Тарасова Елена Александровна

Место работы

Радиофизический факультет

Кафедра квантовой радиофизики и электроники

доцент

Радиофизический факультет

Деканат

заместитель декана факультета

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в Университете Лобачевского: 2011
Общий стаж работы 10 лет, 10 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
бакалавр. Специальность: информационные технологии. Квалификация: бакалавр информационных технологий.

Высшее образование
магистр. Специальность: информационные системы. Квалификация: магистр информационных технологий.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

02.04.2018 - 26.04.2018
Повышение квалификации: Создание онлайн-курсов, ННГУ, 36 час., документ № 522406996899, рег. номер 33-2141 от 26.04.2018

17.01.2018 - 17.01.2018
Повышение квалификации: Оказание первой помощи, ННГУ, 8 час., документ № рег. № 1232 от 17.01.2018

23.03.2017 - 23.05.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404997647, рег. № 33-1563 от 23.05.2017

14.03.2014
Повышение квалификации: Академический английский язык, ННГУ, 72 час.

Награды

Благодарственное письмо ректора Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского (приказ № 18-03-1-37 от 19.10.2017)

Благодарственное письмо ректора Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского (приказ № 18-03-1-32 от 24.05.2019)

Список преподаваемых дисциплин

Радиофизический факультет
Методы измерения параметров полупроводниковых структур
Полупроводниковая электроника
Работа в ГЭК
Спецлаборатории
Спецлаборатории по физической электронике
Твердотельная электроника
Участие в работе аттестационной комиссии по защите ВКР
Электроника
Электроника и схемотехника

Публикации

2021

Труды (тезисы) конференции

Волкова Е.В., Логинов А.Б., Логинов Б.А., Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Королев С.А., Семёновых Е.С., Оболенский С.В. Исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs структурах после нейтронного воздействия // Материалы XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, т. 2, 982 страницы. 2021. С. 608-609.

Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Бибикова В.В., Потехин А.А., Востоков Н.В. Моделирование реакции низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие ионизирующих излучений космического пространства // Материалы XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, том 2, 982 стр.. 2021. С. 813-814.

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Голиков О.Л., Земляков В.Е. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик DpHEMT структур на основе тсоединений GaAs/InGaAs // Материалы XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, том 2, 982 страницы. 2021. С. 869-870.

Tarasova E.A., Puzanov A.S., Bibikova V.V., Volkova E.V., Zabavichev I.Yu., Obolenskaya E.S., Potekhin A.A., Obolenskii S.V. The Physical Topological Modeling Of Single Radiation Effects In Submicron Ultrahigh-Frequency Semiconductor Diode Structures With Taking In Account The Heating Of An Electron-Hole Gas In The Charged Particle Track // Proceedings of the 33rd European Modeling & Simulation Symposium, EMSS. Volume Details Volume Title Proceedings of the 33rd European Modeling & Simulation Symposium (EMSS 2021) Conference Location and Date Online September 15-17, 2021 Conference ISSN 2724-0029 Volume ISBN 978-88-85741-57-7. 2021. P. 289-294.

Публикации в научных журналах

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Логинов А.Б., Логинов Б.А., Королев С.А. Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия // Письма в Журнал технической физики. № 5. Т. 47. 2021. С. 38-41.

Забавичев И.Ю., Кудряшова Д.А., Наседкин К.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Реинжиниринг профиля легирования диодных и транзисторных структур для расчетной оценки их реакции на воздействие ионизирующих излучений // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 200-202.

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Влияние RLC-параметров межтранзисторных соединений на переходной ионизационный процесс в ячейках быстродействующей статической памяти при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 203-205.

Забавичев И.Ю., Наседкин К.А., Оболенская Е.С., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Динамика разогрева и релаксации энергии электронно-дырочной плазмы в треке первичного атома отдачи в GaAs при воздействии нейтронов спектра деления // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 209-211.

Хазанова С.В., Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Голиков О.Л., Пузанов А.С. Методы расчетно-экспериментального моделирования электрофизических параметров в перспективных полупроводниковых гетероструктурах на основе соединений AlGaAs/InGaAs // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 235-238.

Пузанов А.С., Бибикова В.В., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Востоков Н.В., Оболенский С.В. Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства // Письма в Журнал технической физики. № 6. Т. 47. 2021. С. 51-54.

Волкова Е.В., Логинов А.Б., Логинов Б.А., , Пузанов А.С., Королев С.А., Семёновых Е.С., Хазанова С.В., Оболенский С.В. Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 55. 2021. С. 846-849.

, Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Земляков В.Е. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 55. 2021. С. 872-876.

2020

Труды (тезисы) конференции

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хазанова С.В., Пузанов А.С., Григорьева Н.Н. Анализ нелинейных искажений сигналов в полевых транзисторах с 2D газом до и после воздействия нейтронов // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА Труды XXIV Международного симпозиума 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Том 2, 2 стр.. 2020. С. 687-688.

Забавичев И.Ю., Боженькина А.Д., Кудряшов М.Ю., Насеткин К.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю. Разработка методов и средств расчетно-экспериментального моделирования физических процессов в перспективных нанометровых полупроводниковых гетероструктурах при воздействии излучений космического пространства. // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю. Терагерцовое детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в гетеронаноструктурах для повышения точности расчетно-экспериментальной оценки радиационной стойкости изделий наноэлектроники // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Разработка высокопроизводительных методов проектирования радиационно-стойких терагерцовых приборов для космических телекоммуникационных систем // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Публикации в научных журналах

Tarasova E.A., Obolenskii S.V., Khazanova S.V., Puzanov A.S., Grigoryeva N.N., Golikov O.L., Ivanov A.B. Compensation for the Nonlinearity of the Drain–Gate I–V Characteristic in Field-Effect Transistors with a Gate Length of ~100 nm // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1155-1160.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хазанова С.В., Григорьева Н.Н., Голиков О.Л., Иванов А.Б., Пузанов А.С. Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ∼ 100 нм // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. Т. 54. 2020. С. 968-973.

2019

Труды (тезисы) конференции

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Козлов В.А., Латышева Н.Д., Боженькина А.С., Иванов А.Б., Хазанова С.В., Дегтярев В.Е. Анализ причин интермодуляционных искажений перспективных квазибаллистических полевых транзисторов до и после радиационного воздействия // Труды XXIII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: изд. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 957 стр.. 2019. С. С. 837-838.

2018

Труды (тезисы) конференции

М.М. Венедиктов, Тарасова Е.А., Боженькина А.Д., Оболенский С.В. Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов после импульсного гамма- нейтронного облучения // Материалы XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 390 страниц. 2018. С. 566-567.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С. Фемто- и пикосекундные процессы формирования кластеров радиационных дефектов при ионном и нейтронном облучении полупроводниковых гетероструктур: моделирование и эксперимент // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов ""Физические и физико-химические основы ионной имплантации, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 2018 г.. Т. 1, 174 стр.. 2018. С. 16-17.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенская Е.С. Радиационная стойкость приборов наноэлектроники // Труды IV Международной научно-технической конференции "Элементная база отечественной радиоэлектроники". 79 стр.. 2018. С. 3.

Публикации в научных журналах

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Венедиктов М.М., Боженькина А.Д., Елесин В.В., Чуков Г.В., Метелкин И.О., Кревский М.А., Дюков Д.И., Фефелов А.Г. Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного gamma- и gamma-нейтронного облучения // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 52. 2018. С. 1414.

M. M. Venediktov, Tarasova E.A., Obolenskii S.V., A. D. Bozhen’kina, V. V. Elesin, G. V. Chukov, I. O. Metelkin, M. A. Krevskiy, D. I. Dukov, A. G. Fefelov Analysis of the Behavior of Nonequilibrium Semiconductor Structures and Microwave Transistors During and After Pulsed γ- and γ-Neutron Irradiation // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1518–1524.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Линев А.В., Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Васин А.А., Хананова А.А., Иванов А.Б. Применение физико-топологического моделирования для анализа радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 4. 2018. С. 10-17.

2017

Труды (тезисы) конференции

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Галкин О.Е., Хананова А.В., Макаров А.Б. Методы экспериментального и численного анализа параметров GaN HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия // Материалы XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Том 2, 2 с.. 2017. С. 734-735.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Венедиктов М.М. Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур диодов и транзисторов после воздействия излучений различной природы // Современная элементная база радиоэлектроники и ее применение. -. 2017. С. 71-74.

Забавичев И. Ю., Иванов А. Б., Линев А.В., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Хананова А.А. Применение физико-топологического моделирования для расчетной оценки радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Труды III Российско-Белорусской международной конференции "Современная элементная база радиоэлектроники и ее применение". Электронное издание, 165 с.. 2017. С. 71-74.

Публикации в научных журналах

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Галкин О.Е., Хананова А.В., Макаров А. Б. Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1543-1546.

Tarasova E.A., Obolenskii S.V., Galkin O.E., Khananova A.V., Makarov A. B. Analysis of the GaN-HEMT Parameters Before and After Gamma-Neutron Irradiation // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1490-1494.

2016

Труды (тезисы) конференции

Малин Т.В., Мансуров В.Г., Журавлев К.С., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Парнес Я.М., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Хананова А.В., Оболенский С.В., Медведев Г.В. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных, вольт-фарадных и импульсных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Т. 2., 2 841 стр., Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 655-666.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Козлов В.А., Китаев М.А. Исследование генерации СВЧ-сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 841 стр.. 2016. С. 682-683.

Потехин А.А., Оболенская Е.С., Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Линев А.В., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Итерационное моделирование для восстановления структуры полупроводниковых приборов и анализа их радиационной стойкости // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 841 стр., Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 698-699.

Тарасова Е.А., Хананова А.В., Оболенский С.В., Чурин А.Ю. Методика анализа профилей легирования GaAs структур до и после гамма-нейтронного воздействия в диапазоне температур // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 65-66.

Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Хананова А.В., Линев А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Опыт применения физико-топологического моделирования для анализа радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 71-72.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Козлов В.А., Чурин А.Ю. Моделирование радиационной стойкости планарных диодов Ганна с управляющим электродом // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 73-74.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Экспериментальная методика анализа параметров GaAs и GaN HEMT-структур до и после гамма-нейтронного воздействия // Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". 24 - 27 октября 2016 года, с. 32-33. 2016. С. 32-33.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Тарасова Е.А., Павельев Д.Г., Чурин А.Ю. Исследование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках и диодах Ганна в условиях радиационного воздействия // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 24–27 октября 2016 г.). –Н.Новгород, 2016. – 141 с.. 2016. С. 33-35.

Публикации в научных журналах

Тарасова Е.А., Хананова А.В., Оболенский С.В., Земляков В.Е., Свешников Ю.Н., Смотрин Д.С., Иванов В.А., Егоркин В.И., Медведев Г.В. Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после гамма-нейтронного облучения // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 50. 2016. С. 331-338.

Tarasova E.A., Khananova A.V., Obolenskii S.V., Zemlyakov V.E., Sveshnikov Yu.N., Egorkin V.I., Ivanov V.A., Medvedev G.V., Smotrin D.S. Study of the Electron Distribution in GaN and GaAs after γ-Neutron Irradiation // Semiconductors. № 3. V. 50. 2016. P. 331-338.

Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Хананова А.В., Оболенский С.В., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Неженцев А.В., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Медведев Г.В. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1599-1604.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Козлов В.А. Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1605-1609.

Tarasova E.A., Obolenskaya E.S., Khananova A. V., Obolenskii S.V., Zemlyakov V.E., Egorkin V. I., Nezhentsev A. V., Sakharov A. V., Tsatsulynikov A. F., Lundin V. V., Zavarin E. E., Medvedev G. V. Theoretical and Experimental Studies of the Current–Voltage and Capacitance–Voltage of HEMT Structures and Field-Effect Transistors // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1599-1604.

Obolenskaya E.S., Tarasova E.A., Churin A.Yu., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Microwave-Signal Generation in a Planar Gunn Diode with Radiation Exposure Taken into Account // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1580-1584.

2015

Труды (тезисы) конференции

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Земляков В.Е., Свешников Ю.Н., Иванов В.А., Смотрин Д.С., Хананова А.В. Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хананова А.В., Земляков В.Е., Свешников Ю.Н., Иванов В.А., Смотрин Д.С. Исследование процессов в GaN и GaAs структурах при воздействии гамма-нейтронного облучения // Сборник трудов 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника",. 10-14 марта, 2015 г.. : Т.1. 2014.. 2015. С. 51-52.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Мурель А.В., Шашкин В.И. Транспорт электронов в диодных и транзисторных δ-легированных структурах при радиационном воздействии // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.) В 2 т. Том II.— Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015. — 359 с.. Т. 1. 2015.. 2015. С. 34-35.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Чурин А.Ю., Иванов В.А., Медведев Г.В. Методика анализа профилей легирования GaAs структур до и после гамма-воздействия // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т 1, 2 стр.. 2015. С. 61-62.

Панкратов Е.Л., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Козлов В.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Влияние радиационно-стимулированной диффузии на процессы восстановления работоспособности планарных диодов и транзисторов после импульсного гамма-нейтронного воздействия // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т.1 с 2. 2015. С. 63-64.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Оценка дисперсии результатов измерений вольт-фарадных характеристик полупроводниковых приборов // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т 1., 2 с.. 2015. С. 67-68.

Тарасова Е.А., Хананова А.В. Анализ влияния последовательного гамма и гамма-нейтронного излучения на вольт-фарадные характеристики n+/n- GaAs структуры // Труды II Российско-Белорусской научно-технической конференции "Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение " им. О.В. Лосева, 17-19 ноября, Нижний Новгород. Т. 1, 2015 г.. 2015. С. 83-85.

2014

Труды (тезисы) конференции

Потехин А.А., Рябов А.А., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Использование стенда для измерения статических и импульсных вольтамперных характеристик полупроводниковых структур и оценка угроз информационной безопасности локальной вычислительной сети // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной дню радио, Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г.. Т. 1., 2 стр.. 2014. С. 41-42.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Применение атомно-силового микроскопа при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и создание информационно-защищенного канала обмена результатами измерений // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной дню радио, Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г... Т. 1, с. 3. 2014. С. 42-44.

Тарасова Е.А. Анализ радиационной стойкости GaAs, GaN структур // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной дню радио, Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г.. Т. 1, с. 2. 2014. С. С. 52-53.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Использование атомносилового микроскопа при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и создание информационнозащищенного канала обмена результатами измерений. // Труды 4-ой Всероссийской конференции «Радиоэлектронные средства получения, обработки и визуализации информации», 24-26 сентября 2014 г.. Http://www.rf.unn.ru/eledep/conferences.html. 2014. С. 10.

Потехин А.А., Рябов А.А., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Применение стенда для измерения статических и импульсных вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и структур и оценка угроз информационной безопасности локальной вычислительной сети. // Труды 4-ой Всероссийской конференции «Радиоэлектронные средства получения, обработки и визуализации информации», 24-26 сентября 2014 г.. Http://www.rf.unn.ru/eledep/conferences.html. 2014. С. 10.

Публикации в научных журналах

Потехин А.А., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Использование стенда для измерения статических и импульсных вольт-амперных характеристик при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и оценка угроз информационной безопасности локальной вычислительной сети // Сборник тезисов докладов всероссийской конференции «Стойкость-2014». 2014. С. 81-82.

Забавичев И.Ю., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Применение атомно-силового микроскопа при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и создание информационно-защищенного канала обмена результатами измерений // Сборник тезисов докладов всероссийской конференции «Стойкость-2014». 2014. С. 273-274.

Тарасова Е.А. Моделирование радиационной стойкости HEMT (обзор) // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2014.. № 1. Т. 2. 2014. С. 100-116.

2013

Труды (тезисы) конференции

Оболенский С.В., Басаргина Н.В., В.П.Шукайло, С.М.Дубровских, И.В.Ворожцова, Чурин А.Ю., Тарасова Е.А. Исследование процессов в GaN транзисторах с двумерным электронным газом при гамма-нейтронном облучении // Труды XVII международной конференции "Нанофизика и наноэлектроника". Изд. ИФМ РАН, 11-15 марта 2013 г, т.2. 2013. С. 542-543.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Клюев А.В., Шмелев Е.И., Якимов А.В. Транспорт электронов в терагерцовом диоде Шоттки в момент формирования кластера радиационных дефектов // Труды XVII международной конференции "Нанофизика и наноэлектроника". Изд. ИФМ РАН, 11-15 марта 2013 г, т.2. 2013. С. 546-547.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Якимов А.В., Клюев А.В., Шмелев Е.И., Демидова Д.С., Оболенская Е.С. Исследование транспорта электронов в терагерцовом диоде Шоттки в момент формированиякластера радиационных дефектов // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2013», г. Лыткарино, Московской области, 2-3 июня 2013 г.. . 123 с.. 2013. С. 115-116.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2013. С. 115-116.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Шукайло В.П., Басаргина Н.В., Ткачев О.В., Дубровских С.М. Исследование процессов в GaN транзисторах с двумерным электронным газом при радиационном облучении // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2013», г. Лыткарино, Московской области, 2-3 июня 2013 г.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2013. С. 116-117.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С. Анализ влияния нейтронного облучения на характеристики гетероструктурных СВЧ полевых транзисторов // Тезисы докладов форума молодых ученых. Н.Новгород, ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 122-123.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А. Сопоставление радиационной стойкости GaN и GaAs HEMT // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 226-227.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Клюев А.В., Шмелев Е.И., Якимов А.В. Транспорт электронов в терагерцовом диоде Шоттки в условиях нейтронного облучения // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 120-122.

Киселёв М.Р., Клюев А.В., Шмелёв Е.И., Якимов А.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболеснкая Е.С., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Спектральные характеристики Низкочастотных шумов в терагерцовых диодах Шоттки // Семнадцатая научная конференция по радиофизике, посвященная 100-летию со дня рождения В.С. Троицкого. Семнадцатая научная конференция по радиофизике, посвященная 100-летию со дня рождения В.С. Троицкого, C 189-190.. 2013. С. 189-190..

Публикации в научных журналах

Тарасова Е.А., Басаргина Н.В., Ворожцова И.В., Дубровских С.М., Ткачев О.В., Шукайло В.П., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Влияние гамма-нейтронного излучения на GaN транзисторы с двумерным электронным газом // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 3. Т. 1. 2013. С. 61-65.

Tarasova E.A., Demidova D.S., Obolenskii S.V., Fefelov A.G., Dyukov D.I. Modeling of high-power HEMT irradiated with high-energy photons // SEMICONDUCTORS. № 1. V. 47. 2013. P. 152-157.

2012

Труды (тезисы) конференции

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С. Моделирование полевых транзисторов с двумерным электронным газом при радиационном облучении // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2012», г. Лыткарино, Московской области, 1-3 июня 2012 г.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2012. С. 116-117.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Дюков Д.И., Фефелов А.Г. Исследование параметров гетеронаноструктур с двумерным электронным газом при радиационном облучении // Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-2012. М.: МИФИ, 2012, 243 с.. 2012.. 2012. С. 123-124.

Публикации в научных журналах

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Дюков Д.И., Фефелов А.Г., Демидова Д.С. Моделирование мощных HEMT при облучении квантами высоких энергий // Физика и техника полупроводников. 12. 2012. № 12. Т. 46. 2012. С. 1587-1593.

Оболенский С.В., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А. Тепловая модель мощных полевых транзисторов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 4. 2012. С. 12-14.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С. Особенности анализа вольт-фарадных характеристик транзисторов Шоттки при оценке уровня радиационной стойкости // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру.. № 4. 2012. С. 9-11.

2011

Публикации в научных журналах

Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Моделирование тепловых полей в мощных InAlAs / InGaAs полевых транзисторах 0.1…0.3 ТГц диапазона частот // Вестник ННГУ. Серия: Радиофизика. № 5. 2011. С. 348-353.

Тарасова Елена Александровна
Контакты

внутр. 52-65

Нижний Новгород, пр-кт. Гагарина 23, корп. 4, комн. 408

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского