Самарцев Илья Владимирович

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2023

Самарцев И.В., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Чигинева А.Б., Жидяев К.С., Дикарева Н.В., Планкина С.М., Нежданов А.В., Ершов А.В. InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17−1.29мкм с дискретным метаморфным буферным слоем // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 57. 2023. С. 495-500.

Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Rykov A.V., Chigineva A.B., Chechenin Yu.I., Chilikov A.A., Pankov S.V. Epitaxial Structures for Low-Barrier Mixing Microwave Diodes Grown on a GaAs Substrate // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 6. V. 87. 2023. P. 857-861.

2022

Жидяев К.С., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Чигинева А.Б., Самарцев И.В., Крюков А.В., Токарев В.А., Баклашов Д.И. Генерация оптических импульсов наносекундного диапазона в многоямных InGaAs/GaAs/AlGaAs гетеролазерах с увеличенной активной областью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 784-785.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Жидяев К.С., Чигинева А.Б., Чеченин Ю.И., Щитов А.М., Чиликов А.А., Панков С.В. Разработка и исследование эпитаксиальных структур InP на GaAs подложках // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. – Т.2. – 501 с. 2022. С. 950-951.

Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Chigineva A.B., Zhidyaev K.S. Metamorphic InGaAs photodiode with low dark current grown on GaAs substrate // 9th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Books of abstracts (May, 24-27, 2022, Saint-Petersburg, Russia). HSE University - St. Petersburg, 736 p. 2022. P. 203-204.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Чигинева А.Б., Чеченин Ю.И. Метаморфные гетероструктуры для InP/GaAs СВЧ – диодов // XV Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов (3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород). ИПФ РАН. – 464 с. 2022. С. 120.

Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Жидяев К.С., Некоркин С.М., Самарцев И.В. Тиристорные A3B5-структуры, выращенные методом ГФЭ МОС, и приборы на их основе // XV Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов (3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород). ИПФ РАН. – 464 с. 2022. С. 385.

Самарцев И.В., Звонков Б.Н., Чигинева А.Б., Жидяев К.С., Планкина С.М. Фоточувствительные гетероструктуры на длину волны до 1,25 мкм, сформированные на подложках GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии // Современные проблемы физико-математических наук: VIII-я Всероссийская научно-практическая конференция с международным участием (СПФМН-2022), 25-26 ноября 2022, г. Орёл, Россия. Изд-во ОГУ. 2022. С. 10.

Орлова А.Н., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Жидяев К.С., Чигинева А.Б., Самарцев И.В. Исследование динамических характеристик лазерных диодов с увеличенной активной областью // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с. 2022. С. 46-48.

Жидяев К.С., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В. Генератор коротких оптических импульсов на основе гибридного лазера - тиристора с увеличенной активной областью // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с. 2022. С. 64-67.

Чигинева А.Б., Жидяев К.С., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Кукушкин В.А. Возможности приборного применения тиристорных А3В5 структур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с. 2022. С. 85-88.

Жидяев К.С., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Терешин А.И., Токарев В.А., Крюков А.В., Баклашов Д.И. Низковольтный тиристор на основе GaAs как коммутатор для низкоимпедансной нагрузки // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с. 2022. С. 124-127.

Себина А.А., Жидяев К.С., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В. Двухуровневая генерация многоямных гетеролазеров с выходом излучения через подложку // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с.. 2022. С. -. [принято к печати]

Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Жидяев К.С., Котомина В.Е., Самарцев И.В. Влияние химической обработки и топологии поверхности на блокирующее напряжение GaAs тиристорных мезаструктур, выращенных методом ГФЭ МОС // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 56. 2022. С. 134-138.

2021

Демина П.Б., Дикарева Н.В., Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Самарцев И.В., Кудрин А.В. Циркулярно-поляризованное излучение в торцевых GaAs/InGaAs лазерах ближнего ИК диапазона // Труды XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 9–12 марта 2021 г., Нижний Новгород.. Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т.2, 470 с.. 2021. С. 640-641.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Кудрявцев К. Е., Здоровейщев А.В., Планкина С.М., Рыков А.В. Фоточувствительные гетероструктуры на длину волны до 1,25 мкм с дискретным метаморфным буфером на GaAs // Нанофизика и наноэлектроника.. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. — 470 с.. 2021. С. 834-835.

Рыков А.В., Крюков Р.Н., Самарцев И.В., Юнин П.А., Шенгуров В.Г., Байдусь Н.В. Исследование антифазных доменов в структурах GaAs/AlGaAs/Ge/Si(100) // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. - Т.2.– C.467. 2021. С. 830-831.

Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Жидяев К.С., Чигинева А.Б., Шейков Ю.В., Батьянов С.М., Руднев А.В., Ерунов С.В., Михайлов А.Л. Межзонный двухкаскадный лазер с двадцатью квантовыми ямами в активной области // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (9 - 12 марта 2021, Н.Новгород, Россия). Изд-во Нижегород. госуниверситета, Т. 2, 470 с. 2021. С. 780-781.

Жидяев К.С., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Себина А.А. Генератор коротких оптических импульсов на основе гибридного лазера-тиристора с увеличенной активной областью // XXV научная конференция по радиофизике. 14-26 мая 2021г., Н.Новгород, Россия. -. 2021. С. -. [принято к печати]

Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Дикарева Н.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Самарцев И.В., Некоркин С.М. Методы переключения поляризации излучения в GaAs лазерных диодах // Technical Physics. № 9. Т. 91. 2021. С. 1409-1414.

Rykov A.V., Kryukov R.N., Samartsev I.V., Yunin P.A., Shengurov V.G., Zaitsev A.V., Baidusy N.V. Effect of the AlGaAs Seed Layer Composition on Antiphase Domains Formation in (Al)GaAs Structures Grown by Vapor-Phase Epitaxy on Ge/Si(100) Substrates // Technical Physics Letters. № 8. V. 47. 2021. P. 37-40.

2020

Чигинева А.Б., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Жидяев К.С., Самарцев И.В. Сульфидная пассивация GaAs тиристорных меза-структур // Сборник статей XXXIV Международной научно-практической конференции «EurasiaScience». М.: НИЦ «Актуальность.РФ», Ч.1, 216 с. 2020. С. 119-121.

Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Ершов А.В., Афоненко А. А. Многоямный InGaAs гетеролазер с InGaP блокирующим слоем в окрестности активной области // Материалы ХХIV Междунар. Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 года.. Нижний Новгород: изд-во ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2020. – Т. 2. – С. 679-680.. 2020. С. 679-680.

2019

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю. Фоточувствительная структура InGaAs на подложке Si/Ge (001) с градиентным метаморфным буферным слоем InGaAsP // Материалы XXIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»,. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2019. 411 с. 2019. С. 821-822.

Чигинева А.Б., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Жидяев К.С., Демидов Е.В., Крюков А.В., Токарев В.А., Баклашов Д.И. Низковольтные тиристорные структуры на основе GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Изд-во Нижегородского госуниверситета. - Т.2.– 501 с. 2019. С. 874-875.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Самарцев И.В., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Дубинов А.А. Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs // Semiconductors. № 12. Т. 53. 2019. С. 1718-1720.

2018

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Юрасов Д.В. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 μm в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001) // Письма в Журнал технической физики. № 44. Т. 16. 2018. С. 67-74.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Vikhrova O.V., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Samartsev I.V., Yurasov D.V. Stimulated Emission at 1.3-μm Wavelength in Metamorphic InGaAs/InGaAsP Structure with Quantum Wells Grown on Ge/Si(001) Substrate // Technical Physics Letters. № 44. V. 8. 2018. P. 735-738.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Пашенькин И.Ю., Дикарева Н.В., Чигинева А.Б. Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 52. 2018. С. 1460-1463.

Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Pashenykin I.Yu., Dikareva N.V., Chigineva A.B. Photodetectors with an InGaAs Active Region and InGaP Metamorphic Buffer Layer Grown on GaAs Substrates // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1564-1567.

Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Dikareva N.V., Zdoroveyshchev A.V., Rykov A.V., Baidus N.V. 1.06 μm wavelength photodetectors with metamorphic buffer layers grown on GaAs substrates // Journal of Physics: Conference Series. № 1124. 2018. P. 041037.

2017

Макаров И.О., Плакунова Е.В., Смирнов В.Ф., Дикарева И.В., Самарцев И.В., Дикарева Н.В. Действие излучения полупроводникового лазера на активность экзооксидоредуктаз гриба Alternaria alternata // Современная микология в России.. Том 7. Материалы 4-го Съезда микологов России. М.: Национальная академия микологии, 458 с. ISBN 978-5-901578-28-5. 2017. С. 337-338.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Фефелов А.Г., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Самарцев И.В., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Сушков А.А., Яблонский А.Н., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Лазерные диоды InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на Ge/Si(001) подложках // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 491-492.

Чунин И.И., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В. Лазер-тиристор на системе материалов InGaAs/GaAs(InGaAsP)/InGaP // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". ННГУ, т.2, 832с.. 2017. С. 762-763.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Фефелов А.Г., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1530-1533.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Samartsev I.V., Fefelov A.G., Yurasov D.V., Krasilnik Z.F. Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1477-1480.

2016

Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Ершов А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В. Импульсный InGaAs/GaAs/AlGaAs гетеролазер с увеличенной активной областью и узкой диаграммой направленности // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород. Изд-во Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, Т. 2: Секция 3, 840 с. 2016. С. 486–487.

Самарцев И.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Вихрова О.В., Колпаков Д.А. Исследование возможности создания излучающих структур на диапазон длин волн 1.3 мкм с метаморфными буферными слоями InGaAs, GaAsSb и квантовой ямой InGaAs // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород:. Издательство Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, Т. 2: Секция 3, 406 с.. 2016. С. 718-719.

Макаров И.О., Сыромятина Е.В., Смирнов В.Ф., Самарцев И.В., Дикарева Н.В. Действие излучения полупроводникового лазера на рост и развитие микромицетов-деструкторов промышленных материалов // Факторы устойчивости растений и микроорганизмов в экстремальных природных условиях и техногенной среде.. Изд-во Института географии им. В.Б. Сочавы СО РАН, 276 с.. 2016. С. 125-126.

Самарцев И.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Фото- и электролюминесценция гетероструктур с метаморфными буферными слоями GaAsSb, InGaAs и квантовой ямой InGaAs // Двадцатая научная конференция по радиофизике, посвященная 70-летию радиофизического факультета. 2. 2016. [принято к печати]

Aleshkin V.Ya., Baidusy N.V., Dubinov A.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Samartsev I.V., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Sushkov A.A., Yablonskii A.N., Yunin P.A., Yurasov D.V. Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grownby MOCVD on exact Ge/Si(001) substrate // Appl. Phys. Lett.. № 061111. V. 109. 2016. P. 1-5.

2015

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Самарцев И.В., Колпаков Д.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Оптимизация InGaP/GaAs/InGaAs гетеролазеров с туннельно-связанными волноводами // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2015.. 2015. [принято к печати]

Рыков А.В., Байдусь Н.В., Логунов А.А., Самарцев И.В. Разработка преобразователей солнечной энергии на основе гетероструктур InGaP/GaAs // Труды XIX научной конференции по радиофизике, Нижний Новгород, 11-15 мая 2015. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского, 312 с. 2015. С. 55-57.

Самарцев И.В., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Рыков А.В. Разработка оптоэлектронных компонентов для накачки волоконных лазеров и волоконно-оптических систем передачи энергии // Труды XIX научной конференции по радиофизике, Нижний Новгород, 11-15 мая 2015. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского, 312 с. 2015. С. 33-34.

Самарцев И.В., Рыков А.В., Байдусь Н.В., Некоркин С.М. Разработка оптоэлектронных компонентов для накачки волоконных лазеров и волоконно-оптических систем передачи энергии // Девятнадцатая научная конференция по радиофизике, посвященная 70-летию радиофизического факультета. С. 33-34.. 2015. С. 33-34.

Рыков А.В., Самарцев И.В., Логунов А.А. Разработка преобразователей солнечной энергии на основе гетероструктур InGaP/GaAs // Девятнадцатая научная конференция по радиофизике, посвященная 70-летию радиофизического факультета. Кол. стр. 3. 2015. С. 55-57.

Самарцев И.В., Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Колпаков Д.А., Некоркин С.М. Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1625-1628.

Самарцев И.В., Некоркин С.М. Исследование возможности создания излучающих структур на диапазон длин волн 1.3 -1.5 мкм с метаморфными буферными слоями GaAsSb и квантовой ямой InGaA // 17 всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике.. 2015. С. 59.

2014

Самарцев И.В., Грязнов М. Ю., Шотин С. В. Исследование физико-механических характеристик сплава Inconel 718, полученного по технологии послойного лазерного сплавления. // ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ НАУЧНОЙ СТУДЕНЧЕСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА. Нижний Новгород, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Т50, 70с.. 2014. С. 50-51.

Самарцев И.В., Грязнов М. Ю., Шотин С. В. Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение. // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение.. Издательство Мордовского университета, сб. тр. 12-й, 204с.. 2014. С. 101-102.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Колпаков Д.А., Дикарева Н.В., Самарцев И.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Оптимизация InGaP/GaAs/InGaAs гетеролазеров с туннельно-связанными волноводами // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014. 2014. [принято к печати]