Пузанов Александр Сергеевич

Место работы

Радиофизический факультет

Кафедра квантовой радиофизики и электроники

доцент

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 14 лет, 7 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
специалист. Специальность: информационные системы в радиофизике и телекоммуникациях. Квалификация: инженер.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

18.10.2019 - 23.10.2019
Повышение квалификации: Навыки оказания первой помощи, ННГУ, 36 час., документ № 522409106321 от 23.10.2019

02.10.2017 - 27.10.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404998946, рег. № 33-2526 от 27.10.2017

Список преподаваемых дисциплин

Радиофизический факультет
Введение в радиационные технологии в электронике
Радиационная стойкость полупроводниковых приборов

Публикации

2021

Труды (тезисы) конференции

Волкова Е.В., Логинов А.Б., Логинов Б.А., Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Королев С.А., Семёновых Е.С., Оболенский С.В. Исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs структурах после нейтронного воздействия // Материалы XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, т. 2, 982 страницы. 2021. С. 608-609.

Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Бибикова В.В., Потехин А.А., Востоков Н.В. Моделирование реакции низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие ионизирующих излучений космического пространства // Материалы XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, том 2, 982 стр.. 2021. С. 813-814.

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Голиков О.Л., Земляков В.Е. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик DpHEMT структур на основе тсоединений GaAs/InGaAs // Материалы XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, том 2, 982 страницы. 2021. С. 869-870.

Tarasova E.A., Puzanov A.S., Bibikova V.V., Volkova E.V., Zabavichev I.Yu., Obolenskaya E.S., Potekhin A.A., Obolenskii S.V. The Physical Topological Modeling Of Single Radiation Effects In Submicron Ultrahigh-Frequency Semiconductor Diode Structures With Taking In Account The Heating Of An Electron-Hole Gas In The Charged Particle Track // Proceedings of the 33rd European Modeling & Simulation Symposium, EMSS. Volume Details Volume Title Proceedings of the 33rd European Modeling & Simulation Symposium (EMSS 2021) Conference Location and Date Online September 15-17, 2021 Conference ISSN 2724-0029 Volume ISBN 978-88-85741-57-7. 2021. P. 289-294.

Публикации в научных журналах

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Логинов А.Б., Логинов Б.А., Королев С.А. Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия // Письма в Журнал технической физики. № 5. Т. 47. 2021. С. 38-41.

Забавичев И.Ю., Кудряшова Д.А., Наседкин К.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Реинжиниринг профиля легирования диодных и транзисторных структур для расчетной оценки их реакции на воздействие ионизирующих излучений // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 200-202.

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Влияние RLC-параметров межтранзисторных соединений на переходной ионизационный процесс в ячейках быстродействующей статической памяти при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 203-205.

Забавичев И.Ю., Наседкин К.А., Оболенская Е.С., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Динамика разогрева и релаксации энергии электронно-дырочной плазмы в треке первичного атома отдачи в GaAs при воздействии нейтронов спектра деления // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 209-211.

Хазанова С.В., Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Голиков О.Л., Пузанов А.С. Методы расчетно-экспериментального моделирования электрофизических параметров в перспективных полупроводниковых гетероструктурах на основе соединений AlGaAs/InGaAs // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 235-238.

Пузанов А.С., Бибикова В.В., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Востоков Н.В., Оболенский С.В. Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства // Письма в Журнал технической физики. № 6. Т. 47. 2021. С. 51-54.

Волкова Е.В., Логинов А.Б., Логинов Б.А., , Пузанов А.С., Королев С.А., Семёновых Е.С., Хазанова С.В., Оболенский С.В. Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 55. 2021. С. 846-849.

, Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Земляков В.Е. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 55. 2021. С. 872-876.

2020

Труды (тезисы) конференции

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хазанова С.В., Пузанов А.С., Григорьева Н.Н. Анализ нелинейных искажений сигналов в полевых транзисторах с 2D газом до и после воздействия нейтронов // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА Труды XXIV Международного симпозиума 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Том 2, 2 стр.. 2020. С. 687-688.

Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Транспорт носителей заряда в полупроводниковых элементах с одиночными кластерами радиационных дефектов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (10-13 марта 2020 г.). Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, Том 2 - 505 с. 2020. С. 709-710.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке заряженной частицы высокой энергии // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (10-13 марта 2020 г.). Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, Том 2 - 505 с. 2020. С. 715-716.

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние потенциала рассеяния носителей заряда на радиационных дефектах на изменение подвижности в GaAs короткоканальных транзисторных структурах после нейтронного воздействия // Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, Том 2. — 505 с.. 2020. С. 575-576.

Бибикова В.В., Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Особенности оценки эквивалентности лазерных методов имитации воздействия тяжелых заряженных частиц космического пространства на субмикронные элементы интегральных схем // Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2020. — 505 с.. 2020. С. 524-525.

Забавичев И.Ю., Боженькина А.Д., Кудряшов М.Ю., Насеткин К.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю. Разработка методов и средств расчетно-экспериментального моделирования физических процессов в перспективных нанометровых полупроводниковых гетероструктурах при воздействии излучений космического пространства. // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю. Терагерцовое детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в гетеронаноструктурах для повышения точности расчетно-экспериментальной оценки радиационной стойкости изделий наноэлектроники // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Разработка высокопроизводительных методов проектирования радиационно-стойких терагерцовых приборов для космических телекоммуникационных систем // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С. Анализ динамики формирования плотных кластеров радиационных дефектов с помощью метода молекулярной динамики // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С. Оценка влияния единичных кластеров радиационных дефектов на работоспособность перспективных полупроводниковых приборов микро- и наноэлектроники // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Овчинников С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Проведение измерений реакции изделий микроэлектроники на радиационное воздействие при помощи передвижного аппаратно-программного комплекса с учетом обеспечения мер информационной безопасности // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Потехин А.А., Пузанов А.С. Особенности переноса носителей заряда в субмикронных полупроводниковых структурах с формирующимися радиационными дефектами // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Оценка влияния RLC-параметров межсоединений транзисторов на сбоеустойчивость ячеек быстродействующей статической памяти при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства и излучений их имитирующих // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Публикации в научных журналах

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке первичного атома отдачи // Физика и техника полупроводников. № 8. Т. 54. 2020. С. 791-795.

Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 54. 2020. С. 945-951.

Tarasova E.A., Obolenskii S.V., Khazanova S.V., Puzanov A.S., Grigoryeva N.N., Golikov O.L., Ivanov A.B. Compensation for the Nonlinearity of the Drain–Gate I–V Characteristic in Field-Effect Transistors with a Gate Length of ~100 nm // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1155-1160.

2019

Труды (тезисы) конференции

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Моделирование процесса формирования разупорядоченной области радиационных дефектов в кремнии // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 690-691.

Насеткин К.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Моделирование реакции субмикронных структур "кремний на изоляторе" на воздействие низкоинтенсивных проникающих излучений // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 774-775.

Пузанов А.С., Венедиктов М.М., Оболенский С.В., Козлов В.А. Применение локально-неравновесных физико-топологических моделей переноса носителей заряда для оценки сбоеустойчивости интегральных схем при воздействии заряженных частиц и ультракоротких импульсов ионизирующего излучения // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 805-806.

Шоболова Т.А., Коротков А.В., Петрякова Е.В., Липатников А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов на структурах с полупроводниковыми и диэлектрическими подложками // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 892-893.

Кудряшова Д.А., Пузанов А.С. Восстановление профиля легирующей примеси биполярных транзисторов после нейтронного облучения // XXIII Научная конференция по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ, 581 с. 2019. С. 86-89.

Насеткин К.А., Пузанов А.С. Прогнозирование радиационной стойкости структур «кремний на изоляторе» с цепью автокомпенсации // XXIII Научная конференция по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ, 581 с. 2019. С. 90-92.

Пузанов А.С. Обратимые одиночные сбои в субмикронных полупроводниковых структурах при воздействии потока мгновенных нейтронов спектра деления // XXIII Научная конференция по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ, 581 с. 2019. С. 101-102.

Публикации в научных журналах

Алимирзоев Г.М., Муравьев М.С., Насеткин К.А., Пузанов А.С., Литовский Д.А. Моделирование утроителя частоты на гетеробарьерном варакторе в 3 мм диапазоне длин волн // Научно-технический вестник Поволжья. № 7. 2019. С. 89-82.

Муравьев М.С., Алимирзоев Г.М., Насеткин К.А., Пузанов А.С., Литовский Д.А. Конструирование и расчет СВЧ детектора на базе бескорпусного смесительно-детекторного диода с балочными выводами // Научно-технический вестник Поволжья. № 7. 2019. С. 123-126.

Насеткин К.А., Муравьев М.С., Алимирзоев Г.М., Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Потехин А.А. Моделирование характеристик субмикронных структур «кремний на изоляторе» с учетом радиационных эффектов // Научно-технический вестник Поволжья. № 7. 2019. С. 127-130.

Пузанов А.С., Венедиктов М.М., Оболенский С.В., Козлов В.А. Расчетно-экспериментальное моделирование обратимых сбоев ячеек статической памяти субмикронных микросхем при воздействии потоков нейтронов // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 53. 2019. С. 1250-1256.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Моделирование образования каскада смещений и переходных ионизационных процессов в кремниевых полупроводниковых структурах при нейтронном воздействии // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 53. 2019. С. 1279-1284.

Шоболова Т.А., Коротков А.В., Петрякова Е.В., Липатников А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 53. 2019. С. 1391-1394.

Puzanov A.S., Venediktov M.M., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Computational and experimental simulation of static memory cells of submicron microcircuits under the effect of neutron fluxes // Semiconductors. № 9. V. 53. 2019. P. 1222-1228.

Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Simulation of the formation of a cascade of displacements and transient ionization processes in silicon semiconductor structures under neutron exposure // Semiconductors. № 9. V. 53. 2019. P. 1249-1254.

Shobolova T.A., Korotkov A.V., Petryakova E.V., Lipatnikov A.V., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Comparison of the radiation resistance of prospective bipolar and heterobipolar transistors // Semiconductors. № 10. V. 53. 2019. P. 1353-1356.

2018

Труды (тезисы) конференции

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Реинжиниринг диодных структур по результатам измерений вольтфарадных и вольтамперных характеристик // Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. С. 623-624.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Применение модели Каттанео-Вернотта к решению задачи релаксации фотопроводимости в диодных структурах при воздействии ультракоротких импульсов ионизирующих излучений // Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. С. 743-744.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С. Фемто- и пикосекундные процессы формирования кластеров радиационных дефектов при ионном и нейтронном облучении полупроводниковых гетероструктур: моделирование и эксперимент // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов ""Физические и физико-химические основы ионной имплантации, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 2018 г.. Т. 1, 174 стр.. 2018. С. 16-17.

Насеткин К.А., Пузанов А.С. Реакция микросхем с цепью автокомпенсации токов утечки на воздействие низкоинтенсивных проникающих излучений // Труды XXII научной конференции по радиофизике. Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород). 2018. С. 66-68.

Пузанов А.С. Расчет релаксации фототока в диодных структурах на основе расширенной диффузионно-дрейфовой модели при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства и субпикосекундных лазерных импульсов // Труды XXII научной конференции по радиофизике. Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород). 2018. С. 69-72.

Забавичев И.Ю., Васин А.А., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Особенности расчета макропараметров полупроводниковых материалов для различных моделей дефектообразования в некоторых полупроводниках при воздействии проникающих излучений // Труды XXII научной конференции по радиофизике. Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород). 2018. С. 73-76.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Сравнение моделей развития каскадов атомных столкновений в полупроводниках при воздействии отдельных ядерных частиц // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), 174 стр.. 2018. С. 89-90.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенская Е.С. Радиационная стойкость приборов наноэлектроники // Труды IV Международной научно-технической конференции "Элементная база отечественной радиоэлектроники". 79 стр.. 2018. С. 3.

Публикации в научных журналах

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 52. 2018. С. 1295-1299.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Линев А.В., Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Васин А.А., Хананова А.А., Иванов А.Б. Применение физико-топологического моделирования для анализа радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 4. 2018. С. 10-17.

Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Application of the locally nonequilibrium diffusion-drift cattaneo–vernotte model to the calculation of photocurrent relaxation in diode structures under subpicosecond pulses of ionizing radiation // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1407-1411.

2017

Труды (тезисы) конференции

Забавичев И.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Транспорт горячих носителей заряда в полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 13-16 марта, 2017 г.) В 2т. Том II. - Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2017 - 402 с.. 2017. С. 598-599.

Забавичев И. Ю., Иванов А. Б., Линев А.В., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Хананова А.А. Применение физико-топологического моделирования для расчетной оценки радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Труды III Российско-Белорусской международной конференции "Современная элементная база радиоэлектроники и ее применение". Электронное издание, 165 с.. 2017. С. 71-74.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние профиля потенциала кластера радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2017. С. 600-601.

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Перенос горячих носителей заряда в полупроводниковых структурах с включениями кластеров радиационных дефектов // Труды XXI научной конференции по радиофизике. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2017. С. 67.

Васин А.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Влияние технологического разброса и погрешности измерений профиля легирования на достоверность расчетной оценки стойкости кремниевых диодных структур к необратимым отказам при воздействии импульсных ионизирующих излучений // Труды XXI научной конференции по радиофизике. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2017. С. 70-73.

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Влияние точки возникновения кластера радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора // Труды XXI научной конференции по радиофизике. Издательство Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 74.

Публикации в научных журналах

Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1489-1492.

Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Потехин А.А., Оболенский С.В., Козлов В.А. Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1520-1524.

Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Degradation of the characteristics of GaAs bipolar transistors with a thin base due to the formation in them of nanometer-sized clusters of radiation-induced defects as a result of irradiation with neutrons // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1466-1471.

Obolenskaya E.S., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A., Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A. Transport of hot charge carriers in Si, GaAs, InGaAs, and GaN submicrometer semiconductor structures with nanometer-scale clusters of radiation-induced defects // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1435-1438.

2016

Труды (тезисы) конференции

Потехин А.А., Оболенская Е.С., Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Линев А.В., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Итерационное моделирование для восстановления структуры полупроводниковых приборов и анализа их радиационной стойкости // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 841 стр., Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 698-699.

Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Хананова А.В., Линев А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Опыт применения физико-топологического моделирования для анализа радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 71-72.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора // Труды XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2016. С. 702-703.

Волкова Е.В., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Пузанов А.С. Терагерцовое детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов при нейтронном воздействии // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016". Издательство НИЯУ МИФИ. 2016. С. 67-68.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Аналитическая оценка вероятности возникновения структурных повреждений в микрообъеме GaAs при воздействии потока мгновенных нейтронов спектра деления // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016". Издательство НИЯУ МИФИ. 2016. С. 69-70.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая оценка вероятности возникновения кластера радиационных дефектов в микрообъеме рабочей области полупроводникового прибора при воздействии потока нейтронов // Тезисы докладов VI Всероссийской конференции "Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 89-90.

Публикации в научных журналах

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 59. 2016. С. 1706-1712.

Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Effect of random inhomogeneities in the spatial distribution of radiation-induced defect clusters on carrier transport through the thin base of a heterojunction bipolar transistor upon neutron irradiation // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1678-1683.

2015

Сборники статей

Пузанов А.С., Волкова Е.В., Оболенский С.В. Суперкомпьютерное моделирование перспективных полупроводниковых приборов с учетом радиационного воздействия // Суперкомпьютерные технологии и высокопроизводительные вычисления в ННГУ. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2015. С. 67-74.

Труды (тезисы) конференции

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Волкова Е.В., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Высокочастотный отклик нанометровых диодов, вызываемый динамикой образования кластеров радиационных дефектов // Труды 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Т. 2, 2015 г.. 2015. С. С. 529-530.

Панкратов Е.Л., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Козлов В.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Влияние радиационно-стимулированной диффузии на процессы восстановления работоспособности планарных диодов и транзисторов после импульсного гамма-нейтронного воздействия // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т.1 с 2. 2015. С. 63-64.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Программа физико-топологического моделирования переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия на основе многочастичного метода Монте-Карло // Труды II российско-белорусской научно-технической конференции «элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение » им. О.В.Лосева. Типография ННГУ, том 1, 512 стр. 2015. С. 70-74.

Пузанов А.С., Дубровских С.М., Ткачев О.В., Шукайло В.П., Оболенский С.В. Оценка неоднородности энерговыделения в области пространственного заряда мелкого p-n перехода при нейтронном воздействии // Тезисы докладов 18-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2015". Издательство НИЯУ МИФИ. 2015. С. 65-66.

Потехин А.А., Линев А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Итерационное моделирование с использованием суперкомпьютера для реинжиниринга полупроводниковых приборов и анализа их радиационной стойкости // Труды международной конференции "Суперкомпьютерные дни в России". Издательство МГУ. 2015. С. 555.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Волкова Е.В., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Моделирование динамики образования кластеров радиационных дефектов с использованием высокопроизводительных вычислений // Труды международной конференции "Суперкомпьютерные дни в России". Издательство МГУ. 2015. С. 585.

Публикации в научных журналах

Оболенский С.В., Козлов В.А., Пузанов А.С. Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 71-75.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Козлов В.А. ВЫСОКОЧАСТОТНОЕ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ И СТАБИЛИЗАЦИИ КЛАСТЕРА РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1585-1592.

Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Transport of charge carriers through the thin base of a heterobipolar transistor under the impact of radiation // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 69-74.

Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A., Volkova E.V., Pavelyev D.G. High-frequency detection of the formation and stabilization of a radiation-induced defect cluster in semiconductor structures // Semiconductors. № 12. V. 49. 2015. P. 1537-1544.

Волкова Е.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Козлов В.А. Высокочастотное детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в полупроводниковых структурах // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1585-1592.

2014

Труды (тезисы) конференции

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационно-стимулированном воздействии // Труды XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2014. С. 491-492.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Параллельные вычисления в задачах оптимизации полупроводниковых структур с учетом радиационного воздействия // Тезисы докладов 17-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2014". Издательство НИЯУ МИФИ. 2014. С. 67-68.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора при воздействии дефектообразующих излучений // Тезисы докладов V Всероссийской конференции. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2014. С. 83-84.

Публикации в научных журналах

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С., Скупов А.В. ПАРАЛЛЕЛЬНЫЕ ВЫЧИСЛЕНИЯ В ЗАДАЧАХ ФИЗИКО- ТОПОЛОГИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ПЕРСПЕКТИВНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ С УЧЕТОМ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ // Журнал Радиоэлектроники. № 2. 2014. С. 1-31.

Пузанов А.С. Аналитическая модель разогрева электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора на основе Ge, Si и GaAs при воздействии стационарного потока квантов высоких энергий // Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Физика твердого тела. № 2. 2014. С. 88-93.

2013

Труды (тезисы) конференции

Оболенский С.В., Пузанов А.С. Аналитическая модель разогрева электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора при воздействии стационарного потока квантов высоких энергий // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2013», г. Лыткарино, Московской области, 2-3 июня 2013 г.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2013. С. 117-118.

Оболенский С.В., Пузанов А.С. Разогрев электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 211-212.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С., Скупов А.В. Разработка пакета программ с распараллеливанием вычислений для физико-топологического моделирования процессов в перспективных полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия // Материалы XIX Международной научно-технической конференции "Информационные системы и технологии" "ИСТ-2013". Издательство Нижегородского государственного технического университета им. Р.Е. Алексеева. 2013. С. 416.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С., Скупов А.В. Программа физико-топологического моделирования процессов в перспективных полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия с распараллеливанием вычислений // Труды I Российско-Белорусской научно-технической конференции "Элементная база отечественной электроники". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2013. С. 17-20.

Публикации в научных журналах

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Киселев В.К. Аналитическая модель деградации характеристик кремниевых биполярных транзисторов с тонкой базой при воздействии дефектообразующих излучений // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского.. № 2. 2013. С. 60-65.

2012

Труды (тезисы) конференции

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Расчет коэффициента переноса неосновных носителей заряда в биполярном транзисторе с тонкой базой // Материалы XVIII Международной научно-технической конференции "Информационные системы и технологии" "ИСТ-2012". Издательство Нижегородского государственного технического университета. 2012. С. 24-25.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Деградация статических характеристик биполярного транзистора с тонкой базой при воздействии дефектообразующих излучений // Тезисы докладов 15-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2012". Издательство НИЯУ МИФИ. 2012. С. 55-56.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Деградация малосигнальных характеристик биполярного транзистора с тонкой базой при воздействии дефектообразующих излучений // Тезисы докладов 15-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2012". Издательство НИЯУ МИФИ. 2012. С. 57-58.

Публикации в научных журналах

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Особенности переноса электронов в биполярных транзисторных структурах с тонкой базой при воздействии потока квантов высоких энергий // Микроэлектроника. № 4. Т. 41. 2012. С. 304-312.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая модель переходных ионизационных процессов в кремниевых биполярных транзисторах с тонкой базой при воздействии импульсного фотонного излучения // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 4. 2012. С. 5-8.

2011

Труды (тезисы) конференции

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая модель ионизационных процессов в мощных биполярных транзисторах с тонкой базой // Труды XV научной конференции по радиофизике (г. Нижний Новгород, 7 мая 2011 г.). Нижний Новгород: Изд-во «ТАЛАМ». 2011. С. 40-41.

Асмолова Н.Ф., Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Анализ динамики развития пробоя в биполярном транзисторе с тонкой базой при радиационном воздействии // Материалы XVII Международной научно-технической конференции «Информационные системы и технологии ИСТ-2011». Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского государственного технического университета им. Р.Е. Алексеева. 2011. С. 60.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая модель переходных ионизационных процессов в кремниевых биполярных транзисторах с тонкой базой при воздействии ионизирующего излучения // Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем – Стойкость-2011». М.: НИЯУ МИФИ. 2011. С. 99-100.

Пузанов А.С. Перенос электронов в субмикронных транзисторных структурах в сильных резко неоднородных электрических полях при радиационном воздействии // Материалы III Всероссийского конкурса молодых ученых. М.: РАН, Том 2. 2011. С. 14-21.

Публикации в научных журналах

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Применение квазигидродинамического приближения для решения задачи переноса заряда в кремниевых наноструктурах при повышенных температурах // Вестник ННГУ. Серия: Радиофизика.. № 2. 2011. С. 62-70.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Петров С.Г. Особенности ударной ионизации в полупроводниковых приборах с субмикронными областями пространственного заряда при воздействии потока квантов высоких энергий // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 2. 2011. С. 10-13.

Контакты

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского