Павлов Дмитрий Алексеевич

Место работы

Физический факультет

Кафедра физики полупроводников, электроники и наноэлектроники

заведующий кафедрой

Ученая степень
Доктор физико-математических наук
Ученое звание
Профессор
Дата начала работы в Университете Лобачевского: 1985
Общий стаж работы 36 лет, 8 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: полупроводники и диэлектрики. Квалификация: инженер-физик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

28.08.2019 - 28.11.2019
Переподготовка: Современное состояние и актуальные проблемы исследований в области физико-математических наук, ННГУ, 250 час., документ № 522409110429, рег. № 33-704 от 28.11.2019

17.01.2018 - 17.01.2018
Повышение квалификации: Оказание первой помощи, ННГУ, 8 час., документ № 1127 от 17.01.2018

06.02.2017 - 10.04.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404111120 рег номер 33-362 от 10.04.2017

09.01.2017 - 26.01.2017
Повышение квалификации: Использование инновационных методов и современной аппаратуры в естественнонаучных исследованиях, ННГУ, 72 час., документ № 522404110525 рег номер 33-10 от 26.01.2017

04.05.2013
Повышение квалификации: Продвинутые куры по применению оборудования JEM-2100F (просвечивающий электронный микроск4оп высокого разрешения с полевой эмиссией, Международный тренинг-центр компании JEOL (г. Токио, Япония), 72 час.

Список преподаваемых дисциплин

Физический факультет
Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники
Аналитическая просвечивающая электронная микроскопия
История и методология науки и техники в области электроники
Научно-исследовательская работа
Научно-исследовательская работа (получение первичных навыков научно - исследовательской работы)
Научный семинар
Руководство кафедрой

Публикации

2020

Труды (тезисы) конференции

Кудрин А.В., Лесников В.П., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Павлов Д.А., Кузнецов Ю.М. Высокотемпературный внутренний ферромагнетизм в слоях GaAs, сильно легированных Fe // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIV Международного симпозиума, 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 505 с.. 2020. С. 623-624.

Кудрин А.В., Лесников В.П., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Демина П.Б. Высокотемпературный внутренний ферромагнетизм в слоях GaAs, сильно легированных Fe // Программа и тезисы докладов XXIII Уральской международной зимней школы по физике полупроводников UIWSPS-2020, 17-22 февраля 2020 г., Екатеринбург. Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 212 с.. 2020. С. 134-135.

2019

Труды (тезисы) конференции

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Павлов Д.А., Пашенькин И.Ю., Сушков А.А. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур // Материалы XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.. Изд-во ННГУ, 2 т., 957 с.. 2019. С. 795-796.

Кудрин А.В., Лесников В.П., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Милин В.Е., Усов Ю.В., Ведь М.В., Кузнецов Ю.М., Крюков Р.Н. Создание эпитаксиальных гетероструктур на основе магнитных полупроводников (In,Fe)Sb и (Ga,Fe)Sb // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 229-230.

Тихов С.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Сушков А.А., Милин В.Е., Зубков С.Ю., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н. Повышение воспроизводимости резистивного переключения в многослойных мемристивных наноструктурах на основе стабилизированного иттрием оксида циркония // Материалы ХХIII Международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". ННГУ им. Н.И.Лобачевского, т.2, 2 страницы. 2019. С. 758-759.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Кривулин Н.О., Марычев М.О., Мухаматчин К.Р., Елизарова А.А., Конаков А.А., Тетельбаум Д.И., Павлов Д.А. Светоизлучающая 9R фаза кремния, сформированная методом ионной имплантации инертного газа в подложки SiO2/Si // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума. Нижний Новгород, 11-14 марта. 2019. С. 780-781.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Муртазин Р.И., Павлов Д.А., Конаков А.А., Мухаматчин К.Р., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональной фазы кремния при ионной имплантации в плёнку SiO2 на Si // XLIX Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2019). Тезисы докладов. Москва, 29 - 31 мая. 2019. С. 9.

Зубков С.Ю., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Павлов Д.А., Сушков А.А., Михайлов А.Н., Горшков О.Н. Исследование химического состава многослойных мемристивных систем на основе тонких диэлектрических пленок // Материалы XXIII Всероссийской конференции с международным участием РЭСХС-2019. Воронеж, 2019. 2019. С. 106.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Зубков С.Ю., Шенина М.Е., Милин В.Е., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Тихов С.В. Повышение воспроизводимости резистивного переключения в многослойных мемристивных наноструктурах на основе стабилизированного иттрием оксида циркония // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума. Нижний Новгород, 11-14 марта, Т.2. 2019. С. 758-759.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Чигиринский Ю.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Изучение механизмов формирования светоизлучающей гексагональной фазы 9R-Si // Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2019». Материалы докладов. Москва, 8-12 апреля. 2019. С. 918-919.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Antonov A.E., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Mechanism of formation of light-emitting hexagonal phase 9R-Si // 6th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Book of abstracts. Saint Petersburg, April 22-25. 2019. P. 109-110.

Королев Д.С., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., Павлов Д.А., Сушков А.А., Тетельбаум Д.И. Новые ионно-лучевые подходы к формированию кремниевых светоизлучающих наноматериалов // XXIX Международная конференция «Радиационная физика твердого тела». Тезисы докладов. Севастополь, 08 - 13 июля. 2019. С. 140-147.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Pavlov D.A., Sushkov A.A., Konakov A.A., Tetelbaum D.I. Properties of Hexagonal Silicon (9R Phase) Synthesized by Ion Implantation Into SiO2/Si // German-Russian Travelling Seminar “Nanomaterials and Large-Scale Research Centers”. Book of abstracts. Irkutsk – Lake Baikal – Novosibirsk – Moscow, July 30 – August 10. 2019. P. 12.

Tetelbaum D.I., Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A. Formation of light-emitting layers in Si at ion implantation in SiO2 on Si // 20th International conference on Radiation Effects in Insulators. Book of abstracts. Nur-Sultan (Astana), Kazakhstan, August 19-23. 2019. P. 178.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tereshchenko A.N., Pavlenkov V., Nagornykh S. Ion-beam modification of Si and SiO2/Si structures for the development of light-emitting silicon-based devices // The 21st International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams. Abstract Book. Tomsk, August 25-30. 2019. P. 21.

Публикации в научных журналах

Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Konakov A.A., Vasilyev V.K., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Zvonkov B.N. The nature of transport and ferromagnetic properties of the GaAs structures with the Mn δ-doped layer // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 478. 2019. P. 84-90.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Konakov A.A., Dudin Yu.A., Kuznetsov Yu.M., Temiryazeva M.P., Sobolev N.A. Robustness of ferromagnetism in (In,Fe)Sb diluted magnetic semiconductor to variation of charge carrier concentration // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 485. 2019. P. 236–243.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Kryukov R.N., Kuznetsov Yu.M., Trushin V.N., Sobolev N.A. Formation of epitaxial p-i-n structures on the basis of (In,Fe)Sb and (Ga,Fe)Sb diluted magnetic semiconductors layers // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 487. 2019. P. 16532.

Emelyanov A.V., Nikiruy K.E., Demin V.A., Rylkov V.V., Belov A.I., Korolev D.S., Gryaznov E.G., Pavlov D.A., Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Dimitrakis P. Yttria-stabilized zirconia cross-point memristive devices for neuromorphic computing // Microelectronic Engineering. V. 215. 2019. P. 110988.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs // Письма в Журнал технической физики. № 13. Т. 45. 2019. С. 33-36.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Павлов Д.А., Пашенькин И.Ю., Сушков А.А. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 53. 2019. С. 1233-1236. Translated version: Plankina S.M., Vikh.

Сушков А.А., Павлов Д.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Крюков Р.Н. Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al2O3 // Физика и техника полупроводников. № 53. Т. 9. 2019. С. 1271-1274.

Sushkov A.A., Pavlov D.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Baidus N.V., Rykov A.V., Kryukov R.N. Studies of the Cross Section and Photoluminescence of a GaAs Layer Grown on a Si/Al2O3 Substrate // Semiconductors. № 53. V. 9. 2019. P. 1242–1245.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Milin V.E., Kryukov R.N., Kuznetsov Yu.M., Trushin V.N., Sobolev N.A. Formation of epitaxial p-i-n structures on the basis of (In,Fe)Sb and (Ga,Fe)Sb diluted magnetic semiconductors layers // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 487. 2019. P. 165321.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Mechanism of formation of light-emitting silicon hexagonal phase 9R-Si // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012037.

2018

Труды (тезисы) конференции

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Mikhailov A.N., Korolev D.S., Koryazhkina M.N., Ryabova M.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Pavlov D.A., Dunaevskii M.S. Investigation of local charge accumulation in yttria stabilized zirconia films with Au nanoparticles by Scanning Kelvin Probe Microscopy // “Saint Petersburg OPEN 2018” 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. St Petersburg, Russia, April 2-5, 2018. BOOK of ABSTRACTS. Academic University Publishing St. Petersburg, 2018, 621 p.. 2018. P. 573-574.

Сушков А.А., Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Новиков А.В., Юрасов Д.В. Формирование гексагональной фазы AlAs на Ge/SI(112) // Микроэлектроника и информатика - 2018. 25-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. Москва, 18-19 апр. 2018 г. – Москва. Изд-во МИЭТ, 316 с. 2018. С. 42.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование включений кремния гексагональной фазы при ионной имплантации в структуру SiO2/Si // Сборник тезисов XXII международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". Типография ННГУ, Н. Новгород, 12-15 марта, Т.2, 390 стр. 2018. С. 717-718.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Formation of hexagonal silicon inclusions in Si-based systems // Book of abstracts. 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Published by St. Petersburg Academic University, Saint Petersburg, April 2-5, 621 стр. 2018. P. 94-95.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Свойства гексагонального кремния, синтезируемого с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов XLVIII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: "КДУ", "Университетская книга", Москва, 29-31 мая, 206 стр. 2018. С. 155.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональных включений кремния в системе SiO2/Si с помощью ионной имплантации // XXIII Нижегородская сессия молодых ученых. Княгинино : НГИЭУ, Нижний Новгород, 22-23 мая, Т.2, 226 стр. 2018. С. 36-37.

Никольская А.А., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А. Синтез и свойства гексагональной модификации 9R-Si, полученной с помощью ионной имплантации // Сборник трудов XIII Всероссийской Научной конференция молодых ученых «Наноэлектроника, Нанофотоника и Нелинейная физика». Издательство "Техно-Декор", Саратов, 4-6 сентября, 404 стр. 2018. С. 209-210.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование свойств гексагонального кремния, полученного с помощью ионной имплантации // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение. Издательство Мордовского университета, Саранск, 18-21 сентября, 224 стр. 2018. С. 182.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Мухаматчин К.Р., Елизарова А.А., Конаков А.А., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Диагностика образования и свойств включений гексагонального кремния, полученных методом ионной имплантации // Труды X Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Типография РГРУ, Рязань, 01-06 октября, Т.2, 176 стр. 2018. С. 147.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Zubkov S.Yu., Shenina M.E., Milin V.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N. Improvement of resistive switching reproducibility by stabilized oxygen exchange in Au/Ta/ZrO2(Y)/Ta2O5/TiN/Ti devices // INTERNATIONAL WORKSHOP From ReRAM and Memristors to new Computing Paradigms. Book of Abstracts, Rethymno, Crete, Greece, October 28-31, 35 стр. 2018. P. 18.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование особенностей формирования и люминесцентных свойств гексагональных фаз кремния, синтезированных с применением ионной имплантации // Сборник тезисов XII Международной конференции КРЕМНИЙ-2018. Российская Академия наук, Черноголовка, 22-26 ноября, 130 стр. 2018. С. 87.

Tetelbaum D.I., Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A. Synthesis of hexagonal silicon by ion implantation // XII International Conference on Ion implantation and other applications of ions and electrons. Book of Abstracts, Kazimierz Dolny, Poland, June 18-21, 137 стр. 2018. P. 123.

Никольская А.А., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Мухаматчин К.Р., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Елизарова А.А., Конаков А.А. Структура и оптические свойства гексагональной модификации кремния, полученной методом ионной имплантации // «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов VII Всероссийской конференции (Нижний Новгород, 7-9 ноября 2018 г.). Отпечатано в РИУ Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Н. Новгород, 174 стр.. 2018. С. 28.

Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю. Состав и структура слоев GaMnAs, выращенных методом импульсного лазерного осаждения // XXVII Российская конференция по электронной микроскопии. ВНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, т.1, 2018, 427 С. 2018. С. 349-350.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Истомин Л.А., Левичев С.Б. Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой // Сборник тезисов XXII международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". Типография ННГУ, Н. Новгород, 12-15 марта, Т. 2, 390 стр.. 2018. С. 574-575.

Публикации в научных журналах

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M., Yunin P.A., Yurasov D, Krasilnik Z.F. MOCVD Growth of InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures with Quantum Wells on Ge/Si Substrates // Crystals. № 8. V. 8. 2018. P. 311.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Mukhamatchin K.R., Elizarova A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

Rajamani S., Arora K., Konakov A.A., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Surodin S., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Deep UV Narrow-Band Photodetector Based on Ion Beam Synthesized Indium Oxide Quantum Dots in Al2O3 Matrix // Nanotechnology. V. 29. 2018. P. 305603.

Rajamani S., Arora K., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Usov Yu.V., Pavlov D.A., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Enhanced Solar-blind Photodetection Performance of Encapsulated Ga2O3 Nanocrystals in Al2O3 Matrix // IEEE Sensors Journal. № 10. V. 18. 2018. P. 4046-4052.

Tereshchenko A.N., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Nikolskaya A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Shteinman E.A. Effect of Boron Impurity on the Light-Emitting Properties of Dislocation Structures Formed in Silicon by Si+ Ion Implantation // Semiconductors. № 7. V. 52. 2018. P. 843-848.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Formation of hexagonal silicon regions in silicon // Journal of Physics: Conference Series. V. 1124. 2018. P. 022007.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Muhamatchin K.R., Elizarova A.A., Marychev M.O., Konakov A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Koryazhkina M.N., Ryabova M.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Pavlov D.A., Dunaevskiy M.S. Investigation of local charge accumulation in yttria stabilized zirconia films with Au nanoparticles by Scanning Kelvin Probe Microscopy // Journal of Physics: Conference Series. V. 1124. 2018. P. 081028.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Istomin L.A., Levichev S.B. Relation between the Electronic Properties and Structure of InAs/GaAs Quantum Dots Grown by Vapor-Phase Epitaxy // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1525–1528.

Alaferdov A.V., Savu R., Canesqui M.A., Kopelevich Y.V., da Silva R.R., Rozhkova N.N., Pavlov D.A., Usov Yu.V., de Trindade G.M., Moshkalev S.A. Ripplocation in graphite nanoplatelets during soni-cation assisted liquid phase exfoliation // Carbon. V. 129. 2018. P. 826-529.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Antonov D.A., Shenina M.E., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. Conductive Atomic Force Microscopy Study of the Resistive Switching in Yttria-Stabilized Zirconia Films with Au Nano-particles // Scanning. V. 2018. 2018. P. Article ID 5489596, 9 pages.

Zubkov S.Yu., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Pavlov D.A., Shenina M.E. X-Ray Photoelectron Spectroscopy of Stabilized Zirconia Films with Embedded Au Nanoparticles Formed under Irradiation with Gold Ions // Physics of the Solid State. № 3. V. 60. 2018. P. 598-602.

Zubkov S.Yu., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Kryukov R.N., Pavlov D.A., Shenina M.E. X-Ray Photoelectron Spectroscopy of Stabilized Zirconia Films with Embedded Au Nanoparticles Formed under Irradiation with Gold Ions // Physics of the Solid State. № 3. V. 60. 2018. P. 603-607.

2017

Труды (тезисы) конференции

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Питиримова Е.А., Антонов И.Н., Вихрова О.В., Алафердов А.В., Крюков Р.Н. Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2017. С. 195-196.

Калентьева И.Л., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Павлов Д.А., Пирогов А.В., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Юнин П.А. Особенности селективного легирования марганцем GaAs гетероструктур // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 612-613.

Ершов А.В., Суродин С.И., Боряков А.В., Николичев Д.Е., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Модификация химического и фазового состава многослойных наноструктур SiOx/ZrO2 при высокотемпературном отжиге // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 586–587.

Шенгуров В.Г., Бузынин Ю.Н., Бузынин А.Н., Байдусь Н.В., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Сушков А.А., Павлов Д.А., Дроздов М.Н., Нежданов А.В., Юнин П.А., Трушин В.Н. Эпитаксиальные подложки GaAs/Ge/Si // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 770-771.

Горшков О.Н., Тихов С.В., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Коряжкина М.Н., Сидоренко К.В., Мухаматчин К.Р., Антонов И.Н., Касаткин А.П. Микроскопические эффекты в структурах на основе стабилизированного диоксида циркония, проявляющих резистивное переключение // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 13-16 марта 2017). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 402 с.. 2017. С. 563-564.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Pitirimova E.A., Antonov I.N., Kryukov R.N. Ferromagnetism of indium antomonide, highly doped by iron // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 873.

Kudrin A.V., Shvetsov A.V., Danilov Yu.A., Pavlov D.A. Ferromagnetic MnAs inclusions in InMnAs layers // NaNax8 - International Conference Nanoscience with Nanocrystals. Braga, Portugal, July 3-7. Http://nanax8.org/program.html#abstracts. 2017. P. Danilov.pdf.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Фефелов А.Г., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Самарцев И.В., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Сушков А.А., Яблонский А.Н., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Лазерные диоды InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на Ge/Si(001) подложках // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 491-492.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs на подложках Ge/Si методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 523-524.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Воронин П.Г., Здоровейщев А.В., Истомин Л.А., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Левичев С.Б. Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 559-560.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Pitirimova E.A., Antonov I.N., Kryukov R.N. High-temperature intrinsic ferromagnetism in the InFeSb semiconductor // III International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 9-11 October. 2017. P. 61.

Королев Д.С., Никольская А.А., Белов А.И., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Маркелов А.С., Шушунов А.Н., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Формирование нановключений нитрида галлия при имплантации ионов галлия и азота в кремний и кремний-совместимые диэлектрические пленки // Тезисы докладов, 11 Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы. Москва, 1-3 февраля. 2017. С. 146-147.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Krivulin N.O., Pavlov D.A. Formation of nanocrystalline 9R silicon hexagonal phase under multi-ion implantation into Si and SiO2/Si substrates // Abstracts, Nineteenth Annual Conference YUCOMAT 2017. Herceg Novi, Montenegro, September 4-8. 2017. P. 95.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Синтез гексагональной модификации кремния с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов, III Всероссийский научный форум «Наука будущего – наука молодых». Нижний Новгород, 12-14 сентября. 2017. С. 374-375.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Соболев Н.А., Kumar M. Ионно-лучевой синтез кремния с гексагональной структурой // Материалы докладов, 16-ая Международная научная конференция -школа «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение». Саранск, 19-22 сентября. 2017. С. 24.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональной фазы кремния при ионном облучении // Материалы докладов, 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь, 19-22 сентября. 2017. С. 150-151.

Сушков А.А., Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Павлов Д.А. Эффективное подавление ростовых дефектов и взаимной диффузии атомов Ge, As, Ga на гетерогранице GaAs/Ge // Тезисы докладов 24-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 2017". Зеленоград, Россия, 19 - 20 апреля 2017. 2017. С. 49.

Сушков А.А., Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Павлов Д.А. Эффективное подавление ростовых дефектов и взаимной диффузии атомов Ge, As, Ga на гетерогранице GaAs/Ge // Сборник докладов конференции научной молодежи физического факультета ННГУ. Нижний Новгород, 11 мая 2017. С. 121. 2017. С. 101.

Монографии

Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Matveev S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Kruglov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Photodiodes based on Thick Ge/Si(001) Epilayers Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition. New York: Horizons in World Physics. Volume 288. Ed. Albert Reimer. / New York: Nova Science, 2017. Chapter 9. P.171-200. ISBN: 978-1-63485-882-3(eBook). 2017.

Публикации в научных журналах

Грачев Д.А., Ершов А.В., Карабанова И.А., Пирогов А.В., Нежданов А.В., Машин А.И., Павлов Д.А. Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeOx и многослойных структурах Ge/SiO2 // Физика твердого тела. № 5. Т. 59. 2017. С. 965–971.

Buzynin Yu.N., Shengurov V.G., Zvonkov B.N., Buzynin A.N., Denisov S.A., Baidusy N.V., Drozdov M.N., Pavlov D.A., Yunin P.A. GaAs/Ge/Si epitaxial substrates: development and characteristics // AIP Advances. V. 7. 2017. P. 015304.

Gorshkov O.N., Filatov D.O., Antonov D.A., Shenina M.E., Pavlov D.A. An oscillator based on a single Au nanocluster // Journal of Applied Physics. № 1. V. 121. 2017. P. 014308 (1-6).

Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shenina M.E., Korolev D.S., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Okulich E.V., Okulich V.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G. Filamentary model of bipolar resistive switching in capacitor-like memristive nanostructures on the basis of yttria-stabilised zirconia // International Journal of Nanotechnology. № 7/8. V. 14. 2017. P. 604-617.

Grachev D.A., Karabanova I.A., Pirogov A.V., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Pavlov D.A. Influence of the Deposition and Annealing Temperatures on the Luminescence of Germanium Nanocrystals Formed in GeOx Films and Multilayer Ge/SiO2 Structures // Physics of the Solid State. № 5. V. 59. 2017. P. 992-998.

Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Polubavkina Yu.S., Maximov M.V., Kulagina M.M., Troshkov S.I., Zadiranov Yu.M., Lipovskii A.A., Baidusy N.V., Dubinov A.A., Krasilynik Z.F., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Yurasov D.V., Zhukov A.E. Electrically pumped InGaAs/GaAs quantum well microdisk lasers directly grown on Si(100) with Ge/GaAs buffer // Optics Express. № 14. V. 25. 2017. P. 16754-16760.

Королев Д.С., Никольская А.А., Кривулин Н.О., Белов А.И., Михайлов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Соболев Н.А., Kumar M. Формирование гексагональной фазы кремния 9R при ионной имплантации // Письма в Журнал технической физики. № 16. Т. 43. 2017. С. 87-92.

Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Krivulin N.O., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Sobolev N.A., Kumar M. Formation of Hexagonal 9R Silicon Polytype by Ion Implantation // Technical Physics Letters. № 8. V. 43. 2017. P. 767-769.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Воронин П.Г., Здоровейщев А.В., Истомин Л.А., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Левичев С.Б. Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1447-1450.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Вихрова О.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Питиримова Е.А., Антонов И.Н. Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2200-2202.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Дроздов М.Н., Усов Ю.В. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1468-1472.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н., Красильник З.Ф. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1579-1582.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Yablonskiy A.N., Krasilnik Z.F. Peculiarities of Growing InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures by MOCVD on Ge/Si Substrates / N.V. Baidus, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, M.V. Shaleev, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, A.N. Yablonskiy, Z.F. Krasilnik // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1527-1530.

Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Павлов Д.А., Шенина М.Е. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота // Физика твердого тела. № 3. Т. 18. 2017. С. 591-595.

Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Alaferdov A.V., Sobolev N.A. High-temperature intrinsic ferromagnetism in the (In,Fe)Sb semiconductor // Journal of Applied Physics. V. 122. 2017. P. 183901.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Alaferdov A.V., Sobolev N.A. High-temperature intrinsic ferromagnetism in the (In,Fe)Sb semiconductor // Journal of Applied Physics. V. 122. 2017. P. 183901.

Грачев Д.А., Ершов А.В., Карабанова И.А., Пирогов А.В., Нежданов А.В., Машин А.И., Павлов Д.А. ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОСАЖДЕНИЯ И ОТЖИГА НА ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ ГЕРМАНИЕВЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ, СФОРМИРОВАННЫХ В ПЛЕНКАХ GEOX И МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУРАХ GE/SIO2 // Физика твердого тела. № 5. Т. 59. 2017. С. 965-971.

Grachev D.A., Ershov A.V., Karabanova I.A., Pirogov A.V., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Pavlov D.A. Influence of the Deposition and Annealing Temperatures on the Luminescence of Germanium Nanocrystals Formed in GeOx Films and Multilayer Ge/SiO2 Structures // Physics of the Solid State. № 5. V. 59. 2017. P. 992-998.

2016

Труды (тезисы) конференции

Дорохин М.В., Бобров А.И., Ведь М.В., Павлов Д.А., Лесников В.П., Ерофеева И.В., Демина П.Б., Малышева Е.И., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Эпитаксиальный слой MnGa – перспективный материал для практического применения в полупроводниковых приборах // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 435с. 2016. С. 564-565.

Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Belov A.I., Shenina M.E., Koryazhkina M.N., Guseinov D.V., Okulich V.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Antonov D.A., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching in capacitor-like structures based on ionic and covalent oxide dielectrics // Abstracts 20th International Symposium On Non-Oxide and New Optical Glasses. Nizhny Novgorod, Russia, August 21-26, 2016. 2016. P. 103-104.

Грачев Д.А., Гарахин С.А., Сушков А.А., Дудин Ю.А., Нежданов А.В., Павлов Д.А., Ершов А.В. Структурные свойства многослойных композитов «наногерманий – оксид алюминия», подвергнутых имплантации ионов кислорода // Физические и физико-химические основы ионной имплантации : Тез. докл. VI Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов, Нижний Новгород, 24–27 окт. 2016 г. – Н. Новгород. Изд-во Нижегорд. госун-та, 141 с. 2016. С. 131–132.

Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Филатов Д.О., Ежевский А.А., Деточенко А.П., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Зайцев А.В., Нежданов А.В. Эпитаксиальный рост слоев Ge на Si(100) с использованием метода «горячей проволоки» // Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск, Россия, 12-15 сентября 2016. 2016. С. 129.

Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Формирование нанокластеров в кремнии и оксидных пленках на кремнии, имплантированных Ga и N // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тез. докл. VI Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов, Нижний Новгород, 24–27 окт. 2016 г. Н. Новгород. : Изд-во Нижегорд. госун-та. 2016. 141 с. 2016. С. 62-63.

Сушков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Павлов Д.А. Гетеронаноструктуры Ge/Si и GaAs/Ge: исследование поперечного среза // Физика твердого тела. Сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции. Томск, 18-20 мая 2016 г. – Томск. Издательский Дом Томского государственного университета, 276 с. 2016. С. 223-225.

Сушков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Байдусь Н.В., Павлов Д.А. Исследование поперечного среза структуры GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/ГКНС(Ge/Si/Al2O3) // VI Всероссийский фестиваль науки. Сборник докладов. Нижний Новгород, 6 окт. 2016 г. - Н.Новгород. Изд-во ННГАСУ. Т. 1, 485 с. 2016. С. 73-75.

Сушков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Павлов Д.А. Исследование поперечного среза гетеронаноструктур КНС, Ge/Si, GaAs/Ge и Ge/КНС // Сборник докладов научной студенческой конференции физического факультета. Нижний Новгород, 25 мая 2016 г. - Н.Новгород. 55 с. 2016. С. 44-46.

Публикации в научных журналах

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Филатов Д.О., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бобров А.И., Павлов Д.А. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления // Письма в ЖТФ. № 1. Т. 42. 2016. С. 72-79.

Gorshkov O.N., Antonov I.N., Filatov D.O., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Forming Dense Arrays of Gold Nanoparticles in Thin Films of Yttria Stabilized Zirconia by Magnetron Sputtering // Technical Physics Letters. № 1. V. 42. 2016. P. 36-39.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Окулич Е.В., Шемухин А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 274-278.

Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Belov A.I., Koryazhkina M.N., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Gryaznov E.G., Antonov I.N., Shenina M.E. Resistive switching in the Au/Zr/ZrO2–Y2O3/TiN/Ti memristive devices deposited by magnetron sputtering // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 741. 2016. P. 012174.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Усов Ю.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1463-1468.

Mikhaylov A.N., Gryaznov D.V., Belov A.I., Korolev D.S., Sharapov A.N., Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Malekhonova N.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Gerasimova S.A., Kazantsev V.B., Agudov N.V., Dubkov A.A., C. M. M. Rosário, N. A. Sobolev, B. Spagnolo Field- and irradiation-induced phenomena in memristive nanomaterials // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. № 10-12. V. 13. 2016. P. 870-881.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Demina P.B., Usov Yu.V., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu. Fabrication of MnGa/GaAs Contacts for Optoelectronics and Spintronics Applications // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1443-1448.

Грачев Д.А., Ершов А.В., Павлов Д.А. Аспекты обработки изображений просвечивающей электронной микроскопии композитных структур, содержащих нанокристаллы германия и кремния // Научная визуализация. № 8. Т. 5. 2016. С. 113-121.

Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Shemmukhin A.A., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Layer-by-Layer Composition and Structure of Silicon Subjected to Combined Gallium and Nitrogen Ion Implantation for the Ion Synthesis of Gallium Nitride // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 271-275.

Aleshkin V.Ya., Baidusy N.V., Dubinov A.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Samartsev I.V., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Sushkov A.A., Yablonskii A.N., Yunin P.A., Yurasov D.V. Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grownby MOCVD on exact Ge/Si(001) substrate // Appl. Phys. Lett.. № 061111. V. 109. 2016. P. 1-5.

Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В. Кристаллическая структу-ра и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSix // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1473-1478.

Erofeeva I.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V. On the crystal structure and thermoelectric properties of thin Si1–xMnx films // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1453-1457.

Grachev D.A., Ershov A.V., Pavlov D.A. ASPECTS OF TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY IMAGE PROCESSING OF COMPOSITES CONTAINING GERMANIUM AND SILICON NANOCRYSTALS // Научная визуализация. № 5. V. 8. 2016. P. 113-121.

2015

Труды (тезисы) конференции

Грачев Д.А., Ершов А.В., Нежданов А.В., Дудин Ю.А., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Оптоэлектронные и структурные свойства массивов нанокристаллов германия в диэлектрике, сформированных отжигом многослойных нанопериодических Ge/Al2O3 систем // Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение. Тезисы докладов XV конференции, Нижний Новгород, 26–29 мая 2015 г. / Под ред. академика РАН М.Ф. Чурбанова. Нижний Новгород: Печатная мастерская РАДОНЕЖ. 216 с. 2015. С. 174.

Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Светоизлучающие SiGe -структуры, выращенные на структурах «напряженный кремний на изоляторе» // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX международного симпозиума (Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.) в 2-х томах. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015.- Т. 2.- 359 с. 2015. С. 427-428.

Павлов Д.А., Бобров А.И., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Малехонова Н.В., Пирогов А.В. Исследование деформаций в кристаллической структуре массивов вертикально упорядоченных Ge(Si) самоформирующихся островков в кремниевой матрице // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX международного симпозиума (Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.) в 2-х томах. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015.- Т. 2.- 359 с. 2015. С. 437-439.

Пирогов А.В., Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Бобров А.И. Эпитаксиальный рост гексагональной модификации кремния на сапфире // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX международного симпозиума (Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.) в 2-х томах. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015.- Т. 2.- 359 с. 2015. С. 613-614.

Юрасов Д.В., Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Данильцев В.М., Малехонова Н.В., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А. Релаксированные Ge-слои на Si (001) и их легирование донорными примесями // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX международного симпозиума (Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.) в 2-х томах. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015.- Т. 2.- 359 с. 2015. С. 721-722.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксия ферромагнитных квазикристаллов MnxGay на поверхности GaAs // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015.. Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН.. 2015. С. 131.

Грачев Д.А., Пирогов А.В., Нежданов А.В., Дудин Ю.А., Павлов Д.А., Ершов А.В. Модификация структурных и люминесцентных свойств многослойных нанопериодичкеских систем Ge/Al2O3 имплантацией ионами кислорода и отжигом // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: программа и материалы 14 Международной научной конференции-школы, Саранск 29 сентября - 2 октября 2015 / редкол.: К.Н. Нищев. Саранск: Издательство Мордовского университета, 232 с. 2015. С. 30.

Грачев Д.А., Ершов А.В., Нежданов А.В., Дудин Ю.А., Павлов Д.А. Подходы к формированию нанокристаллов Ge в диэлектрических матрицах // Сборник трудов 18-ой молодежной научной школы по твердотельной электронике «Микро- и Нанотехника нового поколения», 12 – 13 ноября 2015 Санкт-Петербург.. СПб: Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 179 с.. 2015. С. 25-26.

Публикации в научных журналах

Baidakova N.A., Bobrov A.I., Drozdov M.N., Novikov A.V., Pavlov D.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Krasilynik Z.F. Growth of Light Emitting SiGe Heterostructures on Strained Silicon on Insulator Substrates with a Thin Oxide Layer // Semiconductors. № 8. V. 49. 2015. P. 1104-1110.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I., Sobolev N.A. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion implanted silicon and effect of additional boron ion doping // Physica Status Solidi C. № 1-2. V. 12. 2015. P. 84-88.

Горшков О.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Филатов Д.О. Формирование нанокристаллов Au4Zr в стабилизированном диоксиде циркония в процессе имплантации ионов золота // Письма в ЖТФ. № 41. Т. 11. 2015. С. 62-70.

Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Некоркин С.М., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb // ФТП. № 1. Т. 49. 2015. С. 11-14.

Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И., Павлов Д.А., Сайед С. Применение кобальта в спиновых светоизлучающих диодах Шоттки с квантовыми ямами InGaAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 7. 2015. С. 57-60.

Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I., Pavlov D.A., S. Saeid Application of Cobalt in Spin Light-Emitting Schottky Diodes with InGaAs/GaAs Quantum Wells // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron, and Neutron Techniques. № 4. V. 9. 2015. P. 706-709.

Gorshkov O.N., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Antonov I.N., Bobrov A.I., Filatov D.O. Formation of Au4Zr Nanocrystals in Yttria Stabilized Zirconia in the Course of Implantation of Gold Ions // Technical Physics Letters. № 6. V. 41. 2015. P. 543-546.

Dikareva N.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Pirogov A.V. Effect of thermal annealing on the emission properties of heterostructures containing a quantum-confined GaAsSb layer // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 9-12.

Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Бобров А.И., Вихрова О.В., Волкова Е.И., Малехонова Н.В., Сорокин Д.С. Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 3-5.

Pavlov D.A., Baidus N.V., Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Volkova E.I., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Sorokin D.S. Distribution of Elastic Strains Appearing in Gallium Arsenide as a Result of Doping with Isovalent Impurities of Phosphorus and Indium // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 1-3.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Байдусь Н.В. Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 58-62.

Khazanova S.V., Degtyarev V.E., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Baidus N.V. Khazanova S.V., Degtyarev V.E., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Baidus N.V. Influence of the technological parameters of growth on the characteristics of double tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 55-59.

Павлов Д.А., Пирогов А.В., Кривулин Н.О., Бобров А.И. Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 98-101.

Pavlov D.A., Pirogov A.V., Krivulin N.O., Bobrov A.I. Epitaxial growth of hexagonal silicon polytypes on sapphire // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 95-98.

Романова Ю.Ю., Додин Е.П., Ноздрин Ю.Н., Бирюков А.А., Байдусь Н.В., Павлов Д.А., Малехонова Н.В. Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 122-127.

Romanova Yu.Yu., Dodin E.P., Nozdrin Yu.N., Biryukov A.A., Baidusy N.V., Pavlov D.A., Malekhonova N.V. Structural, optical, and current investigations of superlattices with a complex AlGaAs-based unit cell // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 118-123.

Кривулин Н.О., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Бобров А.И. Исследование кристаллической структуры наноостровков кремния на сапфире // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 49. 2015. С. 160-162.

Krivulin N.O., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Study of the crystal structure of silicon nanoislands on sapphire // Semiconductors. № 2. V. 49. 2015. P. 154-156.

Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках «напряженный кремний-на-изоляторе» с тонким слоем окисла // Физика и техника полупроводников. № 8. Т. 49. 2015. С. 11129-1135.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor // Materials Science and Engineering B. № 4. V. 194. 2015. P. 48-54.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I. Distribution of D1 Dislocation Luminescence Centers in Si+-Implanted Silicon and the Photoluminescence Model // Modern Electronic Materials. № 2. V. 1. 2015. P. 33-37.

Sergeev V.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Guseinov D.V., Nezhdanov A.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Ion-beam synthesis of GaN in silicon // Journal of Physics: Conference Series. № 643. V. 1. 2015. P. 012082.

Pavlov D.A., Baidus N.V., Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Volkova E.I., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Sorokin D.S. Distribution of Elas-tic Strains Appearing in Gallium Arsenide as a Result of Doping with Isovalent Impurities of Phosphorus and Indium // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 1-3.

Юрасов Д.В., Бобров А.И., Новиков А.В., Данильцев В.М., Павлов Д.А., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Юнин П.А. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных Ge/Si(001) слоев, полученных методом МПЭ // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1463-1468.

Yurasov D.V., Bobrov A.I., Daniltsev V.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Yunin P.A. Impact of Growth and Annealing Conditions on the Parameters of Ge/Si(001) Relaxed Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1415-1420.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А. Распределение центров дислокационной люминесценции D1 в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+, и модель фотолюминесценции // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015. [принято к печати]

2014

Труды (тезисы) конференции

Гусейнов Д.В., Горшков А.П., Денисов С.А., Иванова М.М., Волкова Н.С., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Алябина Н.А., Трушин В.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотодетекторы на базе гетероэпитаксиальных слоёв Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 684-685.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоёв MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Том 1. 2014. С. 135-136.

Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И., Павлов Д.А., Сайед С. Влияние металлической пленки кобальта на структуру и свойства светоизлучающего диода с квантовыми ямами InGaAs/GaAs // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Том 1. 2014. С. 146-147.

Павлов Д.А., Бобров А.И., Новиков А.В., Сорокин Д.С., Малехонова Н.В., Пирогов А.В. Исследование механизма вертикальной связи в массивах самоформирующихся Ge(Si)-наноостровков // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 406-407.

Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Бобров А.И., Вихрова О.В., Волкова Е.И., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Сорокин Д.С. Исследование поперечного среза гетероструктур с квантовыми точками InGaAs/GaAs и фосфидными слоями GaAsP // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 419-420.

Грачев Д.А., Ершов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Влияние условий отжига и материала диэлектрика на оптические и структурные свойства многослойных наноструктур Ge/SiO2 (Al2O3 или HfO2) // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 436-437.

Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Некоркин С.М., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 452-453.

Кривулин Н.О., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Бобров А.И. Исследование кристаллической структуры наноостровков кремния на сапфире // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 505-506.

Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Коблов Э.А., Сорокин Д.С. Структура и электрофизические свойства сверхреше-ток AlGaAs/GaAs, выращенных с различным временем прерывания эпитаксиального роста // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 536-537.

Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Бобров А.И., Пирогов А.В. Формирование ориентированной гексагональной фазы кремния // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 593-594.

Романова Ю.Ю., Додин Е.П., Ноздрин Ю.Н., Бирюков А.А., Байдусь Н.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Малехонова Н.В. Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с.. 2014. С. 607-608.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Дегтярев В.Е., Павлов Д.А., Малехонова Н.В. Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 660-661.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Effect of boron ion doping on dislocation-related luminescence in silicon // Abstracts of E-MRS 2014 Spring Meeting. Lille, France, 26-30 May, 2014.. 2014. P. 1-35.

Коряжкина М.Н., Тихов С.В., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Шенина М.Е. Нелинейный характеристики конденсаторов на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота // Третья школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов (Н. Новгород, 15-17 мая 2014). Конспекты лекций и тезисы докладов. Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского. - 175 с. 2014. С. 135-136.

Павлов Д.А., Волкова Е.И., Малехонова Н.В., Сорокин Д.С., Байдусь Н.В. ВРПЭМ исследования гетероструктур с квантовыми точками InGaAs/GaAs и фосфидными слоями GaAsP // XXV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2014.- Тез. докл.- Черноголовка, Россия, 2 - 6 июня 2014 г. ИПТМ РАН, Т. 1. 2014. С. 34-35.

Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Бобров А.И., Коблов Э.А. Определение оптимальных параметров роста сверхрешеток AlGaAs/GaAs с помощью ВРПЭМ исследований // XXV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2014.- Тез. докл.- Черноголовка, Россия, 2 - 6 июня 2014 г. ИПТМ РАН, Т. 1. 2014. С. 36-37.

Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Бобров А.И., Пирогов А.В. Формирование ориентированной гексагональной фазы кремния // XXV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2014.- Тез. докл.- Черноголовка, Россия, 2 - 6 июня 2014 г. ИПТМ РАН, Т. 1. 2014. С. 38-39.

Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Бобров А.И., Пирогов А.В. Определение деформаций в островках кремния на сапфире методом нанодифракции // XXV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2014.- Тез. докл.- Черноголовка, Россия, 2 - 6 июня 2014 г. ИПТМ РАН, Т. 1. 2014. С. 40-41.

Павлов Д.А., Бобров А.И., Сорокин Д.С., Малехонова Н.В., Пирогов А.В. Исследование вертикальной связи в массивах Ge(Si) наноостровков // XXV Российская конференция по электронной мик-роскопии РКЭМ-2014.- Тез. докл.- Черноголовка, Россия, 2 - 6 ию-ня 2014 г. ИПТМ РАН, Т. 1. 2014. С. 128-129.

Павлов Д.А., Пирогов А.В., Бобров А.И., Малехонова Н.В. Нанокристаллы в челябинском метеорите //.- С.528-529. // XXV Российская конферен-ция по электронной микроскопии РКЭМ-2014.- Тез. докл.- Черно-головка, Россия, 2 - 6 июня 2014 г. ИПТМ РАН, Т. 2. 2014. С. 528-529.

Грачев Д.А., Карабанова И.А., Ершов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Нанокристаллы Si и Ge в широкозонных диэлектрических матрицах, полученных высокотемпературным отжигом многослойных нанопериодических структур // Кремний – 2014 / Тезисы докладов X Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (Иркутск, 7–12 июля 2014 г.). Иркутск: Изд-во Института географии им. В.Б. Сочавы СО РАН, 229 с.. 2014. С. 119.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxy of MnGa ferromagnetic films on GaAs (100) for spintronic applications // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 253.

Грачев Д.А., Ершов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Нанокристаллы Ge в матрицах SiO2 и Al2O3, полученные высокотемпературным отжигом: люминесценция и структурные свойства // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: сб. тр. 13-й Меж-дунар. науч. конф.-шк., Саранск, 7–10 окт. 2014 г. Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 180 с. 2014. С. 42.

Грачев Д.А., Пирогов А.В., Нежданов А.В., Павлов Д.А., Ершов А.В. Формирование и свойства вертикально упорядоченных ансамблей нанокристаллов Ge в матрицах Al2O3, HfO2 и SiO2 // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: тезисы докладов V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 27–31 октября 2014 г.). Нижний Новгород: ННГУ. 142 с. 2014. С. 123-124.

Павлов Д.А., Пирогов А.В., Куклина Я.В. Определение объемной доли гексагональной фазы кремния методом высокоразрешающей ПЭМ //2014. С. 92. // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: сб. тр. 13-й Междунар. науч. конф.-шк., Саранск, 7–10 окт. 2014 г.. Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 180 с. 2014. С. 92.

Волкова Е.И., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Бобров А.И., Сорокин Д.С., Байдусь Н.В. Исследование гетероструктур на основе арсенида галлия, легированного изовалентными примесями индия и фосфора, методом ВРПЭМ // Материалы нано-, микро-, опто-электроники и волоконной оптики: физические свойства и приме-нение: сб. тр. 13-й Меж-дунар. науч. конф.-шк., Саранск, 7–10 окт. 2014 г.. Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 180 с. 2014. С. 93.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Распределение структурных нарушений и центров дислокационной фотолюминесценции в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+ // Кремний – 2014 /Тезисы докладов X Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (Иркутск, 7–12 июля 2014 г.). Иркутск: Изд-во Института географии им. В.Б. Сочавы СО РАН, 229 с. 2014. С. 156.

Грачев Д.А., Пирогов А.В., Ершов А.В., Павлов Д.А. Структурные исследования ансамблей нанокристаллов Ge и Si в матрицах SiO2, Al2O3, ZrO2, полученных высокотемпературным отжигом многослойных нанопериодических структур // XXXIII Научные чтения имени академика Н.В. Белова: Тезисы докладов конференции. Нижний Новгород, ННГУ им. Лобачевского, 144 с. 2014. С. 78.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Белов А.И., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Бобров А.И., Павлов Д.А. Теоретическое исследование пространственного распределения центров дислокационной люминесценции с учетом кинетики их формирования и влияния упругих напряжений в атмосферах дислокаций // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014. 2014. С. 60.

Горшков О.Н., Шенина М.Е., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Формирование металлических наночастиц различного состава в стабилизированном диоксиде циркония, облученного ионами Au // Тезисы докладов V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" 27-31 октября 2014 года, Н.Новгород. Н.Новгород: ННГУ, 2014 - 142 с.. 2014. С. 63.

Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Тихов С.В., Шенина М.Е. Формирование наночастиц золота в плёнках стабилизированного диоксида циркония // Тезисы докладов V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" (Н. Новгород, 27-31 октября 2014 года). Н.Новгород: ННГУ, 2014 - 142 с.. 2014. С. 121-122.

Монографии

Filatov D.O., Antonov D.A., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Trushin V.N., Antonov I.N., Shenina M.E. Atomic force microscopy. Principles, modes of operation and limitations. New York: NOVA Science Publishers Inc. , p.372. 2014.

Публикации в научных журналах

Тихов С.В., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н., Шенина М.Е. Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота // Письма в Журнал технической физики. № 9. Т. 40. 2014. С. 9-16.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si+ // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 48. 2014. С. 212-216.

Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Vasilyev V.K., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Shek E.I. Effect of Ion Doping on the Dislocation Related Photoluminescence in Si+ Implanted Silicon // Semiconductors. № 2. V. 48. 2014. P. 199-203.

Ершов А.В., Павлов Д.А., Грачев Д.А., Бобров А.И., Карабанова И.А., Чугров И.А., Тетельбаум Д.И. Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiOx /ZrO2, содержащей нанокластеры кремния // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 48. 2014. С. 44-48.

Ershov A.V., Pavlov D.A., Grachev D.A., Bobrov A.I., Karabanova I.A., Chugrov I.A., Tetelybaum D.I. Annealing Induced Evolution of the Structural and Morphological Properties of a Multilayer Nanoperiodic SiOx/ZrO2 System Containing Si Nanoclusters // Semiconductors. № 1. V. 48. 2014. P. 42-45.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Физика твердого тела. № 3. Т. 56. 2014. С. 607-610.

Demidov E.S., Karzanova M.V., Mikhailov A.N., Tetelybaum D.I., Belov A.I., Korolev D.S., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Gorshkov O.N., Demidova N.E., Chigirinskii Yu.I. Effect of Ion Irradiation on the Structure and Luminescence Characteristics of Porous Silicon Im-pregnated with Tungsten–Telluride Glass Doped by Er and Yb Impurities // Physics of the Solid State. № 3. V. 56. 2014. P. 631-634.

Pavlov D.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pirogov A.V., Nezhdanov A.V. Self-assembled nanocrystals discovered in Chelyabinsk meteorite // Scientific Reports. № 4280. V. 4. 2014. P. 1-6.

Gerasimenko N.N., Mikhailov A.N., Kozlovskii V.V., Zaporozhan O.A., Medetov N.A., Smirnov D.I., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Structure and Luminescence of Silicon Irradiated by Protons // Inorganic Materials: Applied Research. № 2. V. 5. 2014. P. 133-137.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Antonov I.N., Bobrov A.I., Kasatkin A.P., Koryazhkina M.N., Shenina M.E. Capacitors with Nonlinear Characteristics Based on Stabilized Zirconia with Built_in Gold Nanoparticles // Technical Physics Letters. № 5. V. 40. 2014. P. 369-371.

Belyakov V.A., Sidorenko K.V., Konakov A.A., Ershov A.V., Chugrov I.A., Grachev D.A., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Burdov V.A. Quenching the photoluminescence from Si nanocrystals of smaller sizes in dense ensembles due to migration processes // Journal of Luminescence. № 1. V. 155. 2014. P. 1-6.

Kudrin A.V., Shvetsov A.V., Danilov Yu.A., Timopheev A.A., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Sobolev N.A. Anomalous Hall effect in two-phase semiconductor structures: The role of ferromagnetic inclusions // Phys. Rev. B. № 02. V. 90. 2014. P. 024415, 1-7.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией // Физика твердого тела. № 10. Т. 56. 2014. С. 2062-2065.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxial Growth of MnGa/GaAs Layers for Diodes with Spin Injection // Physics of the Solid State. № 10. V. 56. 2014. P. 2131-2134.

Pavlov D.A., Bobrov A.I., Novikov A.V., Sorokin D.S., Malekhonova N.V., Pirogov A.V., Nikolichev D.E., Boryakov A.V. Investigation of deformations and strain fields in silicon matrix structures embedded with vertically stacked Ge(Si) self-assembled islands // Appl. Phys. Lett.. № 161910. V. 105. 2014. P. 1-5.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I., Sobolev N.A. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion im-planted silicon and effect of additional boron ion doping // Phys. Stat. Sol. (c). № 11-12. V. 11. 2014. P. 1-5.

Грачев Д.А., Ершов А.В., Суровегина Е.А., Нежданов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Оптические и структурные свойства отожженных многослойных нанопериодических систем Ge/SiO2, содержащих нанокристаллы германия // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1 (2). 2014. С. 59-63.

Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Малехонова Н.В., Шенина М.Е. Влияние ионного распыления на формирование наночастиц золота методом ионной имплантации в плёнках стабилизированного диоксида циркония // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1(2). 2014. С. 80-83.

2013

Труды (тезисы) конференции

Ким Е.Л., Демидов Е.С., Карзанов В.В., Планкина С.М., Павлов Д.А. Формирование образовательных программ на основе самостоятельно устанавливаемых образовательных стандартов // Тезисы докладов всероссийской конференции “Новые педагогические технологии: содержание, управление, методика”, Нижний Новгород, 26-28 марта 2013 г.. ННГУ: Нижний Новгород, 2013, 1 стр.. 2013. С. 197-198.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И. Влияние облучения ионами Ar+, Ne+ и P+ пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb, на его люминесцентные свойства // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 427-428.

Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Karzanova M.V., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Bobrov A.I., Chugrov I.A., Ershov A.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Demidov E.S. Ion-beam engineering of silicon-based nanomaterials // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП 2013)». Ярославль, 22-26 августа, 2013, Т.2. 2013. P. 31-36.

Костюк А.Б., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Степанов А.Л. Влияние ионного облучения на структуру и оптические свойства нанокластеров Au в диэлектрических матрице // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2013)». Ярославль, 22-26 августа. 2013. С. 300-303.

Беляков В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А., Бурдов В.А., Ершов А.В., Чугров И.А., Грачев Д.А., Павлов Д.А., Бобров А.И. Фотолюминесценция и миграционные эффекты в плотных массивах нанокристаллов кремния, сформированных в многослойных нанопериодических структурах SiOx/SiO2 // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVII Международного симпозиума, 11-15 марта 2013 г., Нижний Новгород. Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 2. 2013. С. 380-381.

Антонов И.Н., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Шенина М.Е., Бобров А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н. Исследование тонких плёнок стабилизированного диоксида циркония с нанокристаллами золота, сформированными методом отжига островковых металлических плёнок // Форум молодых учёных. Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, 317 с.. 2013. С. 91-93.

Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бобров А.И. Распыление стабилизированного диоксида циркония при имплантации ионов золота в условиях формирования наночастиц // Форум молодых учёных. Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, 317 с.. 2013. С. 157-159.

Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Бобров А.И., Волкова Е.И. Структурный анализ сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs методом высоко разрешающей просвечивающей электронной микроскопии // Труды XVII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 519-520.

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Шиляев П.А. Модель роста наноостровков кремния на сапфире // Труды XVII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 479.

Бобров А.И., Павлов Д.А., Пирогов А.В. Влияние температуры роста на плотность дефектов в структуре массивов Ge(Si) самоформирующихся наноостровков // Труды XVII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 372-373.

Павлов Д.А., Шиляев П.А., Кривулин Н.О., Бобров А.И., Пирогов А.В. Анализ закономерностей начальных стадий молекулярно-лучевой гетероэпитаксии кремния на сапфире // Труды XVII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 554-555.

Романова Ю.Ю., Додин Е.П., Ноздрин Ю.Н., Бирюков А.А., Байдусь Н.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Малехонова Н.В. Исследование полупроводниковых сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой // Труды XVII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 567-568.

Ershov A.V., Grachev D.A., Malekhonova N.V., Pavlov D.A. Structural and Optical Properties of Si and Ge Nanocrystal Arrays in Oxide Matrices Prepared by Annealing of Multilayer Structures // Materials of XIV Int. Conf. “Physics and technology of thin films and nanosystems”, 20–25 May, 2013. Ivano-Frankivsk, Ukraine. 2013. P. 376.

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Бобров А.И. Формирование бездефектных наноразмерных островков кремния на сапфире // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XI РКФП), 16-20 сентября 2013. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2013. С. 179.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. Релаксированные слои твердого раствора Si1-XGeX (x=0,25–0,4) с низкой плотностью дислокаций, выращенные на Si(100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с газовым источником германия // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XI РКФП), 16-20 сентября 2013. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2013. С. 224.

Грачев Д.А., Ершов А.В., Малехонова Н.В., Павлов Д.А. Оптические и структурные свойства массивов нанокристаллов кремния и германия, сформированных отжигом многослойных нанопериоди-ческих структур // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XI РКФП), 16-20 сентября 2013. Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2013. С. 228.

Грачев Д.А., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Ершов А.В. Оптические и структурные свойства нанокристаллов Si и Ge в диэлектрических матрицах, сформированных путем отжига многослойных нанопериодических систем // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, T. 1.. 2013. С. 129-130.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Карзанова М.В., Бобров А.И., Ершов А.В., Павлов Д.А., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Закономерности ионно-лучевой обработки наноматериалов на основе кремния // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, T. 1.. 2013. С. 166-168.

Костюк А.Б., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения и последующего отжига на оптические и структурные свойства массива нанокристаллов Au в SiO2 // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н. И. Лобачевского, T. 1.. 2013. С. 170-172.

Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Дегтярев В.Е., Байдусь Н.В. Исследование распределения примеси в поперечном срезе гетеронаноструктур типа АIIIВV // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, T. 1. 2013. С. 184-186.

Пирогов А.В., Павлов Д.А., Гребенев И.В., Бобров А.И., Малехонова Н.В. Нанокристаллы в челябинском метеорите // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, T. 1. 2013. С. 201-202.

Пирогов А.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Шиляев П.А., Кривулин Н.О. Структурная модификация кремния на сапфире // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, T. 1. 2013. С. 203-205.

Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного легирования на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение»: сборник трудов 12-й Международной конференции-школы. Саранск, 1-4 октября 2013 г.. 2013. С. 28.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Ershov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Ion Beam Modification of Silicon-Based Nanomaterials Demonstrating Dislocation-Related Luminescence or Resistive Switching Phenomenon // Abstracts of 11th European Conference on Accelerators in Applied Research and Technology (ECAART-11). Namur, BELGIUM, September 8-13, 2013. 2013. P. 128.

Сайед С., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А. Исследование структуры и свойств гетеронанокомпозиций Co/GaAs // Труды всероссийской молодежной школы-семинара «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 21-25 октября 2013 г.. Рязань. 2013. С. 104-108.

Публикации в научных журналах

Ершов А.В., Чугров И.А., Тетельбаум Д.И., Машин А.И., Павлов Д.А., Нежданов А.В., Бобров А.И., Грачев Д.А. Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO2 // Физика и техника полупроводников. № 4. Т. 47. 2013. С. 460-465.

Korolev D.S., Kostyuk A.B., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Dudin Yu.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Influence of the Ion Synthesis and Ion Doping Regimes on the Effect of Sensitization of Erbium Emission by Silicon Nanoclusters in Silicon Dioxide Films // Physics of the Solid State. № 11. V. 55. 2013. P. 2361-2367.

Павлов Д.А., Шиляев П.А., Пирогов А.В., Кривулин Н.О., Бобров А.И., Пегасина М.Д. Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 47. 2013. С. 854-858.

Бобров А.И., Горшков А.В., Гребенев И.В., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Пирогов А.В. Челябинский метеорит: нанокристаллы из космоса? // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 3(1). 2013. С. 36-38.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Михайлов А.Н., Дудин Ю.А., Бобров А.И., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния // Физика твердого тела. № 11. Т. 55. 2013. С. 2243-2249.

Ershov A.V., Chugrov I.A., Tetelbaum D.I., Mashin A.I., Pavlov D.A., Nezhdanov A.V., Bobrov A.I., Grachev D.A. Thermal evolution of the morphology, structure, and optical properties of multilayer nanoperiodic systems produced by the vacuum evaporation of SiO and SiO2 // Semiconductors. № 4. V. 47. 2013. P. 481-486.

Герасименко Н.Н., Михайлов А.Н., Козловский В.В., Запорожан О.А., Медетов Н.А., Смирнов Д.И., Павлов Д.А., Бобров А.И. Структура и люминесценция кремния, облученного протонами // Перспективные материалы. № 8. 2013. С. 18-23.

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Шиляев П.А. Модель роста наноостровков кремния на сапфире // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 47. 2013. С. 1621-1623.

Грачев Д.А., Бобров А.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Павлов Д.А. Массивы нанокристаллов кремния в матрице SiO2: структура и люминесцентные свойства // Научно-технические ведомости СПбГПУ. № 2. Т. 171. 2013. С. 231-237.

Tikhov S.V., Pavlov D.A., Krivulin N.O. A Method for Determining the State of the Silicon–Sapphire Boundary in Thin Silicon-on-Sapphire Layers // Russian Microelectronics. № 8. V. 42. 2013. P. 529-531.

Krivulin N.O., Pavlov D.A., Shilyaev P.A. Growth Model of Silicon Nanoislands on Sapphire // Semiconductors. № 12. V. 47. 2013. P. 1595-1597.

Pavlov D.A., Shilyaev P.A., Pirogov A.V., Krivulin N.O., Bobrov A.I., Pegasina M.D. Analysis of the growth dependences of silicon-on-sapphire heteroepitaxy // Semiconductors. № 6. V. 47. 2013. P. 865-869.

2012

Труды (тезисы) конференции

Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Бобров А.И., Байдусь Н.В., Смотрин Д.С. Исследование поперечного среза периодических структур GaAs/InGaAs с туннельносвязанными квантовыми ямами // XXIV Российская конференция по электронной микроско-пии РКЭМ-2012: Тез. докл.. 29 мая – 1 июня 2012 г., Черноголовка, Россия. 2012. С. 48.

Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Питиримова Е.А., Бузынин Ю.Н. Низкотемпературный эпитаксиальный рост толстых слоев Ge на Si(100) // Тезисы докладов IX-ой Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2012». Санкт-Петербург, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, 9-13 июля 2012 г. 2012. С. 286.

Тетельбаум Д.И., Костюк А.Б., Федонин М.П., Гусейнов Д.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Структурные аспекты ионно-лучевой модификации ансамбля наночастиц золота в оксидных матрицах // Труды XVI Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 12–16 марта 2012, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ, Т. 2. 2012. С. 402-403.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Дудин Ю.А., Павлов Д.А., Бобров А.И. Особенности формирования нанокластеров золота в матрице SiO2 // Тезисы докладов XXIV Российской конференции по электронной микроскопии. Черноголовка, 29 мая – 1 июня, 2012. 2012. С. 42-43.

Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Дудин А.Ю., Бобров А.И., Касаткин А.П., Сидоренко К.В. Исследование процесса формирования наноразмерных частиц золота в тонких плёнках диоксида германия методом ионной имплантации. // Тезисы IV Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Новосибирск.123с.. 2012. С. 103.

Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Дудин А.Ю., Бобров А.И., Касаткин А.П. Особенности формирования металлических наночастиц в матрице ZrO2(Y) методом ионной имплантации // Тезисы IV Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Новосибирск. 123 с.. 2012. С. 65.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Особенности ионно-лучевого воздействия на структуру слоев оксидов кремния и алюминия, содержащих нанокластеры Au // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 39.

Ершов А.В., Чугров И.А., Грачев Д.А., Бобров А.И., Павлов Д.А. Структурная морфология и оптические свойства системы вертикально упорядоченных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния // Труды XVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 12-16 марта 2012, Нижний Новгород.. Н. Новгород. Т. 1. 2012. С. 251-252.

Ершов А.В., Чугров И.А., Грачев Д.А., Бобров А.И., Павлов Д.А. Структурные и оптические свойства массивов кремниевых нанокристаллов в широкозонной матрице оксидов кремния, алюминия и циркония // Сб. трудов VIII Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 2-5 июля 2012. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2012. 2012. С. 130.

Ершов А.В., Чугров И.А., Павлов Д.А., Грачев Д.А., Бобров А.И. Структурные и оптические свойства систем с нанокристаллами кремния в оксиде, полученных отжигом нанопериодических структур SiO/SiO2 и SiO/Al2O3 // Кн. тезисов IX Междун. конф. и VIII Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе «Кремний-2012», Санкт-Петербург, СПб академический университет – НОЦ нанотехнологии РАН, 09-13 июля 2012. СПб.. 2012. С. 223.

Грачев Д.А., Бобров А.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Павлов Д.А. Специфичность строения систем с нанокристаллами Si в оксидной матрице, синтезированных отжигом многослойных структур a-SiOx/Al2O3 и a-SiOx/ZrO2 // Тез. докл. 14-й Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, С.-Петербург, 26-30 нояб. 2012. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та. 2012. С. 66.

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Шиляев П.А., Бобров А.И., Пегасина М.Д. Исследование гетероганицы в структуре кремний на сапфи-ре методом просвечивающей электронной микроскопии // Труды XVI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 12–16 марта 2012, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.1. 2012. С. 282.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Дегтярев В.Е., Смотрин Д.С. Исследование реального энергетического спектра туннельно-связанных квантовых ям InGaAs/GaAs структурными и фотоэлектрическими методами // Труды XVI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 12–16 марта 2012, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2012. С. 415-416.

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Шиляев П.А., Бобров А.И., Пегасина М.Д. Исследование начальных стадий эпитаксиального роста кремния на сапфире методом ПЭМ // XXIV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2012: Тез. докл.. 29 мая – 1 июня 2012 г., Черноголовка, Россия,. 2012. С. 29.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б. Особенности формирования нанокластеров золота в матрице SiO2 // XXIV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2012: Тез. докл.. 29 мая – 1 июня 2012 г., Черноголовка, Россия. 2012. С. 42-43.

Павлов Д.А., Бобров А.И., Красильник З.Ф., Новиков А.В., Лобанов Д.Н. Гетероструктуры с Ge(Si) самоформирующимися нано-островками на Si/Si(001): исследование структуры и элементного состава методами просвечивающей электронной микроскопии // XXIV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2012: Тез. докл.. 29 мая – 1 июня 2012 г., Черноголовка, Россия. 2012. С. 47.

Публикации в научных журналах

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Николичев Д.Е., Боряков А.В. Влияние ионного облучения на морфологию, структуру и оптические свойства наночастиц золота, синтезированных в диэлектрических матрицах SiO2 и Al2O3 // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 8. 2012. С. 58-64.

Горшков О.Н., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Бобров А.И., Маркелов А.С., Дудин А.Ю., Касаткин А.П. Особенности формирования нанокристаллов золота в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации. // Письма в журнал технической физики. № 4. Т. 38. 2012. С. 60-65.

Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Trushin V.N., Antonov I.N., Shenina M.E., Bobrov A.I., Markelov A.S., Dudin A.Yu., Kasatkin A.P. Peculiarities in the Formation of Gold Nanoparticles by Ion Implantation in Stabilized Zirconia // Technical Physics Letters. № 2. V. 38. 2012. P. 185-187.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Дегтярев В.Е., Смотрин Д.С., Бобров А.И. Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1510-1514.

Павлов Д.А., Шиляев П.А., Коротков Е.В., Кривулин Н.О., Бобров А.И. Исследование КНС-структур методами просвечивающей электронной микроскопии // Известия РАН. Серия физическая. № 9. Т. 76. 2012. С. 1115-1117.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Fedonin M.P., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Nikolitchev D.E., Boryakov A.V. Influence of Ion Irradiation on the Morphology, Structure, and Optical Properties of Gold Nanoparticles Synthesized in SiO2 and Al2O3 Dielectric Matrices // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 4. V. 6. 2012. P. 681-687.

Khazanova S.V., Baidusy N.V., Zvonkov B.N., Pavlov D.A., Malekhonova N.V., Smotrin D.S., Bobrov A.I. Khazanova S. V., Baidus N. V., Zvonkov B. N., Pavlov D.A., Malekhonova N.V., Smotrin D.S., Bobrov A.I. Tunnel-coupled In-GaAs/GaAs quantum wells: Structure, composition, and energy spectrum // Semiconductors. № 12. V. 46. 2012. P. 1476-1480.

Pavlov D.A., Shilyaev P.A., Korotkov E.V., Krivulin N.O., Bobrov A.I. Investigation of Silicon-on-Sapphire by Means of TEM // Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. № 9. V. 76. 2012. P. 1002-1004.

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Шиляев П.А., Коротков Е.В., Гладышева В.А., Бобров А.И. Влияние дефектов на механические свойства эпитаксиальных слоев кремния на сапфире // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 3(1). 2012. С. 30-33.

2011

Труды (тезисы) конференции

Тихов С.В., Шенгуров В.Г., Павлов Д.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Тестов В.Г. Фотоэлектрический метод определения химического состава пленок SiGe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // VIII-я Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2011. Москва, НИТУ МИСИС, 5-8 июля. 2011. С. 232.

Горшков О.Н., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Бобров А.И., Маркелов А.С., Дудин А.Ю., Касаткин А.П. Исследование формирования нанокристаллов золота в диоксиде германия и стабилизированном диоксиде циркония оптическими и рентгенодифракционными методами и методом просвечивающей электронной микроскопии // Тезисы докладов XIV Всероссийской конференции и VI Школы молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение»,Н. Новгород, 30 мая – 2 июня. Нижний Новгород. 2011. С. 66.

Ершов А.В., Чугров И.А., Ершов А.А., Бобров А.И., Павлов Д.А., Машин А.И., Тетельбаум Д.И. Особенности фотолюминесценции ионно-легированных многослойных нанопериодических систем nc-Si/high-k-оксид // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 478-479.

Ершов А.В., Павлов Д.А., Машин А.И., Тетельбаум Д.И. Оптические и структурные свойства нанопериодических систем nc-Si\high-h оксид, полученных путем отжига многослойных структур // Тезисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («Кремний 2011»), Москва, 5-8 июля, 2011. 1 стр. 2011. С. 160.

Чугров И.А., Ершов А.А., Ершов А.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. О модификации люминесцентных свойств нанопериодических структур nc-Si/оксид при ионно-лучевом легировании // Тезисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («Кремний 2011»), Москва, 5-8 июля, 2011. 1 стр. 2011. С. 179.

Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Байдусь Н.В., Смотрин Д.С. Исследование поперечного среза периодических структур GaAs/InGaAs с тунельносвязанными квантовыми ямами // XXX научные чтения имени академика Н.В.Белова. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ. 2011. С. 137.

Грачев Д.А., Бобров А.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Павлов Д.А. Массивы нанокристаллов кремния в матрице SiO2: структура и люминесцентные свойства // Тезисы докладов Тринацатой всеросийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. 21-25 ноября 2011 года, СПб.: Изд-во Политехн. ун-та. 2011. С. 79.

Павлов Д.А., Коротков Е.В., Шиляев П.А., Кривулин Н.О., Гладышева В.А., Бобров А.И. Влияние условий молекулярно-лучевого осаждения на механические свойства слоѐв кремния на сапфире // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 14–18 марта, 2011.- Н. Новгород: Изд-во ИПМ РАН, - Т.2.- С. 562-563.. 2011. С. 562-563.

Публикации в научных журналах

Тихов С.В., Павлов Д.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Тестов В.Г. Адмиттанс диодных структур, полученных на основе тонких слоев кремния на сапфире методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. № 5. 2011. С. 37-41.

Тихов С.В., Павлов Д.А., Кривулин Н.О. Способ определения состояния поверхности раздела кремний—сапфир в тонких слоях кремний–на–сапфире. // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники.. № 4. 2011. С. 1-5.

Павлов Д.А., Шиляев П.А., Коротков Е.В., Пирогов А.В. Анализ морфологии трехмерных островков, формирующихся на начальных стадиях гетероэпитаксии кремния на сапфире // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1. 2011. С. 41-46.

Патенты, авторские свидетельства

2019

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Коряжкина М.Н. Оксидный мемристор с концентраторами электрического поля (Патент).

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н. Способ изготовления мемристора с наноконцентраторами электрического поля (Патент).

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Никольская А.А., Васильев В.К., Михайлов А.Н. Способ формирования гексагональной фазы кремния (Патент).

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Никольская А.А., Васильев В.К., Михайлов А.Н. Способ формирования гексагональной фазы кремния путем имплантации ионов криптона в пленку оксида кремния на пластине монокристаллического кремния (Патент).

2018

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Коряжкина М.Н. Оксидный мемристор с концентраторами электрического поля (Патент).

Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Резистивный испарительный блок для вакуумной эпитаксии кремний-германиевых гетероструктур (Патент).

Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Графитовый резистивный испаритель для вакуумной эпитаксии кремний-германиевых структур (Патент).

Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Резистивный испаритель для вакуумной эпитаксии кремний-германиевых структур (Патент).

2016

Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Графитовый испаритель для вакуумной эпитаксии кремния (Патент).

2015

Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Способ формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме (Патент).

Павлов Дмитрий Алексеевич
Контакты

462-33-06

Нижний Новгород, пр-кт. Гагарина 23, корп. 3, комн. 334

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского