Никольская Алена Андреевна

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория физики и технологии тонких пленок

младший научный сотрудник

Ученая степень
нет
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 5 лет, 5 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
магистр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.

Высшее образование
бакалавр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: бакалавр.

Награды

(приказ № Постановле от 23.03.2018, НС "Интеграция")

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2021

Труды (тезисы) конференции

Тетельбаум Д.И., Никольская А.А., Королев Д.С., Алмаев А.В., Чигиринский Ю.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Нежданов А.В., Трушин В.Н., Николичев Д.Е., Giulian R., Kumar M. Синтез и модификация наноструктур на основе оксида галлия методами ионной имплантации и магнетронного осаждения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 360.

Публикации в научных журналах

Tetelybaum D.I., Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mullagaliev T.D., Belov A.I., Trushin V.N., Dudin Yu.A., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Mikhailov A.N., Plechnikov A., Shcheglov M., Nikolaev V., Gogova D. Ion-beam modification of metastable gallium oxide polymorphs // Materials Letters. V. 302. 2021. P. 130346.

Sidorenko K.V., Korolev D.S., Nikolyskaya A.A., Mikhailov A.N., Chigirinskii Yu.I., Minnullin R.T., Makarov M.E., Sapegin A.A., Barabanenkov M.Yu. Peculiarities of the synthesis of GST films by magnetron sputtering for nonvolatile optical memory cells // Journal of Physics: Conference Series. V. 1695. 2021. P. 012139.

2020

Труды (тезисы) конференции

Никольская А.А., Королев Д.С., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Муртазин Р.И., Павлов Д.А., Мухаматчин К.Р., Марычев М.О., Тетельбаум Д.И. Изучение природы фотолюминесценции при 1235 нм в кремнии при облучении кремния и системы SiO2/Si тяжелыми ионами // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–13 марта 2020 г.). Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 505 с. 2020. С. 683–684.

Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Питиримова Е.А., Чигиринский Ю.И., Тетельбаум Д.И. Состав и топография слоев Ga2O3/Si, выращенных магнетронным распылением // XXVIII Российская конференция по электронной микроскопии «Современные методы электронной, зондовой микроскопии и комплементарных методов исследованиях наноструктур и наноматериалов».. XXVIII Российская конференция по электронной микроскопии «Современные методы электронной, зондовой микроскопии и комплементарных методов исследованиях наноструктур и наноматериалов». г. Черноголовка, 7 – 10 сентября 2020 г. Том 2. 272 с.. 2020. С. 151-152.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Konakov A.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Light-emitting hexagonal 9R-Si phase obtained by Kr+ ion into implan-tation Si and SiO2/Si // 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, Russia, April 26 – 30, 2020. Book of Abstracts. St. Petersburg Academic University, 2020.- 543 pp. 2020. P. 96-97.

Белов А.И., Конаков А.А., Королев Д.С., Марычев М.О., Михайлов А.Н., Муртазин Р.И., Никольская А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Светоизлучающая гексагональная фаза 9R-Si // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: прогр. и материалы 18-й Междунар. науч. конф.-шк. (Саранск, 15-18 сент. 2020 г.). Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2020.- 228 с. 2020. С. 155.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Муртазин Р.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Люминесцентные свойства ионно-синтезированных структур, содержащих фазу 9R-Si // XIII Международная конференция «Кремний - 2020». (Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сент. 2020 г.). Москва: МАКС Пресс, 2020.- 402 с. 2020. С. 199-202.

Никольская А.А., Королев Д.С., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Ионно-лучевой способ формирования светоизлучающих областей гексагональной фазы 9R-Si кремния // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов Всерос. науч. молодежн. конф., 23–27 ноября 2020 г.. СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, - 111 с.. 2020. С. 22.

Публикации в научных журналах

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Konakov A.A., Belov A.I., Marychev M.O., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Photoluminescence of silicon at 1235 nm produced by irradiation of SiO2/Si with Kr+ ions and subsequent high-temperature annealing // Surface and Coatings Technology. V. 386. 2020. P. 125496(1-4).

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Tereshchenko A.N., Pavlenkov V.I., Nagornyh S.N., Belov A.I., Vasiliev V.K., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I. Temperature dependence of dislocation-related photoluminescence (D1) of self-implanted silicon subjected to additional boron implantation // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. V. 472. 2020. P. 32-35.

Rajbhar M.K., Raiamani S., Singh G.H., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Korolev D.S., Nikolyskaya A.A., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelybaum D.I., Kumar M. Gallium nitride nanocrystal formation in Si3N4 matrix by ion synthesis // Bulletin of Materials Science. V. 43. 2020. P. 234.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Konakov A.A., Belov A.I., Marychev M.O., Murtazin R. I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Photoluminescence of silicon at 1235 nm produced by irradiation of SiO2/Si with Kr+ ions and subsequent high-temperature annealing // Surface and Coatings Technology. V. 386. 2020. P. 125496.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Konakov A.A., Mikhailov A.N., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Light-emitting hexagonal 9R-Si phase obtained by implantation of Kr+ ions in Si and SiO2/Si // Journal of Physics: Conference Series. V. 1695. 2020. P. 012031(1-5).

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Konakov A.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Light-emitting hexagonal 9R-Si phase obtained by implantation of Kr+ions in Si and SiO2/Si // Journal of Physics: Conference Series. № Issue 1. V. 1695. 2020. P. Статья № 012031.

Rajbhar M.K., Rajamani S., Singh S.K., Surodin S., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Korolev D.S., Nikolyskaya A.A., Belov A.I., Nezhdanov A.V., Mikhailov A.N., Tetelybaum D.I., Kumar M. Gallium nitride nanocrystal formation in Si3N4 matrix by ion synthesis // Bulletin of Materials Science. № 43. V. 234. 2020. P. 1-9.

2019

Труды (тезисы) конференции

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Кривулин Н.О., Марычев М.О., Мухаматчин К.Р., Елизарова А.А., Конаков А.А., Тетельбаум Д.И., Павлов Д.А. Светоизлучающая 9R фаза кремния, сформированная методом ионной имплантации инертного газа в подложки SiO2/Si // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума. Нижний Новгород, 11-14 марта. 2019. С. 780-781.

Королев Д.С., Терещенко А.Н., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Исследование дислокационной фотолюминесценции в кремнии при вариации параметров ионного синтеза // XLIX Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2019). Тезисы докладов. Москва, 29 - 31 мая. 2019. С. 143.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Муртазин Р.И., Павлов Д.А., Конаков А.А., Мухаматчин К.Р., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональной фазы кремния при ионной имплантации в плёнку SiO2 на Si // XLIX Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2019). Тезисы докладов. Москва, 29 - 31 мая. 2019. С. 9.

Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Tereshchenko A.N., Mikhailov A.N., Belov A.I., Tetelybaum D.I. Towards an efficient light-emitting source based on self-implanted silicon with dislocationrelated luminescence // 6th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Book of abstracts. Saint Petersburg, April 22-25. 2019. P. 374-375.

Тетельбаум Д.И., Туловчиков В.С., Степанов А.В., Курильчик Е.В., Никольская А.А., Шуйский Р.А. Эффект дальнодействия, обусловленный генерацией акустических волн при облучении материалов ионами или светом и распространением волн по границе раздела твердое тело–вода: эксперимент и моделирование // Тезисы докладов Тринадцатого Международного Уральского Семинара «Радиационная физика металлов и сплавов». Кыштым, 24 февраля - 2 марта. 2019. С. 109.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Чигиринский Ю.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Изучение механизмов формирования светоизлучающей гексагональной фазы 9R-Si // Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2019». Материалы докладов. Москва, 8-12 апреля. 2019. С. 918-919.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Antonov A.E., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Mechanism of formation of light-emitting hexagonal phase 9R-Si // 6th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Book of abstracts. Saint Petersburg, April 22-25. 2019. P. 109-110.

Королев Д.С., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., Павлов Д.А., Сушков А.А., Тетельбаум Д.И. Новые ионно-лучевые подходы к формированию кремниевых светоизлучающих наноматериалов // XXIX Международная конференция «Радиационная физика твердого тела». Тезисы докладов. Севастополь, 08 - 13 июля. 2019. С. 140-147.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Pavlov D.A., Sushkov A.A., Konakov A.A., Tetelbaum D.I. Properties of Hexagonal Silicon (9R Phase) Synthesized by Ion Implantation Into SiO2/Si // German-Russian Travelling Seminar “Nanomaterials and Large-Scale Research Centers”. Book of abstracts. Irkutsk – Lake Baikal – Novosibirsk – Moscow, July 30 – August 10. 2019. P. 12.

Korolev D.S., Tereshchenko A.N., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Tetelbaum D.I. Influence of ion implantation and heat treatment regimes on dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon // The 24th International Conference on Ion-Surface Interactions (ISI-2019). Proceedings of the XXIV International Conference. Moscow, August 19-23. 2019. P. 198-201.

Tetelbaum D.I., Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A. Formation of light-emitting layers in Si at ion implantation in SiO2 on Si // 20th International conference on Radiation Effects in Insulators. Book of abstracts. Nur-Sultan (Astana), Kazakhstan, August 19-23. 2019. P. 178.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tereshchenko A.N., Pavlenkov V., Nagornykh S. Ion-beam modification of Si and SiO2/Si structures for the development of light-emitting silicon-based devices // The 21st International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams. Abstract Book. Tomsk, August 25-30. 2019. P. 21.

Королев Д.С., Никольская А.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Эволюция дефектной структуры при ионном синтезе гексагональной фазы кремния // 13-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Материалы докладов. Минск, Беларусь, 30 сентября – 3 октября. 2019. С. -.

Никольская А.А., Королев Д.С., Антонов А.Е., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Исследование природы фотолюминесценции системы SiO2/Si, облученной ионами Kr+ // XXI Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов. Санкт-Петербург, 25-29 ноября. 2019. С. 38.

Публикации в научных журналах

Тетельбаум Д.И., Туловчиков В.С., Мавричева Ю.А., Курильчик Е.В., Никольская А.А., Степанов А.В. Роль границы раздела водная среда--твердое тело в передаче возбуждения кремния светом // Журнал технической физики. № 9. Т. 89. 2019. С. 1427-1433.

Tereshchenko A.N., Korolev D.S., Khorosheva M., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Nikolskaya A.A., Tetelbaum D.I. The Effects of Aluminum Gettering and Thermal Treatments on the Light-Emitting Properties of Dislocation Structures in Self-Implanted Silicon Subjected to Boron Ion Doping // PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. V. 216. 2019. P. 1900323.

Tetelbaum D.I., Tulovchikov V.S., Mavricheva Yu.A., Kurilychik E.V., Nikolskaya A.A., Stepanov A.V. Role of the Solid–Aqueous Medium Interface in Transferring Light-Induced Excitation of Silicon // Technical Physics. № 9. V. 64. 2019. P. 1350-1356.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Mechanism of formation of light-emitting silicon hexagonal phase 9R-Si // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012037.

Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Tereshchenko A.N., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Tetelbaum D.I. Towards an efficient light-emitting source based on self-implanted silicon with dislocation-related luminescence // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012152.

Sharma N.L., Rajamani S., Shengurov V.G., Baidus N.V., Korolev D.S., Nikolyskaya A.A., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Sequential nitrogen ion implantation in Si-based GaAs matrix and subsequent thermal annealing process: electrical characterization // Proceedings of the Indian National Science Academy. № 3. V. 85. 2019. P. 681-687.

2018

Труды (тезисы) конференции

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование включений кремния гексагональной фазы при ионной имплантации в структуру SiO2/Si // Сборник тезисов XXII международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". Типография ННГУ, Н. Новгород, 12-15 марта, Т.2, 390 стр. 2018. С. 717-718.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И. Синтез гексагональной модификации кремния методом ионной имплантации // Сборник тезисов работ участников XII Всероссийской конференции обучающихся «Национальное Достояние России» IV Всероссийского молодежного форума «АПК – МОЛОДЁЖЬ, НАУКА, ИННОВАЦИИ». Издательство общероссийской общественной организации «Интеграция», 966 стр. 2018. С. 752-753.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Formation of hexagonal silicon inclusions in Si-based systems // Book of abstracts. 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Published by St. Petersburg Academic University, Saint Petersburg, April 2-5, 621 стр. 2018. P. 94-95.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И., Нагорных С.Н., Павленков В.И. Температурная зависимость дислокационной фотолюминесценции в ионно-имплантированном кремнии, дополнительно легированном акцепторными примесями // Тезисы докладов XLVIII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: "КДУ", "Университетская книга", Москва, 29-31 мая, 206 стр. 2018. С. 131.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Свойства гексагонального кремния, синтезируемого с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов XLVIII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: "КДУ", "Университетская книга", Москва, 29-31 мая, 206 стр. 2018. С. 155.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С. Исследование свойств гексагональной фазы 9R-Si, полученной с помощью ионной имплантации в системе SiO2/Si // Сборник докладов конференции научной молодежи физического факультета ННГУ. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 11 мая, 29 стр. 2018. С. 20-23.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональных включений кремния в системе SiO2/Si с помощью ионной имплантации // XXIII Нижегородская сессия молодых ученых. Княгинино : НГИЭУ, Нижний Новгород, 22-23 мая, Т.2, 226 стр. 2018. С. 36-37.

Korolev D.S., Tereshchenko A.N., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shteinman E.A., Tetelbaum D.I. Influence of boron implantation and gettering on light-emitting properties of dislocation structures in ion-implanted silicon // E-MRS Spring Meeting 2018. Abstracts, France, Strasbourg. 2018. P. K.P1.31.

Никольская А.А., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А. Синтез и свойства гексагональной модификации 9R-Si, полученной с помощью ионной имплантации // Сборник трудов XIII Всероссийской Научной конференция молодых ученых «Наноэлектроника, Нанофотоника и Нелинейная физика». Издательство "Техно-Декор", Саратов, 4-6 сентября, 404 стр. 2018. С. 209-210.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование свойств гексагонального кремния, полученного с помощью ионной имплантации // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение. Издательство Мордовского университета, Саранск, 18-21 сентября, 224 стр. 2018. С. 182.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Мухаматчин К.Р., Елизарова А.А., Конаков А.А., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Диагностика образования и свойств включений гексагонального кремния, полученных методом ионной имплантации // Труды X Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Типография РГРУ, Рязань, 01-06 октября, Т.2, 176 стр. 2018. С. 147.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Фотолюминесцентная спектроскопия кремния с центрами дислокационной люминесценции, сформированных имплантацией ионов Si+ // Труды X Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Типография РГРУ, Рязань, 01-06 октября, Т.2, 176 стр. 2018. С. 152.

Терещенко А.Н., Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И., Хорошева М.А., Штейнман Э.А. Влияние геттерирования на температурную зависимость дислокационной люминесценции в ионно-имплантированном кремнии // Сборник тезисов XII Международной конференции КРЕМНИЙ-2018. Российская Академия наук, Черноголовка, 22-26 ноября, 130 стр. 2018. С. 31.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование особенностей формирования и люминесцентных свойств гексагональных фаз кремния, синтезированных с применением ионной имплантации // Сборник тезисов XII Международной конференции КРЕМНИЙ-2018. Российская Академия наук, Черноголовка, 22-26 ноября, 130 стр. 2018. С. 87.

Tetelbaum D.I., Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A. Synthesis of hexagonal silicon by ion implantation // XII International Conference on Ion implantation and other applications of ions and electrons. Book of Abstracts, Kazimierz Dolny, Poland, June 18-21, 137 стр. 2018. P. 123.

Никольская А.А., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Мухаматчин К.Р., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Елизарова А.А., Конаков А.А. Структура и оптические свойства гексагональной модификации кремния, полученной методом ионной имплантации // «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов VII Всероссийской конференции (Нижний Новгород, 7-9 ноября 2018 г.). Отпечатано в РИУ Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Н. Новгород, 174 стр.. 2018. С. 28.

Королев Д.С., Терещенко А.Н., Никольская А.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Температурная зависимость дислокационной люминесценции в ионно-имплантированном кремнии, дополнительно облученном ионами бора и подвергнутом внешнему геттерированию // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 32.

Терещенко А.Н., Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Дефектная люминесценция в кремнии, имплантированном ионами кислорода // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 33.

Никольская А.А., Королев Д.С., Сушков А.А., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Изучение светоизлучающей гексагональной фазы 9R-Si // Тезисы докладов XX Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Издательство Политехнического университета, Санкт-Петербург, 26-30 ноября, 128 стр. 2018. С. 121.

Публикации в научных журналах

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Mukhamatchin K.R., Elizarova A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

Rajamani S., Arora K., Konakov A.A., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Surodin S., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Deep UV Narrow-Band Photodetector Based on Ion Beam Synthesized Indium Oxide Quantum Dots in Al2O3 Matrix // Nanotechnology. V. 29. 2018. P. 305603.

Rajamani S., Arora K., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Usov Yu.V., Pavlov D.A., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Enhanced Solar-blind Photodetection Performance of Encapsulated Ga2O3 Nanocrystals in Al2O3 Matrix // IEEE Sensors Journal. № 10. V. 18. 2018. P. 4046-4052.

Tereshchenko A.N., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Nikolskaya A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Shteinman E.A. Effect of Boron Impurity on the Light-Emitting Properties of Dislocation Structures Formed in Silicon by Si+ Ion Implantation // Semiconductors. № 7. V. 52. 2018. P. 843-848.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Formation of hexagonal silicon regions in silicon // Journal of Physics: Conference Series. V. 1124. 2018. P. 022007.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Muhamatchin K.R., Elizarova A.A., Marychev M.O., Konakov A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

2017

Труды (тезисы) конференции

Королев Д.С., Никольская А.А., Белов А.И., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Маркелов А.С., Шушунов А.Н., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Формирование нановключений нитрида галлия при имплантации ионов галлия и азота в кремний и кремний-совместимые диэлектрические пленки // Тезисы докладов, 11 Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы. Москва, 1-3 февраля. 2017. С. 146-147.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Влияние легирования бором на температурную зависимость дислокационной люминесценции в кремнии // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Т.2. Нижний Новгород, 13-16 марта. 2017. С. 625-626.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С. Синтез гексагональной модификации кремния с помощью ионной имплантации // Сборник докладов, конференции научной молодежи физического факультета ННГУ. Нижний Новгород, 11 мая. 2017. С. 80-83.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Дислокационная люминесценция в имплантированном ионами Si+ кремнии с разными типами проводимости и концентрациями легирующей примеси // Тезисы докладов, XLVII Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2017). Москва, 30 мая-1 июня. 2017. С. 124.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Нагорных С.Н., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Механизм влияния температуры на дислокационную фотолюминесценцию ионно-имплантированного кремния // Труды, XXIII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью» (ВИП 2017). Москва, 21-25 августа. 2017. С. 93-96.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Krivulin N.O., Pavlov D.A. Formation of nanocrystalline 9R silicon hexagonal phase under multi-ion implantation into Si and SiO2/Si substrates // Abstracts, Nineteenth Annual Conference YUCOMAT 2017. Herceg Novi, Montenegro, September 4-8. 2017. P. 95.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Синтез гексагональной модификации кремния с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов, III Всероссийский научный форум «Наука будущего – наука молодых». Нижний Новгород, 12-14 сентября. 2017. С. 374-375.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Соболев Н.А., Kumar M. Ионно-лучевой синтез кремния с гексагональной структурой // Материалы докладов, 16-ая Международная научная конференция -школа «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение». Саранск, 19-22 сентября. 2017. С. 24.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональной фазы кремния при ионном облучении // Материалы докладов, 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь, 19-22 сентября. 2017. С. 150-151.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Tetelbaum D.I. Influence of ambient and temperature of annealing on dislocation-related luminescence in silicon // Book of abstracts, III Международная конференция «Актуальные проблемы физики поверхности и наноструктур». Ярославль, 9-11 октября. 2017. P. 46.

Публикации в научных журналах

Королев Д.С., Никольская А.А., Кривулин Н.О., Белов А.И., Михайлов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Соболев Н.А., Kumar M. Формирование гексагональной фазы кремния 9R при ионной имплантации // Письма в Журнал технической физики. № 16. Т. 43. 2017. С. 87-92.

Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Krivulin N.O., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Sobolev N.A., Kumar M. Formation of Hexagonal 9R Silicon Polytype by Ion Implantation // Technical Physics Letters. № 8. V. 43. 2017. P. 767-769.

2016

Труды (тезисы) конференции

Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Формирование нанокластеров в кремнии и оксидных пленках на кремнии, имплантированных Ga и N // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тез. докл. VI Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов, Нижний Новгород, 24–27 окт. 2016 г. Н. Новгород. : Изд-во Нижегорд. госун-та. 2016. 141 с. 2016. С. 62-63.

Курильчик Е.В., Тетельбаум Д.И., Туловчиков В.С., Никольская А.А., Менделева Ю А Распространение и регистрация сигнала, возникающего при облучении, вдоль границы твердое тело–водная среда (объединённый док- лад, // 46 Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (PCI-2016). М.:"КДУ", "Университетская книга", 2016. - 224 с.. 2016. С. 9 стр.

Патенты, авторские свидетельства

2019

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Никольская А.А., Васильев В.К., Михайлов А.Н. Способ формирования гексагональной фазы кремния (Патент).

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Никольская А.А., Васильев В.К., Михайлов А.Н. Способ формирования гексагональной фазы кремния путем имплантации ионов криптона в пленку оксида кремния на пластине монокристаллического кремния (Патент).

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского