Планкина Светлана Михайловна

Место работы

Физический факультет

Кафедра физики полупроводников, электроники и наноэлектроники

доцент

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
Доцент
Общий стаж работы 41 год, 9 мес.
Педагогический стаж 21 год, 8 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: полупроводники и диэлектрики. Квалификация: инженер-физик.

Профессиональная переподготовка

28.08.2019 - 28.11.2019
Переподготовка: Современное состояние и актуальные проблемы исследований в области физико-математических наук, ННГУ, 250 час., документ № 522409110433, рег. № 33-708 от 28.11.2019

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

17.09.2021 - 19.11.2021
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 72 час., документ № 522413306333 33-2472 от 24.11.2021

05.12.2018 - 14.02.2019
Повышение квалификации: Обеспечение качества образования через инновационные образовательные технологии, ННГУ, 72 час., документ № 522407001440 рег номер 33-243 от 14.02.2019

15.01.2018 - 01.02.2018
Повышение квалификации: Современные нанотехнологии: физические основы и подготовка кадров, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 72 час., документ № 522405002115; рег. № 33-986 от 01.02.2018

17.01.2018 - 17.01.2018
Повышение квалификации: Оказание первой помощи, ННГУ, 8 час., документ № рег. 3 1141 от 17.01.2018

06.02.2017 - 10.04.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404111129 рег номер 33-371 от 10.04.2017

08.10.2014 - 27.12.2014
Повышение квалификации: Английский язык для преподавателя исследовательского университета (уровня Elementary), ННГУ, 72 час., документ № 522401468713 рег номер 1405 от 27.12.2014

Награды

Почетная грамота Министерства образования и науки РФ (приказ № 1070 к-н от 25.12.2015)

Список преподаваемых дисциплин

Физический факультет
Выпускная квалификационная работа. Прием предзащиты
Материалы и методы нанотехнологий
Научно-исследовательская работа. Прием защиты отчетов по НИР
Научно-исследовательская работа. Прием защиты отчетов по НИР.
Практикум по физике полупроводников
Преддипломная практика. Прием защиты отчетов.
Производственная практика (научно-исследовательская работа). Прием защиты отчетов по НИР.
Учебная практика. Прием защиты отчетов по практике.
Учебная практика. Прием защиты отчетов по учебной практике.
Экспериментальные методы исследований

Публикации

2024

Труды (тезисы) конференции

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дудин Ю.А., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Данилов Д.В. Формирование слоев GaFeAs ионной имплантацией и импульсным лазерным отжигом С.М. Планкина, О.В. Вихрова, В.А. Власова, Ю.А. Данилов, Ю.А. Дудин, Р.Н. Крюков, А.В. Нежданов, А.Е. Парафин, Д.В. Данилов. // IX Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ. Издательство Нижегородского университета, т.1, 70с. 2024. С. 62.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Власова В.А., Данилов Ю.А., Дудин Ю.А., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Питиримова Е.А. Свойства слоев GaAs, облученных ионами железа С.М. Планкина, О.В. Вихрова, В.А. Власова, Ю.А. Данилов, Ю.А. Дудин, А.В. Нежданов, А.Е. Парафин, Е.А. Питиримова // ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ 53-й международной Тулиновской конференции ПО ФИЗИКЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С КРИСТАЛЛАМИ. МГУ имени М.В. Ломоносова, Издательство «КДУ», т. 1, 194с. 2024. С. 45.

Публикации в научных журналах

Samartsev I.V., Zvonkov B.N., Baidusy N.V., Chigineva A.B., Zhidyaev K.S., Dikareva N.V., Zdoroveishchev A.V., Rykov A.V., Plankina S.M., Nezhdanov A.V., Ershov A.V. MOCVD Growth of InGaAs Metamorphic Heterostructures for Photodiodes with Low Dark Current // Semiconductors. № 5. V. 58. 2024. P. 451-456.

Samartsev I.V., Zvonkov B.N., Baidusy N.V., Chigineva A.B., Zhidyaev K.S., Dikareva N.V., Zdoroveishchev A.V., Rykov A.V., Plankina S.M., Nezhdanov A.V., Ershov A.V. MOCVD Growth of InGaAs Metamorphic Heterostructures for Photodiodes with Low Dark Current // Semiconductors. V. 58. 2024. P. 451–456.

Zdoroveishchev D.A., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Nezhdanov A.V., Parafin A.E., Plankina S.M. Fabrication and Study of the Properties of GaAs Layers Doped with Bismuth // Semiconductors. V. 58. 2024. P. 368–374.

2023

Публикации в научных журналах

Здоровейщев Д.А., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Планкина С.М. Получение и исследование свойств слоев GaAs, легированных висмутом // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 57. 2023. С. 399.

Самарцев И.В., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Чигинева А.Б., Жидяев К.С., Дикарева Н.В., Планкина С.М., Нежданов А.В., Ершов А.В. InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17−1.29мкм с дискретным метаморфным буферным слоем // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 57. 2023. С. 495-500.

2022

Труды (тезисы) конференции

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Демина П.Б., Дроздов М.Н., Здоровейщев А.В., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Планкина С.М., Темирязева М.П. Использование термического разложения CCl4 для получения углеродных пленок // Высокочистые вещества. Получение, анализ, применение. XVII Всероссийская конференция, 7-9 июня 2022 года, Нижний Новгород. Тезисы докладов. Нижний Новгород: ИПФ РАН. 2022. С. 39.

Самарцев И.В., Звонков Б.Н., Чигинева А.Б., Жидяев К.С., Планкина С.М. Фоточувствительные гетероструктуры на длину волны до 1,25 мкм, сформированные на подложках GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии // Современные проблемы физико-математических наук: VIII-я Всероссийская научно-практическая конференция с международным участием (СПФМН-2022), 25-26 ноября 2022, г. Орёл, Россия. Изд-во ОГУ. 2022. С. 10.

2021

Труды (тезисы) конференции

Планкина С.М., Данилов Ю.А., Дмитроусова Д.М., Дудин Ю.А., Нежданов А.В., Парафин А.Е. Влияние облучения ионами железа и лазерного отжига на спектры комбинационного рассеяния InAs и GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 1. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. — 521 с.. 2021. С. 214-215.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Кудрявцев К. Е., Здоровейщев А.В., Планкина С.М., Рыков А.В. Фоточувствительные гетероструктуры на длину волны до 1,25 мкм с дискретным метаморфным буфером на GaAs // Нанофизика и наноэлектроника.. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. — 470 с.. 2021. С. 834-835.

2020

Труды (тезисы) конференции

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Демина П.Б., Дроздов М.Н., Здоровейщев А.В., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Планкина С.М., Темирязева М.П. Формирование углеродных слоев методом термического разложения CCl4 в реакторе МОС-гидридной эпитаксии // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIV Международного симпозиума, 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 505 с.. 2020. С. 587-588.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Лесников В.П., Нежданов А.В., Планкина С.М. Исследование углеродных слоев методом конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума. 10-13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2020. С. 530-531.

Публикации в научных журналах

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Демина П.Б., Дроздов М.Н., Здоровейщев А.В., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Планкина С.М., Темирязева М.П. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии // Semiconductors. № 8. Т. 54. 2020. С. 956-960.

2019

Труды (тезисы) конференции

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Павлов Д.А., Пашенькин И.Ю., Сушков А.А. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур // Материалы XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.. Изд-во ННГУ, 2 т., 957 с.. 2019. С. 795-796.

Danilov Yu.A., Kryukov R.N., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Nezhdanov A.V., Parafin A., Plankina S.M., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Zvonkov B.N. Modification of PLD-grown GaAs:Mn layers by pulse excimer laser annealing // Book of Abstracts «IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures», Yaroslavl, Russia 26-29 August, 2019. P.G. Demidov Yaroslavl State University. 2019. P. 11.

Публикации в научных журналах

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Павлов Д.А., Пашенькин И.Ю., Сушков А.А. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 53. 2019. С. 1233-1236. Translated version: Plankina S.M., Vikh.

2018

Труды (тезисы) конференции

Данилов Ю.А., Дмитроусова Д.М., Лесников В.П., Нежданов А.В., Планкина С.М. Комбинационное рассеяние в слоях твердых растворов GaAsSb и GaAsSb:Fe, выращенных методом лазерного распыления // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тезисы докладов. Издательство Нижегородского государственного университета. 2018. С. 131.

Планкина С.М., Боряков А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Определение состава твёрдых растворов GaInAs и GaInP из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г.. Н. Новгород: Издательство ННГУ Н. Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2018. С. 731-732.

2017

Труды (тезисы) конференции

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Крюков Р.Н., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Николичев Д.Е., Павлов С.А., Парафин А.Е., Пашенькин И.Ю., Планкина С.М. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений А3В5 импульсным лазерным отжигом // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 151-152.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур // Материалы XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта 2017г., Нижний Новгород. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т.2. 2017. С. 690.

Публикации в научных журналах

Kudrin A.V., Plankina S.M., Vikhrova O.V., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Drozdov Yu.N., Shvetsov A.V. Characterization of the cleaved edge cross section of the heterostructures with GaMnAs layer by the confocal micro-Raman spectroscopy // Micron. № 2. V. 93. 2017. P. 38-42.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1510-1513.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Nezhdanov A.V., Pashenykin I.Yu. Cleaved-Edge Photoluminescence Spectroscopy of Multilayer Heterostructures // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1456–1459.. [принято к печати]

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Пашенькин И.Ю., Планкина С.М. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений А3В5 импульсным лазерным отжигом // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2130-2134.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Nezhdanov A.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Pashenykin I.Yu., Plankina S.M. Modification of the Properties of Ferromagnetic Layers Based on A3B5 Compounds by Pulsed Laser Annealing // Physics of the Solid State. № 11. V. 59. 2017. P. 2150-2154.

2016

Труды (тезисы) конференции

Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А., Планкина С.М., Якубов Р.Р. Формирование однофазных ферромагнитных полупроводников (III,Mn)V импульсным лазерным отжигом // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.1. 2016. С. 179-180.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Коннова Н.Ю., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.2. 2016. С. 686-687.

Пашенькин И.Ю., Данилов Ю.А., Нежданов А.В., Планкина С.М. Комбинационное рассеяние света в слоях GaAs:Mn // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 122-123.

Публикации в научных журналах

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Коннова Н.Ю., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1561-1564.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Konnova N.Yu., Nezhdanov A.V., Pashenkin I.Yu Study of the Structures of Cleaved Cross Sections by Ramsn Spectroscopy // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1539-1542.

2015

Труды (тезисы) конференции

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Нежданов А.В., Планкина С.М., Дроздов Ю.Н. Использование спектроскопии комбинационного рассеяния для анализа влияния упругих напряжений на магнитные свойства слоев GaMnAs // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". 10-14 марта 2015 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского университета. 2015. С. 615-617.

Публикации в научных журналах

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Чунин И.И., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 102-106.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kalentyeva I.L., Nezhdanov A.V., Chunin I.I., Yunin P.A. Raman Spectroscopy of InGaAs/GaAs Nanoheterostructures Delta-doped with Mn // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 99-103.

2014

Труды (тезисы) конференции

Планкина С.М., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Скворцов В.В., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". 10-14 марта 2014 г. Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского университета, т.1. 2014. С. 186-187.

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Коннова Н.Ю., Нежданов А.В., Планкина С.М. Свойства слоев GaMnAs, выращенных методом лазерного осаждения в потоке арсина // Тезисы докладов V Всероссийской конференции "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". 27-31 октября 2014 года, Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского университета. 2014. С. 114-115.

2013

Труды (тезисы) конференции

Ким Е.Л., Демидов Е.С., Карзанов В.В., Планкина С.М., Павлов Д.А. Формирование образовательных программ на основе самостоятельно устанавливаемых образовательных стандартов // Тезисы докладов всероссийской конференции “Новые педагогические технологии: содержание, управление, методика”, Нижний Новгород, 26-28 марта 2013 г.. ННГУ: Нижний Новгород, 2013, 1 стр.. 2013. С. 197-198.

Планкина С.М., Ковалев А.А., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Вихрова О.В. ИК-спектроскопия внутризонного поглощения в гетероструктурах Al-GaAs/GaAs с квантовыми ямами // Труды XVII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 11 – 15 марта 2013 г.. Изд-во ННГУ, том 2, с.2. 2013. С. 556-557.

2012

Труды (тезисы) конференции

Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Bobrov A.I., Dunaev V.S., Pavlova E.D., Pitirimova E.A., Plankina S.M., Yakubov R.R., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Suchkov A.I. Structure, composition distribution and properties of the (Ga,Mn)Sb/GaAs and MnSb/GaAs heterosystems // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 2012. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 66-67.

Публикации в научных журналах

Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Plankina S.M., Dunaev V.S., Nezhdanov A.V., Drozdov Yu.N. Room-Temperature Ferromagnetism in (III,Mn)Sb Semiconductors // Solid State Phenomena. V. 190. 2012. P. 109-112.

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Планкина С.М., Дунаев В.С., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Сапожников М.В. Магнитный полупроводник (Ga,Mn)Sb как перспективный материал для приборов спинтроники // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 199-201.

2011

Труды (тезисы) конференции

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Планкина С.М., Дунаев В.С., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Сапожников М.В. Магнитный полупроводник (Ga,Mn)Sb как перспективный материал для приборов спинтроники // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г. Нижний Новгород. T.1. 670 C. 2011. С. 129-130.

Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Plankina S.M., Dunaev V.S., Nezhdanov A.V., Drozdov Yu.N. Room-temperature ferromagnetism in (III,Mn)Sb semiconductors // Moscow International Symposium on Magnetism. August 21-25, 2011. Book of Abstracts. Moscow. 944 P. 2011. P. 688.

Планкина Светлана Михайловна
Контакты

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского