Некоркин Сергей Михайлович

Место работы

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур"

Научно-исследовательская лаборатория стохастических мультистабильных систем

старший научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 34 года, 6 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: физика твердого тела. Квалификация: физик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

13.11.2017 - 14.11.2017
Повышение квалификации: специальная подготовка по качеству, АНО ЦРМ "СПК", документ № № 8383/СПК от 13.11.2017

Награды

Благодарственное письмо Правительства Нижегородской области (приказ № 450-р от 13.04.2016)

Благодарственное письмо ректора Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского (приказ № 18-03-1-96 от 01.03.2016)

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2022

Труды (тезисы) конференции

Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Жидяев К.С., Кукушкин В.А. Оптимизация параметров ГФЭ МОС GaAs тиристорных структур, для увеличения напряжения их переключения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 1061-1062.

Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев А.В., Жидяев К.С., Чигинева А.Б., Орлова А.Н., Павлов Д.А., Афоненко А.А., Ушаков Д.В. Особенности генерации волноводных мод в многоямных гетеролазерах // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. – Т.2. – 501 с. 2022. С. 948-949.

Жидяев К.С., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Чигинева А.Б., Самарцев И.В., Крюков А.В., Токарев В.А., Баклашов Д.И. Генерация оптических импульсов наносекундного диапазона в многоямных InGaAs/GaAs/AlGaAs гетеролазерах с увеличенной активной областью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 784-785.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Жидяев К.С., Чигинева А.Б., Чеченин Ю.И., Щитов А.М., Чиликов А.А., Панков С.В. Разработка и исследование эпитаксиальных структур InP на GaAs подложках // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. – Т.2. – 501 с. 2022. С. 950-951.

Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Chigineva A.B., Zhidyaev K.S. Metamorphic InGaAs photodiode with low dark current grown on GaAs substrate // 9th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Books of abstracts (May, 24-27, 2022, Saint-Petersburg, Russia). HSE University - St. Petersburg, 736 p. 2022. P. 203-204.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Чигинева А.Б., Чеченин Ю.И. Метаморфные гетероструктуры для InP/GaAs СВЧ – диодов // XV Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов (3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород). ИПФ РАН. – 464 с. 2022. С. 120.

Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Жидяев К.С., Некоркин С.М., Самарцев И.В. Тиристорные A3B5-структуры, выращенные методом ГФЭ МОС, и приборы на их основе // XV Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов (3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород). ИПФ РАН. – 464 с. 2022. С. 385.

Орлова А.Н., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Жидяев К.С., Чигинева А.Б., Самарцев И.В. Исследование динамических характеристик лазерных диодов с увеличенной активной областью // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с. 2022. С. 46-48.

Жидяев К.С., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В. Генератор коротких оптических импульсов на основе гибридного лазера - тиристора с увеличенной активной областью // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с. 2022. С. 64-67.

Чигинева А.Б., Жидяев К.С., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Кукушкин В.А. Возможности приборного применения тиристорных А3В5 структур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с. 2022. С. 85-88.

Жидяев К.С., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Терешин А.И., Токарев В.А., Крюков А.В., Баклашов Д.И. Низковольтный тиристор на основе GaAs как коммутатор для низкоимпедансной нагрузки // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с. 2022. С. 124-127.

Себина А.А., Жидяев К.С., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В. Двухуровневая генерация многоямных гетеролазеров с выходом излучения через подложку // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с.. 2022. С. -. [принято к печати]

Публикации в научных журналах

Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Жидяев К.С., Котомина В.Е., Самарцев И.В. Влияние химической обработки и топологии поверхности на блокирующее напряжение GaAs тиристорных мезаструктур, выращенных методом ГФЭ МОС // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 56. 2022. С. 134-138.

2021

Труды (тезисы) конференции

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Кудрявцев К. Е., Здоровейщев А.В., Планкина С.М., Рыков А.В. Фоточувствительные гетероструктуры на длину волны до 1,25 мкм с дискретным метаморфным буфером на GaAs // Нанофизика и наноэлектроника.. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. — 470 с.. 2021. С. 834-835.

Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Жидяев К.С., Котомина В.Е., Ершов А.В., Токарев В.А., Крюков А.В., Баклашов Д.И. Влияние конструктивных и технологических особенностей на напряжение переключения низковольтных GaAs тиристорных структур, выращенных методом ГФЭ МОС // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (9–12 марта 2021г., Нижний Новгород). Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т. 2, 470 с. 2021. С. 915-916.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Круглов А.В., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Особенности выращивания лазерных гетероструктур с квантовыми точками InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si // Нанофизика и наноэлектроника: материалы XXV Междунар. симпоз., 9 - 12 марта 2021, Н.Новгород, Россия. Н.Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021, Том 2 - 470 с.. 2021. С. 574-575.

Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Жидяев К.С., Чигинева А.Б., Шейков Ю.В., Батьянов С.М., Руднев А.В., Ерунов С.В., Михайлов А.Л. Межзонный двухкаскадный лазер с двадцатью квантовыми ямами в активной области // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (9 - 12 марта 2021, Н.Новгород, Россия). Изд-во Нижегород. госуниверситета, Т. 2, 470 с. 2021. С. 780-781.

Жидяев К.С., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Себина А.А. Генератор коротких оптических импульсов на основе гибридного лазера-тиристора с увеличенной активной областью // XXV научная конференция по радиофизике. 14-26 мая 2021г., Н.Новгород, Россия. -. 2021. С. -. [принято к печати]

Публикации в научных журналах

Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Дикарева Н.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Самарцев И.В., Некоркин С.М. Методы переключения поляризации излучения в GaAs лазерных диодах // Technical Physics. № 9. Т. 91. 2021. С. 1409-1414.

2020

Сборники статей

Чигинева А.Б., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Жидяев К.С., Самарцев И.В. Сульфидная пассивация GaAs тиристорных меза-структур // Сборник статей XXXIV Международной научно-практической конференции «EurasiaScience». М.: НИЦ «Актуальность.РФ», Ч.1, 216 с. 2020. С. 119-121.

Труды (тезисы) конференции

Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Ершов А.В., Афоненко А. А. Многоямный InGaAs гетеролазер с InGaP блокирующим слоем в окрестности активной области // Материалы ХХIV Междунар. Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 года.. Нижний Новгород: изд-во ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2020. – Т. 2. – С. 679-680.. 2020. С. 679-680.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Круглов А.В., Некоркин С.М., Новиков А.В., Реунов Д.Г., Юрасов Д.В. Гетероструктуры с квантовыми точками InAs/GaAs, выращенные на подложках Ge/Si методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника: материалы XXIV Междунар. симпоз., 10 - 13 марта 2020, Н.Новгород, Россия. Н.Новгород: Изд-во Нижегород. госуниверситета, Т.2, 505 с. 2020. С. 515-516.

Чигинева А.Б., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Жидяев К.С., Крюков А.В., Токарев В.А., Баклашов Д.И. Низковольтные тиристоры на основе GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (10 - 13 марта 2020, Н.Новгород, Россия). Изд-во Нижегород. госуниверситета, Т.2, 505 с. 2020. С. 794-795.

2019

Труды (тезисы) конференции

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю. Фоточувствительная структура InGaAs на подложке Si/Ge (001) с градиентным метаморфным буферным слоем InGaAsP // Материалы XXIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»,. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2019. 411 с. 2019. С. 821-822.

Чигинева А.Б., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Жидяев К.С., Демидов Е.В., Крюков А.В., Токарев В.А., Баклашов Д.И. Низковольтные тиристорные структуры на основе GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Изд-во Нижегородского госуниверситета. - Т.2.– 501 с. 2019. С. 874-875.

Публикации в научных журналах

Байдусь Н.В., Кукушкин В.А., Некоркин С.М., Круглов А.В., Реунов Д.Г. Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов // Semiconductors. № 3. Т. 53. 2019. С. 345-350.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Самарцев И.В., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Дубинов А.А. Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs // Semiconductors. № 12. Т. 53. 2019. С. 1718-1720.

2018

Труды (тезисы) конференции

Кукушкин В.А., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Курицын Д.И., Здоровейщев А.В. Ускорение релаксации фотолюминесценции на межзонных переходах в квантовых ямах InGaAs в GaAs за счёт возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов на границе GaAs с Au // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (12-15 марта 2018 г., Нижний Новгород). Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 898 с.. 2018. С. 683-684.

Афоненко А.А., Ушаков Д.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Анализ оптического и токового ограничения в лазерах с волноводом из квантовых ям и потенциальными барьерами // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". ННГУ, т.2, 898с.. 2018. С. 545-546.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Исследование InGaP/GaAs/InGaAs межзонных каскадных лазеров с вытекающей модой, выращенных на GaAs подложках с различным уровнем легирования // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898с. 2018. С. 589-590.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Чигинева А.Б., Пашенькин И.Ю., Байдусь Н.В. Разработка и исследование фотоприемников на длину волны 1,06 мкм с метаморфными буферными слоями на подложках GaAs // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898с. 2018. С. 757-758.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Демидов Е.С., Чигинева А.Б., Самарцев И.В., Вихрова О.В. Тиристор с оптической передачей эмиттерного тока на основе GaAs // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898с. 2018. С. 811-812.

Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Ершов А.В., Здоровейщев А.В., Котомина В.Е., Некоркин С.М., Самарцев И.В., Чигинева А.Б. Комбинированная структура – оптический тиристор и светодиод с гетеропереходами GaAs/InGaP // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898 с. 2018. С. 625-626.

Публикации в научных журналах

Афоненко А.А., Ушаков Д.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н. Мощностные характеристики лазеров с волноводом на основе квантовых ям и блокирующими слоями // Quantum Electronics. Т. 48. 2018. С. 1-5. [принято к печати]

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M., Yunin P.A., Yurasov D, Krasilnik Z.F. MOCVD Growth of InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures with Quantum Wells on Ge/Si Substrates // Crystals. № 8. V. 8. 2018. P. 311.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Юрасов Д.В. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 μm в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001) // Письма в Журнал технической физики. № 44. Т. 16. 2018. С. 67-74.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Vikhrova O.V., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Samartsev I.V., Yurasov D.V. Stimulated Emission at 1.3-μm Wavelength in Metamorphic InGaAs/InGaAsP Structure with Quantum Wells Grown on Ge/Si(001) Substrate // Technical Physics Letters. № 44. V. 8. 2018. P. 735-738.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Пашенькин И.Ю., Дикарева Н.В., Чигинева А.Б. Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 52. 2018. С. 1460-1463.

Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Pashenykin I.Yu., Dikareva N.V., Chigineva A.B. Photodetectors with an InGaAs Active Region and InGaP Metamorphic Buffer Layer Grown on GaAs Substrates // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1564-1567.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Юнин П.А. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 52. Т. 12. 2018. С. 1443-1446.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Reunov D.G., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V. On the Application of Strain-Compensating GaAsP Layers for the Growth of InGaAs/GaAs Quantum-Well Laser Heterostructures Emitting at Wavelengths above 1100 nm on Artificial Ge/Si Substrates // Semiconductors. № 52. V. 12. 2018. P. 1547–1550.

Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Dikareva N.V., Zdoroveyshchev A.V., Rykov A.V., Baidus N.V. 1.06 μm wavelength photodetectors with metamorphic buffer layers grown on GaAs substrates // Journal of Physics: Conference Series. № 1124. 2018. P. 041037.

2017

Сборники статей

Афоненко А.А., Ушаков Д.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Мощностные характеристики лазеров с волноводом из квантовых ям и блокирующими слоями // Сбоник трудов 11-ого Белорусско-Российского Семинара ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ И СИСТЕМЫ НА ИХ ОСНОВЕ. Минск: БГУ, т.1, 203с.. 2017. С. 27-29.

Труды (тезисы) конференции

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Фефелов А.Г., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Самарцев И.В., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Сушков А.А., Яблонский А.Н., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Лазерные диоды InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на Ge/Si(001) подложках // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 491-492.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs на подложках Ge/Si методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 523-524.

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Особенности стимулированного излучения InGaP/GaAs лазеров со сверхрешеткой GaAsP/InGaAs в активной области // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". ННГУ, т.2, 832с.. 2017. С. 676-677.

Чунин И.И., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В. Лазер-тиристор на системе материалов InGaAs/GaAs(InGaAsP)/InGaP // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". ННГУ, т.2, 832с.. 2017. С. 762-763.

Афоненко А.А., Ушаков Д.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Анализ внутренних оптических потерь лазерных гетероструктур с вытекающей модой // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". ННГУ, т.2, 832с.. 2017. С. 515-516.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Волноводный эффект квантовых ям в InGaAs/GaAs лазере с тонкими слоями InGaP // Труды XX научной конференции по радиофизике. ННГУ, секция "Квантовая радиофизика и оптика", 58 с.. 2017. С. 40-41.

Публикации в научных журналах

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Афоненко А.А., Ушаков Д.В. Влияние «объема» активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 51. 2017. С. 75-78.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н. Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001) // Физика и техника полупроводников. № 5. Т. 51. 2017. С. 695-698.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Yurasov D.V., Yablonskiy A.N. On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates // Semiconductors. № 5. V. 51. 2017. P. 663-666.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Фефелов А.Г., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1530-1533.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н., Красильник З.Ф. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1579-1582.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Samartsev I.V., Fefelov A.G., Yurasov D.V., Krasilnik Z.F. Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1477-1480.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Yablonskiy A.N., Krasilnik Z.F. Peculiarities of Growing InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures by MOCVD on Ge/Si Substrates / N.V. Baidus, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, M.V. Shaleev, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, A.N. Yablonskiy, Z.F. Krasilnik // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1527-1530.

Кукушкин В.А., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Курицын Д.И., Здоровейщев А.В. ЗАВИСИМОСТЬ КИНЕТИКИ РЕЛАКСАЦИИ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ НА МЕЖЗОННЫХ ПЕРЕХОДАХ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs В GaAs ОТ ИХ БЛИЗОСТИ К ГРАНИЦЕ С Au (The Dependence of Relaxation Kinetics of Photoluminescence from Interband Transitions in InGaAs/GaAs Quantum Wells on Their Distance from an Interface with Au) // OPTICS AND SPECTROSCOPY. № 5. Т. 123. 2017. С. 754-759.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Некоркин С.М., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb // Semiconductors. № 2017. Т. 51. 2017. С. 1410-1413.

2016

Труды (тезисы) конференции

Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Ершов А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В. Импульсный InGaAs/GaAs/AlGaAs гетеролазер с увеличенной активной областью и узкой диаграммой направленности // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород. Изд-во Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, Т. 2: Секция 3, 840 с. 2016. С. 486–487.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Перестройка волноводных мод в многоямном гетеролазере // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород.. Издательство Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, Т. 2: Секция 3, 406 с. 2016. С. 678–679.

Самарцев И.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Вихрова О.В., Колпаков Д.А. Исследование возможности создания излучающих структур на диапазон длин волн 1.3 мкм с метаморфными буферными слоями InGaAs, GaAsSb и квантовой ямой InGaAs // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород:. Издательство Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, Т. 2: Секция 3, 406 с.. 2016. С. 718-719.

Афоненко А.А., Головчак М.С., Маковский А.А., Стецик В.М., Ушаков Д.В., Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Чунин И.И., Звонков Б.Н. Ближнее поле излучения InGaAs/GaAs лазеров с вытекающей модой // Сборник трудов 5-го Российского симпозиума с международным участием «Полупроводниковые лазеры: физика и технология», 2016. Типография Политехнического университета, 77с.. 2016. С. 53.

Самарцев И.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Фото- и электролюминесценция гетероструктур с метаморфными буферными слоями GaAsSb, InGaAs и квантовой ямой InGaAs // Двадцатая научная конференция по радиофизике, посвященная 70-летию радиофизического факультета. 2. 2016. [принято к печати]

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Чунин И.И., Звонков Б.Н., Афоненко А.А., Ушаков Д.В. Влияние длины резонатора на энергетические характеристики GaAs лазеров с увеличенной активной областью и выходом излучения через подложку // Сборник трудов 5-го Российского симпозиума с международным участием «Полупроводниковые лазеры: физика и технология», - 2016. Типография Политехнического университета, 77с.. 2016. С. 60.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Чунин И.И. Компенсация упругих напряжений в структуре многоямных InGaP/GaAs/InGaAs лазеров // Труды XX научной конференции по радиофизике, посвященной 110-летию со дня рождения Г.С. Горелика, 2016.. ННГУ, 320с.. 2016. С. 44-45.

Публикации в научных журналах

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Вихрова О.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н. Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке // Физика и техника полупроводников. Т. 50. 2016. С. 596-599.

Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Ершов А.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Афоненко А.А. Импульсный многоямный InGaAs/GaAs/AlGaAs гетеролазер с узкой диаграммой направленности // Физика и техника полупроводников. 2016. [принято к печати]

Байдусь Н.В., Кукушкин В.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки (Nanoheterostructures with improved parameters for high-speed and efficient plasmon-polariton light emitting Schottky diodes) // Semiconductors. № 11. Т. 50. 2016. С. 1554–1560.

Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Ершов А.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Афоненко А.А. Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1509-1512.

Aleshkin V.Ya., Baidusy N.V., Dubinov A.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Samartsev I.V., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Sushkov A.A., Yablonskii A.N., Yunin P.A., Yurasov D.V. Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grownby MOCVD on exact Ge/Si(001) substrate // Appl. Phys. Lett.. № 061111. V. 109. 2016. P. 1-5.

Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Ершов А.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Афоненко А.А МЕТОД УМЕНЬШЕНИЯ ШИРИНЫ ДИАГРАММЫ НАПРАВЛЕННОСТИ INGAAS/GAAS/ALGAAS МНОГОЯМНОГО ГЕТЕРОЛАЗЕРА // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1509-1515.

Baidusy N.V., Nekorkin S.M., Kolpakov D.A., Ershov A.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Afonenko A.A. Method for narrowing the directional pattern of an InGaAs/GaAs/AlGaAs multiwell heterolaser // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1488-1492.

2015

Сборники статей

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Юнин П.А. Стимулированное излучение в GaAs/InGaAsструктуре с тонкими InGaP слоями, выращенной на Ge/Si подложке // Сборник трудов 10-го Белорусско-Российского Семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», 26–29 мая 2015 г., Минск, Беларусь. Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2015. 2015. [принято к печати]

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Колпаков Д.А., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Межзонный каскадный лазер с туннельным p-n-переходом и выходом излучения через подложку // Сборник трудов 10-го Белорусско-Российского Семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», 26–29 мая 2015 г., Минск, Беларусь. Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2015. 2015. [принято к печати]

Труды (тезисы) конференции

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В. Влияние числа квантовых ям на излучательные свойства лазерных гетероструктур с вытеканием излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2015. [принято к печати]

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Самарцев И.В., Колпаков Д.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Оптимизация InGaP/GaAs/InGaAs гетеролазеров с туннельно-связанными волноводами // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2015.. 2015. [принято к печати]

Колпаков Д.А., Некоркин С.М., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Полупроводниковый лазер с туннельным p-n-переходом и выходом излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2015.. 2015. [принято к печати]

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е., Красильник З.Ф. Стимулированное излучение в InGaP/GaAs/InGaAs структуре на Ge/Si подложке // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 376.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Юнин П.А. Конструктивные особенности активной среды полупроводниковых лазеров с вытеканием излучения через подложку. // Труды XIX научной конференции по радиофизике, Н. Новгород. ННГУ, 2015, 300с.. 2015. С. 31.

Самарцев И.В., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Рыков А.В. Разработка оптоэлектронных компонентов для накачки волоконных лазеров и волоконно-оптических систем передачи энергии // Труды XIX научной конференции по радиофизике, Нижний Новгород, 11-15 мая 2015. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского, 312 с. 2015. С. 33-34.

Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Рыков А.В., Колпаков Д.А. Мощный импульсный гетеролазер с увеличенной активной областью и узкой диаграммой направленности // Труды II российско-белорусской научно-технической конференции «Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение» им. О.В. Лосева. Изд-во Нижегородского ун-та им. Н.И. Лобачевского, 508 с. 2015. С. 161-162.

Самарцев И.В., Рыков А.В., Байдусь Н.В., Некоркин С.М. Разработка оптоэлектронных компонентов для накачки волоконных лазеров и волоконно-оптических систем передачи энергии // Девятнадцатая научная конференция по радиофизике, посвященная 70-летию радиофизического факультета. С. 33-34.. 2015. С. 33-34.

Публикации в научных журналах

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Нелинейное смешение гармоник в InGaAs/InGaP/GaAs лазере на Ge подложке // Квантовая электроника. № 3. Т. 45. 2015. С. 204.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Красильник З.Ф., Некоркин С.М. Излучательные характеристики лазерных диодов на основе А3В5, выращенных на германиевой подложке // Письма в журнал технической физики. № 6. Т. 41. 2015. С. 105.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Новиков А.В., Некоркин С.М., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в GaAs структуре на Si подложке с Ge буферным слоем // Письма в журнал технической физики. № 13. Т. 41. 2015. С. 72.

Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Некоркин С.М., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb // ФТП. № 1. Т. 49. 2015. С. 11-14.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М. Наблюдение прямозонной фото- и электролюминесценции из GaAs-структуры с Ge квантовыми ямами // ФТП. № 2. Т. 49. 2015. С. 175.

Колпаков Д.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Полупроводниковый лазер с туннельным p-n-переходом и выходом излучения через подложку // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1489-1491.

Самарцев И.В., Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Колпаков Д.А., Некоркин С.М. Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1625-1628.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge // Письма в ЖТФ. Т. 41. 2015. С. 72-78.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Yunin P.A., Yurasov D.V. The waveguide effect of InGaAs quantum wells in a GaAs structure on Si substrate with Ge buffer layer // Technical Physics Letters. № 7. V. 47. 2015. P. 648-650.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Krasilynik Z.F., Nekorkin S.M. Optical characteristics of laser diodes based on A3B5 compounds grown on germanium substrates // Technical Physics Letters. № 3. V. 41. 2015. P. 304-306.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Denisov S.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Matveev S.A., Nekorkin S.M., Shengurov V.G. Stimulated Emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructure Grown on a Si Substrate // JETP Letters. № 12. V. 100. 2015. P. 795-797.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M. An observation of direct-gap electroluminescence in GaAs structures with Ge quantum wells // Semiconductors. № 2. V. 49. 2015. P. 170-173.

Dikareva N.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A. Nonlinear harmonic mixing in an InGaAs/InGaP/GaAs laser on a germanium substrate // Quantum Electronics. № 3. V. 45. 2015. P. 204-206.

Самарцев И.В., Некоркин С.М. Исследование возможности создания излучающих структур на диапазон длин волн 1.3 -1.5 мкм с метаморфными буферными слоями GaAsSb и квантовой ямой InGaA // 17 всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике.. 2015. С. 59.

2014

Труды (тезисы) конференции

Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Некоркин С.М., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 452-453.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М. Наблюдение прямозонной фото- и электролюминесценции из GaAs-структуры с Ge квантовыми ямами // Труды XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014, Том 2, 353 с.. 2014. С. 458.

Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Колпаков Д.А., Некоркин С.М. Излучательные свойства лазерных гетероструктур с увеличенной активной областью, выращенных на низколегированной GaAs подложке // Сборник трудов XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио. ННГУ. 2014. [принято к печати]

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Коблов Э.А., Вихрова О.В., Некоркин С.М. Излучательные свойства лазерных GaAs гетероструктур, выращенных на проводящей Ge/Si подложке // Сборник трудов XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио. ННГУ. 2014. [принято к печати]

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Коблов Э.А., Вихрова О.В., Некоркин С.М., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Новиков А.В., Юрасов Д.В. Излучательные свойства лазерных GaAs гетероструктур, выращенных на проводящей Ge/Si подложке // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио (Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г.). Нижний Новгород. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 2014, 334 с. 2014. С. 37-38.

Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Деградация InGaAs/InGaP/GaAs лазеров с увеличенной активной областью и значительным выходом в подложку // 4-й Всероссийский симпозиум с международным участием "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" Санкт-Петербург, 10-13 ноября 2014 года. Программы и тезисы докладов.. Типография Политехнического университета, г. С.-Петербург, 78 с., 2014.. 2014. С. С. 53.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В. Влияние числа квантовых ям на излучательные свойства лазерных гетероструктур с вытеканием излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014,. 2014. [принято к печати]

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Колпаков Д.А., Дикарева Н.В., Самарцев И.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Оптимизация InGaP/GaAs/InGaAs гетеролазеров с туннельно-связанными волноводами // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014. 2014. [принято к печати]

Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Полупроводниковый лазер с туннельным p-n-переходом и выходом излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014. 2014. [принято к печати]

Публикации в научных журналах

Некоркин С.М., Карзанова М.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я. Экспериментальное определение оптимального количества квантовых ям в многоямных гетеролазерах с вытеканием излучения через подложку // ПЖТФ. № 10. Т. 40. 2014. С. 52.

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Карзанова М.В., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Афоненко А.А. Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью // Квантовая электроника. Т. 44. 2014. С. 286.

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Пирогов А.В. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb // ФТП. № 1. Т. 49. 2014. С. 11.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М. Наблюдение прямозонной фото- и электролюминесценции из GaAs-структуры с Ge квантовыми ямами // ФТП. 2014. [принято к печати]

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Вихрова О.В. Полупроводниковый AlGaAs/GaAs/InGaAs лазер со значительным вытеканием излучения через подложку // Вестник ННГУ. 2014. [принято к печати]

Nekorkin S.M., Karzanova M. V., Dikareva N.V., Zvonkov B.N., Aleshkin V.Ya. Experimental determination of the optimum number of quantum wells in multiwell heterolasers with radiation leakage into a substrate // Technical Physics Letters. № 5. V. 40. 2014. P. 432-434.

Dikareva N.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Karzanova M.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Afonenko A.A. Substrate-emitting semiconductor laser with a trapezoidal active region // Quantum Electronics. № 4. V. 44. 2014. P. 286-288.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Денисов С.А., Красильник З.Ф., Матвеев С.А., Некоркин С.М., Шенгуров В.Г. Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке // Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики". № 12. Т. 100. 2014. С. 900-903.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Denisov S.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Matveev S.A., Nekorkin S.M., Shengurov V.G. Stimulated Emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructure Grown on a Si Substrate // JETP LETTERS. № 12. V. 100. 2014. P. 795-797.

2013

Сборники статей

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Бирюков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Матвеев С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е. Лазерная структура GaAs/AlGaAs на подложке Ge/Si // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе». Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2013. 2013. С. 25-28.

Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Карзанова М.В., Кудрявцев К.Е., Яблонский А.Н. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs и GaAsSb в лазерах на основе GaAs и InP // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе» 28-31 мая 2013. Минск: Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, 2013. 2013. С. 33-36.

Труды (тезисы) конференции

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Бирюков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Матвеев С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е. Лазерная структура GaAs/AlGaAs на подложке Ge/Si // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе» 28-31 мая 2013. 4 стр.. 2013. С. 25-28.

Некоркин С.М., Дикарева Н.В., Карзанова М.В., Бирюков А.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Генерация ТЕ и ТМ мод в гетеролазере с активной областью AlInGaAs/GaAsP // Труды XVII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Т2, 2 стр.. 2013. С. 429-430.

Алешкин В.Я., Афоненко А.А., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Морозов С.В., Некоркин С.М. Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной гетероструктуре на GaAs // Труды XVII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Т. 2, 2стр.. 2013. С. 443-444.

Дикарева Н.В., Карзанова М.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н. Модовая структура многоямных полупроводниковых лазеров с вытеканием излучения через подложку // Труды Всероссийской молодежной школы-семинара "Диагностика наноматериалов и наноструктур". Рязань: Рязанский государственный радиотехнический университет, 256 с.. 2013. С. 109-113.

Публикации в научных журналах

Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Вихрова О.В., Дикарева Н.В. Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb-InGaAs)/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 47. 2013. С. 1231.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Яблонский А.Н. Волноводн­ый эффект квантовых ям в полупровод­никовых лазерах // Квантовая электроника. № 5. Т. 43. 2013. С. 401-406.

Алешкин В.Я., Афоненко А.А., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Морозов С.В., Некоркин С.М. Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 47. 2013. С. 1486-1488.

Zvonkov B.N., Nekorkin S.M., Vikhrova O.V., Dikareva N.V. Emission properties of heterostructures with (GaAsSb-InGaAs)/GaAs bilayer quantun well // Semiconductors. № 9. V. 47. 2013. P. 1219-1223.

Dikareva N.V., Aleshkin V.Ya., Zvonkov B.N., Karzanova M.V., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Yablonskii A.N., Dubinov A.A. Guiding effect of quantum wells in semiconductor lasers // Quantum Electronics. № 5. V. 43. 2013. P. 401- 406.

Aleshkin V.Ya., Afonenko A.A., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Morozov S.V., Nekorkin S.M. Waveguide effect of GaAsSb quantum wells in a laser structure based on GaAs // Semiconductors. № 11. V. 47. 2013. P. 1475-1477.

2012

Труды (тезисы) конференции

Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Колесников М.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Нелинейное взаимодействие мод в «двухчиповом» полупроводниковом лазере с выходом излучения через подложку // «Нанофизика и наноэлектроника».Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. ННГУ, Т1, 2. 2012. С. 269-270.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Некоркин С.М. Полупроводниковые гетеролазеры с двухслойной квантовой ямой GaAsSb/InGaAs. // Труды XVI научной конференции по радиофизике. Н.Новгород: ННГУ. 2012. С. 51-52.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного гетеролазера с выходом излучения через подложку // Труды XVI научной конференции по радиофизике. Н.Новгород: ННГУ. 2012. С. 45-46.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Модовая структура в дальнем поле излучения лазера с выходом излучения через подложку // Материалы 3-го симпозиума:. С.Петербург, 2012. 2012. С. 27.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Яблонский А.Н. Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах // Материалы 3-го симпозиума: "Полупроводниковые лазеры: физика и технология". С.Петербург, 2012. 2012. С. 22.

Публикации в научных журналах

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Дикарева Н.В., Алёшкин В.Я., Дубинов А.А. Мощный полупроводниковый лазер с улучшенными пространственными и энергетическими характеристиками. // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. № 1. Т. 1. 2012. С. 30-32.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку // Квантовая электроника. № 10. Т. 42. 2012. С. 931-933.

Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Karzanova M.V., Dikareva N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A. Mode structure in the far field radiation of a leaky-wave multiple quantum well laser // Quantum Electronics. № 10. V. 42. 2012. P. 931-933.

2011

Сборники статей

Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Некоркин С.М. Особенности генерации лазерных диодов на квантовых ямах GaAsSb // Полупроводниковые лазеры и системы на их основе: Сборник статей 8-го Белорусско-Российского семинара, Минск, Беларусь, 17-20 мая 2011 г. Минск:: Институт физики им. Б.И. Степанова. 2011.

Труды (тезисы) конференции

Алешкин В.Я., Бабушкина Т.С., Бирюков А.А., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Некоркин С.М. Двухкаскадный лазерный диод, одновременно генерирующий TE1- и TE2-моды с разными длинами волн в непрерывном режиме // Труды XV международного симпозиума. Н.Новгород: ИФМ РАН, Том 1, 324 стр. 2011. С. 267-268. [принято к печати]

Некоркин С.М., Колесников М.Н., Звонков Б.Н., Бабушкина Т.С., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Мощный диодный лазер со сверхузкой диаграммой направленности // Труды XV международного симпозиума. Н.Новгород: ИФМ РАН, Том 2, 346 стр. 2011. С. 482-483.

Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Некоркин С.М. Двухчастотная генерация излучения в лазерных диодах на квантовых ямах GaAsSb // Труды XV научной конференции по радиофизике, посвященной 110-й годовщине со дня рождения А.А. Андронова, Н.Новгород, 10-13 мая 2011 г. Н.Новгород: ННГУ. 2011. С. 47-48. [принято к печати]

Публикации в научных журналах

Алешкин В.Я., Бабушкина Т.С., Бирюков А.А., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Одновременная генерация мод TE1 и TE2 с разными длинами волн в полупроводниковом лазере с туннельным переходом // ФТП. Т. 45. 2011. С. 652-656.

Бирюков А.А., Некоркин С.М., Колесников М.Н., Бабушкина Т.С., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Аномальные характеристики лазеров с большим числом квантовых ям // ЖТФ. Т. 81. 2011. С. 149-150.

Патенты, авторские свидетельства

2017

Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Рыков А.В. Способ получения лазерного излучения с малой расходимостью и диодный лазер для его осуществления (Патент).

2014

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Колесников М.Н. Полупроводниковый лазер (варианты) (Патент).

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Крюков А.В., Токарев В.А., Шаврин А.Г. Полупроводниковый лазер (Патент).

Контакты

462-31-90

Нижний Новгород, пр-кт. Гагарина 23, корп. 3, комн. 443

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского