Тарасова Елена Александровна

Список преподаваемых дисциплин

Радиофизический факультет
Методы измерения параметров полупроводниковых структур
Спецлаборатории по физической электронике
Электроника
Электроника и схемотехника

Публикации

2024

Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Абросимова Н.Д., Бибикова В.В., Волкова Е.В., Недошивина А.Д., Потехин А.А., Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Оболенский С.В. Применение флуктуационного анализа изображений поверхности структур «кремний на изоляторе» для оценки деградации подвижности носителей заряда после радиационного воздействия // Материалы XXVIII Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 11–14 марта 2024 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, изд-во ИПФ РАН, 2024.– В 2-х томах.–Т.2.. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). Н-25 В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — 492 с.. 2024. С. 795.

Недошивина А.Д., Пузанов А.С., Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А. ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА НЕЛИНЕЙНЫЕ ИСКАЖЕНИЯ В ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОМ УСИЛИТЕЛЕ // ТРУДЫ XXVIII НАУЧНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО РАДИОФИЗИКЕ. Тип: сборник трудов конференции Язык: русский ISBN: 978-5-91326-867-9 Год издания: 2024 Место издания: Нижний НовгородЧисло страниц: 568 Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского. 2024. С. 101-104.

Khazanova S.V., Golikov O.L., Kodochigov N.E., Obolenskii S.V., Puzanov A.S., Tarasova E.A. ANALYSIS OF NONLINEAR DISTORTIONS OF DPHEMT STRUCTURES BASED ON A GAAS/IN0.53GA0.47AS COMPOUND WITH DOUBLE-SIDED DELTA-DOPING // Russian Microelectronics. № 1. V. 53. 2024. P. 51-56.

Golikov O.L., Zabavichev I.Yu., Ivanov A. S., Obolenskii S.V., Obolenskaya E.S., Pavelyev D.G., Potekhin A.A., Puzanov A.S., Tarasova E.A., Khazanova S.V. ELECTRON TRANSPORT IN A BIPOLAR TRANSISTOR WITH A SUPERLATTICE IN THE EMITTER // Russian Microelectronics. № 1. V. 53. 2024. P. 44-50.

Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Абросимова Н.Д., Бибикова В. В., Волкова Е.В., Недошивина А.Д., Потехин А.А., Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Логинов Б.А., Блинников Д.Ю., Второва В. С., Кириллова В. В., Ляшко Е. А., Макеев В. С., Первых А. Р., Оболенский С.В. Флуктуационный анализ микрорельефа поверхности структур кремний-на-изоляторе после радиационного воздействия // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 58. 2024. С. 668-675.

2023

Тарасова Е.А., Недошивина А.Д., Оболенский С.В., Макарцев И.В., Конча М. И. Моделирование транспорта электронов вдоль области 2DEG газа канала СВЧ полевого транзистора с учетом продольного распределения температуры // Труды XXVII Международного симпозиума. Труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород, ИПФ РАН, 2023, т. 2, 496 с.. 2023. С. 671-672.

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Голиков О.Л., Кодочигов Н.Е. Анализ неоднородностей DpHEMT-структуры на основе GaAs/In0.53Ga0.47As после нейтронного воздействия // Труды XXVII Международного симпозиума 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, ИПФ РАН, 2023, Т. 1, 496 с.. 2023. С. 759-760.

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенский С.В., Голиков О.Л., Иванов А.С., Павельев Д.Г. Транспорт электронов в гетеробиполярном транзисторе со сверхрешеткой в области эмиттера // Труды XXVII Международного симпозиума 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород. Труды XXVII Международного симпозиума 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород, Т. 1, 496 с.. 2023. С. 782-783.

Волкова Е.В., Логинов Б.А., Блинников Д.Ю., Второва В.C., Кириллова В.В., Ляшко Е.А., Макеев В.С., Первых А.Р., Абросимова Н.Д., Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Особенности трансформации микрорельефа структур "кремний на изоляторе" при воздействии фотонных и корпускулярных излучений // Журнал технической физики. № 7. Т. 93. 2023. С. 1025-1031.

Khazanova S.V., Golikov O.L., Puzanov A.S., Tarasova E.A., Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A., Obolenskaya E.S., Ivanov A.S., Pavelyev D.G., Obolenskii S.V. Calculating Current–Voltage Characteristics with Negative Differential Conductivity Sections of Superlattices Based on a GaAs/AlAs Compound with Different Numbers of Periods // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 87. V. 6. 2023. P. 800-804.

2022

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Кодочигов Н.Е., Земляков В.Е. Анализ нелинейных искажений DpHEMT структур на основе соединения GaAs/InGaAs c двусторонним дельта-легированием // Труды XXVI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2022, т.2. 2022. С. 1027-1028.

Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Моделирование поведения субмикронных полупроводниковых структур после стабилизации кластера радиационных дефектов // Труды XXVI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2022, т.2. 2022. С. 990-991.

Оболенский С.В., Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенская Е.С., Иванов А.С., Павельев Д.Г. Моделирование вольт-амперных характеристик и пробоя в сверхрешетках с малым числом периодов // Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников. Типография ИПФ РАН. 603950, Нижний Новгород, ул. Ульянова, 46, 451 стр.. 2022. С. 367.

Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Моделирование электрофизических характеристик AlGaAs/InGaAs транзисторных структур с двусторонним δ- легированием // Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2022, Н. Новгород, 2022. – 92 с.. 2022. С. 52.

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Земляков В.Е., Голиков О.Л. Анализ нелинейных искажений DpHEMT структур на основе соединния GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 56. 2022. С. 844-847.

Tarasova E.A., Khazanova S.V., Golikov O.L., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Zemlyakov V.E. Analysis of nonlinear distortions of DpHEMT structures based on the GaAs/InGaAs compound with double-sided delta-doping // Semiconductors. № 9. V. 56. 2022. P. 708-710.

2021

Волкова Е.В., Логинов А.Б., Логинов Б.А., Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Королев С.А., Семёновых Е.С., Оболенский С.В. Исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs структурах после нейтронного воздействия // Материалы XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, т. 2, 982 страницы. 2021. С. 608-609.

Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Бибикова В.В., Потехин А.А., Востоков Н.В. Моделирование реакции низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие ионизирующих излучений космического пространства // Материалы XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, том 2, 982 стр.. 2021. С. 813-814.

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Земляков В.Е., Оболенский С.В. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик DpHEMT структур на основе тсоединений GaAs/InGaAs // Труды XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Вгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, том 2, 467 с.. 2021. С. 869-870.

Tarasova E.A., Puzanov A.S., Bibikova V.V., Volkova E.V., Zabavichev I.Yu., Obolenskaya E.S., Potekhin A.A., Obolenskii S.V. The Physical Topological Modeling Of Single Radiation Effects In Submicron Ultrahigh-Frequency Semiconductor Diode Structures With Taking In Account The Heating Of An Electron-Hole Gas In The Charged Particle Track // Proceedings of the 33rd European Modeling & Simulation Symposium, EMSS. Volume Details Volume Title Proceedings of the 33rd European Modeling & Simulation Symposium (EMSS 2021) Conference Location and Date Online September 15-17, 2021 Conference ISSN 2724-0029 Volume ISBN 978-88-85741-57-7. 2021. P. 289-294.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Волкова Е.В., Пузанов А.С., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Бибикова В.В Физико-топологическое моделирование одиночных радиационных эффектов в диодных субмикронных сверхвысокочастотных полупроводниковых структурах с учетом разогрева электронно-дырочного газа в треке заряженной частицы // Труды XXV научной конференции по радиофизике. (г. Нижний Новгород, 14-26 мая 2021 г.). – Нижний Новгород, 2021 г. 2021. С. 102-104.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Логинов А.Б., Логинов Б.А., Королев С.А. Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия // Письма в Журнал технической физики. № 5. Т. 47. 2021. С. 38-41.

Забавичев И.Ю., Кудряшова Д.А., Наседкин К.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Реинжиниринг профиля легирования диодных и транзисторных структур для расчетной оценки их реакции на воздействие ионизирующих излучений // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 200-202.

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Влияние RLC-параметров межтранзисторных соединений на переходной ионизационный процесс в ячейках быстродействующей статической памяти при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 203-205.

Забавичев И.Ю., Наседкин К.А., Оболенская Е.С., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Динамика разогрева и релаксации энергии электронно-дырочной плазмы в треке первичного атома отдачи в GaAs при воздействии нейтронов спектра деления // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 209-211.

Хазанова С.В., Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Голиков О.Л., Пузанов А.С. Методы расчетно-экспериментального моделирования электрофизических параметров в перспективных полупроводниковых гетероструктурах на основе соединений AlGaAs/InGaAs // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 235-238.

Пузанов А.С., Бибикова В.В., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Востоков Н.В., Оболенский С.В. Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства // Письма в Журнал технической физики. № 6. Т. 47. 2021. С. 51-54.

Волкова Е.В., Логинов А.Б., Логинов Б.А., , Пузанов А.С., Королев С.А., Семёновых Е.С., Хазанова С.В., Оболенский С.В. Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 55. 2021. С. 846-849.

, Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Земляков В.Е. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 55. 2021. С. 872-876.

Tarasova E.A., Khazanova S.V., Golikov O.L., Puzanov A.S., Zemlyakov V.E. Analysis of the Effect of Spacer Layers on Nonlinear Distortions of the Current–Voltage Characteristics of GaAlAs/InGaAs pHEMTs // Semiconductors. № 10. V. 55. 2021. P. 872-876.

Volkova E.V., Loginov B.A., Loginov A.B., Tarasova E.A., Puzanov A.S., Korolev S.A., Semenovykh E.S., Khazanova S.V., Obolenskii S.V. Experimental Studies of Modification of the Characteristics of GaAs Structures with Schottky Contacts after Exposure to Fast Neutrons // Semiconductors. № 10. V. 55. 2021. P. 846-849.

Obolenskii S.V., Volkova E.V., Loginov A.B., Loginov B.A., Tarasova E.A., Puzanov A.S., Korolev S.A. A Comprehensive Study of Radiation Defect Clusters in GaAs Structures after Neutron Irradiation // Technical Physics Letters. № 5. V. 47. 2021. P. 38-41.

Puzanov A.S., Bibikova V.V., Zabavichev I.Yu., Obolenskaya E.S., Tarasova E.A., Vostokov N.V., Obolenskii S.V. Simulation of the Response of a Low-Barrier Mott Diode to the Influence of Heavy Charged Particles from Outer Space // Technical Physics Letters. № 6. V. 47. 2021. P. 51-54.

2020

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хазанова С.В., Пузанов А.С., Григорьева Н.Н. Анализ нелинейных искажений сигналов в полевых транзисторах с 2D газом до и после воздействия нейтронов // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА Труды XXIV Международного симпозиума 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Том 2, 2 стр.. 2020. С. 687-688.

Забавичев И.Ю., Боженькина А.Д., Кудряшов М.Ю., Насеткин К.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю. Разработка методов и средств расчетно-экспериментального моделирования физических процессов в перспективных нанометровых полупроводниковых гетероструктурах при воздействии излучений космического пространства. // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. С. 70-72.

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю. Терагерцовое детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в гетеронаноструктурах для повышения точности расчетно-экспериментальной оценки радиационной стойкости изделий наноэлектроники // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Разработка высокопроизводительных методов проектирования радиационно-стойких терагерцовых приборов для космических телекоммуникационных систем // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Tarasova E.A., Obolenskii S.V., Khazanova S.V., Puzanov A.S., Grigoryeva N.N., Golikov O.L., Ivanov A.B. Compensation for the Nonlinearity of the Drain–Gate I–V Characteristic in Field-Effect Transistors with a Gate Length of ~100 nm // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1155-1160.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хазанова С.В., Григорьева Н.Н., Голиков О.Л., Иванов А.Б., Пузанов А.С. Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ∼ 100 нм // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. Т. 54. 2020. С. 968-973.

2019

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Козлов В.А., Латышева Н.Д., Боженькина А.С., Иванов А.Б., Хазанова С.В., Дегтярев В.Е. Анализ причин интермодуляционных искажений перспективных квазибаллистических полевых транзисторов до и после радиационного воздействия // Труды XXIII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: изд. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 957 стр.. 2019. С. С. 837-838.

2018

М.М. Венедиктов, Тарасова Е.А., Боженькина А.Д., Оболенский С.В. Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов после импульсного гамма- нейтронного облучения // Материалы XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 390 страниц. 2018. С. 566-567.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С. Фемто- и пикосекундные процессы формирования кластеров радиационных дефектов при ионном и нейтронном облучении полупроводниковых гетероструктур: моделирование и эксперимент // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов ""Физические и физико-химические основы ионной имплантации, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 2018 г.. Т. 1, 174 стр.. 2018. С. 16-17.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенская Е.С. Радиационная стойкость приборов наноэлектроники // Труды IV Международной научно-технической конференции "Элементная база отечественной радиоэлектроники". 79 стр.. 2018. С. 3.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Венедиктов М.М., Боженькина А.Д., Елесин В.В., Чуков Г.В., Метелкин И.О., Кревский М.А., Дюков Д.И., Фефелов А.Г. Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного gamma- и gamma-нейтронного облучения // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 52. 2018. С. 1414.

M. M. Venediktov, Tarasova E.A., Obolenskii S.V., A. D. Bozhen’kina, V. V. Elesin, G. V. Chukov, I. O. Metelkin, M. A. Krevskiy, D. I. Dukov, A. G. Fefelov Analysis of the Behavior of Nonequilibrium Semiconductor Structures and Microwave Transistors During and After Pulsed γ- and γ-Neutron Irradiation // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1518–1524.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Линев А.В., Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Васин А.А., Хананова А.А., Иванов А.Б. Применение физико-топологического моделирования для анализа радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 4. 2018. С. 10-17.

2017

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Галкин О.Е., Хананова А.В., Макаров А.Б. Методы экспериментального и численного анализа параметров GaN HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия // Материалы XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Том 2, 2 с.. 2017. С. 734-735.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Венедиктов М.М. Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур диодов и транзисторов после воздействия излучений различной природы // Современная элементная база радиоэлектроники и ее применение. -. 2017. С. 71-74.

Забавичев И. Ю., Иванов А. Б., Линев А.В., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Хананова А.А. Применение физико-топологического моделирования для расчетной оценки радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Труды III Российско-Белорусской международной конференции "Современная элементная база радиоэлектроники и ее применение". Электронное издание, 165 с.. 2017. С. 71-74.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Галкин О.Е., Хананова А.В., Макаров А. Б. Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1543-1546.

Tarasova E.A., Obolenskii S.V., Galkin O.E., Khananova A.V., Makarov A. B. Analysis of the GaN-HEMT Parameters Before and After Gamma-Neutron Irradiation // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1490-1494.

2016

Малин Т.В., Мансуров В.Г., Журавлев К.С., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Парнес Я.М., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Хананова А.В., Оболенский С.В., Медведев Г.В. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных, вольт-фарадных и импульсных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Т. 2., 2 841 стр., Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 655-666.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Козлов В.А., Китаев М.А. Исследование генерации СВЧ-сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 841 стр.. 2016. С. 682-683.

Потехин А.А., Оболенская Е.С., Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Линев А.В., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Итерационное моделирование для восстановления структуры полупроводниковых приборов и анализа их радиационной стойкости // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 841 стр., Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 698-699.

Тарасова Е.А., Хананова А.В., Оболенский С.В., Чурин А.Ю. Методика анализа профилей легирования GaAs структур до и после гамма-нейтронного воздействия в диапазоне температур // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 65-66.

Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Хананова А.В., Линев А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Опыт применения физико-топологического моделирования для анализа радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 71-72.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Козлов В.А., Чурин А.Ю. Моделирование радиационной стойкости планарных диодов Ганна с управляющим электродом // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 73-74.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Экспериментальная методика анализа параметров GaAs и GaN HEMT-структур до и после гамма-нейтронного воздействия // Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". 24 - 27 октября 2016 года, с. 32-33. 2016. С. 32-33.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Тарасова Е.А., Павельев Д.Г., Чурин А.Ю. Исследование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках и диодах Ганна в условиях радиационного воздействия // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 24–27 октября 2016 г.). –Н.Новгород, 2016. – 141 с.. 2016. С. 33-35.

Тарасова Е.А., Хананова А.В., Оболенский С.В., Земляков В.Е., Свешников Ю.Н., Смотрин Д.С., Иванов В.А., Егоркин В.И., Медведев Г.В. Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после гамма-нейтронного облучения // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 50. 2016. С. 331-338.

Tarasova E.A., Khananova A.V., Obolenskii S.V., Zemlyakov V.E., Sveshnikov Yu.N., Egorkin V.I., Ivanov V.A., Medvedev G.V., Smotrin D.S. Study of the Electron Distribution in GaN and GaAs after γ-Neutron Irradiation // Semiconductors. № 3. V. 50. 2016. P. 331-338.

Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Хананова А.В., Оболенский С.В., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Неженцев А.В., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Медведев Г.В. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1599-1604.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Козлов В.А. Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1605-1609.

Tarasova E.A., Obolenskaya E.S., Khananova A. V., Obolenskii S.V., Zemlyakov V.E., Egorkin V. I., Nezhentsev A. V., Sakharov A. V., Tsatsulynikov A. F., Lundin V. V., Zavarin E. E., Medvedev G. V. Theoretical and Experimental Studies of the Current–Voltage and Capacitance–Voltage of HEMT Structures and Field-Effect Transistors // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1599-1604.

Obolenskaya E.S., Tarasova E.A., Churin A.Yu., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Microwave-Signal Generation in a Planar Gunn Diode with Radiation Exposure Taken into Account // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1580-1584.

2015

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Земляков В.Е., Свешников Ю.Н., Иванов В.А., Смотрин Д.С., Хананова А.В. Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хананова А.В., Земляков В.Е., Свешников Ю.Н., Иванов В.А., Смотрин Д.С. Исследование процессов в GaN и GaAs структурах при воздействии гамма-нейтронного облучения // Сборник трудов 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника",. 10-14 марта, 2015 г.. : Т.1. 2014.. 2015. С. 51-52.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Мурель А.В., Шашкин В.И. Транспорт электронов в диодных и транзисторных δ-легированных структурах при радиационном воздействии // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.) В 2 т. Том II.— Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015. — 359 с.. Т. 1. 2015.. 2015. С. 34-35.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Чурин А.Ю., Иванов В.А., Медведев Г.В. Методика анализа профилей легирования GaAs структур до и после гамма-воздействия // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т 1, 2 стр.. 2015. С. 61-62.

Панкратов Е.Л., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Козлов В.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Влияние радиационно-стимулированной диффузии на процессы восстановления работоспособности планарных диодов и транзисторов после импульсного гамма-нейтронного воздействия // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т.1 с 2. 2015. С. 63-64.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Оценка дисперсии результатов измерений вольт-фарадных характеристик полупроводниковых приборов // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т 1., 2 с.. 2015. С. 67-68.

Тарасова Е.А., Хананова А.В. Анализ влияния последовательного гамма и гамма-нейтронного излучения на вольт-фарадные характеристики n+/n- GaAs структуры // Труды II Российско-Белорусской научно-технической конференции "Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение " им. О.В. Лосева, 17-19 ноября, Нижний Новгород. Т. 1, 2015 г.. 2015. С. 83-85.

2014

Потехин А.А., Рябов А.А., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Использование стенда для измерения статических и импульсных вольтамперных характеристик полупроводниковых структур и оценка угроз информационной безопасности локальной вычислительной сети // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной дню радио, Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г.. Т. 1., 2 стр.. 2014. С. 41-42.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Применение атомно-силового микроскопа при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и создание информационно-защищенного канала обмена результатами измерений // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной дню радио, Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г... Т. 1, с. 3. 2014. С. 42-44.

Тарасова Е.А. Анализ радиационной стойкости GaAs, GaN структур // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной дню радио, Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г.. Т. 1, с. 2. 2014. С. С. 52-53.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Использование атомносилового микроскопа при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и создание информационнозащищенного канала обмена результатами измерений. // Труды 4-ой Всероссийской конференции «Радиоэлектронные средства получения, обработки и визуализации информации», 24-26 сентября 2014 г.. Http://www.rf.unn.ru/eledep/conferences.html. 2014. С. 10.

Потехин А.А., Рябов А.А., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Применение стенда для измерения статических и импульсных вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и структур и оценка угроз информационной безопасности локальной вычислительной сети. // Труды 4-ой Всероссийской конференции «Радиоэлектронные средства получения, обработки и визуализации информации», 24-26 сентября 2014 г.. Http://www.rf.unn.ru/eledep/conferences.html. 2014. С. 10.

Потехин А.А., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Использование стенда для измерения статических и импульсных вольт-амперных характеристик при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и оценка угроз информационной безопасности локальной вычислительной сети // Сборник тезисов докладов всероссийской конференции «Стойкость-2014». 2014. С. 81-82.

Забавичев И.Ю., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Применение атомно-силового микроскопа при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и создание информационно-защищенного канала обмена результатами измерений // Сборник тезисов докладов всероссийской конференции «Стойкость-2014». 2014. С. 273-274.

Тарасова Е.А. Моделирование радиационной стойкости HEMT (обзор) // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2014.. № 1. Т. 2. 2014. С. 100-116.

2013

Оболенский С.В., Басаргина Н.В., В.П.Шукайло, С.М.Дубровских, И.В.Ворожцова, Чурин А.Ю., Тарасова Е.А. Исследование процессов в GaN транзисторах с двумерным электронным газом при гамма-нейтронном облучении // Труды XVII международной конференции "Нанофизика и наноэлектроника". Изд. ИФМ РАН, 11-15 марта 2013 г, т.2. 2013. С. 542-543.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Клюев А.В., Шмелев Е.И., Якимов А.В. Транспорт электронов в терагерцовом диоде Шоттки в момент формирования кластера радиационных дефектов // Труды XVII международной конференции "Нанофизика и наноэлектроника". Изд. ИФМ РАН, 11-15 марта 2013 г, т.2. 2013. С. 546-547.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Якимов А.В., Клюев А.В., Шмелев Е.И., Демидова Д.С., Оболенская Е.С. Исследование транспорта электронов в терагерцовом диоде Шоттки в момент формированиякластера радиационных дефектов // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2013», г. Лыткарино, Московской области, 2-3 июня 2013 г.. . 123 с.. 2013. С. 115-116.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2013. С. 115-116.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Шукайло В.П., Басаргина Н.В., Ткачев О.В., Дубровских С.М. Исследование процессов в GaN транзисторах с двумерным электронным газом при радиационном облучении // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2013», г. Лыткарино, Московской области, 2-3 июня 2013 г.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2013. С. 116-117.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С. Анализ влияния нейтронного облучения на характеристики гетероструктурных СВЧ полевых транзисторов // Тезисы докладов форума молодых ученых. Н.Новгород, ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 122-123.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А. Сопоставление радиационной стойкости GaN и GaAs HEMT // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 226-227.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Клюев А.В., Шмелев Е.И., Якимов А.В. Транспорт электронов в терагерцовом диоде Шоттки в условиях нейтронного облучения // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 120-122.

Киселёв М.Р., Клюев А.В., Шмелёв Е.И., Якимов А.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболеснкая Е.С., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Спектральные характеристики Низкочастотных шумов в терагерцовых диодах Шоттки // Семнадцатая научная конференция по радиофизике, посвященная 100-летию со дня рождения В.С. Троицкого. Семнадцатая научная конференция по радиофизике, посвященная 100-летию со дня рождения В.С. Троицкого, C 189-190.. 2013. С. 189-190..

Тарасова Е.А., Басаргина Н.В., Ворожцова И.В., Дубровских С.М., Ткачев О.В., Шукайло В.П., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Влияние гамма-нейтронного излучения на GaN транзисторы с двумерным электронным газом // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 3. Т. 1. 2013. С. 61-65.

Tarasova E.A., Demidova D.S., Obolenskii S.V., Fefelov A.G., Dyukov D.I. Modeling of high-power HEMT irradiated with high-energy photons // SEMICONDUCTORS. № 1. V. 47. 2013. P. 152-157.

2012

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С. Моделирование полевых транзисторов с двумерным электронным газом при радиационном облучении // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2012», г. Лыткарино, Московской области, 1-3 июня 2012 г.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2012. С. 116-117.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Дюков Д.И., Фефелов А.Г. Исследование параметров гетеронаноструктур с двумерным электронным газом при радиационном облучении // Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-2012. М.: МИФИ, 2012, 243 с.. 2012.. 2012. С. 123-124.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Дюков Д.И., Фефелов А.Г., Демидова Д.С. Моделирование мощных HEMT при облучении квантами высоких энергий // Физика и техника полупроводников. 12. 2012. № 12. Т. 46. 2012. С. 1587-1593.

Оболенский С.В., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А. Тепловая модель мощных полевых транзисторов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 4. 2012. С. 12-14.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С. Особенности анализа вольт-фарадных характеристик транзисторов Шоттки при оценке уровня радиационной стойкости // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру.. № 4. 2012. С. 9-11.

2011

Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Моделирование тепловых полей в мощных InAlAs / InGaAs полевых транзисторах 0.1…0.3 ТГц диапазона частот // Вестник ННГУ. Серия: Радиофизика. № 5. 2011. С. 348-353.