Потехин Александр Александрович

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2024

Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Абросимова Н.Д., Бибикова В.В., Волкова Е.В., Недошивина А.Д., Потехин А.А., Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Оболенский С.В. Применение флуктуационного анализа изображений поверхности структур «кремний на изоляторе» для оценки деградации подвижности носителей заряда после радиационного воздействия // Материалы XXVIII Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 11–14 марта 2024 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, изд-во ИПФ РАН, 2024.– В 2-х томах.–Т.2.. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). Н-25 В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — 492 с.. 2024. С. 795.

Недошивина А.Д., Пузанов А.С., Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А. ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА НЕЛИНЕЙНЫЕ ИСКАЖЕНИЯ В ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОМ УСИЛИТЕЛЕ // ТРУДЫ XXVIII НАУЧНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО РАДИОФИЗИКЕ. Тип: сборник трудов конференции Язык: русский ISBN: 978-5-91326-867-9 Год издания: 2024 Место издания: Нижний НовгородЧисло страниц: 568 Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского. 2024. С. 101-104.

Golikov O.L., Zabavichev I.Yu., Ivanov A. S., Obolenskii S.V., Obolenskaya E.S., Pavelyev D.G., Potekhin A.A., Puzanov A.S., Tarasova E.A., Khazanova S.V. ELECTRON TRANSPORT IN A BIPOLAR TRANSISTOR WITH A SUPERLATTICE IN THE EMITTER // Russian Microelectronics. № 1. V. 53. 2024. P. 44-50.

Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Абросимова Н.Д., Бибикова В. В., Волкова Е.В., Недошивина А.Д., Потехин А.А., Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Логинов Б.А., Блинников Д.Ю., Второва В. С., Кириллова В. В., Ляшко Е. А., Макеев В. С., Первых А. Р., Оболенский С.В. Флуктуационный анализ микрорельефа поверхности структур кремний-на-изоляторе после радиационного воздействия // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 58. 2024. С. 668-675.

2023

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенский С.В., Голиков О.Л., Иванов А.С., Павельев Д.Г. Транспорт электронов в гетеробиполярном транзисторе со сверхрешеткой в области эмиттера // Труды XXVII Международного симпозиума 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород. Труды XXVII Международного симпозиума 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород, Т. 1, 496 с.. 2023. С. 782-783.

Khazanova S.V., Golikov O.L., Puzanov A.S., Tarasova E.A., Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A., Obolenskaya E.S., Ivanov A.S., Pavelyev D.G., Obolenskii S.V. Calculating Current–Voltage Characteristics with Negative Differential Conductivity Sections of Superlattices Based on a GaAs/AlAs Compound with Different Numbers of Periods // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 87. V. 6. 2023. P. 800-804.

2022

Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Моделирование поведения субмикронных полупроводниковых структур после стабилизации кластера радиационных дефектов // Труды XXVI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2022, т.2. 2022. С. 990-991.

Оболенский С.В., Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенская Е.С., Иванов А.С., Павельев Д.Г. Моделирование вольт-амперных характеристик и пробоя в сверхрешетках с малым числом периодов // Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников. Типография ИПФ РАН. 603950, Нижний Новгород, ул. Ульянова, 46, 451 стр.. 2022. С. 367.

2016

Потехин А.А., Оболенская Е.С., Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Линев А.В., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Итерационное моделирование для восстановления структуры полупроводниковых приборов и анализа их радиационной стойкости // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 841 стр., Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 698-699.

Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Хананова А.В., Линев А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Опыт применения физико-топологического моделирования для анализа радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 71-72.

2015

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Волкова Е.В., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Высокочастотный отклик нанометровых диодов, вызываемый динамикой образования кластеров радиационных дефектов // Труды 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Т. 2, 2015 г.. 2015. С. С. 529-530.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Программа физико-топологического моделирования переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия на основе многочастичного метода Монте-Карло // Труды II российско-белорусской научно-технической конференции «элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение » им. О.В.Лосева. Типография ННГУ, том 1, 512 стр. 2015. С. 70-74.

Потехин А.А. Методика оценки тепловых полей для анализа радиационной стойкости полупроводниковых диодов // Труды II российско-белорусской научно-технической конференции «элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение » им. О.В.Лосева. Типография ННГУ, том 1, стр 512. 2015. С. 106-110.

Потехин А.А., Оболенская Е.С., Линев А.В., Оболенский С.В. Итерационное моделирование для реинжиниринга полупроводниковых приборов и анализа их радиационной стойкости // Тез.докл. 18 Всерос. Научн.-техн. конф. по радиационной стойкости электронных систем. «Стойкость-2015». Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 2015, Т.1, 450. 2015. С. 69-70.

Потехин А.А., Листратов А.И., Оболенский С.В. ИЗМЕРЕНИЕ СТАТИЧЕСКИХ И ИМПУЛЬСНЫХ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК И ОЦЕНКА ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ГЕРМАНИЕВОГО ДИОДА // Труды XIX научной конференции по радиофизике, посвященной 70-летию радиофизического факультета. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского (национальный исследовательский университет) т.1, 304 стр. 2015. С. 47-48.

Потехин А.А., Оболенский С.В., Забавичев И.Ю., Рябов А.А., Линев А.В., Чурин А.Ю., Ротков Л.Ю. СТРУКТУРА ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ СРЕДСТВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНФОРМАЦИОННАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ ПРОЦЕДУРЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика ядерных реакторов. № 2. Т. 1. 2015. С. 24-30.

2014

Потехин А.А., Рябов А.А., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Использование стенда для измерения статических и импульсных вольтамперных характеристик полупроводниковых структур и оценка угроз информационной безопасности локальной вычислительной сети // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной дню радио, Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г.. Т. 1., 2 стр.. 2014. С. 41-42.

Потехин А.А., Рябов А.А., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Применение стенда для измерения статических и импульсных вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и структур и оценка угроз информационной безопасности локальной вычислительной сети. // Труды 4-ой Всероссийской конференции «Радиоэлектронные средства получения, обработки и визуализации информации», 24-26 сентября 2014 г.. Http://www.rf.unn.ru/eledep/conferences.html. 2014. С. 10.

Потехин А.А., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Использование стенда для измерения статических и импульсных вольт-амперных характеристик при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и оценка угроз информационной безопасности локальной вычислительной сети // Сборник тезисов докладов всероссийской конференции «Стойкость-2014». 2014. С. 81-82.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Рябов А.А., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Организация и информационная безопасность высокопроизводительных вычислений при моделировании радиационной стойкости полупроводниковых приборов // Успехи современной радиоэлектроники. 2014. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Потехин А.А. Моделирование радиационной стойкости квантового компьютера и системы квантовой криптографии // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1. Т. 2. 2014. С. 64-74.

2013

Потехин А.А., Оболенский С.В. Оценка радиационной стойкости квантового компьютера // Труды XVII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения В.С. Троицкого.. Нижний Новгород, 13-17 мая 2013 г.. 2013. С. 37.

Потехин А.А., Оболенский С.В. Исследование радиационной стойкости квантового компьютера // Форум молодых учёных. Тезисы докладов.. ННГУ, Т1, 2 стр.. 2013. С. 143-144.