Сушков Артем Александрович

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2023

Королев Д.С., Крюков Р.Н., Матюнина К.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Юнин П.А., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. ЗАКОНОМЕРНОСТИ ИОННО-ЛУЧЕВОГО СИНТЕЗА НАНОВКЛЮЧЕНИЙ GA2O3 В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТРИЦАХ // ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИОНОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ «ВИП-2023» Труды XXVI Международной конференции.. Издательство: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва), 267с.. 2023. С. 39-41.

Сушков А.А., Андрианов А.И., Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Юрасов Д.В., Крюков Р.Н. ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР GAAS/GE, ВЫРАЩЕННЫХ НА РАДИАЦИОННО СТОЙКИХ ПОДЛОЖКАХ «КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ» // НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ: ПЕРСПЕКТИВНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ Сборник тезисов докладов 21-й Международной школы-конференции имени Б.А. Калина для молодых ученых и специалистов. Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва), 200 с.. 2023. С. 181-182.

Королев Д.С., Никольская А.А., Матюнина К.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Крюков Р.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Юнин П.А., Тетельбаум Д.И. Формирование нанокристаллов Ga2O3 в оксидных матрицах при имплантации ионов и последующем отжиге // 52-ая Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2023). Тезисы докладов. Москва, 30 мая – 1 июня, 2023.. 2023. С. 114.

Королев Д.С., Матюнина К.С., Никольская А.А., Крюков Р.Н., Белов А.И., Михайлов А.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование свойств ионно-синтезированных нановключений оксида галлия // Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы 15-й Междунар. конф.. Минск, Беларусь, 26-29 сентября 2023 г.. 2023. С. 398-400.

Королев Д.С., Матюнина К.С., Никольская А.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Нежданов А.В., Крюков Р.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Тетельбаум Д.И. Ионный синтез наноразмерных включений Ga2O3 в диэлектрических матрицах // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума. Нижний Новгород: ИПФ РАН, Том 2-й, 486 с.. 2023. С. 633-634.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Конаков А.А., Охапкин А.И., Краев С.А., Моисеев А.Д., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Люминесцентные свойства и фазообразование в Si при ионном облучении SiO2/Si // ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИОНОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ "ВИП-2023". Труды XXVI Международной конференции. Издательство: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва), Том 1. Москва. 2023, 350 с.. 2023. С. 214-217.

Korolev D.S., Kryukov R.N., Matyunina K.S., Nikolyskaya A.A., Belov A.I., Mikhailov A.N., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Structure and chemical composition of ion-synthesized gallium oxide nanocrystals in dielectric matrices // Nanomaterials. V. 13. 2023. P. 1658.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Konakov A.A., Okhapkin A.I., Kraev S.A., Andrianov A.I., Moiseev A.D., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Formation of Hexagonal Phase 9R-Si in SiO2/Si System upon Kr+ Ion Implantation // Moscow University Physics Bulletin (English Translation of Vestnik Moskovskogo Universiteta, Fizika). № 78. V. 3. 2023. P. 361–367.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Конаков А.А., Охапкин А.И., Краев С.А., Андрианов А.И., Моисеев А.Д., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Образование гексагональной фазы кремния 9R-Si при имплантации системы SiO2/Si ионами Kr+ // Вестник Московского университета. Серия 3: Физика. Астрономия. № 78. Т. 3. 2023. С. 2330501.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Konakov A.A., Okhapkin A.I., Kraev S.A., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Luminescence of modified W-centers arising in silicon upon irradiation of the SiO2/Si system by Kr+ ions // Materials Letters. № 342. 2023. P. 134302.

2022

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Light-emitting 9R hexagonal silicon phase synthesized by ion implantation // 22th INTERNATIONAL CONFERENCE ON ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS (IBMM-2022). Book of abstracts, Lisbon, Portugal, July 10-15, 2022.- 220 pp. 2022. P. 155.

Андрианов А.И., Сушков А.А., Воронцов В.А., Павлов Д.А., Балясников Д.М., Таран Д.А., Нежданов А.В. Рост и исследование буферных слоев Ge/Si (001) для лазерных структур на основе полупроводников AIIIBV // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 682-683.

Королев Д.С., Матюнина К.С., Никольская А.А., Крюков Р.Н., Белов А.И., Михайлов А.Н., Нежданов А.В., Сушков А.А., Павлов Д.А., Юнин П.А., Тетельбаум Д.И. Исследование фотолюминесцентных свойств ионно-синтезированных нановключений оксида галлия // Х Международная школа-конференция молодых учёных и специа-листов «Современные проблемы физики», 27-29 апреля 2022 г. Сборник научных трудов, Минск: Институт физики НАН Беларуси, 2022.- 167 с. 2022. С. 79-80.

Тетельбаум Д.И., Павлов Д.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Сушков А.А., Трушин В.Н., Никольская А.А. Формирование гексагональной фазы 9R-Si и светоизлучающие свойства кремния при ионном облучении системы SiO2/Si // XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе КРЕМНИЙ-2022 (Новосибирск, 26-30 сентября, 2022). Сборник тезисов, М.: Издательство «Перо», 2022.- 160 с. 2022. С. 68.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Ионно-лучевой синтез гексагонального кремния фазы 9R-Si на подложках Si с разной ориентацией // XV Российская конференция по физике полупроводников (Нижний Новгород, 03-07 октября, 2022). Тезисы докладов, Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2022.- 464 с. 2022. С. 32.

Королев Д.С., Никольская А.А., Матюнина К.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Нежданов А.В., Крюков Р.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Юнин П.А., Тетельбаум Д.И. Исследование процессов ионно-лучевого формирования нановключений оксида галлия в диэлектрических матрицах // XV Российская конференция по физике полупроводников (Нижний Новгород, 03-07 октября, 2022). Тезисы докладов, Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2022.- 464 с. 2022. С. 71.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Трушин В.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Galeckas A., Азаров А.Ю., Кузнецов А.Ю., Тетельбаум Д.И. Формирование фазы 9R-Si и фотолюминесценция в образцах SiO2/Si, облученных различными ионами // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Казань, 11–14 ноября 2022 г.).- Н. Новгород, 2022.- 92 с. 2022. С. 17.

Королев Д.С., Матюнина К.С., Никольская А.А., Нежданов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Крюков Р.Н., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Ионный синтез нанокристаллических включений Ga2O3 в оксидных матрицах // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Казань, 11–14 ноября 2022 г.).- Н. Новгород, 2022.- 92 с. 2022. С. 25.

Sushkov A.A., Pavlov D.A., Andrianov A.I., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Kryukov R.N., Baidusy N.V., Yurasov D.V., Novikov A.V. Comparison of III–V Heterostructures Grown on Ge/Si, Ge/SOI, and GaAs // Semiconductors. № 2. V. 56. 2022. P. 122-133.

Korolev D.S., Matyunina K.S., Nikolyskaya A.A., Kryukov R.N., Nezhdanov A.V., Belov A.I., Mikhailov A.N., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Yunin P.A., Drozdov M.N., Tetelbaum D.I. Ion-Beam Synthesis of Gallium Oxide Nanocrystals in a SiO2/Si Dielec-tric Matrix // Nanomaterials. № 11. V. 12. 2022. P. 1840(1-9).

2021

Сушков А.А., Павлов Д.А., Андрианов А.И., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Крюков Р.Н., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Юрасов Д.В., Новиков А.В. Диагностика А3В5 гетероструктур на Ge/Si, Ge/SOI // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. - Т.2.– 467с.. 2021. С. 864-865.

2020

Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Кочугова Е.С., Сушков А.А. Методика формирования однородных по толщине структур SixGe1-x на больших подложках // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIV Международного симпозиума, 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 505 с. 2020. С. 693-694.

Сушков А.А., Павлов Д.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю. Структурные свойства слоя Ge, выращенного на гетероструктуре Si/SiO2/Si(100) методом «горячей проволоки» // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIV Международного симпозиума, 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 505 с. 2020. С. 749-750.

Гагарин А.Г., Денисов С.А., Минеев М.Н., Павлов Д.А., Сушков А.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Формирование и структурные исследования Ge/Si слоев на Si/SiO2/Si (100) // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: прогр. и материалы 18-й Междунар. науч. конф.-шк. (Саранск, 15-18 сент. 2020 г.). Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2020.- 228 с. 2020. С. 59.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Kotomina V.E., Kotina A.Yu., Gryaznov E.G., Sharapov A.N., Koryazhkina M.N., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Morozov O.A., Tetelbaum D.I. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Advanced Materials Technologies. № 5. V. 5. 2020. P. 1900607(1-9).

Sushkov A.A., Pavlov D.A., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Kryukov R.N., Pitirimova E.A. Growth of a Ge Layer on a Si/SiO2/Si(100) Structure by the Hot-Wire Method // Semiconductors. № 10. V. 54. 2020. P. 1332-1335.

2019

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Павлов Д.А., Пашенькин И.Ю., Сушков А.А. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур // Материалы XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.. Изд-во ННГУ, 2 т., 957 с.. 2019. С. 795-796.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Кривулин Н.О., Марычев М.О., Мухаматчин К.Р., Елизарова А.А., Конаков А.А., Тетельбаум Д.И., Павлов Д.А. Светоизлучающая 9R фаза кремния, сформированная методом ионной имплантации инертного газа в подложки SiO2/Si // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума. Нижний Новгород, 11-14 марта. 2019. С. 780-781.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Муртазин Р.И., Павлов Д.А., Конаков А.А., Мухаматчин К.Р., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональной фазы кремния при ионной имплантации в плёнку SiO2 на Si // XLIX Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2019). Тезисы докладов. Москва, 29 - 31 мая. 2019. С. 9.

Зубков С.Ю., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Павлов Д.А., Сушков А.А., Михайлов А.Н., Горшков О.Н. Исследование химического состава многослойных мемристивных систем на основе тонких диэлектрических пленок // Материалы XXIII Всероссийской конференции с международным участием РЭСХС-2019. Воронеж, 2019. 2019. С. 106.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Зубков С.Ю., Шенина М.Е., Милин В.Е., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Тихов С.В. Повышение воспроизводимости резистивного переключения в многослойных мемристивных наноструктурах на основе стабилизированного иттрием оксида циркония // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума. Нижний Новгород, 11-14 марта, Т.2. 2019. С. 758-759.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Чигиринский Ю.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Изучение механизмов формирования светоизлучающей гексагональной фазы 9R-Si // Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2019». Материалы докладов. Москва, 8-12 апреля. 2019. С. 918-919.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Antonov A.E., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Mechanism of formation of light-emitting hexagonal phase 9R-Si // 6th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Book of abstracts. Saint Petersburg, April 22-25. 2019. P. 109-110.

Королев Д.С., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., Павлов Д.А., Сушков А.А., Тетельбаум Д.И. Новые ионно-лучевые подходы к формированию кремниевых светоизлучающих наноматериалов // XXIX Международная конференция «Радиационная физика твердого тела». Тезисы докладов. Севастополь, 08 - 13 июля. 2019. С. 140-147.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Pavlov D.A., Sushkov A.A., Konakov A.A., Tetelbaum D.I. Properties of Hexagonal Silicon (9R Phase) Synthesized by Ion Implantation Into SiO2/Si // German-Russian Travelling Seminar “Nanomaterials and Large-Scale Research Centers”. Book of abstracts. Irkutsk – Lake Baikal – Novosibirsk – Moscow, July 30 – August 10. 2019. P. 12.

Tetelbaum D.I., Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A. Formation of light-emitting layers in Si at ion implantation in SiO2 on Si // 20th International conference on Radiation Effects in Insulators. Book of abstracts. Nur-Sultan (Astana), Kazakhstan, August 19-23. 2019. P. 178.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tereshchenko A.N., Pavlenkov V., Nagornykh S. Ion-beam modification of Si and SiO2/Si structures for the development of light-emitting silicon-based devices // The 21st International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams. Abstract Book. Tomsk, August 25-30. 2019. P. 21.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Павлов Д.А., Пашенькин И.Ю., Сушков А.А. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 53. 2019. С. 1233-1236. Translated version: Plankina S.M., Vikh.

Сушков А.А., Павлов Д.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Крюков Р.Н. Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al2O3 // Физика и техника полупроводников. № 53. Т. 9. 2019. С. 1271-1274.

Sushkov A.A., Pavlov D.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Baidus N.V., Rykov A.V., Kryukov R.N. Studies of the Cross Section and Photoluminescence of a GaAs Layer Grown on a Si/Al2O3 Substrate // Semiconductors. № 53. V. 9. 2019. P. 1242–1245.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Mechanism of formation of light-emitting silicon hexagonal phase 9R-Si // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012037.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Kotomina V.E., Kotina A.Yu., Gryaznov E.G., Sharapov A.N., Koryazhkina M.N., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Morozov O.A., Tetelbaum D.I. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Advanced Materials Technologies. V. 5. 2019. P. 1900607.

2018

Сушков А.А., Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Новиков А.В., Юрасов Д.В. Формирование гексагональной фазы AlAs на Ge/SI(112) // Микроэлектроника и информатика - 2018. 25-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. Москва, 18-19 апр. 2018 г. – Москва. Изд-во МИЭТ, 316 с. 2018. С. 42.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Formation of hexagonal silicon inclusions in Si-based systems // Book of abstracts. 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Published by St. Petersburg Academic University, Saint Petersburg, April 2-5, 621 стр. 2018. P. 94-95.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Свойства гексагонального кремния, синтезируемого с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов XLVIII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: "КДУ", "Университетская книга", Москва, 29-31 мая, 206 стр. 2018. С. 155.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональных включений кремния в системе SiO2/Si с помощью ионной имплантации // XXIII Нижегородская сессия молодых ученых. Княгинино : НГИЭУ, Нижний Новгород, 22-23 мая, Т.2, 226 стр. 2018. С. 36-37.

Никольская А.А., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А. Синтез и свойства гексагональной модификации 9R-Si, полученной с помощью ионной имплантации // Сборник трудов XIII Всероссийской Научной конференция молодых ученых «Наноэлектроника, Нанофотоника и Нелинейная физика». Издательство "Техно-Декор", Саратов, 4-6 сентября, 404 стр. 2018. С. 209-210.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование свойств гексагонального кремния, полученного с помощью ионной имплантации // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение. Издательство Мордовского университета, Саранск, 18-21 сентября, 224 стр. 2018. С. 182.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Мухаматчин К.Р., Елизарова А.А., Конаков А.А., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Диагностика образования и свойств включений гексагонального кремния, полученных методом ионной имплантации // Труды X Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Типография РГРУ, Рязань, 01-06 октября, Т.2, 176 стр. 2018. С. 147.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Zubkov S.Yu., Shenina M.E., Milin V.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N. Improvement of resistive switching reproducibility by stabilized oxygen exchange in Au/Ta/ZrO2(Y)/Ta2O5/TiN/Ti devices // INTERNATIONAL WORKSHOP From ReRAM and Memristors to new Computing Paradigms. Book of Abstracts, Rethymno, Crete, Greece, October 28-31, 35 стр. 2018. P. 18.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование особенностей формирования и люминесцентных свойств гексагональных фаз кремния, синтезированных с применением ионной имплантации // Сборник тезисов XII Международной конференции КРЕМНИЙ-2018. Российская Академия наук, Черноголовка, 22-26 ноября, 130 стр. 2018. С. 87.

Tetelbaum D.I., Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A. Synthesis of hexagonal silicon by ion implantation // XII International Conference on Ion implantation and other applications of ions and electrons. Book of Abstracts, Kazimierz Dolny, Poland, June 18-21, 137 стр. 2018. P. 123.

Никольская А.А., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Мухаматчин К.Р., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Елизарова А.А., Конаков А.А. Структура и оптические свойства гексагональной модификации кремния, полученной методом ионной имплантации // «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов VII Всероссийской конференции (Нижний Новгород, 7-9 ноября 2018 г.). Отпечатано в РИУ Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Н. Новгород, 174 стр.. 2018. С. 28.

Никольская А.А., Королев Д.С., Сушков А.А., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Изучение светоизлучающей гексагональной фазы 9R-Si // Тезисы докладов XX Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Издательство Политехнического университета, Санкт-Петербург, 26-30 ноября, 128 стр. 2018. С. 121.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M., Yunin P.A., Yurasov D, Krasilnik Z.F. MOCVD Growth of InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures with Quantum Wells on Ge/Si Substrates // Crystals. № 8. V. 8. 2018. P. 311.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Mukhamatchin K.R., Elizarova A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

Rajamani S., Arora K., Konakov A.A., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Surodin S., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Deep UV Narrow-Band Photodetector Based on Ion Beam Synthesized Indium Oxide Quantum Dots in Al2O3 Matrix // Nanotechnology. V. 29. 2018. P. 305603.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Formation of hexagonal silicon regions in silicon // Journal of Physics: Conference Series. V. 1124. 2018. P. 022007.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Muhamatchin K.R., Elizarova A.A., Marychev M.O., Konakov A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

2017

Шенгуров В.Г., Бузынин Ю.Н., Бузынин А.Н., Байдусь Н.В., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Сушков А.А., Павлов Д.А., Дроздов М.Н., Нежданов А.В., Юнин П.А., Трушин В.Н. Эпитаксиальные подложки GaAs/Ge/Si // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 770-771.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Фефелов А.Г., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Самарцев И.В., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Сушков А.А., Яблонский А.Н., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Лазерные диоды InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на Ge/Si(001) подложках // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 491-492.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs на подложках Ge/Si методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 523-524.

Сушков А.А., Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Павлов Д.А. Эффективное подавление ростовых дефектов и взаимной диффузии атомов Ge, As, Ga на гетерогранице GaAs/Ge // Тезисы докладов 24-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 2017". Зеленоград, Россия, 19 - 20 апреля 2017. 2017. С. 49.

Сушков А.А., Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Павлов Д.А. Эффективное подавление ростовых дефектов и взаимной диффузии атомов Ge, As, Ga на гетерогранице GaAs/Ge // Сборник докладов конференции научной молодежи физического факультета ННГУ. Нижний Новгород, 11 мая 2017. С. 121. 2017. С. 101.

Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Polubavkina Yu.S., Maximov M.V., Kulagina M.M., Troshkov S.I., Zadiranov Yu.M., Lipovskii A.A., Baidusy N.V., Dubinov A.A., Krasilynik Z.F., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Yurasov D.V., Zhukov A.E. Electrically pumped InGaAs/GaAs quantum well microdisk lasers directly grown on Si(100) with Ge/GaAs buffer // Optics Express. № 14. V. 25. 2017. P. 16754-16760.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н., Красильник З.Ф. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1579-1582.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Yablonskiy A.N., Krasilnik Z.F. Peculiarities of Growing InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures by MOCVD on Ge/Si Substrates / N.V. Baidus, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, M.V. Shaleev, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, A.N. Yablonskiy, Z.F. Krasilnik // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1527-1530.

2016

Грачев Д.А., Гарахин С.А., Сушков А.А., Дудин Ю.А., Нежданов А.В., Павлов Д.А., Ершов А.В. Структурные свойства многослойных композитов «наногерманий – оксид алюминия», подвергнутых имплантации ионов кислорода // Физические и физико-химические основы ионной имплантации : Тез. докл. VI Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов, Нижний Новгород, 24–27 окт. 2016 г. – Н. Новгород. Изд-во Нижегорд. госун-та, 141 с. 2016. С. 131–132.

Сушков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Павлов Д.А. Гетеронаноструктуры Ge/Si и GaAs/Ge: исследование поперечного среза // Физика твердого тела. Сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции. Томск, 18-20 мая 2016 г. – Томск. Издательский Дом Томского государственного университета, 276 с. 2016. С. 223-225.

Сушков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Байдусь Н.В., Павлов Д.А. Исследование поперечного среза структуры GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/ГКНС(Ge/Si/Al2O3) // VI Всероссийский фестиваль науки. Сборник докладов. Нижний Новгород, 6 окт. 2016 г. - Н.Новгород. Изд-во ННГАСУ. Т. 1, 485 с. 2016. С. 73-75.

Сушков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Павлов Д.А. Исследование поперечного среза гетеронаноструктур КНС, Ge/Si, GaAs/Ge и Ge/КНС // Сборник докладов научной студенческой конференции физического факультета. Нижний Новгород, 25 мая 2016 г. - Н.Новгород. 55 с. 2016. С. 44-46.

Aleshkin V.Ya., Baidusy N.V., Dubinov A.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Samartsev I.V., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Sushkov A.A., Yablonskii A.N., Yunin P.A., Yurasov D.V. Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grownby MOCVD on exact Ge/Si(001) substrate // Appl. Phys. Lett.. № 061111. V. 109. 2016. P. 1-5.

Патенты, авторские свидетельства

2018

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Коряжкина М.Н. Оксидный мемристор с концентраторами электрического поля (Патент).