Конаков Антон Алексеевич

Место работы

Физический факультет

Кафедра теоретической физики

старший преподаватель

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-исследовательская лаборатория мощных волоконных лазеров и лазерных систем ближнего и среднего ИК диапазонов

младший научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в университете лобачевского: 2009
Общий стаж работы 4 года, 5 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Бакалавр. Специальность: физика. Квалификация: бакалавр физики.

Высшее образование
Магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

16.01.2018 - 01.02.2018
Повышение квалификации: Современные подходы в преподавании естественнонаучных дисциплин (в условиях введения ФГОС), Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 72 час., документ № 522405002143; рег. № 33-1014 от 01.02.2018

17.01.2018 - 17.01.2018
Повышение квалификации: Оказание первой помощи, ННГУ, 8 час., документ № Рег. № 1001 от 17.01.2018

13.03.2017 - 13.05.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404111619 рег номер 33-849 от 13.05.2017

09.01.2017 - 26.01.2017
Повышение квалификации: Использование инновационных методов и современной аппаратуры в естественнонаучных исследованиях, ННГУ, 72 час., документ № 522404110522 рег номер 33-07 от 26.01.2017

10.05.2016 - 31.05.2016
Повышение квалификации: Использование инновационных методов и современной аппаратуры в естественнонаучных исследованиях, ННГУ, 72 час., документ № 522403227279 рег номер 33-518 от 31.05.2016

Список преподаваемых дисциплин

Физический факультет
Геометрия и топология
Квантовая теория твердых тел
Метод функций Грина в теории систем многих частиц
Современные проблемы физики
Специальный физический практикум
Спецсеминар
Статистическая физика
Суперкомпьютерные технологии
Теоретическая механика
Теория спиновых явлений в твердых телах
Электродинамика

Публикации

2019

Публикации в научных журналах

Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Konakov A.A., Vasilyev V.K., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Zvonkov B.N. The nature of transport and ferromagnetic properties of the GaAs structures with the Mn δ-doped layer // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 478. 2019. P. 84-90.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Konakov A.A., Dudin Yu.A., Kuznetsov Yu.M., Temiryazeva M.P., Sobolev N.A. Robustness of ferromagnetism in (In,Fe)Sb diluted magnetic semiconductor to variation of charge carrier concentration // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 485. 2019. P. 236–243.

2018

Труды (тезисы) конференции

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Мухаматчин К.Р., Елизарова А.А., Конаков А.А., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Диагностика образования и свойств включений гексагонального кремния, полученных методом ионной имплантации // Труды X Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Типография РГРУ, Рязань, 01-06 октября, Т.2, 176 стр. 2018. С. 147.

Никольская А.А., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Мухаматчин К.Р., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Елизарова А.А., Конаков А.А. Структура и оптические свойства гексагональной модификации кремния, полученной методом ионной имплантации // «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов VII Всероссийской конференции (Нижний Новгород, 7-9 ноября 2018 г.). Отпечатано в РИУ Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Н. Новгород, 174 стр.. 2018. С. 28.

Никольская А.А., Королев Д.С., Сушков А.А., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Изучение светоизлучающей гексагональной фазы 9R-Si // Тезисы докладов XX Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Издательство Политехнического университета, Санкт-Петербург, 26-30 ноября, 128 стр. 2018. С. 121.

Артамонов Д.М., Зайнагутдинов А.Р., Кулаков Д.А., Дегтярев В.Е., Хазанова С.В., Конаков А.А. Спин-орбитальное взаимодействие в полупроводниковых квантовых ямах с произвольным направлением роста. // Материалы XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2018. С. 544-545.

Дегтярев В.Е., Хазанова С.В., Белов А.С., Конаков А.А. Расчет параметров Рашба и Дрессельхауза в InGaAs/GaAs квантовых ямах конечной глубины // Материалы XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2018. С. 580-581.

Деточенко А.П., Ежевский А.А., Конаков А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Abrosimov N.V., Riemann H. Изучение донорного центра лития в кремнии методом электронного парамагнитного резонанса // XXII международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника”. 2018 Т 2, http://nanosymp.ru/UserFiles/Symp/2018_v2.pdf. 2018. С. 587 – 588.

Konakov A.A., Khomitskii D.V., Mishin A.V., Lavrukhina E.A., Chubanov A.A. Qubits based on the edge of 2D topological insulator // ICPS 2018 abstracts (29th July – 3rd August 2018, Montpellier, France). 255 страниц. 2018. P. 103.

Konakov A.A., Derbeneva N.V., Shvetsov A.E., Burdov V.A. Radiative and non-radiative recombination in silicon nanocrystals capped with halogen atoms // ICPS 2018 abstracts (29th July – 3rd August 2018, Montpellier, France). 255 страниц. 2018. P. 128.

Дербенева Н.В., Конаков А.А., Бурдов В.А. Межзонные излучательные переходы и оже-рекомбинация в нанокристаллах кремния с мелкими донорами и с галогеновым покрытием // Тезисы докладов 38 Совещания по физике низких температур (НТ-38) (17-22 сентября 2018 г., г. Москва – г. Ростов-на-Дону – пос. Шепси). Ростов-на-Дону: Издательство «Фонд науки и образования». 2018. С. 100-101.

Конаков А.А. Методы расчета электронных состояний в наноструктурах // «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов VII Всероссийской конференции (Нижний Новгород, 7-9 ноября 2018 г.). Отпечатано в РИУ Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Н. Новгород, 174 стр.. 2018. С. 171.

Публикации в научных журналах

Rajamani S., Arora K., Konakov A.A., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Surodin S., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Deep UV Narrow-Band Photodetector Based on Ion Beam Synthesized Indium Oxide Quantum Dots in Al2O3 Matrix // Nanotechnology. V. 29. 2018. P. 305603.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Muhamatchin K.R., Elizarova A.A., Marychev M.O., Konakov A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

Suleimanov E.V., Fukina D.G., Varlamova L.A., Ignatov S.K., Konakov A.A., Masunov A.E. Nonlinear Optical Properties of Mixed Oxide Crystals CsNbMoO6 and CsTaMoO6: A Periodic CPHF/KS Study // Journal of Physical Chemistry C. № 122. V. 43. 2018. P. 24907-24916.

2017

Труды (тезисы) конференции

Конаков А.А., Сидоренко К.В., Тетельбаум Д.И. Излучение и фотоотлик нанокристаллов нитрида галлия, внедренных в различные диэлектрические матрицы // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 622.

Козулин А.С., Малышев А.И., Дегтярев В.Е., Хазанова С.В., Конаков А.А. Спиновые хеликсы в двумерных полупроводниковых системах // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников. Екатеринбург, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, 2017. – с. 480. 2017. С. 273.

Detochenko A.P., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Konakov A.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Novikov A.V., Abrosimov N. Spin transport in silicon doped with heavy donors // Technical Digest of 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-2017). Matsue, Japan, July 31 – Aug.4. 2017. P. 116.

Дегтярев В.Е., Хазанова С.В., Конаков А.А. Численный расчет параметров Рашбы и Дрессельхауза в асимметричных квантовых ямах на основе AIIIBV // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 574-575.

Деточенко А.П., Ежевский А.А., Кудрин А.В., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Конаков А.А., Абросимов Н.В. Влияние спин-зависимого рассеяния на спиновый транспорт электронов проводимости в кремнии, легированном висмутом // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 578–579.

Ежевский А.А., Конаков А.А., Деточенко А.П., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Abrosimov N.V., Riemann H. Проявление динамического эффекта Яна-Теллера у мелкого донорного центра лития с орбитально вырожденным основным состоянием в кремнии // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 580–581.

Козулин А.С., Конаков А.А., Малышев А.И., Кириллова Н.Е. Электроны в низкоразмерных системах со спин-орбитальным взаимодействием: проявления дополнительной спиновой симметрии // XVI Международная школа-конференция “Проблемы физики твердого тела и высоких давлений” (Сочи, пансионат “Буревестник”, 15 – 25 сентября 2017 г.). ТЕЗИСЫ. Москва, ФИАН. 2017. С. 91–92.

Деточенко А.П., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Конаков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Абросимов Н.В. Спиновый транспорт в кремнии, легированном донорами с большой спин-орбитальной связью // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников. Екатеринбург, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, 2017. – с. 480. 2017. С. 265.

Kozulin A.S., Malyshev A.I., Degtyarev V.E., Khazanova S.V., Kirillova N.E., Konakov A.A. SU(2) Symmetric Spin-Orbit Coupling in 2D Electron System: the General Description for Quantum Wells with an Arbitrary Growth Direction // Joint Conference: EP2DS-22 / MSS-18 (July 31 – August 4, 2017). Poster Abstract List. Penn State University. 2017. P. 113.

Хомицкий Д.В., Чубанов А.А., Мишин А.В., Лаврухина Е.А., Конаков А.А. Топологические изоляторы и низкоразмерные системы на их основе // Тезисы докладов XVIII Всероссийской школы-семинара по проблемам физики конденсированного состояния вещества (г. Екатеринбург, 16–23 ноября 2017 г.). ИФМ УрО РАН, 2017. 2017. С. 16.

Kozulin A.S., Degtyarev V.E., Malyshev A.I., Khazanova S.V., Artamonov D.M., Konakov A.A. Formation of Persistent Spin Helices in Semiconductor Quantum Wells with an Arbitrary Growth Direction // EMN Bangkok Meeting 2017, November 12 to 16 in Bangkok, Thailand. Program & Abstract. Bangkok, Thailand. 2017. P. 13.

Публикации в научных журналах

Kozulin A.S., Malyshev A.I., Konakov A.A. Persistent spin helices in 2D electron systems // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 816. 2017. P. 012023-1-012023-6.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Vasiliev V.K., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Tetelbaum D.I. Composition and luminescence of Si and SiO2 layers co-implanted with Ga and N ions // International Journal of Nanotechnology. № 7-8. V. 14. 2017. P. 637-645.

Derbeneva N.V., Konakov A.A., Shvetsov A.E., Burdov V.A. Electronic Structure and Absorption Spectra of Silicon Nanocrystals with a Halogen (Br, Cl) Coating // JETP Letters. № 4. V. 106. 2017. P. 247.

Konakov A.A., Degtyarev V.E., Khazanova S.V. Effect of Electric Field on the Ratio between the Rashba and Dresselhaus Parameters in III–V Heterostructures // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1409–1414.

2016

Труды (тезисы) конференции

Хазанова С.В., Конаков А.А., Данилов Ю.А., Дегтярев В.Е. Расчет спинового расщепления в гетероструктурах на основе полупроводников // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2016. С. 556-557.

Malyshev A.I., Kozulin A.S., Konakov A.A. Formation of persistent spin helices in two-dimensional electron gas with spin-orbit coupling: the general case // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–18 марта 2016 г.). Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2016, Том 2, 406 стр.. 2016. P. 444-445.

Дорохин М.В., Демина П.Б., Конаков А.А., Здоровейщев А.В. Спиновая инжекция в светоизлучающих структурах CoPt/GaAs/InGaAs. Роль спиновой прецессии // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород.. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.1, 434с.. 2016. С. 189-190.

Хомицкий Д.В., Чубанов А.А., Конаков А.А. Квантовая точка с магнитными барьерами на краю топологического изолятора как модель кубита // Материалы XX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 14-18 марта 2016г, Нижний Новгород. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2016. С. 766-767.

Derbeneva N.V., Shvetsov A.E., Konakov A.A., Poddubnyi A.N. Electronic structure and optical properties of silicon nanocrystals capped with halogen atoms: density functional calculations // 33d International Conference on the Physics of Semiconductors, 31 of July – 5 of August 2016, Book of Abstracts.. Beijing, China, 1. 2016. P. 330.

Дербенева Н.В., Швецов А.Е., Конаков А.А. Электронная структура галоген-пассивированных нанокристаллов кремния // XV Школа-конференция "Проблемы физики твердого тела и высоких давлений", 16- 25 сентября 2016 г., г. Сочи. Тезисы докладов. Г. Москва: ФИАН, 2. 2016. С. 109-110.

Публикации в научных журналах

Ezhevskii A.A., Detochenko A.P., Popkov S.A., Konakov A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Zverev D.G., Mamin G.V., Abrosimov N.V., Riemann H. Spin relaxation times of donor centers associated with lithium in monoisotopic 28Si // Solid State Phenomena. № 242. 2016. P. 322-326.

Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Popkov S.A., Detochenko A.P., Koroleva A.V., Ezhevskii A.A., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. The impurity spin-dependent scattering effects in the transport and spin resonance of conduction electrons in bismuth doped silicon // Solid State Phenomena. № 242. 2016. P. 327-331.

Konakov A.A., Filatov D.O., Korolev D.S., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Electronic states in spherical GaN nanocrystals embedded in various dielectric matrices: The k⋅p-calculations // AIP Advances. V. 6. 2016. P. 015007.

Khomitsky D.V., Chubanov A.A., Konakov A.A. Regular and irregular dynamics of spin polarized wavepackets in a mesoscopic quantum dot at the edge of topological insulator // Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 6. V. 150. 2016. P. 1200-1217.

Derbeneva N.V., Konakov A.A., Burdov V.A. Resonant tunneling of carriers in silicon nanocrystals // Journal of Applied Physics. № 13. V. 120. 2016. P. 134302-1–134302-5.

2015

Труды (тезисы) конференции

Хомицкий Д.В., Конаков А.А., Чубанов А.А. Электронные состояния с управляемой локализацией в двойной квантовой точке с магнитными барьерами на краю топологического изолятора // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 10-14 марта 2015г). Издательство ИФМ РАН, т.2, 2015г. 2015. С. 695-696.

Курова Н.В., Швецов А.Е., Конаков А.А., Поддубный А.Н. Электронная структура нанокристаллов кремния, покрытых атомами галогенов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.). В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т2, 2. 2015. С. 537-538.

Курова Н.В., Швецов А.Е., Конаков А.А., Поддубный А.Н. Электронная структура кремниевых нанокристаллов, пассивированных атомами галогенов // XX Нижегородская сессия молодых ученых. Естественные, математические науки. 19-22 мая 2015 г. Издательство "Алиот-НН", 199 с.. 2015. [принято к печати]

Хомицкий Д.В., Конаков А.А., Чубанов А.А., Козулин А.С., Мишин А.В. Одномерные и нульмерные системы на основе поверхности топологических изоляторов // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников (21 - 25 сентября 2015г. Звенигород Московской области).. Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 2015, 1 c.. 2015. С. 204.

Дербенева Н.В., Конаков А.А., Поддубный А.Н, Швецов А.Е. Электронная структура кремниевых нанокристаллов, пассивированных атомами галогенов // XX Нижегородская сессия молодых ученых. Естественные, математические науки. 19-22 мая 2015 г.. 1. 2015. С. 104.

2014

Труды (тезисы) конференции

Сухоруков А.В., Ежевский А.А., Конаков А.А., Попков С.А., Гусейнов Д.В., Курова Н.В., Кузнецов О.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Спиновый резонанс электронов проводимости в эпитаксиальных слоях твердого раствора кремний-германия // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014. С. 634-635.

Гусейнов Д.В., Ежевский А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Конаков А.А., Бурдов В.А., Abrosimov N.V., Riemann H. Сильные эффекты примесного рассеяния в спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014.. 2014. С. 444-445.

Хомицкий Д.В., Конаков А.А., Чубанов А.А. Электронные состояния в массивной квантовой точке внутри топологического изолятора // Материалы XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 10 – 14 марта 2014г). Издательство ИФМ РАН, т.2.. 2014. С. 662-663.

Курова Н.В., Конаков А.А., Бурдов В.А. Электронная структура и релаксационные процессы в легированном нанокристаллическом кремнии: расчеты из первых принципов // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 27-31 октября 2014 г., Нижний Новгород. Тезисы докладов. Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 2. 2014. С. 30-32.

Публикации в научных журналах

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. Monoisotopic 28Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized on shallow donors // Solid State Phenomena. V. 205-2. 2014. P. 191-200.

Belyakov V.A., Sidorenko K.V., Konakov A.A., Ershov A.V., Chugrov I.A., Grachev D.A., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Burdov V.A. Quenching the photoluminescence from Si nanocrystals of smaller sizes in dense ensembles due to migration processes // Journal of Luminescence. № 1. V. 155. 2014. P. 1-6.

Belyakov V.A., Konakov A.A., Burdov V.A. Electronic states and optical gap of phosphorus-doped nanocrystals embedded in a silica host matrix // Solid State Phenomena. V. 205. 2014. P. 486-491.

2013

Труды (тезисы) конференции

Беляков В.А., Бурдов В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А., Чугров И.А., Грачев Д.А. Управляемый перенос энергии и заряда в массиве кремниевых нанокристаллов // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVII Международного симпозиума, 11-15 марта 2013 г., Нижний Новгород. Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 2. 2013. С. 370-371.

Беляков В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А., Бурдов В.А., Ершов А.В., Чугров И.А., Грачев Д.А., Павлов Д.А., Бобров А.И. Фотолюминесценция и миграционные эффекты в плотных массивах нанокристаллов кремния, сформированных в многослойных нанопериодических структурах SiOx/SiO2 // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVII Международного симпозиума, 11-15 марта 2013 г., Нижний Новгород. Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 2. 2013. С. 380-381.

Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А. Спиновая структура зоны проводимости кремниевых нанокристаллов // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVII Международного симпозиума, 11-15 марта 2013 г., Нижний Новгород. Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 2. 2013. С. 468.

Konakov A.A., Belyakov V.A., Kurova N.V., Burdov V.A. Influence of the spin-orbit coupling on the electronic structure of silicon nanocrystals doped with shallow donors // 27 International Conference on Defects in Semiconductors. Bologna, Italy, July 21-26, 2013. Book of Abstrats. 2013. P. 341.

Курова Н.В., Конаков А.А., Бурдов В.А. Особенности безызлучательной Оже-рекомбинации в нанокристаллах кремния с мелкими донорами // Форум молодых ученых: Тезисы докладов. Издательство ННГУ, Т.1. 2013. С. 177-178.

Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А. Электронные и спиновые состояния в кремниевых нанокристаллах с мелкими донорами // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников ( XI РКФП). Санкт-Петербург, Физико-технический институт им А.Ф. Иоффе. 2013. С. 318.

Konakov A.A., Belyakov V.A., Kurova N.V., Burdov V.A. Optical gap, electronic and spin structure of phosphorus-doped silicon nanocrystals // GADEST 2013. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Oxford, UK, 22nd to 27th of September 2013. Program and abstracts. Oxford. 2013. P. 166.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. Monoisotopic 28Si and 29Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized on donors and conduction electrons // GADEST 2013. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XV. 22nd to 27th September 2013, Oxford, UK. Programme and abstracts. Oxford, UK. 2013. P. 54-55.

Конаков А.А., Гусейнов Д.В., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Попков С.А., Бурдов В.А. Спиновая релаксация электронов проводимости в кремнии, легированном мелкими донорами // XVIII Нижегородская сессия молодых ученых. Естественные, математические науки. 28–31 мая 2013 г.. Отв. за вып. И.А. Зверева. – Н. Новгород: НИУ РАНХиГС. 2013. С. 42-43.

Ежевский А.А., Конаков А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., N.V. Abrosimov, H. Riemann Исследование орбитально-вырожденных электронных состояний мелкого донорного центра лития в моноизотопном кремнии 28Si // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XI РКФП). Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. 2013. С. 354.

Публикации в научных журналах

Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А. Влияние спин-орбитального взаимодействия на структуру основного состояния электронов в кремниевых нанокристаллах // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 47. 2013. С. 1521-1525.

Belyakov V.A., Sidorenko K.V., Konakov A.A., Kurova N.V., Burdov V.A. Photoluminescence in Dense Arrays of Silicon Nanocrystals: the Role of the Concentration and Average Size // Semiconductors. V. 47. 2013. P. 178.

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Temperature Renormalization of the Conduction Electron g-Factor in Silicon // Semiconductors. V. 47. 2013. P. 169.

Konakov A.A., Kurova N.V., Burdov V.A. Effect of spin-orbit coupling on the structure of the electron ground state in silicon nanocrystals // Semiconductors. V. 47. 2013. P. 1508.

2012

Труды (тезисы) конференции

Беляков В.А., Бурдов В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А., Курова Н.В. Влияние плотности и размера кремниевых нанокристаллов в массиве на интенсивность фотолюминесценции // Труды XVI международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 1. 2012. С. 200.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Температурная перенормировка g-фактора электронов проводимости в кремнии // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVI международного симпозиума, 12-16 марта 2012 г., Нижний Новгород. Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 1. 2012. С. 271.

Конаков А.А., Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Попков С.А., Бурдов В.А. Влияние легирования мелкими донорами на спиновую релаксацию и g-фактор электронов проводимости в кремнии // IX Международная конференция и VIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе «Кремний-2012», 9-13 июля 2012 г., Санкт-Петербург. Книга тезисов. Санкт-Петербург. 2012. С. 176.

Konakov A.A., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A., Burdov V.A. Renormalization of the conduction electron Lande g-factor in silicon // ICPS 2012. 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd, 2012. Final Program. ETH Zurich. 2012. P. 94.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Abrosimov N.V., Riemann H., Konakov A.A. Valley spin-orbit interaction for the triplet and doublet 1s-ground states of lithium donor center in silicon-28 // ICPS 2012. 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd, 2012. Final Program. ETH Zurich. 2012. P. 100.

Публикации в научных журналах

Бурдов В.А., Беляков В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А. Влияние диэлектрической матрицы на фотолюминесценцию и энергообмен в ансамблях кремниевых нанокристаллов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 6. 2012. С. 74-79.

Конаков А.А., Беляков В.А., Бурдов В.А. Оптическая щель нанокристаллов кремния, легированных фосфором // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.. № 9. 2012. С. 72-74.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Температурная перенормировка g-фактора электронов проводимости в кремнии // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1604-1608.

Беляков В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А. Фотолюминесценция в плотных массивах нанокристаллов кремния: роль концентрации и среднего размера // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1613-1618.

2011

Труды (тезисы) конференции

Беляков В.А., Конаков А.А., Бурдов В.А. Экситонный перенос в массивах нанокристаллов кремния с мелкими примесями // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XV международного симпозиума (в двух томах). Издательство Института прикладной физики РАН, Т. 2, 345 С. 2011. С. 462.

Беляков В.А., Бурдов В.А., Конаков А.А., Курова Н.В., Сидоренко К.В. Моделирование процессов экситонного переноса и люминесценции в ансамблях кремниевых нанокристаллов, сформированных в оксидной матрице // X Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы конференции. Издательство ННГУ, 294 С. 2011. С. 111.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Температурная зависимость g-фактора электронов проводимости в кремнии: теория и эксперимент // Вторая школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. Конспекты лекций и тезисы докладов. Издательство ННГУ, 131 С. 2011. С. 106-107.

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Temperature dependence of the conduction electron g-factor in silicon // XIV International Youth Scientific School «Actual problems of magnetic resonance and its application». Program. Lecture Notes. Proceedings. Издательство Казанского университета, 138 С. 2011. P. 120-123.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Влияние электрон-фононного взаимодействия на g-фактор электронов проводимости в кремнии // ХХХ научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова. Тезисы докладов конференции 20-21 декабря 2011 г. Издательство ННГУ, 189 С. 2011. С. 123-124.

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Electron g-factor in silicon: temperature dependence // International Conference «Resonances in condensed matter» devoted to the centenary of Professor S. A. Altshuler. Book of Abstracts. Издательство Казанского университета, 137 С. 2011. P. 93.

Публикации в научных журналах

Конаков А.А., Беляков В.А., Бурдов В.А. Оптическая щель кремниевых нанокристаллов, легированных фосфором // Труды МФТИ. Труды Московского физико-технического института (государственного университета). № 2. Т. 3. 2011. С. 21-24.

Konakov A.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A., Burdov V.A. Lande factor of the conduction electrons in silicon: temperature dependence // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 324. 2011. P. 012027.

Беляков В.А., Конаков А.А., Курова Н.В., Сидоренко К.В., Бурдов В.А. Влияние оборванных связей на поверхности нанокристаллов кремния, легированных мелкими донорами, на излучательные межзонные переходы // Известия РАН. Серия физическая. № 8. Т. 75. 2011. С. 1130-1132.

Konakov A.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A., Burdov V.A. Temperature dependence of the conduction electron g-factor in silicon: theory and experiment // Magnetic Resonance in Solids. Electronic Journal. № 2. V. 13. 2011. P. 14-20.

Патенты, авторские свидетельства

2017

Сидоренко К.В., Конаков А.А., Тетельбаум Д.И. СВИДЕТЕЛЬСТВО о государственной регистрации программы для ЭВМ «Программа расчета спектра люминесценции массивов нанокристаллов нитрида галлия в дэилектрической матрице (GaNSpectr)» (Авторское свидетельство).

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского