Михайлов Алексей Николаевич

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория физики и технологии тонких пленок

заведующий научно-исследовательской лабораторией

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория физики и технологии тонких пленок

старший научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в университете лобачевского: 2001
Общий стаж работы 18 лет, 5 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Высшее образование
Бакалавр. Специальность: бакалавр физики. Квалификация: бакалавр физики.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

09.01.2019 - 15.01.2019
Повышение квалификации: Международный рынок образовательных услуг: экспортный потенциал российской системы образования, ННГУ, 16 час., документ № 522407001161, рег. 33-51 от 16.01.2019

23.04.2018 - 11.05.2018
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № удостоверение 522406998384, рег.№ 33-3152 от 11.05.2018

14.11.2017 - 14.11.2017
Повышение квалификации: специальная подготовка по качеству, АНО ЦРМ "СПК", документ № № 8375/СПК от 14.11.2017

11.04.2015 - 13.05.2015
Повышение квалификации: Эффективное лидерство и руководство. Модуль "Лидерские качества и коммуникативная компетентность руководителя", ННГУ, 72 час., документ № 359 от 15.05.2015

10.10.2014 - 26.11.2014
Университетское управление для повышения конкурентоспособности, ННГУ, 72 час.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2019

Труды (тезисы) конференции

Тихов С.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Сушков А.А., Милин В.Е., Зубков С.Ю., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н. Повышение воспроизводимости резистивного переключения в многослойных мемристивных наноструктурах на основе стабилизированного иттрием оксида циркония // Материалы ХХIII Международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". ННГУ им. Н.И.Лобачевского, т.2, 2 страницы. 2019. С. 758-759.

Публикации в научных журналах

Тихов С.В., Горшков О.Н., Белов А.И., Антонов И.Н., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н. Механизм токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах стабилизированного иттрием диоксида гафния // Журнал технической физики. № 6. Т. 89. 2019. С. 933-940.

2018

Труды (тезисы) конференции

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Mikhailov A.N., Korolev D.S., Koryazhkina M.N., Ryabova M.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Pavlov D.A., Dunaevskii M.S. Investigation of local charge accumulation in yttria stabilized zirconia films with Au nanoparticles by Scanning Kelvin Probe Microscopy // “Saint Petersburg OPEN 2018” 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. St Petersburg, Russia, April 2-5, 2018. BOOK of ABSTRACTS. Academic University Publishing St. Petersburg, 2018, 621 p.. 2018. P. 573-574.

Савинов Д.А., Антонов А.В., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Особенности фазовых диаграмм узких сверхпроводящих мостиков на основе YBaCuO с разной дозой имплантации ионов кислорода // Сборник тезисов XXII международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". Типография ННГУ, Н. Новгород, 12-15 марта, Т.1, 507 стр. 2018. С. 112-113.

Koryazhkina M., Antonov I., Gorshkov O., Mikhailov A., Belov A., Shenina M., Pigareva Ya., Pimashkin A., Filatov D., Agudov N., Dubkov A., Kharcheva A., Valenti D., Spagnolo B. Statistical analysis of memristor response to complex electric activity // 15th Course of the INTERNATIONAL SCHOOL OF STATISTICAL PHYSICS New Trends in Nonequilibrium Statistical Mechanics: Classical and Quantum Systems. Ettore Majorana Foundation and Centre for Scientific Culture, 59pp. 2018. P. 25.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., P. Karakolis2, P. Dimitrakis Особенности поведения МДП-мемристоров с нанослоем Si3N4, изготовленных на основе проводящей подложки из кремния // Материалы XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний новгород издательство ННГУ, т.2, с.775-776. 2018. С. 775-776.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование включений кремния гексагональной фазы при ионной имплантации в структуру SiO2/Si // Сборник тезисов XXII международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". Типография ННГУ, Н. Новгород, 12-15 марта, Т.2, 390 стр. 2018. С. 717-718.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Formation of hexagonal silicon inclusions in Si-based systems // Book of abstracts. 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Published by St. Petersburg Academic University, Saint Petersburg, April 2-5, 621 стр. 2018. P. 94-95.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И., Нагорных С.Н., Павленков В.И. Температурная зависимость дислокационной фотолюминесценции в ионно-имплантированном кремнии, дополнительно легированном акцепторными примесями // Тезисы докладов XLVIII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: "КДУ", "Университетская книга", Москва, 29-31 мая, 206 стр. 2018. С. 131.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Свойства гексагонального кремния, синтезируемого с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов XLVIII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: "КДУ", "Университетская книга", Москва, 29-31 мая, 206 стр. 2018. С. 155.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональных включений кремния в системе SiO2/Si с помощью ионной имплантации // XXIII Нижегородская сессия молодых ученых. Княгинино : НГИЭУ, Нижний Новгород, 22-23 мая, Т.2, 226 стр. 2018. С. 36-37.

Korolev D.S., Tereshchenko A.N., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shteinman E.A., Tetelbaum D.I. Influence of boron implantation and gettering on light-emitting properties of dislocation structures in ion-implanted silicon // E-MRS Spring Meeting 2018. Abstracts, France, Strasbourg. 2018. P. K.P1.31.

Sidorenko K.V., Shenina M.E., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N. Self-consistent Monte-Carlo simulation of ion, electron and heat transport in ZrO2(Y)-based memristive nanostructures // E-MRS Spring Meeting 2018. Abstracts, France, Strasbourg. 2018. P. K.P1.32.

Никольская А.А., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А. Синтез и свойства гексагональной модификации 9R-Si, полученной с помощью ионной имплантации // Сборник трудов XIII Всероссийской Научной конференция молодых ученых «Наноэлектроника, Нанофотоника и Нелинейная физика». Издательство "Техно-Декор", Саратов, 4-6 сентября, 404 стр. 2018. С. 209-210.

Савинов Д.А., Антонов А.В., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Аномальные температурные зависимости верхнего критического поля тонких пленок ВТСП YBCO с контролируемой дозой ионной имплантации // XVII Школа-конференция молодых ученых "Проблемы физики твердого тела и высоких давлений". Тезисы. Москва, ФИАН, пос. Вишневка, пансионат МГУ "Буревестник", 14-23 сентября, 190 стр. 2018. С. 168-170.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование свойств гексагонального кремния, полученного с помощью ионной имплантации // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение. Издательство Мордовского университета, Саранск, 18-21 сентября, 224 стр. 2018. С. 182.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Мухаматчин К.Р., Елизарова А.А., Конаков А.А., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Диагностика образования и свойств включений гексагонального кремния, полученных методом ионной имплантации // Труды X Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Типография РГРУ, Рязань, 01-06 октября, Т.2, 176 стр. 2018. С. 147.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Фотолюминесцентная спектроскопия кремния с центрами дислокационной люминесценции, сформированных имплантацией ионов Si+ // Труды X Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Типография РГРУ, Рязань, 01-06 октября, Т.2, 176 стр. 2018. С. 152.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Zubkov S.Yu., Shenina M.E., Milin V.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N. Improvement of resistive switching reproducibility by stabilized oxygen exchange in Au/Ta/ZrO2(Y)/Ta2O5/TiN/Ti devices // INTERNATIONAL WORKSHOP From ReRAM and Memristors to new Computing Paradigms. Book of Abstracts, Rethymno, Crete, Greece, October 28-31, 35 стр. 2018. P. 18.

Korolev D.S., Belov A.I., Antonov I.N., Gerasimova S.A., Pigareva Ya.I., Pimashkin A.S., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N. Dynamic response of metal-oxide memristive devices to complex electric signals // INTERNATIONAL WORKSHOP From ReRAM and Memristors to new Computing Paradigms. Book of Abstracts, Rethymno, Crete, Greece, October 28-31, 35 стр. 2018. P. 15.

Королев Д.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Герасимова С.А., Пигарева Я.И., Пимашкин А.С., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Мемристивные структуры на основе оксидных диэлектриков для применения в нейроморфных системах нового поколения // Сборник докладов VIII Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела». Минск: Ковчег, Минск, Беларусь, 24-28 сентября, Т.2, 286 стр. 2018. С. 249-250.

Терещенко А.Н., Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И., Хорошева М.А., Штейнман Э.А. Влияние геттерирования на температурную зависимость дислокационной люминесценции в ионно-имплантированном кремнии // Сборник тезисов XII Международной конференции КРЕМНИЙ-2018. Российская Академия наук, Черноголовка, 22-26 ноября, 130 стр. 2018. С. 31.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование особенностей формирования и люминесцентных свойств гексагональных фаз кремния, синтезированных с применением ионной имплантации // Сборник тезисов XII Международной конференции КРЕМНИЙ-2018. Российская Академия наук, Черноголовка, 22-26 ноября, 130 стр. 2018. С. 87.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Okulich E.V., Okulich V.I., Shuisky R.A., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Stepanov A.V., Gorshkov O.N. Ion Implantation in the Technology of Metal-Oxide Memristive Devices // XII International Conference on Ion implantation and other applications of ions and electrons. Book of Abstracts, Kazimierz Dolny, Poland, June 18-21, 137 стр. 2018. P. 122.

Tetelbaum D.I., Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A. Synthesis of hexagonal silicon by ion implantation // XII International Conference on Ion implantation and other applications of ions and electrons. Book of Abstracts, Kazimierz Dolny, Poland, June 18-21, 137 стр. 2018. P. 123.

Никольская А.А., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Мухаматчин К.Р., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Елизарова А.А., Конаков А.А. Структура и оптические свойства гексагональной модификации кремния, полученной методом ионной имплантации // «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов VII Всероссийской конференции (Нижний Новгород, 7-9 ноября 2018 г.). Отпечатано в РИУ Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Н. Новгород, 174 стр.. 2018. С. 28.

Королев Д.С., Терещенко А.Н., Никольская А.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Температурная зависимость дислокационной люминесценции в ионно-имплантированном кремнии, дополнительно облученном ионами бора и подвергнутом внешнему геттерированию // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 32.

Терещенко А.Н., Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Дефектная люминесценция в кремнии, имплантированном ионами кислорода // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 33.

Колычев А.В., Керножицкий В.А., Дудин Ю.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Ионно-лучевая обработка жаропрочных материалов для увеличения их термоэмиссионной способности // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 53.

Васильев В.К., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Шаймерденова Л.К. Формирование арсенидгаллиевых p-i-n структур ионной имплантацией с последующим быстрым термическим отжигом // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 145.

Коряжкина М.Н., Окулич Е.В., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шуйский Р.А., Антонов И.Н., Васильев В.К. Влияние облучения ионами Si и постимплантационного отжига на параметры резистивного переключения в мемристивных структурах на основе // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 150.

Шуйский Р.А., Окулич Е.В., Окулич В.И., Белов А.И., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Чигиринский Ю.И., Тетельбаум Д.И. Влияние ионной имплантации на параметры формовки и переключения мемристивных структур на основе диоксида кремния // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 153.

Никольская А.А., Королев Д.С., Сушков А.А., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Изучение светоизлучающей гексагональной фазы 9R-Si // Тезисы докладов XX Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Издательство Политехнического университета, Санкт-Петербург, 26-30 ноября, 128 стр. 2018. С. 121.

Монографии

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Okulich E.V., Okulich V.I., Shuisky R.A., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N. Ion implantation in the technology of metal-oxide memristive devices. New York:: Nova Science Publishers, Inc. - Ion Implantation: Synthesis, Applications and Technology / A.D. Pogrebnyak (Ed.), ISBN: 978-1-53613-962-4.. 2018.

Публикации в научных журналах

Gerasimova S.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Guseinov D.V., Lebedeva A.V., Gorshkov O.N., Kazantsev V.B. Design of memristive interface between electronic neurons // AIP Conference Proceedings. № 1959. V. 1. 2018. P. 090005.

Antonov I.N., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Morozov O.A., Ovchinnikov P.E. Formation of Weighting Coefficients in an Artificial Neural Network Based on the Memristive Effect in Metal–Oxide–Metal Nanostructures // Journal of Communications Technology and Electronics. № 8. V. 63. 2018. P. 950–957.

Mikhaylov A.N., Morozov O.A., Ovchinnikov P.E., Antonov I.N., Belov A.I., Korolev D.S., Sharapov A.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Pigareva Ya.I., Pimashkin A.S., Lobov S.A., Kazantsev V.B. One-Board Design and Simulation of Double-Layer Perceptron Based on Metal-Oxide Memristive Nanostructures // IEEE Transactions on Emerging Topics in Computational Intelligence. № 5. V. 2. 2018. P. 371-379.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., P. Karakolis Особенности поведения МДП-мемристоров с нанослоем Si3N4, изготовленных на основе проводящей подложки из кремния // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 52. 2018. С. 1436–1442.

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Koryazhkina M.N., Ryabova M.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Pavlov D.A., Dunaevskiy M.S. Investigation of local charge accumulation in yttria stabilized zirconia films with Au nanoparticles by Scanning Kelvin Probe Microscopy // Journal of Physics: Conference Series. V. 1124. 2018. P. 081028.

Rajamani S., Arora K., Konakov A.A., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Surodin S., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Deep UV Narrow-Band Photodetector Based on Ion Beam Synthesized Indium Oxide Quantum Dots in Al2O3 Matrix // Nanotechnology. V. 29. 2018. P. 305603.

Rajamani S., Arora K., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Usov Yu.V., Pavlov D.A., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Enhanced Solar-blind Photodetection Performance of Encapsulated Ga2O3 Nanocrystals in Al2O3 Matrix // IEEE Sensors Journal. № 10. V. 18. 2018. P. 4046-4052.

Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors // Microelectronic Engineering. V. 187-1. 2018. P. 134-138.

Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Antonov I.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N. Manipulation of resistive state of silicon oxide memristor by means of current limitation during electroforming // Superlattices and Microstructures. V. 122. 2018. P. 371-376.

Sobolev N.A., Kalyadin A.E., Shek E.I., Shtel’makh K.F., Fedina L.I., Gutakovskii A.K., Vdovin V.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Lie D., Yang D. Luminescent and Structural Properties of Electron-Irradiated Silicon Light-Emitting Diodes with Dislocation-Related Luminescence // Materials Today: Proceedings. № 6(3). V. 5. 2018. P. 14772-14777.

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Bipolar resistive switching in metal-insulator-semiconductor nanostructures based on silicon nitride and oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 993. 2018. P. 012028.

Tereshchenko A.N., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Nikolskaya A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Shteinman E.A. Effect of Boron Impurity on the Light-Emitting Properties of Dislocation Structures Formed in Silicon by Si+ Ion Implantation // Semiconductors. № 7. V. 52. 2018. P. 843-848.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Morozov A.N., Karakolis P., Dimitrakis P. Behavioral Features of MIS Memristors with a Si3N4 Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1540-1546.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Formation of hexagonal silicon regions in silicon // Journal of Physics: Conference Series. V. 1124. 2018. P. 022007.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Muhamatchin K.R., Elizarova A.A., Marychev M.O., Konakov A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

Ivanova M.M., Kachemtsev A.N., Mikhaylov A.N., Filatov D.O., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G. Effect of Pulsed Gamma-Neutron Irradiation on the Photosensitivity of Si-Based Photodiodes with GeSi Nanoislands and Ge Epitaxial Layers // Semiconductors. № 6. V. 52. 2018. P. 797-801.

Степанов А.В., Белов А.И., Окулич Е.В., Шуйский Р.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н. Улучшение параметров мемристоров на основе оксида кремния методом ионного облучения // Вестник Чувашской государственной сельскохозяйственной академии. № 1(4). 2018. С. 87-91.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Морозов А.И., Белов А.И., Karacolis P., Dimitrakis P. Особенности биполярного переключения в МДП-стркутурах на основе проводящего кремния // Физика и техника полупроводников. № 2018. Т. 12. 2018. С. 1436.

Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shuisky R.A., Antonov I.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N. Manipulation of resistive state of silicon oxide memristor by means of current limitation during electroforming // Superlattices and Microstructures. V. 122. 2018. P. 371-376.

2017

Труды (тезисы) конференции

Королев Д.С., Никольская А.А., Белов А.И., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Маркелов А.С., Шушунов А.Н., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Формирование нановключений нитрида галлия при имплантации ионов галлия и азота в кремний и кремний-совместимые диэлектрические пленки // Тезисы докладов, 11 Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы. Москва, 1-3 февраля. 2017. С. 146-147.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Влияние легирования бором на температурную зависимость дислокационной люминесценции в кремнии // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Т.2. Нижний Новгород, 13-16 марта. 2017. С. 625-626.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Okulich E.V., Antonov I.N., Tetelbaum D.I. Influence of current limitation on the adaptive behavior of the memristive nanostructures // Book of abstracts, International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, April 3-6. 2017. P. 554-555.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Дислокационная люминесценция в имплантированном ионами Si+ кремнии с разными типами проводимости и концентрациями легирующей примеси // Тезисы докладов, XLVII Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2017). Москва, 30 мая-1 июня. 2017. С. 124.

Окулич Е.В., Королев Д.С., Белов А.И., Окулич В.И., Шуйский Р.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние ионной имплантации на параметры мемристивных структур на основе оксида кремния // Тезисы докладов, XLVII Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2017). Москва, 30 мая-1 июня. 2017. С. 145.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Нагорных С.Н., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Механизм влияния температуры на дислокационную фотолюминесценцию ионно-имплантированного кремния // Труды, XXIII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью» (ВИП 2017). Москва, 21-25 августа. 2017. С. 93-96.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Krivulin N.O., Pavlov D.A. Formation of nanocrystalline 9R silicon hexagonal phase under multi-ion implantation into Si and SiO2/Si substrates // Abstracts, Nineteenth Annual Conference YUCOMAT 2017. Herceg Novi, Montenegro, September 4-8. 2017. P. 95.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Синтез гексагональной модификации кремния с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов, III Всероссийский научный форум «Наука будущего – наука молодых». Нижний Новгород, 12-14 сентября. 2017. С. 374-375.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Соболев Н.А., Kumar M. Ионно-лучевой синтез кремния с гексагональной структурой // Материалы докладов, 16-ая Международная научная конференция -школа «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение». Саранск, 19-22 сентября. 2017. С. 24.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональной фазы кремния при ионном облучении // Материалы докладов, 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь, 19-22 сентября. 2017. С. 150-151.

Королев Д.С., Окулич Е.В., Шуйский Р.А., Окулич В.И., Белов А.И., Антонов И.Н., Васильев В.К., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Влияние ионно-лучевой обработки на параметры электроформовки и резистивного переключения мемристивных наноструктур // Материалы докладов, 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь, 19-22 сентября. 2017. С. 152-153.

Rajamani S., Korolev D.S., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Ultraviolet Photodetectors Based on Ion-Beam Synthesized GaN Nanocrystals // Book of abstracts,International Conference on Nano Structuring by Ion beam (ICNIB 2017). Indore, India, October 11-13. 2017. P. O-07.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Tetelbaum D.I. Influence of ambient and temperature of annealing on dislocation-related luminescence in silicon // Book of abstracts, III Международная конференция «Актуальные проблемы физики поверхности и наноструктур». Ярославль, 9-11 октября. 2017. P. 46.

Савинов Д.А., Антонов А.В., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Особенности фазовых диаграмм узких сверхпроводящих мостиков на основе YBaCuO с разной дозой имплантации ионов кислорода // Тезисы докладов, XVI Международная школа-конференция молодых ученых «Проблемы физики твердого тела и высоких давлений» с тематическим названием «Идеи и методы физики конденсированного состояния». Сочи, 14 сентября – 24 сентября. 2017. С. 125-126.

Тысченко И.Е., Voelskow M., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Пространственное распределение индия и мышьяка в пленках SiO2 в условиях ионно-лучевого синтеза соединения InAs // Тезисы докладов, XLVII Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2017). Москва, 30 мая-1 июня. 2017. С. 109.

Публикации в научных журналах

Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shenina M.E., Korolev D.S., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Okulich E.V., Okulich V.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G. Filamentary model of bipolar resistive switching in capacitor-like memristive nanostructures on the basis of yttria-stabilised zirconia // International Journal of Nanotechnology. № 7/8. V. 14. 2017. P. 604-617.

Королев Д.С., Никольская А.А., Кривулин Н.О., Белов А.И., Михайлов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Соболев Н.А., Kumar M. Формирование гексагональной фазы кремния 9R при ионной имплантации // Письма в Журнал технической физики. № 16. Т. 43. 2017. С. 87-92.

Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Krivulin N.O., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Sobolev N.A., Kumar M. Formation of Hexagonal 9R Silicon Polytype by Ion Implantation // Technical Physics Letters. № 8. V. 43. 2017. P. 767-769.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Vasiliev V.K., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Tetelbaum D.I. Composition and luminescence of Si and SiO2 layers co-implanted with Ga and N ions // International Journal of Nanotechnology. № 7-8. V. 14. 2017. P. 637-645.

Герасимова С.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Горшков О.Н., Казанцев В.Б. Имитация синаптической связи нейроноподобных генераторов с помощью мемристивного устройства // Журнал технической физики. № 87. Т. 8. 2017. С. 1248-1254.

Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., P. Karakolis, P. Dimitrakis Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors // Microelectronic Engineering. № 187. V. 188. 2017. P. 134-138.

2016

Труды (тезисы) конференции

Gorshkov O.N., Mikhailov A.N., Belov A.I., Koryazhkina M.N., Malekhonova N.V., Antonov I.N., Shenina M.E. Resistive Switching in the Au/Zr/ZrO2–Y2O3/TiN Nanostacks // “Saint Petersburg OPEN 2016” 3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. St Petersburg, Russia, March 28 – 30, 2016. BOOK of ABSTRACTS. Academic University Publishing St. Petersburg, 2016, 600 p.. 2016. P. 332-333.

Mikhaylov A.N. Field- and irradiation-induced phenomena in memristive nanomaterials // Abstracts of E-MRS 2016 Spring Meeting. France, Lille, May 02-06, 2016. 2016. P. BB 11.1.

Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Belov A.I., Shenina M.E., Koryazhkina M.N., Guseinov D.V., Okulich V.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Antonov D.A., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching in capacitor-like structures based on ionic and covalent oxide dielectrics // Abstracts 20th International Symposium On Non-Oxide and New Optical Glasses. Nizhny Novgorod, Russia, August 21-26, 2016. 2016. P. 103-104.

Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Формирование нанокластеров в кремнии и оксидных пленках на кремнии, имплантированных Ga и N // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тез. докл. VI Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов, Нижний Новгород, 24–27 окт. 2016 г. Н. Новгород. : Изд-во Нижегорд. госун-та. 2016. 141 с. 2016. С. 62-63.

Суродин С.И., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Распределение химического состава по глубине в кремнии,имплантированном ионами галлия и азота // XX научный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", г. Нижний Новгород, 14-18 марта. Т.2, Изд-во ННГУ. 2016. С. 741-742.

Публикации в научных журналах

Rajamani S., Korolev D.S., Belov A.I., Surodin S.I., Nikolitchev D.E., Okulich E.V., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Effect of annealing on carrier transport properties of GaN-incorporated silicon // RSC Advances. V. 6. 2016. P. 74691.

Konakov A.A., Filatov D.O., Korolev D.S., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Electronic states in spherical GaN nanocrystals embedded in various dielectric matrices: The k⋅p-calculations // AIP Advances. V. 6. 2016. P. 015007.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Окулич Е.В., Шемухин А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 274-278.

Соболев Н.А., Калядин А.Е., Коновалов М.В., Аруев П.Н., Забродский В.В., Шек Е.И., Штельмах К.Ф., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Si:Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 241-244.

Белов А.И., Михайлов А.Н., Королев Д.С., Сергеев В.А., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiOx/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки // Письма в журнал технической физики. № 10. Т. 42. 2016. С. 17-24.

Королев Д.С., Мастеров Д.В., Охапкин А.И., Павлов С.А., Парафин А.Е., Юнин П.А., Королев С.А., Михайлов А.Н., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Модификация пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d методом ионной имплантации // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 4. 2016. С. 80-83.

Belov A.I., Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Okulich E.V., Sergeev V.A., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Kozlovski V.V. Medium-energy ion-beam simulation of the effect of ionizing radiation and displacement damage on SiO2-based memristive nanostructures // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. V. 379. 2016. P. 13-17.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiOx // Журнал технической физики. № 5. Т. 86. 2016. С. 107-111.

Surodin S.I., Nikolitchev D.E., Kryukov R.N., Belov A.I., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I. Distribution of species and Ga–N bonds in silicon co-implanted with gallium and nitrogen ions // AIP Conference Proceedings. V. 1748. 2016. P. 050005.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I. Adaptive behaviour of silicon oxide memristive nanostructures // Journal of Physics: Conference Series. V. 741. 2016. P. 012161.

Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Belov A.I., Koryazhkina M.N., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Gryaznov E.G., Antonov I.N., Shenina M.E. Resistive switching in the Au/Zr/ZrO2–Y2O3/TiN/Ti memristive devices deposited by magnetron sputtering // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 741. 2016. P. 012174.

Mikhaylov A.N., Gryaznov D.V., Belov A.I., Korolev D.S., Sharapov A.N., Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Malekhonova N.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Gerasimova S.A., Kazantsev V.B., Agudov N.V., Dubkov A.A., C. M. M. Rosário, N. A. Sobolev, B. Spagnolo Field- and irradiation-induced phenomena in memristive nanomaterials // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. № 10-12. V. 13. 2016. P. 870-881.

Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Shemmukhin A.A., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Layer-by-Layer Composition and Structure of Silicon Subjected to Combined Gallium and Nitrogen Ion Implantation for the Ion Synthesis of Gallium Nitride // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 271-275.

2015

Труды (тезисы) конференции

Суродин С.И., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Королев Д.С., Белов А.И. Исследование химического состава кремния, имплантированного ионами галлия и азота // XX Нижегородская сессия молодых ученых. Естественные, математические науки. Княгинино : НГИЭУ. – 2015. – 218 с.. 2015. С. 60-63.

Королев С.А., Мастеров Д.В., Охапкин А.И., Павлов С.А., Парафин А.Е., Юнин П.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Модификация пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d методом ионной имплантации // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 79-80.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Смирнов А.Е., Тетельбаум Д.И. Исследование влияния отжига в окислительной атмосфере на дислокационную люминесценцию в кремнии, имплантированном Si+ // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 539-540.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Смирнов А.Е., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Трушин В.Н., Маркелов А.С., Нежданов А.В. Ионно-лучевой синтез GaN в кремнии // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 663-664.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Efimovykh D.V., Antonov I.N., Okulich E.V., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tetelbaum D.I. Influence of ion irradiation on the resistive switching parameters of SiOx-based thin-film structures // 2nd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2015”. Book of abstracts. St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. 2015. P. 271-272.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Guseinov D.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Tetelbaum D.I. Ion synthesis of GaN nanocrystals in silicon // 2nd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2015”. Book of abstracts, St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. 2015. P. 237-238.

Rosario C.M.M., Sobolev N.A., Kobeleva S.P., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Antonov I.N., Korolev D.S., Mikhailov A.N. Resistive switching and impedance spectroscopy in zirconium oxide-based mim structures // Proceedings of the International conference “Nanomeeting-2015”. Belarus, Minsk, 26-29 May, 2015. 2015. P. 544-547.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tetelbaum D.I. Effect of ion irradiation on resistive switching in silicon-oxide-based MIM structures // Proceedings of the International conference “Nanomeeting-2015”. Belarus, Minsk, 26-29 May, 2015. 2015. P. 88-90.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сергеев В.А., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения на параметры резистивного переключения в МДМ-структурах на основе оксида кремния // XXII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП 2015)». Труды. Москва, 20-24 августа, 2015. – Т.3. 2015. С. 101-104.

Грязнов Е.Г., Кузнецов С. Н., Горшков О.Н., Михайлов А.Н., Ятманов А.П. Исследование циклов запись-чтение в резистивных элементах памяти // Нижегородская сессия молодых ученых. Технические науки: Материалы докладов. (20; 2015)/Отв. За вып. Зверева И.А. - Н.Новгород: Гладкова О.В., 2015. - 263 с.. 2015. С. 100-101.

Публикации в научных журналах

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I., Sobolev N.A. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion implanted silicon and effect of additional boron ion doping // Physica Status Solidi C. № 1-2. V. 12. 2015. P. 84-88.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor // Materials Science and Engineering B. № 4. V. 194. 2015. P. 48-54.

Гуськова О.П., Воротынцев В.М., Абросимова Н.Д., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Шоболов Е.Л. Формирование фторсодержащих дефектов и нанокристаллов в SiO2 при имплантации ионов фтора, кремния и германия: компьютерное моделирование и фотолюминесцентная спектроскопия // Физика твердого тела. № 11. Т. 57. 2015. С. 2106-2111.

Белов А.И., Михайлов А.Н., Королев Д.С., Сергеев В.А., Окулич Е.В., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Грязнов Е.Г., Ятманов А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние облучения ионами H+ и Ne+ на резистивное переключение в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiOx // Письма в журнал технической физики. № 19. Т. 41. 2015. С. 81-89.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I. Distribution of D1 Dislocation Luminescence Centers in Si+-Implanted Silicon and the Photoluminescence Model // Modern Electronic Materials. № 2. V. 1. 2015. P. 33-37.

Sergeev V.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Guseinov D.V., Nezhdanov A.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Ion-beam synthesis of GaN in silicon // Journal of Physics: Conference Series. № 643. V. 1. 2015. P. 012082.

Buntov E., Zatsepin A., Slesarev A., Mikhailovich A., Mikhaylov A. Point defects and interference effects in electron emission of SiO2:Li,Na,K structures // Physica Status Solidi A. № 12. V. 212. 2015. P. 2672-2676.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I. Influence of ion irradiation on the resistive switching parameters of SiOx-based thin-film structures // Journal of Physics: Conference Series. V. 643. 2015. P. 012094.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А. Распределение центров дислокационной люминесценции D1 в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+, и модель фотолюминесценции // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015. [принято к печати]

2014

Труды (тезисы) конференции

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Тихов С.В. Свойства структур Au/Zr/GeOx/ZrO2(Y)/TiN, проявляющих эффекты резистивного переключения и памяти // Труды ХVIII Международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника" (Н. Новгород, 10 -14 марта 2014). Н. Новгород, изд. ННГУ, Т. 2, 353 с.. 2014. С. 434-435.

Тихов С.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Королев Д.С., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Электрофизические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе оксида кремния, проявляющий эффект резистивного переключения // Труды ХY111 Международного симпозиума по Нанофизике и Наноэлектронике 10 -14 марта 2014. Нижний Новгород, том 2, 557-558. 2014. С. 557-558.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Смирнов А.Е., Шушунов А.Н., Шек Е.И., Тетельбаум Д.И. Влияние дозы ионного легирования бором и условий отжига на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // Труды XVIII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 10–14 марта, 2014. – С.638-639. 2014. С. 638-639.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Effect of boron ion doping on dislocation-related luminescence in silicon // Abstracts of E-MRS 2014 Spring Meeting. Lille, France, 26-30 May, 2014.. 2014. P. 1-35.

Спирин Д.Е., Терехов В.А., Минаков Д.Н., Степанова Н.А., Агапов Б.Л., Солдатенко С.А., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Михайлов А.Н., Ершов А.В. Возможность формирования нанокристаллов кремния и карбида кремния в матрице SiOx после ионной имплантации углерода и импульсно-фотонного отжига // Аморфные и микрокристаллические полупроводники: сборник трудов IX Международной конференции. 7–10 июля 2014 года. - Санкт-Петербург. СПб.: Издательство Политехнического университета, 431 с. 2014. С. 118–119.

Спирин Д.Е., Терехов В.А., Минаков Д.Н., Степанова Н.А., Агапов Б.Л., Солдатенко С.А., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Михайлов А.Н., Ершов А.В., Дудин Ю.А. Влияние имплантации углерода на формирование нанокристаллов кремния и карбида кремния в пленках SiOx // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: тезисы докладов V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 27–31 октября 2014 г.). Нижний Новгород: ННГУ. 142 с. 2014. С. 40-41.

Суродин С.И., Боряков А.В., Спирин Д.Е., Ершов А.В., Михайлов А.Н. Исследование химического состава пленки SiOx, имплантированной ионами C+ и подвергнутой импульсному фотонному отжигу // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: тезисы докладов V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 27–31 октября 2014 г.). Нижний Новгород: ННГУ. 142 с. 2014. С. 116-117.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Распределение структурных нарушений и центров дислокационной фотолюминесценции в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+ // Кремний – 2014 /Тезисы докладов X Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (Иркутск, 7–12 июля 2014 г.). Иркутск: Изд-во Института географии им. В.Б. Сочавы СО РАН, 229 с. 2014. С. 156.

Guseinov D.V., Denisov S.A., Shengurov V.G., Shengurov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Stepikhova M.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Chalkov V.Yu. Silicon-based nano-optoelectronic components for optical interconnections // E-MRS 2014 Fall Meeting, Symposium Q : Terahertz and infrared optoelectronics: from materials to devices, September 15-19, 2014, Warsaw, Poland. Warsaw University of Technology (Poland). 2014. P. Q7.

Гусейнов Д.В., Королев Д.С., Денисов С.А., Филатов Д.О., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Трушин В.Н., Степихова М.В., Шенгуров В.Г. Влияние режимов имплантации ионов P+ в слои Ge на Si(100) и последующего отжига на их фотолюминесценцию // Тезисы докладов V-ой Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», Нижний Новгород, Россия, 27- 31 октября 2014. ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2014, 142 с. 2014. С. 68-69.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Антонов И.Н., Ефимовых Д.В., Тихов С.В., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Резистивное переключение в структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе оксида кремния // Материалы ІV Международной научной конференции "Наноструктурные материалы-2014: Беларусь-Россия-Украина". Минск, 7-10 октября,. 2014. С. 355.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Шушунов А.Н., Смирнов А.Е., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И., Соболев Н.А. Эволюция дислокационной люминесценции в кремнии при дополнительном ионном легировании и отжиге в различных атмосферах // Тезисы докладов V-ой Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации». Нижний Новгород, Россия, 27- 31 октября 2014. : ННГУ им. Н.И.Лобачевского. 2014. С. 61.

Публикации в научных журналах

Obolenskii S.V., Tetelybaum D.I., Guseinov D.V., Vasilyev V.K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Kachemtsev A.N. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and methods. V. B236. 2014. P. 41-44.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si+ // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 48. 2014. С. 212-216.

Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Vasilyev V.K., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Shek E.I. Effect of Ion Doping on the Dislocation Related Photoluminescence in Si+ Implanted Silicon // Semiconductors. № 2. V. 48. 2014. P. 199-203.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Физика твердого тела. № 3. Т. 56. 2014. С. 607-610.

Demidov E.S., Karzanova M.V., Mikhailov A.N., Tetelybaum D.I., Belov A.I., Korolev D.S., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Gorshkov O.N., Demidova N.E., Chigirinskii Yu.I. Effect of Ion Irradiation on the Structure and Luminescence Characteristics of Porous Silicon Im-pregnated with Tungsten–Telluride Glass Doped by Er and Yb Impurities // Physics of the Solid State. № 3. V. 56. 2014. P. 631-634.

Gerasimenko N.N., Mikhailov A.N., Kozlovskii V.V., Zaporozhan O.A., Medetov N.A., Smirnov D.I., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Structure and Luminescence of Silicon Irradiated by Protons // Inorganic Materials: Applied Research. № 2. V. 5. 2014. P. 133-137.

Terekhov V., Tetelbaum D., Spirin D., Pankov K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Ershov A.V., Turishchev S. X-ray absorption near edge structure anomalous behavior in structures with buried layers containing silicon nanocrystals // Journal of Synchrotron Radiation. № 1. V. 21. 2014. P. 209-214.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Карзанова М.В., Ершов А.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Закономерности влияния ионного облучения на фотолюминесценцию нанокристаллов кремния в матрице SiO2 // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1 (2). 2014. С. 71-75.

Gorshkov O.N., Antonov I.N., Belov A.I., Kasatkin A.P., Mikhailov A.N. Resistive Switching in Metal–Insulator–Metal Structures Based on Germanium Oxide and Stabilized Zirconia. // Technical Physics Letters. № 2. V. 40. 2014. P. 101-103.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Михайлов А.Н. Резистивное переключение в структурах”металл−диэлектрик−металл“ на основе оксида германия и стабилизированного диоксида циркония. // Письма в журнал технической физики. № 3. Т. 40. 2014. С. 12-19.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Burdov V.A., Krasilnikova L.V., Kryzhkov D.I., Tetelbaum D.I. On the temperature dependence of photoluminescence of silicon quantum dots // Russian Microelectronics. № 8. V. 43. 2014. P. 575-580.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I., Sobolev N.A. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion im-planted silicon and effect of additional boron ion doping // Phys. Stat. Sol. (c). № 11-12. V. 11. 2014. P. 1-5.

2013

Сборники статей

Shelepin N., Matyushkin I., Orlov S., Ermakov A., Svechkarev K., Bobovnikov P., Mikhaylov A., Belov A.I. The ways of silicon carbide usage in field-emission devices: the technological aspect // 2013 IEEE 33rd International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2013 – Conference Proceedings. IEEE: ISBN: 978-1-4673-4669-6. DOI: 10.1109/ELNANO.2013.6552068. 2013. P. 177-180.

Труды (тезисы) конференции

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Шек Е.И., Соболев Н.А. Влияние ионной имплантации примесей на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 11–15 марта. 2013. С. 608-609.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Михайлов А.Н., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 11–15 марта. 2013. С. 606-607.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И. Влияние облучения ионами Ar+, Ne+ и P+ пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb, на его люминесцентные свойства // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 427-428.

Tetelbaum D.I., Guseinov D.V., Vasiliev V.K., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shengurov V.G., Denisov S.A. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Book of abstracts of the 17th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-2013). Helsinki, Finland, June 30- July 5, 2013. 2013. P. 68.

Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Karzanova M.V., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Bobrov A.I., Chugrov I.A., Ershov A.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Demidov E.S. Ion-beam engineering of silicon-based nanomaterials // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП 2013)». Ярославль, 22-26 августа, 2013, Т.2. 2013. P. 31-36.

Костюк А.Б., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Степанов А.Л. Влияние ионного облучения на структуру и оптические свойства нанокластеров Au в диэлектрических матрице // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2013)». Ярославль, 22-26 августа. 2013. С. 300-303.

Белов А.И., Королев Д.С., Костюк А.Б., Чугров И.А., Грачев Д.А., Михайлов А.Н., Ершов А.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Электронный транспорт и электролюминесценция в диэлектрических слоях с нанокластерами кремния, сформированных с применением ионной имплантации // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2013)». Ярославль, 22-26 августа, 2013. – Т. 2. 2013. С. 286-289.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Карзанова М.В., Бобров А.И., Ершов А.В., Павлов Д.А., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Закономерности ионно-лучевой обработки наноматериалов на основе кремния // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, T. 1.. 2013. С. 166-168.

Костюк А.Б., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения и последующего отжига на оптические и структурные свойства массива нанокристаллов Au в SiO2 // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н. И. Лобачевского, T. 1.. 2013. С. 170-172.

Иванова М.М., Качемцев А.Н., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Влияние облучения на фоточувствительность кремниевых фотодетекторов с наноостровками SiGe в активной области // Тезисы докладов ХI-ой Российской конференции по физике полупроводников, 16-20 сентября 2013. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2013. С. 437.

Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного легирования на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение»: сборник трудов 12-й Международной конференции-школы. Саранск, 1-4 октября 2013 г.. 2013. С. 28.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости дислокационной фотолюминесценции в кремнии // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2013». Санкт-Петербург, 16-20 сентября, 2013. 2013. С. 364.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Ershov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Ion Beam Modification of Silicon-Based Nanomaterials Demonstrating Dislocation-Related Luminescence or Resistive Switching Phenomenon // Abstracts of 11th European Conference on Accelerators in Applied Research and Technology (ECAART-11). Namur, BELGIUM, September 8-13, 2013. 2013. P. 128.

Публикации в научных журналах

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Михайлов А.Н., Дудин Ю.А., Бобров А.И., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния // Физика твердого тела. № 11. Т. 55. 2013. С. 2243-2249.

Терехов В.А., Тетельбаум Д.И., Турищев С.Ю., Спирин Д.Н., Панков К.Н., Нестеров Д.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., Ершов А.В. Влияние имплантации углерода на фазовый состав пленок SiO2:nc-Si/Si по данным ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения // Конденсированные среды и межфазные границы. № 1. Т. 15. 2013. С. 48-53.

Герасименко Н.Н., Михайлов А.Н., Козловский В.В., Запорожан О.А., Медетов Н.А., Смирнов Д.И., Павлов Д.А., Бобров А.И. Структура и люминесценция кремния, облученного протонами // Перспективные материалы. № 8. 2013. С. 18-23.

Бобовников П.Г., Ермаков А.С., Матюшкин И.В., Орлов С.Н., Свечкарев К.П., Шелепин Н.А., Михайлов А.Н., Белов А.И. Автоэмиссия из наноструктур на основе карбида кремния и влияние на неё образующихся субоксидных SiOx-покрытий. I. Конструктивно-технологические особенности SiC-микрокатодов. Обзор // Известия высших учебных заведений. Электроника. № 4. 2013. С. 3-12.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Физика твердого тела. № 3. Т. 56. 2013. С. 607-610.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Бурдов В.А., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости фотолюминесценции квантовых точек кремния // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. № 2. 2013. С. 68-73.

Tetelbaum D.I., Guseinov D.V., Mikhaylov A.N., Vasiliev V.K., Belov A.I., Korolev D.S., Obolensky S.V., Kachemtsev A.N. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 2013. [принято к печати]

Спирин Д.Е., Терехов В.А., Анисимов А.В., Нестеров Д.Н., Агапов Б.А., Степанова Н.А., Занин И.Е., Сербин О.В., Солдатенко С.А., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Михайлов А.Н. Влияние импульсного фотонного отжига на фазовый состав и электронное строение пленок SiOx, имплантированных углеродом // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика. № 2. 2013. С. 83-90.

Степанов А.В., Филиппов Г.М., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Моделирование и экспериментальное изучение каналирования ионов в массивах углеродных нанотрубок // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2 (2). 2013. [принято к печати]

Боряков А.В., Николичев Д.Е., Суродин С.И., Чугров И.А., Семерухин М.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Ершов А.В., Теруков Е.И., Тетельбаум Д.И. Диагностика химического и фазового состава тонкопленочных структур с нанокристаллами кремния в матрице ZrO2 методами электронной спектроскопии // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2 (2). 2013. С. 52-57.

Korolev D.S., Kostyuk A.B., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Dudin Yu.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Influence of the Ion Synthesis and Ion Doping Regimes on the Effect of Sensitization of Erbium Emission by Silicon Nanoclusters in Silicon Dioxide Films // Physics of the Solid State. № 11. V. 55. 2013. P. 2361-2367.

Бобовников П.Г., Ермаков А.С., Матюшкин И.В., Орлов С.Н., Свечкарев К.П., Шелепин Н.А., Михайлов А.Н., Белов А.И. Автоэмиссия из наноструктур на основе карбида кремния и влияние на неё образующихся субоксидных SiOx-покрытий. II. Эмиссионные свойства SiC-нанопротрузий // Известия высших учебных заведений. Электроника. № 5. 2013. С. 3-13.

Terekhov V., Tetelbaum D.I., Spirin D., Pankov K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Ershov A.V., Turishchev S. X-ray absorption near edge structure anomalous behavior in structures with buried layers containing silicon nanocrystals // Journal of Synchrotron Radiation. 2013. [принято к печати]

2012

Труды (тезисы) конференции

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Карзанова М.В., Карзанов В.В., Рассолова И.С., Горшков О.Н., Чигиринский Ю.И., Тетельбаум Д.И. Влияние облучения ионами инертных и электрически активных элементов на люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Труды ХVI международного симпозиума “ Нанофизика и наноэлектроника”, Н. Новгород, 12–16 марта, 2012. T.2, 2 стр. 2012. С. 225-226.

Чугров И.А., Нагорных С.Н., Павленков В.И., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Крыжков Д.И., Красильникова Л.В., Тетельбаум Д.И. Температурная зависимость фотолюминесценции нанопериодических структур с упорядоченными массивами нанокристаллов кремния в оксидной матрице // Труды ХVI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 12–16 марта, 2012. Т.1. 2 стр. 2012. С. 426-427.

Тетельбаум Д.И., Костюк А.Б., Федонин М.П., Гусейнов Д.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Структурные аспекты ионно-лучевой модификации ансамбля наночастиц золота в оксидных матрицах // Труды XVI Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 12–16 марта 2012, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ, Т. 2. 2012. С. 402-403.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Дудин Ю.А., Павлов Д.А., Бобров А.И. Особенности формирования нанокластеров золота в матрице SiO2 // Тезисы докладов XXIV Российской конференции по электронной микроскопии. Черноголовка, 29 мая – 1 июня, 2012. 2012. С. 42-43.

Tetelbaum D., Mikhaylov A., Timofeeva A., Belov A., Korolev D., Zhavoronkov I., Barsukov A., Sakharov V., Serenkov I., Shek E., Sobolev N. Ion modification of silicon-based nanostructures with light-emitting erbium and dislocation-related centers // Book of abstracts of E-MRS 2012 Fall Meeting. Poland, Warsaw. September 17-21, 2012. 2012. P. 27.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Особенности радиационного повреждения нанокристаллов кремния в оксидных матрицах при имплантации ионов металлов // Тезисы докладов 11-й Всероссийской (с международным участием) конференции c элементами научной школы для молодежи «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (ВНКШ-2012). Саранск, 2-5 октября, 2012. 2012. С. 106.

Тимофеева А.О., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Эволюция дефектов в кремнии, ионно-индуцированных при наличии электрического поля // Тезисы докладов 11-й Всероссийской (с международным участием) конференции c элементами научной школы для молодежи «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (ВНКШ-2012). Саранск, 2-5 октября, 2012. 2012. С. 113.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Вторичное дефектообразование в кремнии при ионном облучении // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 82.

Тимофеева А.О., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние встроенного электрического поля при ионном облучении кремния на систему вторичных радиационных дефектов // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 41.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Особенности ионно-лучевого воздействия на структуру слоев оксидов кремния и алюминия, содержащих нанокластеры Au // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 39.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И., Крыжков Д.И., Красильникова Л.В. О влиянии размеров нанокристаллов кремния на температурную зависимость спектра фотолюминесценции // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012.. 2012. С. 40.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Жаворонков И.Ю., Барсуков А.В., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Шек Е.И., Соболев Н.А. Ионно-лучевая модификация наноструктур на основе кремния, излучающих свет на длине волны 1,54 мкм // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 94.

Михайлов А.Н., Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Тетельбаум Д.И., Грачев Д.А., Чугров И.А., Ершов А.В. Влияние облучения ионами Au, Er и Zr на оптические свойства оксидных структур с нанокристаллами Si // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 42.

Королев Д.С., Михайлов А.Н. Оптические свойства массивов нанокристаллов кремния, подвергнутых ионно-лучевой обработке // Тезисы докладов Четырнадцатой всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Санкт-Петербург, 26-30 ноября, 2012. 2012. С. 68.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б. Особенности формирования нанокластеров золота в матрице SiO2 // XXIV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2012: Тез. докл.. 29 мая – 1 июня 2012 г., Черноголовка, Россия. 2012. С. 42-43.

Монографии

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I. Peculiarities of ion-beam synthesis of carbon-based phases. In: Diamond-Like Carbon Films / Yuto S. Tanaka (Ed.). New York:: Nova Science Publishers, Inc., P.39-62. 2012.

Публикации в научных журналах

Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Жаворонков И.Ю., Королев Д.С., Нежданов А.В., Ершов А.В., Гусейнов Д.В., Грачева Т.А., Малыгин Н.Д., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Особенности формирования и свойства светоизлучающих структур на основе ионно-синтезированных нанокристаллов кремния в матрицах SiO2 и Al2O3 // Физика твердого тела. № 2. Т. 54. 2012. С. 347-359.

Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Белов А.И., Бурдов В.А., Ершов А.В., Тетельбаум Д.И. Формирование методом ионной имплантации наночастиц золота в однослойных и многослойных массивах светоизлучающих нанокристаллов кремния // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 244-248.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Николичев Д.Е., Боряков А.В. Влияние ионного облучения на морфологию, структуру и оптические свойства наночастиц золота, синтезированных в диэлектрических матрицах SiO2 и Al2O3 // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 8. 2012. С. 58-64.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Бурдов В.А., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости фотолюминесценции квантовых точек кремния // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. № 2. 2012. С. 68-73.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Тетельбаум Д.И. Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния // Журнал технической физики. № 12. Т. 82. 2012. С. 63-66.

Николичев Д.Е., Тетельбаум Д.И., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Боряков А.В., Белов А.И. Химический и фазовый состав пленок оксида кремния с нанокластерами, полученными путем ионной имплантации углерода // Физика твердого тела. № 2. Т. 52. 2012. С. 370-377.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Kostyuk A.B., Zhavoronkov I.Yu., Korolev D.S., Nezhdanov A.V., Ershov A.V., Guseinov D.V., Gracheva T.A., Malygin N.D., Demidov E.S., Tetelbaum D.I. Peculiarities of the Formation and Properties of Light-Emitting Structures Based on Ion-Synthesized Silicon Nanocrystals in SiO2 and Al2O3 Matrices // Physics of the Solid State. № 2. V. 54. 2012. P. 368-382.

Boryakov A.V., Nikolitchev D.E., Tetelbaum D.I., Belov A.I., Ershov A.V., Mikhaylov A.N. Chemical and Phase Compositions of Silicon Oxide Films with Nanocrystals Prepared by Carbon Ion Implantation // Physics of the Solid State. № 2. V. 54. 2012. P. 347-359.

Zatsepin A.F., Buntov E.A., Kortov V.S., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I. Mechanism of quantum dots luminescence excitation within implanted SiO2:Si:C films // J. Phys.: Condens. Matter. V. 24. 2012. P. 045301.

Mikhaylov A.N., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Zhavoronkov I.Yu., Chugrov I.A., Belov A.I., Burdov V.A., Ershov A.V., Tetelbaum D.I. Formation of Gold Nanoparticles in Single-Layer and Multi-Layer Ensembles of Light-Emitting Silicon Nanocrystals Using Ion Implantation // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 2. V. 76. 2012. P. 214-217.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Fedonin M.P., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Nikolitchev D.E., Boryakov A.V. Influence of Ion Irradiation on the Morphology, Structure, and Optical Properties of Gold Nanoparticles Synthesized in SiO2 and Al2O3 Dielectric Matrices // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 4. V. 6. 2012. P. 681-687.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Суродин С.И., Чугров И.А., Семерухин М.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Теруков Е.И., Тетельбаум Д.И. Диагностика химического и фазового состава тонкопленочных структур с нанокристаллами кремния в матрице ZrO2методами электронной спектроскопии // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2012. [принято к печати]

Терехов В.А., Тетельбаум Д.И., Занин И.Е., Панков К.Н., Спирин Д.Е., Михайлов А.Н., Белов А.И., Ершов А.В. Дифракционные исследования формирования нанокристаллов кремния в структурах SiOx/Si с ионной имплантацией углерода // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. № 4. 2012. С. 54-59.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Krasil'nikova L.V., Kryzhkov D.I., Tetel'baum D.I. Model of photoluminescence from ion-synthesized silicon nanocrystal arrays embedded in a silicon dioxide matrix // TECHNICAL PHYSICS. THE RUSSIAN JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. № 12. V. 82. 2012. P. 63-66.

2011

Труды (тезисы) конференции

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Карзанова М.В., Карзанов В.В., Демидова Н.Е., Рассолова И.С., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Чигиринский Ю.И., Европейцев Е.А. Влияние ионного облучения и примесей редкоземельных элементов на свойства пористого кремния // Труды XIII Международной конференции “Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы”, Ульяновск, 19-26 сентября, 2011. 2 стр. 2011. С. 67-68.

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Карзанова М.В., Белов А.И., Карзанов В.В., Демидова Н.Е., Рассолова И.С., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Чигиринский Ю.И., Европейцев Е. А. Свойства пористого кремния с примесями редкоземельных элементов на имплантированном ионами фосфора кремнии // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 405-406.

Костюк А.Б., Федонин М.П., Белов А.И., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Дудин Ю.А., Гусейнов Д.В., Михайлов А.Н., Рассолова И.С., Карзанов В.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения на свойства нанокластеров золота и кремния в диэлектрических матрицах // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.1. 2011. С. 188-189.

Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Белов А.И., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бурдов В.А., Ершов А.В., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И. Формирование методом ионной имплантации наночастиц золота в однослойных и многослойных массивах светоизлучающих нанокристаллов кремния // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 438-439.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Красильникова Л.В., Бурдов В.А., Тетельбаум Д.И. Модель температурной зависимости фотолюминесценции нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 510-511.

Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Белов А.И., Ершов А.В., Тетельбаум Д.И. Ионное внедрение золота в однослойные и многослойные оксидные структуры с нанокристаллами кремния // Труды XXI Международной конференции «Радиационная физика твердого тела», Севастополь, 22–27 августа, 2011. М.: ФГБНУ «НИИ ПМТ», Т.1. 2011. С. 230-237.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Лаптев Д.А., Королев Д.С., Федонин М.П., Ершов А.В., Чугров И.А. Особенности радиационного повреждения нанокристаллических материалов при ионном облучении // Труды XX Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью ВИП-2011», Звенигород, 25–29 августа, 2011. Т.2. 2011. С. 41-44.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Ершов А.В., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Влияние ионной имплантации золота на люминесцентные свойства однослойных и многослойных массивов нанокристаллов кремния // Сборник тезисов, материалы Семнадцатой Всероссийской научной конференции студентов физиков и молодых ученых (ВНКСФ-17), Екатеринбург, 25 марта – 1 апреля, 2011. 3 стр. 2011. С. 189-191.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Fedonin M.P., Korolev D.S., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N. Modification of Au nanoclusters embedded into oxide matrices by ion irradiation: computer simulation and experiment // Abstracts of 20th International Conference on Ion Beam Analysis (IBA 2011), Itapema, Brazil, 10-15 April, 2011. 1 p. 2011. P. 34.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Tetelybaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Burdov V.A., Krasilynikova L.V. Temperature dependence of photoluminescence of Si nanocrystals in silicon dioxide matrix // Abstracts of E-MRS Spring 2011 & Bilateral Energy Conference, Nice, France, 10-12 May, 2011. 1 p. 2011. P. -42.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Сидоренко К.В., Костюк А.Б., Гусейнов Д.В., Федонин М.П., Лаптев Д.А. Влияние динамических и химических факторов на оптические свойства диэлектрических слоёв с нановключениями золота при ионной имплантации // Тезисы докладов XIV Всероссийской конференции и VI Школы молодых ученых “Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение”, Нижний Новгород, 30 мая – 2 июня, 2011. 1 стр. 2011. С. 228.

Tetelbaum D., Mikhaylov A., Belov A., Kostyuk A., Zhavoronkov I., Korolev D., Ershov A. Luminescent Properties of Si Nanocrystals Embedded Into Alumina Films and Sapphire: the Role of Silicon Oxide Shells // Abstracts of International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2011), Suntec, Singapore, 26 June – 1 July, 2011. 1 p. 2011. P. 2374.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Красильникова Л.В., Бурдов В.А., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости фотолюминесценции системы квантовых точек кремния в матрице SiO2 // Тезисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («Кремний 2011»), Москва, 5-8 июля, 2011. 1 стр. 2011. С. 172.

Терехов В.А., Панков К.Н., Занин И.Е., Домашевская Э.П., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Зубков С.Ю. Влияние ориентации подложки и имплантации углерода на рост нанокристаллов Si в пленках SiOx на подложке кремния (111) и (100) // Тезисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («Кремний 2011»), Москва, 5-8 июля, 2011. 1 стр. 2011. С. 189.

Тетельбаум Д.И., Костюк А.Б., Федонин М.П., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Эволюция структуры тонких слоев SiO2 с нанокристаллами золота при облучении ионами Ne+, F+ и Si+ // ХХХ Научные чтения имени академика Н.В. Белова. Тезисы докладов конференции, Нижний Новгород, 20-21 декабря, 2011. 2 стр. 2011. С. 129-130.

Чугров И.А., Ершов А.А., Ершов А.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. О модификации люминесцентных свойств нанопериодических структур nc-Si/оксид при ионно-лучевом легировании // Тезисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («Кремний 2011»), Москва, 5-8 июля, 2011. 1 стр. 2011. С. 179.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Оптические и светоизлучающие свойства смешанных массивов нанокластеров золота и кремния, полученных с применением ионной имплантации // Сборник трудов 10-й Всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение», Саранск, 4 – 7 октября, 2011. 1 стр. 2011. С. 108.

Королев Д.С., Михайлов А.Н. Ионно-лучевой синтез наночастиц золота в однослойных и многослойных структурах с нанокристаллами кремния // Тезисы Тринадцатой всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Санкт-Петербург. 2011. С. 85.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Zhavoronkov I.Yu., Chugrov I.A., Belov A.I., Ershov A.V., Gorshkov O.N., Nagornykh S.N. Ion-beam formation of gold nanoclusters in single- and multi-layer ensembles of light-emitting silicon quantum dots // Abstracts of E-MRS Spring 2011 & Bilateral Energy Conference, Nice, France, 10-12 May, 2011. 1 p. 2011. P. 2-47.

Смелова Н.А., Михайлов А.Н., Волгутов В.Ю. Синтез, фазообразование, люминесцентные свойства фосфатов со структурами Na[Zr2(PO4)3] и лангбейнита // Тезисы докладов 14-й конференции молодых ученых-химиков Нижегородской области, Н. Новгород, 17-19 мая, 2011. 3 стр. 2011. С. 80-82.

Публикации в научных журналах

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Карзанова М.В., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И., Шушунов А.Н., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Европейцев Е.А. Фотолюминесценция пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных металлов // Физика твердого тела. № 12. Т. 53. 2011. С. 2294-2298.

Ершов А.В., Тетельбаум Д.И., Чугров И.А., Машин А.И., Михайлов А.Н., Нежданов А.В., Ершов А.А., Карабанова И.А. Эволюция оптических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiOx/ZrO2, содержащей нанокластеры кремния // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 45. 2011. С. 747-753.

Ershov A.V., Tetelbaum D.I., Chugrov I.A., Mashin A.I., Mikhaylov A.N., Nezhdanov A.V., Ershov A.A., Karabanova I.A. Annealing-Induced Evolution of Optical Properties of the Multilayered Nanoperiodic SiOx/ZrO2 System Containing Si Nanoclusters // Semiconductors. № 6. V. 45. 2011. P. 731-737.

Demidov E.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Karzanova M.V., Demidova N.E., Chigirinskii Yu.I., Shushunov A.N., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Evropeitsev E.A. Photoluminescence of Porous Silicon Saturated with Tungsten-Tellurite Glass with Rare-Earth Metal Impurities // Physics of the Solid State. № 12. V. 53. 2011. P. 2415-2420.

Терехов В.А., Турищев С.Ю., Панков К.Н., Занин И.Е., Домашевская Э.П., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Николичев Д.Е. Синхротронные исследования особенностей электронной и атомной структуры поверхностных слоев пленок оксида кремния, содержащих нанокристаллы кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 10. 2011. С. 46-55.

Terekhov V.A., Turishchev S.Yu., Pankov K.N., Zanin I.E., Domashevskaya E.P., Tetelbaum D.I., Mikhailov A.N., Belov A.I., Nikolichev D.E. Synchrotron investigations of electronic and atomic-structure peculiarities for silicon-oxide films' surface layers containing silicon nanocrystals // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 5. V. 5. 2011. P. 958-967.

Патенты, авторские свидетельства

2018

Грязнов Е.Г., Антонов И.Н., Котина А.Ю., Котомина В.Е., Михайлов А.Н., Шарапов А.Н., Горшков О.Н. Топология тестового кристалла с матрицей мемристивных микроустройств (Авторское свидетельство).

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Коряжкина М.Н. Оксидный мемристор с концентраторами электрического поля (Патент).

2017

Грязнов Е.Г., Антонов И.Н., Белов А.И., Котина А.Ю., Котомина В.Е., Макарычев Ю.К., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Шарапов А.Н., Горшков О.Н. Топология тестового кристалла с элементами энергонезависимой многократно программируемой резистивной памяти (Авторское свидетельство).

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Шарапов А.Н. Способ имитационного тестирования стойкости приборной структуры к облучению быстрыми нейтронами (варианты) (Патент).

2016

Грязнов Е.Г., Антонов И.Н., Белов А.И., Котина А.Ю., Котомина В.Е., Макарычев Ю.К., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Шарапов А.Н., Горшков О.Н. "Топология тестового кристалла с элементами энергонезависимой многократно программируемой резистивной памяти", заявка №2016630152 от 30.11.2016 (Авторское свидетельство).

2015

Тетельбаум Д.И., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шарапов А.Н. Термостатирование полупроводниковых пластин при ионной имплантации (Патент).

Контакты

462-37-18

Нижний Новгород

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского