухин М.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Теруков Е.И., Тетельбаум Д.И. Диагностика химического и фазового состава тонкопленочных структур с нанокристаллами кремния в матрице ZrO2методами электронной спектроскопии // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2012. [принято к печати]

Терехов В.А., Тетельбаум Д.И., Занин И.Е., Панков К.Н., Спирин Д.Е., Михайлов А.Н., Белов А.И., Ершов А.В. Дифракционные исследования формирования нанокристаллов кремния в структурах SiOx/Si с ионной имплантацией углерода // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. № 4. 2012. С. 54-59.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Krasil'nikova L.V., Kryzhkov D.I., Tetel'baum D.I. Model of photoluminescence from ion-synthesized silicon nanocrystal arrays embedded in a silicon dioxide matrix // TECHNICAL PHYSICS. THE RUSSIAN JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. № 12. V. 82. 2012. P. 63-66.

2011

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Карзанова М.В., Карзанов В.В., Демидова Н.Е., Рассолова И.С., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Чигиринский Ю.И., Европейцев Е.А. Влияние ионного облучения и примесей редкоземельных элементов на свойства пористого кремния // Труды XIII Международной конференции “Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы”, Ульяновск, 19-26 сентября, 2011. 2 стр. 2011. С. 67-68.

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Карзанова М.В., Белов А.И., Карзанов В.В., Демидова Н.Е., Рассолова И.С., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Чигиринский Ю.И., Европейцев Е. А. Свойства пористого кремния с примесями редкоземельных элементов на имплантированном ионами фосфора кремнии // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 405-406.

Костюк А.Б., Федонин М.П., Белов А.И., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Дудин Ю.А., Гусейнов Д.В., Михайлов А.Н., Рассолова И.С., Карзанов В.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения на свойства нанокластеров золота и кремния в диэлектрических матрицах // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.1. 2011. С. 188-189.

Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Белов А.И., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бурдов В.А., Ершов А.В., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И. Формирование методом ионной имплантации наночастиц золота в однослойных и многослойных массивах светоизлучающих нанокристаллов кремния // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 438-439.

Лаптев Д.А., Менделева Ю.А., Гусейнов Д.В., Сидоренко К.В., Тетельбаум Д.И. Принципы формирования наноструктурированных и квазиоднородных слоев на кремнии путем дефектообразования при ионном облучении и их оптические свойства // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 440-441.

Ершов А.В., Чугров И.А., Ершов А.А., Бобров А.И., Павлов Д.А., Машин А.И., Тетельбаум Д.И. Особенности фотолюминесценции ионно-легированных многослойных нанопериодических систем nc-Si/high-k-оксид // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 478-479.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Красильникова Л.В., Бурдов В.А., Тетельбаум Д.И. Модель температурной зависимости фотолюминесценции нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 510-511.

Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Белов А.И., Ершов А.В., Тетельбаум Д.И. Ионное внедрение золота в однослойные и многослойные оксидные структуры с нанокристаллами кремния // Труды XXI Международной конференции «Радиационная физика твердого тела», Севастополь, 22–27 августа, 2011. М.: ФГБНУ «НИИ ПМТ», Т.1. 2011. С. 230-237.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Лаптев Д.А., Королев Д.С., Федонин М.П., Ершов А.В., Чугров И.А. Особенности радиационного повреждения нанокристаллических материалов при ионном облучении // Труды XX Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью ВИП-2011», Звенигород, 25–29 августа, 2011. Т.2. 2011. С. 41-44.

Левшунова В.Л., Похил Г.П., Тетельбаум Д.И. Эффект волновода для гиперзвука вблизи линейной дислокации // Труды XX Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью ВИП-2011», Звенигород, 25–29 августа, 2011. Т.2. 2011. С. 225-228.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Ершов А.В., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Влияние ионной имплантации золота на люминесцентные свойства однослойных и многослойных массивов нанокристаллов кремния // Сборник тезисов, материалы Семнадцатой Всероссийской научной конференции студентов физиков и молодых ученых (ВНКСФ-17), Екатеринбург, 25 марта – 1 апреля, 2011. 3 стр. 2011. С. 189-191.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Fedonin M.P., Korolev D.S., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N. Modification of Au nanoclusters embedded into oxide matrices by ion irradiation: computer simulation and experiment // Abstracts of 20th International Conference on Ion Beam Analysis (IBA 2011), Itapema, Brazil, 10-15 April, 2011. 1 p. 2011. P. 34.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Tetelybaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Burdov V.A., Krasilynikova L.V. Temperature dependence of photoluminescence of Si nanocrystals in silicon dioxide matrix // Abstracts of E-MRS Spring 2011 & Bilateral Energy Conference, Nice, France, 10-12 May, 2011. 1 p. 2011. P. -42.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Сидоренко К.В., Костюк А.Б., Гусейнов Д.В., Федонин М.П., Лаптев Д.А. Влияние динамических и химических факторов на оптические свойства диэлектрических слоёв с нановключениями золота при ионной имплантации // Тезисы докладов XIV Всероссийской конференции и VI Школы молодых ученых “Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение”, Нижний Новгород, 30 мая – 2 июня, 2011. 1 стр. 2011. С. 228.

Лаптев Д.А., Менделева Ю.А., Тетельбаум Д.И. Модифицированный алгоритм Монте-Карло моделирования процесса накопления дефектов при ионном облучении кремния // Тезисы докладов 18-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика–2011», Москва, Зеленоград, 19 – 21 апреля, 2011. 1 стр. 2011. С. 46.

Tetelbaum D., Mikhaylov A., Belov A., Kostyuk A., Zhavoronkov I., Korolev D., Ershov A. Luminescent Properties of Si Nanocrystals Embedded Into Alumina Films and Sapphire: the Role of Silicon Oxide Shells // Abstracts of International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2011), Suntec, Singapore, 26 June – 1 July, 2011. 1 p. 2011. P. 2374.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Красильникова Л.В., Бурдов В.А., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости фотолюминесценции системы квантовых точек кремния в матрице SiO2 // Тезисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («Кремний 2011»), Москва, 5-8 июля, 2011. 1 стр. 2011. С. 172.

Ершов А.В., Павлов Д.А., Машин А.И., Тетельбаум Д.И. Оптические и структурные свойства нанопериодических систем nc-Si\high-h оксид, полученных путем отжига многослойных структур // Тезисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («Кремний 2011»), Москва, 5-8 июля, 2011. 1 стр. 2011. С. 160.

Терехов В.А., Панков К.Н., Занин И.Е., Домашевская Э.П., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Зубков С.Ю. Влияние ориентации подложки и имплантации углерода на рост нанокристаллов Si в пленках SiOx на подложке кремния (111) и (100) // Тезисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («Кремний 2011»), Москва, 5-8 июля, 2011. 1 стр. 2011. С. 189.

Тетельбаум Д.И., Костюк А.Б., Федонин М.П., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Эволюция структуры тонких слоев SiO2 с нанокристаллами золота при облучении ионами Ne+, F+ и Si+ // ХХХ Научные чтения имени академика Н.В. Белова. Тезисы докладов конференции, Нижний Новгород, 20-21 декабря, 2011. 2 стр. 2011. С. 129-130.

Чугров И.А., Ершов А.А., Ершов А.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. О модификации люминесцентных свойств нанопериодических структур nc-Si/оксид при ионно-лучевом легировании // Тезисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («Кремний 2011»), Москва, 5-8 июля, 2011. 1 стр. 2011. С. 179.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Оптические и светоизлучающие свойства смешанных массивов нанокластеров золота и кремния, полученных с применением ионной имплантации // Сборник трудов 10-й Всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение», Саранск, 4 – 7 октября, 2011. 1 стр. 2011. С. 108.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Zhavoronkov I.Yu., Chugrov I.A., Belov A.I., Ershov A.V., Gorshkov O.N., Nagornykh S.N. Ion-beam formation of gold nanoclusters in single- and multi-layer ensembles of light-emitting silicon quantum dots // Abstracts of E-MRS Spring 2011 & Bilateral Energy Conference, Nice, France, 10-12 May, 2011. 1 p. 2011. P. 2-47.

Левшунова В.Л., Тетельбаум Д.И., Похил Г.П. Границы зерен и дислокаций как проводники эффекта дальнодействия // Тезисы докладов XLI Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва, 31 мая – 2 июня, 2011. Изд-во Моск. Университета. 2011. С. 6.

Левшунова В.Л., Тетельбаум Д.И., Дудин Ю.А., Похил Г.П., Черных П.Н. Зависимость эффекта аномального переноса примеси от концентрации дислокаций // Тезисы докладов XLI Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва, 31 мая – 2 июня, 2011. Изд-во Моск. Университета. 2011. С. 18.

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Карзанова М.В., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И., Шушунов А.Н., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Европейцев Е.А. Фотолюминесценция пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных металлов // Физика твердого тела. № 12. Т. 53. 2011. С. 2294-2298.

Ершов А.В., Тетельбаум Д.И., Чугров И.А., Машин А.И., Михайлов А.Н., Нежданов А.В., Ершов А.А., Карабанова И.А. Эволюция оптических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiOx/ZrO2, содержащей нанокластеры кремния // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 45. 2011. С. 747-753.

Ershov A.V., Tetelbaum D.I., Chugrov I.A., Mashin A.I., Mikhaylov A.N., Nezhdanov A.V., Ershov A.A., Karabanova I.A. Annealing-Induced Evolution of Optical Properties of the Multilayered Nanoperiodic SiOx/ZrO2 System Containing Si Nanoclusters // Semiconductors. № 6. V. 45. 2011. P. 731-737.

Левшунова В.Л., Похил Г.П., Тетельбаум Д.И. Автоколебания распределенных зарядов в естественном оксиде на поверхности кремния как источник возбуждения процессов, ответственных за эффект дальнодействия // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 3. 2011. С. 76-79.

Levshunova V.L., Pokhil G.P., Tetelbaum D.I. Oscillations of the Charge in Oxide at Silicon Surface As an Origin of the Process Leading to the Long Range Effect // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 2. V. 5. 2011. P. 276-278.

Соболев Н.А., Калядин А.Е., Кютт Р.Н., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Шек Е.И., Афросимов В.В., Тетельбаум Д.И. Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами кремния с аморфизующими дозами // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 45. 2011. С. 1182-1187.

Sobolev N.A., Kalyadin A.E., Kyutt R.N., Sakharov V.I., Serenkov I.T., Shek E.I., Afrosimov V.V., Tetelbaum D.I. Photoluminescence in Silicon Implanted with Silicon Ions at Amorphizing Doses // Semiconductors. № 9. V. 45. 2011. P. 1140-1144.

Sobolev N.A., Kalyadin A.E., Shek E.I., Vdovin V.I., Tetelbaum D.I., Khirunenko L.I. Luminescent and Structural Properties of Self-Implanted Silicon Layers in Relation to Their Fabrication Conditions // Solid State Phenomena. V. 178-1. 2011. P. 341-346.

Demidov E.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Karzanova M.V., Demidova N.E., Chigirinskii Yu.I., Shushunov A.N., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Evropeitsev E.A. Photoluminescence of Porous Silicon Saturated with Tungsten-Tellurite Glass with Rare-Earth Metal Impurities // Physics of the Solid State. № 12. V. 53. 2011. P. 2415-2420.

Терехов В.А., Турищев С.Ю., Панков К.Н., Занин И.Е., Домашевская Э.П., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Николичев Д.Е. Синхротронные исследования особенностей электронной и атомной структуры поверхностных слоев пленок оксида кремния, содержащих нанокристаллы кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 10. 2011. С. 46-55.

Terekhov V.A., Turishchev S.Yu., Pankov K.N., Zanin I.E., Domashevskaya E.P., Tetelbaum D.I., Mikhailov A.N., Belov A.I., Nikolichev D.E. Synchrotron investigations of electronic and atomic-structure peculiarities for silicon-oxide films' surface layers containing silicon nanocrystals // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 5. V. 5. 2011. P. 958-967.

Патенты, авторские свидетельства

2019

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Коряжкина М.Н. Оксидный мемристор с концентраторами электрического поля (Патент).

Тетельбаум Д.И., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Николичев Д.Е., Белов А.И., Королев Д.С., Суродин С.И., Окулич Е.В., Шарапов А.Н., Маркелов А.С. СПОСОБ ИОННО-ЛУЧЕВОГО СИНТЕЗА НИТРИДА ГАЛЛИЯ В КРЕМНИИ (Патент).

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н. Способ изготовления мемристора с наноконцентраторами электрического поля (Патент).

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Никольская А.А., Васильев В.К., Михайлов А.Н. Способ формирования гексагональной фазы кремния (Патент).

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Никольская А.А., Васильев В.К., Михайлов А.Н. Способ формирования гексагональной фазы кремния путем имплантации ионов криптона в пленку оксида кремния на пластине монокристаллического кремния (Патент).

2018

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Коряжкина М.Н. Оксидный мемристор с концентраторами электрического поля (Патент).

2017

Сидоренко К.В., Конаков А.А., Тетельбаум Д.И. СВИДЕТЕЛЬСТВО о государственной регистрации программы для ЭВМ «Программа расчета спектра люминесценции массивов нанокристаллов нитрида галлия в дэилектрической матрице (GaNSpectr)» (Авторское свидетельство).

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Шарапов А.Н. Способ имитационного тестирования стойкости приборной структуры к облучению быстрыми нейтронами (варианты) (Патент).

2015

Тетельбаум Д.И., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шарапов А.Н. Термостатирование полупроводниковых пластин при ионной имплантации (Патент).