Пузанов Александр Сергеевич

Список преподаваемых дисциплин

Физический факультет
Проектирование и технологии электронной компонентной базы

Публикации

2024

Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Абросимова Н.Д., Бибикова В.В., Волкова Е.В., Недошивина А.Д., Потехин А.А., Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Оболенский С.В. Применение флуктуационного анализа изображений поверхности структур «кремний на изоляторе» для оценки деградации подвижности носителей заряда после радиационного воздействия // Материалы XXVIII Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 11–14 марта 2024 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, изд-во ИПФ РАН, 2024.– В 2-х томах.–Т.2.. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). Н-25 В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — 492 с.. 2024. С. 795.

Недошивина А.Д., Пузанов А.С., Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А. ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА НЕЛИНЕЙНЫЕ ИСКАЖЕНИЯ В ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОМ УСИЛИТЕЛЕ // ТРУДЫ XXVIII НАУЧНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО РАДИОФИЗИКЕ. Тип: сборник трудов конференции Язык: русский ISBN: 978-5-91326-867-9 Год издания: 2024 Место издания: Нижний НовгородЧисло страниц: 568 Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского. 2024. С. 101-104.

Khazanova S.V., Golikov O.L., Kodochigov N.E., Obolenskii S.V., Puzanov A.S., Tarasova E.A. ANALYSIS OF NONLINEAR DISTORTIONS OF DPHEMT STRUCTURES BASED ON A GAAS/IN0.53GA0.47AS COMPOUND WITH DOUBLE-SIDED DELTA-DOPING // Russian Microelectronics. № 1. V. 53. 2024. P. 51-56.

Golikov O.L., Zabavichev I.Yu., Ivanov A. S., Obolenskii S.V., Obolenskaya E.S., Pavelyev D.G., Potekhin A.A., Puzanov A.S., Tarasova E.A., Khazanova S.V. ELECTRON TRANSPORT IN A BIPOLAR TRANSISTOR WITH A SUPERLATTICE IN THE EMITTER // Russian Microelectronics. № 1. V. 53. 2024. P. 44-50.

Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Абросимова Н.Д., Бибикова В. В., Волкова Е.В., Недошивина А.Д., Потехин А.А., Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Логинов Б.А., Блинников Д.Ю., Второва В. С., Кириллова В. В., Ляшко Е. А., Макеев В. С., Первых А. Р., Оболенский С.В. Флуктуационный анализ микрорельефа поверхности структур кремний-на-изоляторе после радиационного воздействия // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 58. 2024. С. 668-675.

2023

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Голиков О.Л., Кодочигов Н.Е. Анализ неоднородностей DpHEMT-структуры на основе GaAs/In0.53Ga0.47As после нейтронного воздействия // Труды XXVII Международного симпозиума 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, ИПФ РАН, 2023, Т. 1, 496 с.. 2023. С. 759-760.

Волкова Е.В., Логинов Б.А., Блинников Д.Ю., Второва В.C., Кириллова В.В., Ляшко Е.А., Макеев В.С., Первых А.Р., Абросимова Н.Д., Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Особенности трансформации микрорельефа структур "кремний на изоляторе" при воздействии фотонных и корпускулярных излучений // Журнал технической физики. № 7. Т. 93. 2023. С. 1025-1031.

Khazanova S.V., Golikov O.L., Puzanov A.S., Tarasova E.A., Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A., Obolenskaya E.S., Ivanov A.S., Pavelyev D.G., Obolenskii S.V. Calculating Current–Voltage Characteristics with Negative Differential Conductivity Sections of Superlattices Based on a GaAs/AlAs Compound with Different Numbers of Periods // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 87. V. 6. 2023. P. 800-804.

Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Влияние процесса образования единичного кластера радиационных дефектов на переключение состояния транзисторной ячейки памяти // Физика и техника полупроводников. № 4. Т. 57. 2023. С. 270-275.

2022

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Кодочигов Н.Е., Земляков В.Е. Анализ нелинейных искажений DpHEMT структур на основе соединения GaAs/InGaAs c двусторонним дельта-легированием // Труды XXVI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2022, т.2. 2022. С. 1027-1028.

Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Моделирование поведения субмикронных полупроводниковых структур после стабилизации кластера радиационных дефектов // Труды XXVI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2022, т.2. 2022. С. 990-991.

Оболенский С.В., Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенская Е.С., Иванов А.С., Павельев Д.Г. Моделирование вольт-амперных характеристик и пробоя в сверхрешетках с малым числом периодов // Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников. Типография ИПФ РАН. 603950, Нижний Новгород, ул. Ульянова, 46, 451 стр.. 2022. С. 367.

Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Моделирование электрофизических характеристик AlGaAs/InGaAs транзисторных структур с двусторонним δ- легированием // Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2022, Н. Новгород, 2022. – 92 с.. 2022. С. 52.

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Земляков В.Е., Голиков О.Л. Анализ нелинейных искажений DpHEMT структур на основе соединния GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 56. 2022. С. 844-847.

Tarasova E.A., Khazanova S.V., Golikov O.L., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Zemlyakov V.E. Analysis of nonlinear distortions of DpHEMT structures based on the GaAs/InGaAs compound with double-sided delta-doping // Semiconductors. № 9. V. 56. 2022. P. 708-710.

2021

Волкова Е.В., Логинов А.Б., Логинов Б.А., Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Королев С.А., Семёновых Е.С., Оболенский С.В. Исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs структурах после нейтронного воздействия // Материалы XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, т. 2, 982 страницы. 2021. С. 608-609.

Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Бибикова В.В., Потехин А.А., Востоков Н.В. Моделирование реакции низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие ионизирующих излучений космического пространства // Материалы XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, том 2, 982 стр.. 2021. С. 813-814.

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Земляков В.Е., Оболенский С.В. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик DpHEMT структур на основе тсоединений GaAs/InGaAs // Труды XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Вгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, том 2, 467 с.. 2021. С. 869-870.

Tarasova E.A., Puzanov A.S., Bibikova V.V., Volkova E.V., Zabavichev I.Yu., Obolenskaya E.S., Potekhin A.A., Obolenskii S.V. The Physical Topological Modeling Of Single Radiation Effects In Submicron Ultrahigh-Frequency Semiconductor Diode Structures With Taking In Account The Heating Of An Electron-Hole Gas In The Charged Particle Track // Proceedings of the 33rd European Modeling & Simulation Symposium, EMSS. Volume Details Volume Title Proceedings of the 33rd European Modeling & Simulation Symposium (EMSS 2021) Conference Location and Date Online September 15-17, 2021 Conference ISSN 2724-0029 Volume ISBN 978-88-85741-57-7. 2021. P. 289-294.

Забавичев И.Ю., Овчинников С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Методика построения подвижного аппаратно-программного комплекса для измерения параметров диодных и транзисторных структур на облучательных комплексах с учетом мер информационной безопасности // Труды XXV научной конференции по радиофизике. ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Нижний Новгород. 2021. С. 84-86.

Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Анализ переходных ионизационных процессов в треке первичного атома отдачи в субмикронных транзисторных структурах // Труды XXV научной конференции по радиофизике. (г. Нижний Новгород, 14-26 мая 2021 г.). – Нижний Новгород,. 2021. С. 109-112.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Волкова Е.В., Пузанов А.С., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Бибикова В.В Физико-топологическое моделирование одиночных радиационных эффектов в диодных субмикронных сверхвысокочастотных полупроводниковых структурах с учетом разогрева электронно-дырочного газа в треке заряженной частицы // Труды XXV научной конференции по радиофизике. (г. Нижний Новгород, 14-26 мая 2021 г.). – Нижний Новгород, 2021 г. 2021. С. 102-104.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Логинов А.Б., Логинов Б.А., Королев С.А. Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия // Письма в Журнал технической физики. № 5. Т. 47. 2021. С. 38-41.

Забавичев И.Ю., Кудряшова Д.А., Наседкин К.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Реинжиниринг профиля легирования диодных и транзисторных структур для расчетной оценки их реакции на воздействие ионизирующих излучений // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 200-202.

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Влияние RLC-параметров межтранзисторных соединений на переходной ионизационный процесс в ячейках быстродействующей статической памяти при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 203-205.

Забавичев И.Ю., Наседкин К.А., Оболенская Е.С., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Динамика разогрева и релаксации энергии электронно-дырочной плазмы в треке первичного атома отдачи в GaAs при воздействии нейтронов спектра деления // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 209-211.

Хазанова С.В., Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Голиков О.Л., Пузанов А.С. Методы расчетно-экспериментального моделирования электрофизических параметров в перспективных полупроводниковых гетероструктурах на основе соединений AlGaAs/InGaAs // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 235-238.

Пузанов А.С., Бибикова В.В., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Востоков Н.В., Оболенский С.В. Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства // Письма в Журнал технической физики. № 6. Т. 47. 2021. С. 51-54.

Волкова Е.В., Логинов А.Б., Логинов Б.А., , Пузанов А.С., Королев С.А., Семёновых Е.С., Хазанова С.В., Оболенский С.В. Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 55. 2021. С. 846-849.

, Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Земляков В.Е. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 55. 2021. С. 872-876.

Tarasova E.A., Khazanova S.V., Golikov O.L., Puzanov A.S., Zemlyakov V.E. Analysis of the Effect of Spacer Layers on Nonlinear Distortions of the Current–Voltage Characteristics of GaAlAs/InGaAs pHEMTs // Semiconductors. № 10. V. 55. 2021. P. 872-876.

Volkova E.V., Loginov A.B., Loginov B.A., Tarasova E.A., Puzanov A.S., Korolev S.A., Semenovykh E.S., Khazanova S.V., Obolenskii S.V. Experimental Studies of Modification of the Characteristics of GaAs Structures with Schottky Contacts after Exposure to Fast Neutrons // Semiconductors. № 10. V. 55. 2021. P. 846-849.

Obolenskii S.V., Volkova E.V., Loginov A.B., Loginov B.A., Tarasova E.A., Puzanov A.S., Korolev S.A. A Comprehensive Study of Radiation Defect Clusters in GaAs Structures after Neutron Irradiation // Technical Physics Letters. № 5. V. 47. 2021. P. 38-41.

Puzanov A.S., Bibikova V.V., Zabavichev I.Yu., Obolenskaya E.S., Tarasova E.A., Vostokov N.V., Obolenskii S.V. Simulation of the Response of a Low-Barrier Mott Diode to the Influence of Heavy Charged Particles from Outer Space // Technical Physics Letters. № 6. V. 47. 2021. P. 51-54.

Volkova E.V., Loginov B.A., Loginov A.B., Tarasova E.A., Puzanov A.S., Korolev S.A., Semenovykh E.S., Khazanova S.V., Obolenskii S.V. Experimental Studies of Modification of the Characteristics of GaAs Structures with Schottky Contacts after Exposure to Fast Neutrons // Semiconductors. № 10. V. 55. 2021. P. 846-849.

2020

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хазанова С.В., Пузанов А.С., Григорьева Н.Н. Анализ нелинейных искажений сигналов в полевых транзисторах с 2D газом до и после воздействия нейтронов // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА Труды XXIV Международного симпозиума 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Том 2, 2 стр.. 2020. С. 687-688.

Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Транспорт носителей заряда в полупроводниковых элементах с одиночными кластерами радиационных дефектов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (10-13 марта 2020 г.). Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, Том 2 - 505 с. 2020. С. 709-710.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке заряженной частицы высокой энергии // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (10-13 марта 2020 г.). Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, Том 2 - 505 с. 2020. С. 715-716.

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние потенциала рассеяния носителей заряда на радиационных дефектах на изменение подвижности в GaAs короткоканальных транзисторных структурах после нейтронного воздействия // Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, Том 2. — 505 с.. 2020. С. 575-576.

Бибикова В.В., Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Особенности оценки эквивалентности лазерных методов имитации воздействия тяжелых заряженных частиц космического пространства на субмикронные элементы интегральных схем // Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2020. — 505 с.. 2020. С. 524-525.

Забавичев И.Ю., Боженькина А.Д., Кудряшов М.Ю., Насеткин К.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю. Разработка методов и средств расчетно-экспериментального моделирования физических процессов в перспективных нанометровых полупроводниковых гетероструктурах при воздействии излучений космического пространства. // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. С. 70-72.

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю. Терагерцовое детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в гетеронаноструктурах для повышения точности расчетно-экспериментальной оценки радиационной стойкости изделий наноэлектроники // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Разработка высокопроизводительных методов проектирования радиационно-стойких терагерцовых приборов для космических телекоммуникационных систем // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С. Анализ динамики формирования плотных кластеров радиационных дефектов с помощью метода молекулярной динамики // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С. Оценка влияния единичных кластеров радиационных дефектов на работоспособность перспективных полупроводниковых приборов микро- и наноэлектроники // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Овчинников С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Проведение измерений реакции изделий микроэлектроники на радиационное воздействие при помощи передвижного аппаратно-программного комплекса с учетом обеспечения мер информационной безопасности // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Потехин А.А., Пузанов А.С. Особенности переноса носителей заряда в субмикронных полупроводниковых структурах с формирующимися радиационными дефектами // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Оценка влияния RLC-параметров межсоединений транзисторов на сбоеустойчивость ячеек быстродействующей статической памяти при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства и излучений их имитирующих // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке первичного атома отдачи // Физика и техника полупроводников. № 8. Т. 54. 2020. С. 791-795.

Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 54. 2020. С. 945-951.

Tarasova E.A., Obolenskii S.V., Khazanova S.V., Puzanov A.S., Grigoryeva N.N., Golikov O.L., Ivanov A.B. Compensation for the Nonlinearity of the Drain–Gate I–V Characteristic in Field-Effect Transistors with a Gate Length of ~100 nm // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1155-1160.

2019

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Моделирование процесса формирования разупорядоченной области радиационных дефектов в кремнии // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 690-691.

Насеткин К.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Моделирование реакции субмикронных структур "кремний на изоляторе" на воздействие низкоинтенсивных проникающих излучений // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 774-775.

Пузанов А.С., Венедиктов М.М., Оболенский С.В., Козлов В.А. Применение локально-неравновесных физико-топологических моделей переноса носителей заряда для оценки сбоеустойчивости интегральных схем при воздействии заряженных частиц и ультракоротких импульсов ионизирующего излучения // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 805-806.

Шоболова Т.А., Коротков А.В., Петрякова Е.В., Липатников А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов на структурах с полупроводниковыми и диэлектрическими подложками // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 892-893.

Кудряшова Д.А., Пузанов А.С. Восстановление профиля легирующей примеси биполярных транзисторов после нейтронного облучения // XXIII Научная конференция по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ, 581 с. 2019. С. 86-89.

Насеткин К.А., Пузанов А.С. Прогнозирование радиационной стойкости структур «кремний на изоляторе» с цепью автокомпенсации // XXIII Научная конференция по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ, 581 с. 2019. С. 90-92.

Пузанов А.С. Обратимые одиночные сбои в субмикронных полупроводниковых структурах при воздействии потока мгновенных нейтронов спектра деления // XXIII Научная конференция по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ, 581 с. 2019. С. 101-102.

Алимирзоев Г.М., Муравьев М.С., Насеткин К.А., Пузанов А.С., Литовский Д.А. Моделирование утроителя частоты на гетеробарьерном варакторе в 3 мм диапазоне длин волн // Научно-технический вестник Поволжья. № 7. 2019. С. 89-82.

Муравьев М.С., Алимирзоев Г.М., Насеткин К.А., Пузанов А.С., Литовский Д.А. Конструирование и расчет СВЧ детектора на базе бескорпусного смесительно-детекторного диода с балочными выводами // Научно-технический вестник Поволжья. № 7. 2019. С. 123-126.

Насеткин К.А., Муравьев М.С., Алимирзоев Г.М., Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Потехин А.А. Моделирование характеристик субмикронных структур «кремний на изоляторе» с учетом радиационных эффектов // Научно-технический вестник Поволжья. № 7. 2019. С. 127-130.

Пузанов А.С., Венедиктов М.М., Оболенский С.В., Козлов В.А. Расчетно-экспериментальное моделирование обратимых сбоев ячеек статической памяти субмикронных микросхем при воздействии потоков нейтронов // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 53. 2019. С. 1250-1256.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Моделирование образования каскада смещений и переходных ионизационных процессов в кремниевых полупроводниковых структурах при нейтронном воздействии // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 53. 2019. С. 1279-1284.

Шоболова Т.А., Коротков А.В., Петрякова Е.В., Липатников А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 53. 2019. С. 1391-1394.

Puzanov A.S., Venediktov M.M., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Computational and experimental simulation of static memory cells of submicron microcircuits under the effect of neutron fluxes // Semiconductors. № 9. V. 53. 2019. P. 1222-1228.

Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Simulation of the formation of a cascade of displacements and transient ionization processes in silicon semiconductor structures under neutron exposure // Semiconductors. № 9. V. 53. 2019. P. 1249-1254.

Shobolova T.A., Korotkov A.V., Petryakova E.V., Lipatnikov A.V., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Comparison of the radiation resistance of prospective bipolar and heterobipolar transistors // Semiconductors. № 10. V. 53. 2019. P. 1353-1356.

2018

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Реинжиниринг диодных структур по результатам измерений вольтфарадных и вольтамперных характеристик // Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. С. 623-624.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Применение модели Каттанео-Вернотта к решению задачи релаксации фотопроводимости в диодных структурах при воздействии ультракоротких импульсов ионизирующих излучений // Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. С. 743-744.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С. Фемто- и пикосекундные процессы формирования кластеров радиационных дефектов при ионном и нейтронном облучении полупроводниковых гетероструктур: моделирование и эксперимент // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов ""Физические и физико-химические основы ионной имплантации, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 2018 г.. Т. 1, 174 стр.. 2018. С. 16-17.

Насеткин К.А., Пузанов А.С. Реакция микросхем с цепью автокомпенсации токов утечки на воздействие низкоинтенсивных проникающих излучений // Труды XXII научной конференции по радиофизике. Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород). 2018. С. 66-68.

Пузанов А.С. Расчет релаксации фототока в диодных структурах на основе расширенной диффузионно-дрейфовой модели при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства и субпикосекундных лазерных импульсов // Труды XXII научной конференции по радиофизике. Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород). 2018. С. 69-72.

Забавичев И.Ю., Васин А.А., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Особенности расчета макропараметров полупроводниковых материалов для различных моделей дефектообразования в некоторых полупроводниках при воздействии проникающих излучений // Труды XXII научной конференции по радиофизике. Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород). 2018. С. 73-76.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Сравнение моделей развития каскадов атомных столкновений в полупроводниках при воздействии отдельных ядерных частиц // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), 174 стр.. 2018. С. 89-90.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенская Е.С. Радиационная стойкость приборов наноэлектроники // Труды IV Международной научно-технической конференции "Элементная база отечественной радиоэлектроники". 79 стр.. 2018. С. 3.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 52. 2018. С. 1295-1299.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Линев А.В., Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Васин А.А., Хананова А.А., Иванов А.Б. Применение физико-топологического моделирования для анализа радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 4. 2018. С. 10-17.

Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Application of the locally nonequilibrium diffusion-drift cattaneo–vernotte model to the calculation of photocurrent relaxation in diode structures under subpicosecond pulses of ionizing radiation // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1407-1411.

2017

Забавичев И.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Транспорт горячих носителей заряда в полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 13-16 марта, 2017 г.) В 2т. Том II. - Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2017 - 402 с.. 2017. С. 598-599.

Забавичев И. Ю., Иванов А. Б., Линев А.В., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Хананова А.А. Применение физико-топологического моделирования для расчетной оценки радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Труды III Российско-Белорусской международной конференции "Современная элементная база радиоэлектроники и ее применение". Электронное издание, 165 с.. 2017. С. 71-74.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние профиля потенциала кластера радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2017. С. 600-601.

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Перенос горячих носителей заряда в полупроводниковых структурах с включениями кластеров радиационных дефектов // Труды XXI научной конференции по радиофизике. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2017. С. 67.

Васин А.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Влияние технологического разброса и погрешности измерений профиля легирования на достоверность расчетной оценки стойкости кремниевых диодных структур к необратимым отказам при воздействии импульсных ионизирующих излучений // Труды XXI научной конференции по радиофизике. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2017. С. 70-73.

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Влияние точки возникновения кластера радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора // Труды XXI научной конференции по радиофизике. Издательство Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 74.

Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1489-1492.

Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Потехин А.А., Оболенский С.В., Козлов В.А. Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1520-1524.

Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Degradation of the characteristics of GaAs bipolar transistors with a thin base due to the formation in them of nanometer-sized clusters of radiation-induced defects as a result of irradiation with neutrons // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1466-1471.

Obolenskaya E.S., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A., Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A. Transport of hot charge carriers in Si, GaAs, InGaAs, and GaN submicrometer semiconductor structures with nanometer-scale clusters of radiation-induced defects // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1435-1438.

2016

Потехин А.А., Оболенская Е.С., Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Линев А.В., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Итерационное моделирование для восстановления структуры полупроводниковых приборов и анализа их радиационной стойкости // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 841 стр., Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 698-699.

Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Хананова А.В., Линев А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Опыт применения физико-топологического моделирования для анализа радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 71-72.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора // Труды XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2016. С. 702-703.

Волкова Е.В., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Пузанов А.С. Терагерцовое детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов при нейтронном воздействии // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016". Издательство НИЯУ МИФИ. 2016. С. 67-68.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Аналитическая оценка вероятности возникновения структурных повреждений в микрообъеме GaAs при воздействии потока мгновенных нейтронов спектра деления // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016". Издательство НИЯУ МИФИ. 2016. С. 69-70.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая оценка вероятности возникновения кластера радиационных дефектов в микрообъеме рабочей области полупроводникового прибора при воздействии потока нейтронов // Тезисы докладов VI Всероссийской конференции "Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 89-90.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 59. 2016. С. 1706-1712.

Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Effect of random inhomogeneities in the spatial distribution of radiation-induced defect clusters on carrier transport through the thin base of a heterojunction bipolar transistor upon neutron irradiation // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1678-1683.

2015

Пузанов А.С., Волкова Е.В., Оболенский С.В. Суперкомпьютерное моделирование перспективных полупроводниковых приборов с учетом радиационного воздействия // Суперкомпьютерные технологии и высокопроизводительные вычисления в ННГУ. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2015. С. 67-74.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Волкова Е.В., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Высокочастотный отклик нанометровых диодов, вызываемый динамикой образования кластеров радиационных дефектов // Труды 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Т. 2, 2015 г.. 2015. С. С. 529-530.

Панкратов Е.Л., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Козлов В.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Влияние радиационно-стимулированной диффузии на процессы восстановления работоспособности планарных диодов и транзисторов после импульсного гамма-нейтронного воздействия // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т.1 с 2. 2015. С. 63-64.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Программа физико-топологического моделирования переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия на основе многочастичного метода Монте-Карло // Труды II российско-белорусской научно-технической конференции «элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение » им. О.В.Лосева. Типография ННГУ, том 1, 512 стр. 2015. С. 70-74.

Пузанов А.С., Дубровских С.М., Ткачев О.В., Шукайло В.П., Оболенский С.В. Оценка неоднородности энерговыделения в области пространственного заряда мелкого p-n перехода при нейтронном воздействии // Тезисы докладов 18-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2015". Издательство НИЯУ МИФИ. 2015. С. 65-66.

Потехин А.А., Линев А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Итерационное моделирование с использованием суперкомпьютера для реинжиниринга полупроводниковых приборов и анализа их радиационной стойкости // Труды международной конференции "Суперкомпьютерные дни в России". Издательство МГУ. 2015. С. 555.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Волкова Е.В., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Моделирование динамики образования кластеров радиационных дефектов с использованием высокопроизводительных вычислений // Труды международной конференции "Суперкомпьютерные дни в России". Издательство МГУ. 2015. С. 585.

Оболенский С.В., Козлов В.А., Пузанов А.С. Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 71-75.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Козлов В.А. ВЫСОКОЧАСТОТНОЕ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ И СТАБИЛИЗАЦИИ КЛАСТЕРА РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1585-1592.

Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Transport of charge carriers through the thin base of a heterobipolar transistor under the impact of radiation // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 69-74.

Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A., Volkova E.V., Pavelyev D.G. High-frequency detection of the formation and stabilization of a radiation-induced defect cluster in semiconductor structures // Semiconductors. № 12. V. 49. 2015. P. 1537-1544.

Волкова Е.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Козлов В.А. Высокочастотное детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в полупроводниковых структурах // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1585-1592.

2014

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационно-стимулированном воздействии // Труды XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2014. С. 491-492.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Параллельные вычисления в задачах оптимизации полупроводниковых структур с учетом радиационного воздействия // Тезисы докладов 17-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2014". Издательство НИЯУ МИФИ. 2014. С. 67-68.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора при воздействии дефектообразующих излучений // Тезисы докладов V Всероссийской конференции. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2014. С. 83-84.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С., Скупов А.В. ПАРАЛЛЕЛЬНЫЕ ВЫЧИСЛЕНИЯ В ЗАДАЧАХ ФИЗИКО- ТОПОЛОГИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ПЕРСПЕКТИВНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ С УЧЕТОМ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ // Журнал Радиоэлектроники. № 2. 2014. С. 1-31.

Пузанов А.С. Аналитическая модель разогрева электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора на основе Ge, Si и GaAs при воздействии стационарного потока квантов высоких энергий // Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Физика твердого тела. № 2. 2014. С. 88-93.

2013

Оболенский С.В., Пузанов А.С. Аналитическая модель разогрева электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора при воздействии стационарного потока квантов высоких энергий // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2013», г. Лыткарино, Московской области, 2-3 июня 2013 г.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2013. С. 117-118.

Оболенский С.В., Пузанов А.С. Разогрев электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 211-212.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С., Скупов А.В. Разработка пакета программ с распараллеливанием вычислений для физико-топологического моделирования процессов в перспективных полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия // Материалы XIX Международной научно-технической конференции "Информационные системы и технологии" "ИСТ-2013". Издательство Нижегородского государственного технического университета им. Р.Е. Алексеева. 2013. С. 416.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С., Скупов А.В. Программа физико-топологического моделирования процессов в перспективных полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия с распараллеливанием вычислений // Труды I Российско-Белорусской научно-технической конференции "Элементная база отечественной электроники". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2013. С. 17-20.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Киселев В.К. Аналитическая модель деградации характеристик кремниевых биполярных транзисторов с тонкой базой при воздействии дефектообразующих излучений // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского.. № 2. 2013. С. 60-65.

2012

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Расчет коэффициента переноса неосновных носителей заряда в биполярном транзисторе с тонкой базой // Материалы XVIII Международной научно-технической конференции "Информационные системы и технологии" "ИСТ-2012". Издательство Нижегородского государственного технического университета. 2012. С. 24-25.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Деградация статических характеристик биполярного транзистора с тонкой базой при воздействии дефектообразующих излучений // Тезисы докладов 15-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2012". Издательство НИЯУ МИФИ. 2012. С. 55-56.

Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Деградация малосигнальных характеристик биполярного транзистора с тонкой базой при воздействии дефектообразующих излучений // Тезисы докладов 15-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2012". Издательство НИЯУ МИФИ. 2012. С. 57-58.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Особенности переноса электронов в биполярных транзисторных структурах с тонкой базой при воздействии потока квантов высоких энергий // Микроэлектроника. № 4. Т. 41. 2012. С. 304-312.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая модель переходных ионизационных процессов в кремниевых биполярных транзисторах с тонкой базой при воздействии импульсного фотонного излучения // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 4. 2012. С. 5-8.

2011

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая модель ионизационных процессов в мощных биполярных транзисторах с тонкой базой // Труды XV научной конференции по радиофизике (г. Нижний Новгород, 7 мая 2011 г.). Нижний Новгород: Изд-во «ТАЛАМ». 2011. С. 40-41.

Асмолова Н.Ф., Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Анализ динамики развития пробоя в биполярном транзисторе с тонкой базой при радиационном воздействии // Материалы XVII Международной научно-технической конференции «Информационные системы и технологии ИСТ-2011». Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского государственного технического университета им. Р.Е. Алексеева. 2011. С. 60.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая модель переходных ионизационных процессов в кремниевых биполярных транзисторах с тонкой базой при воздействии ионизирующего излучения // Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем – Стойкость-2011». М.: НИЯУ МИФИ. 2011. С. 99-100.

Пузанов А.С. Перенос электронов в субмикронных транзисторных структурах в сильных резко неоднородных электрических полях при радиационном воздействии // Материалы III Всероссийского конкурса молодых ученых. М.: РАН, Том 2. 2011. С. 14-21.

Пузанов А.С., Оболенский С.В. Применение квазигидродинамического приближения для решения задачи переноса заряда в кремниевых наноструктурах при повышенных температурах // Вестник ННГУ. Серия: Радиофизика.. № 2. 2011. С. 62-70.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Петров С.Г. Особенности ударной ионизации в полупроводниковых приборах с субмикронными областями пространственного заряда при воздействии потока квантов высоких энергий // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 2. 2011. С. 10-13.