Таран Денис Андреевич

Место работы

Физический факультет

Кафедра физики полупроводников, электроники и наноэлектроники

инженер

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур"

Научно-исследовательская лаборатория "Лаборатория мемристорной наноэлектроники"

младший научный сотрудник

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур"

Научно-исследовательская лаборатория стохастических мультистабильных систем

инженер

Ученая степень
нет
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 2 года, 6 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование - бакалавриат
бакалавр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: бакалавр.

Высшее образование - специалитет, магистратура
бакалавр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2024

Труды (тезисы) конференции

Новиков А.В., Шалеев М.В., Юрасов Д.В., Дроздов М.Н., Демидов Е.В., Ревин Л.С., Панкратов А.Л., Антонов А.В., Красильникова Л.В., Шмырин Д.А., Юнин П.А., Ситников С.В., Щеглов Д.В., Таран Д.А., Павлов Д.А., Красильник З.Ф. Изотопнообогащенные Si/SiGe эпитаксиальные гетерострукту-ры для квантовых вычислений // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.).. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — 492 с.. 2024. С. 1005-1006.

2022

Труды (тезисы) конференции

Андрианов А.И., Сушков А.А., Воронцов В.А., Павлов Д.А., Балясников Д.М., Таран Д.А., Нежданов А.В. Рост и исследование буферных слоев Ge/Si (001) для лазерных структур на основе полупроводников AIIIBV // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 682-683.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского