Шарапов Александр Николаевич

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория физики и технологии тонких пленок

младший научный сотрудник

Центр инновационного развития медицинского приборостроения ННГУ

Отдел интеллектуальной собственности

начальник отдела

Ученая степень
нет
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 12 лет, 4 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
магистр. Квалификация: магистр техники и технологии.

Профессиональная переподготовка
Организация предпринимательской деятельности в научно-технической сфере.

Профессиональная переподготовка
Квалификация: Патентовед.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

15.03.2015 - 02.05.2015
Повышение квалификации: Основы интелектуальной собственности, Академия ВОИС, документ № б/н от 02.05.2015

15.10.2013 - 04.02.2014
Повышение квалификации: Коммерциализация результатов НИОКР, ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 72 час., документ № 148 от 04.02.2014

01.03.2013 - 15.06.2013
Повышение квалификации: Развитие системы продвижения молодежных инновационныхпредприятий Нижегородской области на межрегиональные и международные рынки, Центр бизнес практики "Лидер", 72 час., документ № 35 от 15.06.2013

13.04.2012 - 24.04.2012
Повышение квалификации: Правовое регулирование инновационной деятельности, ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 16 час., документ № 327 от 24.04.2012

30.03.2012 - 11.04.2012
Повышение квалификации: Инструменты маркетинга для инновационного бизнеса, ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 16 час., документ № 276 от 11.04.2012

16.03.2012 - 28.03.2012
Повышение квалификации: Привлечение инвестиций, ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 16 час., документ № 226 от 30.03.2012

20.10.2011 - 21.12.2011
Повышение квалификации: Стратегия и тактика коммерциализации результатов интелектуальной деятельности, ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 60 час., документ № 5218 от 21.12.2011

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2022

Труды (тезисы) конференции

Лукоянов В.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Королев Д.С., Шарапов А.Н., Шамшин М.О., Першин Ю.В. МЕМРИСТОР КАК ИСТОЧНИК ЭНТРОПИИ В ВЕРОЯТНОСТНЫХ СХЕМАХ // ТРУДЫ XXVI НАУЧНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО РАДИОФИЗИКЕ, ПОСВЯЩЕННОЙ 120-ЛЕТИЮ М.Т. ГРЕХОВОЙ, Материалы конференции.. Нижний Новгород: ННГУ, 2022. – 592 с. 2022. С. 490-492.

2021

Труды (тезисы) конференции

Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Королев Д.С., Шарапов А.Н., Шамшин М.О., Лукоянов В.И. РЕАЛИЗАЦИЯ ГЕНЕРАТОРА СЛУЧАЙНЫХ ЧИСЕЛ НА ОСНОВЕ МЕМРИСТИВНЫХ УСТРОЙСТВ ДЛЯ СИСТЕМ ИНФОРМАЦИОННОЙ БЕЗОПАСНОСТИ // ТРУДЫ XXV НАУЧНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО РАДИОФИЗИКЕ, материалы докладов.. Нижний Новгород: ННГУ, 2021. –562 с. 2021. С. 467-470.

Публикации в научных журналах

Михайлов А.Н., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Шамшин М.О., Шарапов А.Н., Лукоянов В.И., Першин Ю.В. МЕМРИСТИВНЫЕ УСТРОЙСТВА ДЛЯ СИСТЕМ ИНФОРМАЦИОННОЙ БЕЗОПАСНОСТИ // Наноиндустрия. № S7 (107). Т. 14. 2021. С. 657-658.

2020

Публикации в научных журналах

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Kotomina V.E., Kotina A.Yu., Gryaznov E.G., Sharapov A.N., Koryazhkina M.N., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Morozov O.A., Tetelbaum D.I. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Advanced Materials Technologies. № 5. V. 5. 2020. P. 1900607(1-9).

2019

Публикации в научных журналах

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Kotomina V.E., Kotina A.Yu., Gryaznov E.G., Sharapov A.N., Koryazhkina M.N., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Morozov O.A., Tetelbaum D.I. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Advanced Materials Technologies. V. 5. 2019. P. 1900607.

2018

Публикации в научных журналах

Mikhaylov A.N., Morozov O.A., Ovchinnikov P.E., Antonov I.N., Belov A.I., Korolev D.S., Sharapov A.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Pigareva Ya.I., Pimashkin A.S., Lobov S.A., Kazantsev V.B. One-Board Design and Simulation of Double-Layer Perceptron Based on Metal-Oxide Memristive Nanostructures // IEEE Transactions on Emerging Topics in Computational Intelligence. № 5. V. 2. 2018. P. 371-379.

2016

Публикации в научных журналах

Mikhaylov A.N., Gryaznov D.V., Belov A.I., Korolev D.S., Sharapov A.N., Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Malekhonova N.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Gerasimova S.A., Kazantsev V.B., Agudov N.V., Dubkov A.A., C. M. M. Rosário, N. A. Sobolev, B. Spagnolo Field- and irradiation-induced phenomena in memristive nanomaterials // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. № 10-12. V. 13. 2016. P. 870-881.

2013

Труды (тезисы) конференции

Горшков О.Н., Касаткин А.П., Шенина М.Е., Шарапов А.Н. Формирование золотых наночастиц методом ионной имплантации в диоксиде циркония с разным содержанием стабилизирующего оксида // Седьмая научно-техническая конференция молодых специалистов Росатома "Высокие технологии атомной отрасли. Молодежь в инновационном процессе": материалы конференции 2012г.. Н.Новгород: ООО "Растр-НН", 2013. - 249 с.. 2013. С. 108-110.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Шарапов А.Н. Резистивное переключение в МДМ-структурах на основе наноразмерных плёнок диоксида циркония и стабилизированного диоксида циркония // Труды научно-технической конференции "Пассивные электронные компоненты - 2013". Н. Новгород "КБ "ИКАР", 322. 2013. С. 309-313.

Горшков О.Н., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Филатов Д.О., Шарапов А.Н., Шенина М.Е. Локальная электрополевая модификация свойств наноразмерных слоёв на основе стабилизированного диоксида циркония // Пассивные электронные компоненты - 2013: труды научно-технической конференции. Н.Новгород: КБ "ИКАР", 2013. - 322С. 2013. С. 314-316.

Публикации в научных журналах

Антонов Д.А., Филатов Д.О., Горшков О.Н., Дудин А.Ю., Шарапов А.Н., Зенкевич А.В., Матвеев Ю.А. Исследование резистивного переключения в тонких плёнках HfO2/Si методом комбинированной СТМ/АСМ // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2(2). 2013. С. 17-21.

2011

Публикации в научных журналах

Семёнов В.В., Ладилина Е.Ю., Лапшина Е.В., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Скамницкий Д.В., Шенина М.Е., Круглов А.В., Дашаев А.А., Шарапов А.Н. Наведенный показатель преломления в тонких пленках полимерных органосиланов при облучении УФ светом // Журнал прикладной химии. № 10. Т. 84. 2011. С. 1717-1720.

Патенты, авторские свидетельства

2024

Филатов Д.О., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Шенина М.Е., Антонов И.Н., Лобанова В.А., Рябова М.А., Михайлов А.Н., Шарапов А.Н. Способ переключения мемристора (Патент).

2023

Михайлов А.Н., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Королев Д.С., Шамшин М.О., Шарапов А.Н., Лукоянов В.И. Способ генерации случайных чисел с помощью мемристорного источника стохастических сигналов и устройство для его осуществления (Патент).

Михайлов А.Н., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Королев Д.С., Шамшин М.О., Шарапов А.Н., Лукоянов В.И. СПОСОБ ГЕНЕРАЦИИ СЛУЧАЙНЫХ ЧИСЕЛ С ПОМОЩЬЮ МЕМРИСТОРНОГО ИСТОЧНИКА СТОХАСТИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ (Евразийский патент) (Патент).

2020

Грязнов Е.Г., Антонов И.Н., Королев Д.С., Макарычев Ю.К., Шарапов А.Н., Михайлов А.Н. ТОПОЛОГИЯ МАССИВОВ МЕМРИСТИВНЫХ УСТРОЙСТВ, ИНТЕГРИРОВАННЫХ В ТЕСТОВЫЕ СТРУКТУРЫ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ БЛОКИ МИКРОСХЕМЫ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ РЕЗИСТИВНОЙ ПАМЯТИ (Авторское свидетельство).

2019

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Коряжкина М.Н. Оксидный мемристор с концентраторами электрического поля (Патент).

Тихов С.В., Антонов И.Н., Белов А.И., Горшков О.Н., Михайлов А.Н., Шенина М.Е., Шарапов А.Н. Способ управления мемристивной конденсаторной структуры металл-диэлектрик-полупроводник (Патент).

Тетельбаум Д.И., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Николичев Д.Е., Белов А.И., Королев Д.С., Суродин С.И., Окулич Е.В., Шарапов А.Н., Маркелов А.С. СПОСОБ ИОННО-ЛУЧЕВОГО СИНТЕЗА НИТРИДА ГАЛЛИЯ В КРЕМНИИ (Патент).

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н. Способ изготовления мемристора с наноконцентраторами электрического поля (Патент).

2018

Грязнов Е.Г., Антонов И.Н., Котина А.Ю., Котомина В.Е., Михайлов А.Н., Шарапов А.Н., Горшков О.Н. Топология тестового кристалла с матрицей мемристивных микроустройств (Авторское свидетельство).

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Коряжкина М.Н. Оксидный мемристор с концентраторами электрического поля (Патент).

2017

Грязнов Е.Г., Антонов И.Н., Белов А.И., Котина А.Ю., Котомина В.Е., Макарычев Ю.К., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Шарапов А.Н., Горшков О.Н. Топология тестового кристалла с элементами энергонезависимой многократно программируемой резистивной памяти (Авторское свидетельство).

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Шарапов А.Н. Способ имитационного тестирования стойкости приборной структуры к облучению быстрыми нейтронами (варианты) (Патент).

2016

Грязнов Е.Г., Антонов И.Н., Белов А.И., Котина А.Ю., Котомина В.Е., Макарычев Ю.К., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Шарапов А.Н., Горшков О.Н. "Топология тестового кристалла с элементами энергонезависимой многократно программируемой резистивной памяти", заявка №2016630152 от 30.11.2016 (Авторское свидетельство).

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н., Шарапов А.Н. Способ определения электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки (Патент).

2015

Тетельбаум Д.И., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шарапов А.Н. Термостатирование полупроводниковых пластин при ионной имплантации (Патент).

2014

Горшков О.Н., Касаткин А.П., Михайлов А.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Шенина М.Е., Шарапов А.Н. Полезная модель "Элемент резистивной энергонезависимой памяти" (Патент).

Контакты

462-34-41

Нижний Новгород, пр-кт. Гагарина 23, корп. ЦИР, комн. 6-3-09

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского