Конаков Антон Алексеевич

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2023

Чижова А.А., Гажулина А.П., Мухаматчин К.Р., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Конаков А.А. Теоретический анализ электронной зонной структуры в ромбоэдрических фазах германия // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума. Нижний Новгород: ИПФ РАН, Том 2-й, 486 с.. 2023. С. 630.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние состава диэлектрической пленки на кремнии и способа ее нанесения на фотолюминесценцию системы диэлектрик / кремний, подвергнутой ионному облучению // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума. Нижний Новгород: ИПФ РАН, Том 2-й, 486 с.. 2023. С. 701-702.

Тетельбаум Д.И., Никольская А.А., Королев Д.С., Кудрин А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Дроздов М.Н., Ревин А.А., Чекушева С.С., Конаков А.А. Электрофизические свойства монокристаллов β-Ga2O3:Fe, ионно-легированных кремнием // ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИОНОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ "ВИП-2023". Труды XXVI Международной конференции. Издательство: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва). Том 1. Москва, 2023, 350 с.. 2023. С. 222-225.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Конаков А.А., Охапкин А.И., Краев С.А., Моисеев А.Д., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Люминесцентные свойства и фазообразование в Si при ионном облучении SiO2/Si // ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИОНОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ "ВИП-2023". Труды XXVI Международной конференции. Издательство: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва), Том 1. Москва. 2023, 350 с.. 2023. С. 214-217.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Konakov A.A., Okhapkin A.I., Kraev S.A., Andrianov A.I., Moiseev A.D., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Formation of Hexagonal Phase 9R-Si in SiO2/Si System upon Kr+ Ion Implantation // Moscow University Physics Bulletin (English Translation of Vestnik Moskovskogo Universiteta, Fizika). № 78. V. 3. 2023. P. 361–367.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Конаков А.А., Охапкин А.И., Краев С.А., Андрианов А.И., Моисеев А.Д., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Образование гексагональной фазы кремния 9R-Si при имплантации системы SiO2/Si ионами Kr+ // Вестник Московского университета. Серия 3: Физика. Астрономия. № 78. Т. 3. 2023. С. 2330501.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Konakov A.A., Okhapkin A.I., Kraev S.A., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Luminescence of modified W-centers arising in silicon upon irradiation of the SiO2/Si system by Kr+ ions // Materials Letters. № 342. 2023. P. 134302.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Trushin V.N., Yunin P.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Okulich E.V., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Photoluminescent properties of the SiO2/Si system with ion-synthesized hexagonal silicon of the 9R-Si phase: Effect of post-implantation annealing // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. № 537. 2023. P. 60-64.

Nikolyskaya A.A., Revin A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Trushin V.N., Kudrin A.V., Zdoroveishchev A.V., Zdoroveishchev D.A., Yunin P.A., Drozdov M.N., Konakov A.A., Tetelybaum D.I. Electrical properties of silicon-implanted β-Ga2O3:Fe crystals // Applied Physics Letters. V. 123. 2023. P. 211901.

2022

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Pitirimova E.A., Pavlov D.A., Trushin V.N., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Konakov A.A., Kudrin A.V., Drozdov M.N., Tetelybaum D.I. Modification of Ga₂O₃ by ion implantation // 22th INTERNATIONAL CONFERENCE ON ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS (IBMM-2022). Book of abstracts, Lisbon, Portugal, July 10-15, 2022.- 220 рр.. 2022. P. 154.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Light-emitting 9R hexagonal silicon phase synthesized by ion implantation // 22th INTERNATIONAL CONFERENCE ON ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS (IBMM-2022). Book of abstracts, Lisbon, Portugal, July 10-15, 2022.- 220 pp. 2022. P. 155.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Павлов Д.А., Galeckas A., Азаров А.Ю., Кузнецов А.Ю., Тетельбаум Д.И. Влияние химической природы имплантированных в систему SiO2/Si атомов на фотолюминесценцию ионно-синтезированного гексагонального кремния фазы 9R-Si // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 958-959.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Павлов Д.А., Galeckas A., Азаров А.Ю., Кузнецов А.Ю., Тетельбаум Д.И. Влияние химической природы имплантированных в систему SiO2/Si атомов на формирование и свойства фазы 9R-Si // 51-ая Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2022), 24 - 26 мая 2022 г. Тезисы докладов, Москва: МГУ имени М.В. Ломоносова, 2022.- 200 с. 2022. С. 117.

Тетельбаум Д.И., Павлов Д.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Сушков А.А., Трушин В.Н., Никольская А.А. Формирование гексагональной фазы 9R-Si и светоизлучающие свойства кремния при ионном облучении системы SiO2/Si // XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе КРЕМНИЙ-2022 (Новосибирск, 26-30 сентября, 2022). Сборник тезисов, М.: Издательство «Перо», 2022.- 160 с. 2022. С. 68.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Ионно-лучевой синтез гексагонального кремния фазы 9R-Si на подложках Si с разной ориентацией // XV Российская конференция по физике полупроводников (Нижний Новгород, 03-07 октября, 2022). Тезисы докладов, Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2022.- 464 с. 2022. С. 32.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Трушин В.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Galeckas A., Азаров А.Ю., Кузнецов А.Ю., Тетельбаум Д.И. Формирование фазы 9R-Si и фотолюминесценция в образцах SiO2/Si, облученных различными ионами // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Казань, 11–14 ноября 2022 г.).- Н. Новгород, 2022.- 92 с. 2022. С. 17.

Никольская А.А., Королев Д.С., Трушин В.Н., Дроздов М.Н., Белов А.И., Михайлов А.Н., Нежданов А.В., Питиримова Е.А., Павлов Д.А., Конаков А.А., Ревин А.А., Kumar M., Giulian R., Тетельбаум Д.И. Изменение свойств слоев β-Ga2O3 под действием имплантации ионов Si+ и последующего отжига // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Казань, 11–14 ноября 2022 г.).- Н. Новгород, 2022.- 92 с. 2022. С. 33.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Изменение свойств ионно-синтезированного гексагонального кремния фазы 9R-Si при вариации режимов постимплантационного отжига // ФизикА.СПб. Тезисы докладов международной конференции (Санкт-Петербург, 17-21 октября, 2022 г.).- СПб.: ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2022.- 562 с. 2022. С. 305-306.

Khomitskii D.V., Konakov A.A., Lavrukhina E.A. Formation of bound states from the edge states of 2D topological insulator by macroscopic magnetic barriers // Journal of Physics Condensed Matter. № 40. V. 34. 2022. P. 405302.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Belov A.I., Konakov A.A., Pavlov D.A., Mikhailov A.N., Tetelbaum D.I. Influence of chemical nature of implanted atoms on photoluminescence of ion-synthesized 9R-Si hexagonal silicon // Materials Letters. V. 308. 2022. P. 131103(1-3).

2021

Кудрин А.В., Крюков Р.Н., Лесников В.П., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Конаков А.А. Особенности расположения атомов Fe в магнитном полупроводнике GaAs:Fe c высокотемпературным внутренним ферромагнетизмом // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. - Т.2.– C.467. 2021. С. 716-717.

Королев Д.С., Никольская А.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Конаков А.А., Тетельбаум Д.И. Люминесцентные свойства ионно-синтезированных нановключений 9R-Si в структурах SiO2/Si // Взаимодействие излучений с твердым телом, Материалы 14-й Международной конференции. Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., по-свящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21–24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021.. 2021. С. 472-475.

Derbeneva N.V., Konakov A.A., Burdov V.A. Recombination, multiplication, and transfer of electron-hole pairs in silicon nanocrystals: effects of quantum confinement, doping, and surface chemistry // Journal of Luminescence. V. 233. 2021. P. 117904.

Nikolyskaya A.A., Belov A.I., Mikhailov A.N., Konakov A.A., Tetelybaum D.I., Korolev D.S. Photoluminescence of ion-synthesized 9R-Si inclusions in SiO2/Si structure: Effect of irradiation dose and oxide film thickness // Applied Physics Letters. № 21. V. 118. 2021. P. 212101.

Ревин А.А., Михайлова А.М., Конаков А.А., Цыпленков В.В., Шастин В.Н. Долинно-орбитальное взаимодействие в германии, легированном донорами V группы: количественный анализ // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 55. 2021. С. 901-907.

2020

Никольская А.А., Королев Д.С., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Муртазин Р.И., Павлов Д.А., Мухаматчин К.Р., Марычев М.О., Тетельбаум Д.И. Изучение природы фотолюминесценции при 1235 нм в кремнии при облучении кремния и системы SiO2/Si тяжелыми ионами // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–13 марта 2020 г.). Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 505 с. 2020. С. 683–684.

Михайлова А.М., Ревин А.А., Конаков А.А., Шастин В.Н. Электронные состояния мелких доноров в германии: учет короткодействующего потенциала // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–13 марта 2020 г.). В 2 т. Том 2. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2020. С. 665-666.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Konakov A.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Light-emitting hexagonal 9R-Si phase obtained by Kr+ ion into implan-tation Si and SiO2/Si // 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, Russia, April 26 – 30, 2020. Book of Abstracts. St. Petersburg Academic University, 2020.- 543 pp. 2020. P. 96-97.

Белов А.И., Конаков А.А., Королев Д.С., Марычев М.О., Михайлов А.Н., Муртазин Р.И., Никольская А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Светоизлучающая гексагональная фаза 9R-Si // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: прогр. и материалы 18-й Междунар. науч. конф.-шк. (Саранск, 15-18 сент. 2020 г.). Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2020.- 228 с. 2020. С. 155.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Муртазин Р.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Люминесцентные свойства ионно-синтезированных структур, содержащих фазу 9R-Si // XIII Международная конференция «Кремний - 2020». (Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сент. 2020 г.). Москва: МАКС Пресс, 2020.- 402 с. 2020. С. 199-202.

Никольская А.А., Королев Д.С., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Ионно-лучевой способ формирования светоизлучающих областей гексагональной фазы 9R-Si кремния // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов Всерос. науч. молодежн. конф., 23–27 ноября 2020 г.. СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, - 111 с.. 2020. С. 22.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Konakov A.A., Belov A.I., Marychev M.O., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Photoluminescence of silicon at 1235 nm produced by irradiation of SiO2/Si with Kr+ ions and subsequent high-temperature annealing // Surface and Coatings Technology. V. 386. 2020. P. 125496(1-4).

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Konakov A.A., Belov A.I., Marychev M.O., Murtazin R. I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Photoluminescence of silicon at 1235 nm produced by irradiation of SiO2/Si with Kr+ ions and subsequent high-temperature annealing // Surface and Coatings Technology. V. 386. 2020. P. 125496.

Revin A.A., Mikhailova A.M., Konakov A.A., Shastin V.N. Electron States of Group-V Donors in Germanium: Variational Calculation Taking into Account the Short-Range Potential // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1127-1133.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Milin V.E., Kuznetsov Yu.M., Kryukov R.N., Konakov A.A., Tabachkova N.Yu. High-temperature intrinsic ferromagnetism in heavily Fe-doped GaAs layers // Semiconductor Science and Technology. № 12. V. 35. 2020. P. 125032(1-13).

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Konakov A.A., Mikhailov A.N., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Light-emitting hexagonal 9R-Si phase obtained by implantation of Kr+ ions in Si and SiO2/Si // Journal of Physics: Conference Series. V. 1695. 2020. P. 012031(1-5).

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Konakov A.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Light-emitting hexagonal 9R-Si phase obtained by implantation of Kr+ions in Si and SiO2/Si // Journal of Physics: Conference Series. № Issue 1. V. 1695. 2020. P. Статья № 012031.

2019

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Кривулин Н.О., Марычев М.О., Мухаматчин К.Р., Елизарова А.А., Конаков А.А., Тетельбаум Д.И., Павлов Д.А. Светоизлучающая 9R фаза кремния, сформированная методом ионной имплантации инертного газа в подложки SiO2/Si // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума. Нижний Новгород, 11-14 марта. 2019. С. 780-781.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Муртазин Р.И., Павлов Д.А., Конаков А.А., Мухаматчин К.Р., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональной фазы кремния при ионной имплантации в плёнку SiO2 на Si // XLIX Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2019). Тезисы докладов. Москва, 29 - 31 мая. 2019. С. 9.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Konakov A.A., Dudin Yu.A., Sobolev N.A. Control of carrier concentration and Fermi level position in (In,Fe)Sb magnetic semiconductor by ion irradiation // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.2.. 2019. P. 322-323.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Чигиринский Ю.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Изучение механизмов формирования светоизлучающей гексагональной фазы 9R-Si // Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2019». Материалы докладов. Москва, 8-12 апреля. 2019. С. 918-919.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Antonov A.E., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Mechanism of formation of light-emitting hexagonal phase 9R-Si // 6th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Book of abstracts. Saint Petersburg, April 22-25. 2019. P. 109-110.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Pavlov D.A., Sushkov A.A., Konakov A.A., Tetelbaum D.I. Properties of Hexagonal Silicon (9R Phase) Synthesized by Ion Implantation Into SiO2/Si // German-Russian Travelling Seminar “Nanomaterials and Large-Scale Research Centers”. Book of abstracts. Irkutsk – Lake Baikal – Novosibirsk – Moscow, July 30 – August 10. 2019. P. 12.

Tetelbaum D.I., Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A. Formation of light-emitting layers in Si at ion implantation in SiO2 on Si // 20th International conference on Radiation Effects in Insulators. Book of abstracts. Nur-Sultan (Astana), Kazakhstan, August 19-23. 2019. P. 178.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tereshchenko A.N., Pavlenkov V., Nagornykh S. Ion-beam modification of Si and SiO2/Si structures for the development of light-emitting silicon-based devices // The 21st International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams. Abstract Book. Tomsk, August 25-30. 2019. P. 21.

Никольская А.А., Королев Д.С., Антонов А.Е., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Исследование природы фотолюминесценции системы SiO2/Si, облученной ионами Kr+ // XXI Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов. Санкт-Петербург, 25-29 ноября. 2019. С. 38.

Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Konakov A.A., Vasilyev V.K., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Zvonkov B.N. The nature of transport and ferromagnetic properties of the GaAs structures with the Mn δ-doped layer // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 478. 2019. P. 84-90.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Konakov A.A., Dudin Yu.A., Kuznetsov Yu.M., Temiryazeva M.P., Sobolev N.A. Robustness of ferromagnetism in (In,Fe)Sb diluted magnetic semiconductor to variation of charge carrier concentration // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 485. 2019. P. 236–243.

Derbeneva N.V., Konakov A.A., Burdov V.A. Effect of halogen passivation of a surface on radiative and nonradiative transitions in silicon nanocrystals // Journal of Experimental and Theoretical Physics. № 2. V. 129. 2019. P. 234-240.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Mechanism of formation of light-emitting silicon hexagonal phase 9R-Si // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012037.

Derbeneva N.V., Shvetsov A.E., Konakov A.A., Burdov V.A. Effects of surface halogenation on exciton relaxation in Si crystallites: prospects for photovoltaics // Physical Chemistry Chemical Physics. V. 21. 2019. P. 20693.

2018

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Мухаматчин К.Р., Елизарова А.А., Конаков А.А., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Диагностика образования и свойств включений гексагонального кремния, полученных методом ионной имплантации // Труды X Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Типография РГРУ, Рязань, 01-06 октября, Т.2, 176 стр. 2018. С. 147.

Никольская А.А., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Мухаматчин К.Р., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Елизарова А.А., Конаков А.А. Структура и оптические свойства гексагональной модификации кремния, полученной методом ионной имплантации // «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов VII Всероссийской конференции (Нижний Новгород, 7-9 ноября 2018 г.). Отпечатано в РИУ Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Н. Новгород, 174 стр.. 2018. С. 28.

Никольская А.А., Королев Д.С., Сушков А.А., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Изучение светоизлучающей гексагональной фазы 9R-Si // Тезисы докладов XX Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Издательство Политехнического университета, Санкт-Петербург, 26-30 ноября, 128 стр. 2018. С. 121.

Артамонов Д.М., Зайнагутдинов А.Р., Кулаков Д.А., Дегтярев В.Е., Хазанова С.В., Конаков А.А. Спин-орбитальное взаимодействие в полупроводниковых квантовых ямах с произвольным направлением роста. // Материалы XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2018. С. 544-545.

Дегтярев В.Е., Хазанова С.В., Белов А.С., Конаков А.А. Расчет параметров Рашба и Дрессельхауза в InGaAs/GaAs квантовых ямах конечной глубины // Материалы XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2018. С. 580-581.

Деточенко А.П., Ежевский А.А., Конаков А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Abrosimov N.V., Riemann H. Изучение донорного центра лития в кремнии методом электронного парамагнитного резонанса // XXII международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника”. 2018 Т 2, http://nanosymp.ru/UserFiles/Symp/2018_v2.pdf. 2018. С. 587 – 588.

Konakov A.A., Khomitskii D.V., Mishin A.V., Lavrukhina E.A., Chubanov A.A. Qubits based on the edge of 2D topological insulator // ICPS 2018 abstracts (29th July – 3rd August 2018, Montpellier, France). 255 страниц. 2018. P. 103.

Konakov A.A., Derbeneva N.V., Shvetsov A.E., Burdov V.A. Radiative and non-radiative recombination in silicon nanocrystals capped with halogen atoms // ICPS 2018 abstracts (29th July – 3rd August 2018, Montpellier, France). 255 страниц. 2018. P. 128.

Дербенева Н.В., Конаков А.А., Бурдов В.А. Межзонные излучательные переходы и оже-рекомбинация в нанокристаллах кремния с мелкими донорами и с галогеновым покрытием // Тезисы докладов 38 Совещания по физике низких температур (НТ-38) (17-22 сентября 2018 г., г. Москва – г. Ростов-на-Дону – пос. Шепси). Ростов-на-Дону: Издательство «Фонд науки и образования». 2018. С. 100-101.

Конаков А.А. Методы расчета электронных состояний в наноструктурах // «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов VII Всероссийской конференции (Нижний Новгород, 7-9 ноября 2018 г.). Отпечатано в РИУ Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Н. Новгород, 174 стр.. 2018. С. 171.

Rajamani S., Arora K., Konakov A.A., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Surodin S., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Deep UV Narrow-Band Photodetector Based on Ion Beam Synthesized Indium Oxide Quantum Dots in Al2O3 Matrix // Nanotechnology. V. 29. 2018. P. 305603.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Muhamatchin K.R., Elizarova A.A., Marychev M.O., Konakov A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

Varlamova L.A., Ignatov S.K., Fukina D.G., Konakov A.A., Masunov A.E., Suleimanov E.V. Nonlinear Optical Properties of Mixed Oxide Crystals CsNbMoO6 and CsTaMoO6: A Periodic CPHF/KS Study // Journal of Physical Chemistry C. № 122. V. 43. 2018. P. 24907-24916.

2017

Конаков А.А., Сидоренко К.В., Тетельбаум Д.И. Излучение и фотоотлик нанокристаллов нитрида галлия, внедренных в различные диэлектрические матрицы // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 622.

Козулин А.С., Малышев А.И., Дегтярев В.Е., Хазанова С.В., Конаков А.А. Спиновые хеликсы в двумерных полупроводниковых системах // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников. Екатеринбург, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, 2017. – с. 480. 2017. С. 273.

Detochenko A.P., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Konakov A.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Novikov A.V., Abrosimov N. Spin transport in silicon doped with heavy donors // Technical Digest of 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-2017). Matsue, Japan, July 31 – Aug.4. 2017. P. 116.

Дегтярев В.Е., Хазанова С.В., Конаков А.А. Численный расчет параметров Рашбы и Дрессельхауза в асимметричных квантовых ямах на основе AIIIBV // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 574-575.

Деточенко А.П., Ежевский А.А., Кудрин А.В., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Конаков А.А., Абросимов Н.В. Влияние спин-зависимого рассеяния на спиновый транспорт электронов проводимости в кремнии, легированном висмутом // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 578–579.

Ежевский А.А., Конаков А.А., Деточенко А.П., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Abrosimov N.V., Riemann H. Проявление динамического эффекта Яна-Теллера у мелкого донорного центра лития с орбитально вырожденным основным состоянием в кремнии // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 580–581.

Козулин А.С., Конаков А.А., Малышев А.И., Кириллова Н.Е. Электроны в низкоразмерных системах со спин-орбитальным взаимодействием: проявления дополнительной спиновой симметрии // XVI Международная школа-конференция “Проблемы физики твердого тела и высоких давлений” (Сочи, пансионат “Буревестник”, 15 – 25 сентября 2017 г.). ТЕЗИСЫ. Москва, ФИАН. 2017. С. 91–92.

Деточенко А.П., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Конаков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Абросимов Н.В. Спиновый транспорт в кремнии, легированном донорами с большой спин-орбитальной связью // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников. Екатеринбург, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, 2017. – с. 480. 2017. С. 265.

Kozulin A.S., Malyshev A.I., Degtyarev V.E., Khazanova S.V., Kirillova N.E., Konakov A.A. SU(2) Symmetric Spin-Orbit Coupling in 2D Electron System: the General Description for Quantum Wells with an Arbitrary Growth Direction // Joint Conference: EP2DS-22 / MSS-18 (July 31 – August 4, 2017). Poster Abstract List. Penn State University. 2017. P. 113.

Хомицкий Д.В., Чубанов А.А., Мишин А.В., Лаврухина Е.А., Конаков А.А. Топологические изоляторы и низкоразмерные системы на их основе // Тезисы докладов XVIII Всероссийской школы-семинара по проблемам физики конденсированного состояния вещества (г. Екатеринбург, 16–23 ноября 2017 г.). ИФМ УрО РАН, 2017. 2017. С. 16.

Kozulin A.S., Degtyarev V.E., Malyshev A.I., Khazanova S.V., Artamonov D.M., Konakov A.A. Formation of Persistent Spin Helices in Semiconductor Quantum Wells with an Arbitrary Growth Direction // EMN Bangkok Meeting 2017, November 12 to 16 in Bangkok, Thailand. Program & Abstract. Bangkok, Thailand. 2017. P. 13.

Конаков А.А. Спиновые хеликсы в полупроводниковых гетероструктурах: фундаментальные основы и приложения // Сборник тезисов участников форума «Наука будущего – наука молодых». Нижний Новгород. – 620 с. 2017. С. 461–462.

Kozulin A.S., Malyshev A.I., Konakov A.A. Persistent spin helices in 2D electron systems // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 816. 2017. P. 012023-1-012023-6.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Vasiliev V.K., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Tetelbaum D.I. Composition and luminescence of Si and SiO2 layers co-implanted with Ga and N ions // International Journal of Nanotechnology. № 7-8. V. 14. 2017. P. 637-645.

Derbeneva N.V., Konakov A.A., Shvetsov A.E., Burdov V.A. Electronic Structure and Absorption Spectra of Silicon Nanocrystals with a Halogen (Br, Cl) Coating // JETP Letters. № 4. V. 106. 2017. P. 247.

Konakov A.A., Degtyarev V.E., Khazanova S.V. Effect of Electric Field on the Ratio between the Rashba and Dresselhaus Parameters in III–V Heterostructures // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1409–1414.

2016

Хазанова С.В., Конаков А.А., Данилов Ю.А., Дегтярев В.Е. Расчет спинового расщепления в гетероструктурах на основе полупроводников A3B5 // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–18 марта 2016 г.) В 2 т. Том 2. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета.. 2016. С. 556-557.

Malyshev A.I., Kozulin A.S., Konakov A.A. Formation of persistent spin helices in two-dimensional electron gas with spin-orbit coupling: the general case // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–18 марта 2016 г.) В 2 т. Том 2. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2016. P. 444-445.

Дорохин М.В., Демина П.Б., Конаков А.А., Здоровейщев А.В. Спиновая инжекция в светоизлучающих структурах CoPt/GaAs/InGaAs. Роль спиновой прецессии // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–18 марта 2016 г.) В 2 т. Том 1. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2016. С. 189-190.

Хомицкий Д.В., Чубанов А.А., Конаков А.А. Квантовая точка с магнитными барьерами на краю топологического изолятора как модель кубита // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–18 марта 2016 г.) В 2 т. Том 2. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2016. С. 766-767.

Derbeneva N.V., Shvetsov A.E., Konakov A.A., Poddubnyi A.N. Electronic structure and optical properties of silicon nanocrystals capped with halogen atoms: density functional calculations // 33d International Conference on the Physics of Semiconductors, 31 of July – 5 of August 2016, Book of Abstracts.. Beijing, China, 1. 2016. P. 330.

Дербенева Н.В., Швецов А.Е., Конаков А.А. Электронная структура галоген-пассивированных нанокристаллов кремния // XV Школа-конференция "Проблемы физики твердого тела и высоких давлений", 16- 25 сентября 2016 г., г. Сочи. Тезисы докладов. Г. Москва: ФИАН, 2. 2016. С. 109-110.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Деточенко А.П., Попков С.А., Конаков А.А., Абросимов Н.В., Riemann H. Спиновые эффекты на легких и тяжелых донорах в кремнии // Тезисы докладов XI конференции и X школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск 12-15 сентября 2016.. 2016. С. 29.

Королева А.В., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Деточенко А.П., Конаков А.А., Бурдов В.А., Абросимов Н.В., Riemann H. Спиновый транспорт с участием мелких доноров в кремнии // Тезисы докладов XI конференции и X школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, метериаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск 12-15 сентября 2016. 2016. С. 152.

Королева А.В., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Попков С.А., Деточенко А.П., Ежевский А.А., Конаков А.А., Бурдов В.А., Абросимов Н.А., Riemann H. Исследование гальвано-магнитных свойств кремния легированного висмутом // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–18 марта 2016 г.) В 2 т. Том 1. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2016. С. 218–219.

Мишин А.В., Козулин А.С., Конаков А.А. Одномерные квантовые системы с магнитными барьерами на поверхности трехмерных топологических изоляторов // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–18 марта 2016 г.) В 2 т. Том 2. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2016. С. 667-668.

Конаков А.А. Оптические свойства ионно-синтезированных нановключений нитрида галлия в кремнии и диэлектрических матрицах // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–18 марта 2016 г.) В 2 т. Том 2. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2016. С. 746–747.

Ezhevskii A.A., Detochenko A.P., Popkov S.A., Konakov A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Zverev D.G., Mamin G.V., Abrosimov N.V., Riemann H. Spin relaxation times of donor centers associated with lithium in monoisotopic 28Si // Solid State Phenomena. № 242. 2016. P. 322-326.

Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Popkov S.A., Detochenko A.P., Koroleva A.V., Ezhevskii A.A., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. The impurity spin-dependent scattering effects in the transport and spin resonance of conduction electrons in bismuth doped silicon // Solid State Phenomena. № 242. 2016. P. 327-331.

Konakov A.A., Filatov D.O., Korolev D.S., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Electronic states in spherical GaN nanocrystals embedded in various dielectric matrices: The k⋅p-calculations // AIP Advances. V. 6. 2016. P. 015007.

Khomitsky D.V., Chubanov A.A., Konakov A.A. Regular and irregular dynamics of spin polarized wavepackets in a mesoscopic quantum dot at the edge of topological insulator // Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 6. V. 150. 2016. P. 1200-1217.

Derbeneva N.V., Konakov A.A., Burdov V.A. Resonant tunneling of carriers in silicon nanocrystals // Journal of Applied Physics. № 13. V. 120. 2016. P. 134302-1–134302-5.

2015

Хомицкий Д.В., Чубанов А.А., Конаков А.А. Электронные состояния с управляемой локализацией в двойной квантовой точке с магнитными барьерами на краю топологического изолятора // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2015. С. 695-696.

Курова Н.В., Швецов А.Е., Конаков А.А., Поддубный А.Н. Электронная структура нанокристаллов кремния, покрытых атомами галогенов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2015. С. 537-538.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Попков С.А., Конаков А.А., Деточенко А.П., Королева А.В., Абросимов Н.В., Riemann H. Спиновый транспорт и спиновый резонанс в кремнии, легированном мелкими донорами // Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение. Тезисы докладов XV конференции, Нижний Новгород, 26 – 29 мая 2015 г. / Под ред. академика РАН М.Ф. Чурбанова. Нижний Новгород: Печатная Мастерская РАДОНЕЖ. 2015. С. 101.

Хомицкий Д.В., Чубанов А.А., Мишин А.В., Козулин А.С., Конаков А.А. Одномерные и нульмерные системы на основе поверхности топологических изоляторов // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников (21 - 25 сентября 2015 г., Звенигород Московской области). Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН. 2015. С. 204.

Швецов А.Е., Дербенева Н.В., Конаков А.А., Поддубный А.Н Электронная структура кремниевых нанокристаллов, пассивированных атомами галогенов // XX Нижегородская сессия молодых ученых. Естественные, математические науки : материалы докладов. Отв. за вып. Зверева И. А. – Княгинино : НГИЭУ. 2015. С. 104-105.

Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Popkov S.A., Detochenko A.P., Koroleva A.V., Ezhevskii A.A., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. The impurity spin-dependent scattering effects in the conduction electrons transport in bismuth doped silicon // Spin physics, spin chemistry and spin technology. Conference Proceedings. Saint-Petersburg, 1-5 June. 2015. P. 165.

Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Popkov S.A., Detochenko A.P., Koroleva A.V., Ezhevskii A.A., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. The impurity spin-dependent scattering effect in the transport and spin resonance of conduction electrons in bismuth doped silicon // Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XVI «GADEST 2015». Booklet of Abstracts, September 9th, 2015. Ad Staffelstein, Germany. 2015. P. 134-135.

Koroleva A.V., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Popkov S.A., Detochenko A.P., Ezhevskii A.A., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. Spin-Dependent Transport in Bismuth Doped Silicon // Modern Development of Magnetic Resonance. Abstracts of the International Conference. Kazan, Zavoisky Physical-Technical Institute. 2015. P. 110.

Деточенко А.П., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Конаков А.А., Зверев Д.Г., Мамин Г.В., Ежевский А.А., Abrosimov N.V., Riemann H. Времена спиновой релаксации донорных центров, связанных с литием в моноизотопном кремнии 28Si // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2015. С. 489-490.

Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Попков С.А., Деточенко А.П., Королева А.В., Ежевский А.А., Конаков А.А., Бурдов В.А., Абросимов Н.В., Riemann H. Эффекты примесного спин-зависимого рассеяния в транспорте и спиновом резонансе электронов проводимости в кремнии, легированном висмутом // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2015. С. 661-662.

Деточенко А.П., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Попков С.А., Королева А.В., Ежевский А.А., Конаков А.А., Бурдов В.А., Зверев Д.Г., Мамин Г.В., Абросимов Н.В., Riemann H. Спиновый транспорт и спиновый резонанс с участием мелких доноров в кремнии // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников (21 - 25 сентября 2015 г., Звенигород Московской области). Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН. 2015. С. 308.

Беляков В.А., Конаков А.А., Сидоренко К.В., Дербенева Н.В., Бурдов В.А. Моделирование процессов переноса заряда и спина в ансамбле кремниевых нанокристаллов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2015. С. 435–436.

Козулин А.С., Конаков А.А. Уровни Ландау на поверхности трехмерного топологического изолятора: свойства одночастичных квантовых состояний и циклотронное поглощение // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2015. С. 533–534.

Чубанов А.А., Конаков А.А., Хомицкий Д.В. Спиновые состояния в квантовых точках на краю двумерного топологического изолятора // XX Нижегородская сессия молодых ученых. Естественные, математические науки : материалы докладов. Отв. за вып. Зверева И. А. – Княгинино : НГИЭУ. 2015. С. 70.

Конаков А.А., Козулин А.С. Определение эффективной массы и скорости Ферми поверхностных состояний трехмерного топологического изолятора по данным спектроскопии уровней Ландау // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников (21 - 25 сентября 2015 г., Звенигород Московской области). Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН. 2015. С. 209.

Козулин А.С., Конаков А.А. Спектроскопия уровней Ландау как способ определения зонных параметров поверхностных состояний трехмерного топологического изолятора // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение : прогр. и материалы 14-й Междунар. науч. конф.-шк. (Саранск, 29 сент. – 2 окт. 2015 г.). Саранск : Изд-во Мордов. Ун-та. 2015. С. 207.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Konakov A.A., Shemukhin A., Ranwa S., Kumar M. Si and Si-compatible dielectric films subjected to Ga+N co-implantation: towards the Si-based technology of nc-GaN fabrication // 18th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-18), Dates: 26th to 31st October, 2015. Book of Abstracts. Jaipur, Rajasthan, India. 2015. P. 238.

Королева А.В., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Попков С.А., Деточенко А.П., Ежевский А.А., Конаков А.А., Бурдов В.А., Абросимов Н.В., Riemann H. Спиновый транспорт и спиновый резонанс в кремнии легированном висмутом // Материалы конференции «Магнитный резонанс и его приложения», Санкт-Петербургский государственный университет, 15-21 ноября 2015 года. С.-Петербург: Отпечатано копировально-множительным участком отдела обслуживания учебного процесса физического факультета СПбГУ. 2015. С. 184-186.

Konakov A.A., Belyakov V.A., Derbeneva N.V., Sidorenko K.V., Chubanov A.A., Khomitskii D.V., Burdov V.A. Quantum dots based on conventional semiconductors and topological insulators for applications of spintronics, quantum computing and THz electronics // EMN MEETING ON Vacuum Electronics 2015. PROGRAM & ABSTRACT. EMN. 2015. P. 39–40.

Чубанов А.А., Конаков А.А., Хомицкий Д.В., Бурдов В.А. Управляемые квантовые точки на границе 2D топологического изолятора как новый тип кубита // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника. Тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции (23–27 ноября 2015 года, Санкт-Петербург). Санкт-Петербург: Издательство Политехнического университета. 2015. С. 84.

2014

Сухоруков А.В., Ежевский А.А., Конаков А.А., Попков С.А., Гусейнов Д.В., Курова Н.В., Кузнецов О.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Спиновый резонанс электронов проводимости в эпитаксиальных слоях твердого раствора кремний-германия // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014. С. 634-635.

Гусейнов Д.В., Ежевский А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Конаков А.А., Бурдов В.А., Abrosimov N.V., Riemann H. Сильные эффекты примесного рассеяния в спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014.. 2014. С. 444-445.

Хомицкий Д.В., Конаков А.А., Чубанов А.А. Электронные состояния в массивной квантовой точке внутри топологического изолятора // Материалы XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 10 – 14 марта 2014г). Издательство ИФМ РАН, т.2.. 2014. С. 662-663.

Курова Н.В., Конаков А.А., Бурдов В.А. Электронная структура и релаксационные процессы в легированном нанокристаллическом кремнии: расчеты из первых принципов // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 27-31 октября 2014 г., Нижний Новгород. Тезисы докладов. Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 2. 2014. С. 30-32.

Деточенко А.П., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Конаков А.А., Ежевский А.А., Abrosimov N.V., Riemann H. Времена спиновой релаксации донорных центров, связанных с литием в моноизотопном 28Si // Материалы конференции «Магнитный резонанс и его приложения», Санкт-Петербургский государственный университет, 30 ноября – 6 декабря 2014 года. С.-Петербург: Отпечатано копировально-множительным участком отдела обслуживания учебного процесса физического факультета СПбГУ. 2014. С. 115-117.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. The ground states structure and spin-orbit coupling for lithium donor centers in monoisotopic 28Si // 2014 EMN Summer Meeting. Program & Abstracts. The Westin Resort & Spa, Cancun, Mexico. 2014. P. 237-238.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. Monoisotopic 28Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized on shallow donors // Solid State Phenomena. V. 205-2. 2014. P. 191-200.

Belyakov V.A., Sidorenko K.V., Konakov A.A., Ershov A.V., Chugrov I.A., Grachev D.A., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Burdov V.A. Quenching the photoluminescence from Si nanocrystals of smaller sizes in dense ensembles due to migration processes // Journal of Luminescence. № 1. V. 155. 2014. P. 1-6.

Belyakov V.A., Konakov A.A., Burdov V.A. Electronic states and optical gap of phosphorus-doped nanocrystals embedded in a silica host matrix // Solid State Phenomena. V. 205. 2014. P. 486-491.

2013

Беляков В.А., Бурдов В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А., Чугров И.А., Грачев Д.А. Управляемый перенос энергии и заряда в массиве кремниевых нанокристаллов // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVII Международного симпозиума, 11-15 марта 2013 г., Нижний Новгород. Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 2. 2013. С. 370-371.

Беляков В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А., Бурдов В.А., Ершов А.В., Чугров И.А., Грачев Д.А., Павлов Д.А., Бобров А.И. Фотолюминесценция и миграционные эффекты в плотных массивах нанокристаллов кремния, сформированных в многослойных нанопериодических структурах SiOx/SiO2 // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVII Международного симпозиума, 11-15 марта 2013 г., Нижний Новгород. Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 2. 2013. С. 380-381.

Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А. Спиновая структура зоны проводимости кремниевых нанокристаллов // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVII Международного симпозиума, 11-15 марта 2013 г., Нижний Новгород. Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 2. 2013. С. 468.

Konakov A.A., Belyakov V.A., Kurova N.V., Burdov V.A. Influence of the spin-orbit coupling on the electronic structure of silicon nanocrystals doped with shallow donors // 27 International Conference on Defects in Semiconductors. Bologna, Italy, July 21-26, 2013. Book of Abstrats. 2013. P. 341.

Курова Н.В., Конаков А.А., Бурдов В.А. Особенности безызлучательной Оже-рекомбинации в нанокристаллах кремния с мелкими донорами // Форум молодых ученых: Тезисы докладов. Издательство ННГУ, Т.1. 2013. С. 177-178.

Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А. Электронные и спиновые состояния в кремниевых нанокристаллах с мелкими донорами // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников ( XI РКФП). Санкт-Петербург, Физико-технический институт им А.Ф. Иоффе. 2013. С. 318.

Konakov A.A., Belyakov V.A., Kurova N.V., Burdov V.A. Optical gap, electronic and spin structure of phosphorus-doped silicon nanocrystals // GADEST 2013. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Oxford, UK, 22nd to 27th of September 2013. Program and abstracts. Oxford. 2013. P. 166.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. Monoisotopic 28Si and 29Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized on donors and conduction electrons // GADEST 2013. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XV. 22nd to 27th September 2013, Oxford, UK. Programme and abstracts. Oxford, UK. 2013. P. 54-55.

Конаков А.А., Гусейнов Д.В., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Попков С.А., Бурдов В.А. Спиновая релаксация электронов проводимости в кремнии, легированном мелкими донорами // XVIII Нижегородская сессия молодых ученых. Естественные, математические науки. 28–31 мая 2013 г.. Отв. за вып. И.А. Зверева. – Н. Новгород: НИУ РАНХиГС. 2013. С. 42-43.

Ежевский А.А., Конаков А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., N.V. Abrosimov, H. Riemann Исследование орбитально-вырожденных электронных состояний мелкого донорного центра лития в моноизотопном кремнии 28Si // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XI РКФП). Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. 2013. С. 354.

Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А. Влияние спин-орбитального взаимодействия на структуру основного состояния электронов в кремниевых нанокристаллах // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 47. 2013. С. 1521-1525.

Belyakov V.A., Sidorenko K.V., Konakov A.A., Kurova N.V., Burdov V.A. Photoluminescence in Dense Arrays of Silicon Nanocrystals: the Role of the Concentration and Average Size // Semiconductors. V. 47. 2013. P. 178.

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Temperature Renormalization of the Conduction Electron g-Factor in Silicon // Semiconductors. V. 47. 2013. P. 169.

Konakov A.A., Kurova N.V., Burdov V.A. Effect of spin-orbit coupling on the structure of the electron ground state in silicon nanocrystals // Semiconductors. V. 47. 2013. P. 1508.

2012

Беляков В.А., Бурдов В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А., Курова Н.В. Влияние плотности и размера кремниевых нанокристаллов в массиве на интенсивность фотолюминесценции // Труды XVI международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 1. 2012. С. 200.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Температурная перенормировка g-фактора электронов проводимости в кремнии // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVI международного симпозиума, 12-16 марта 2012 г., Нижний Новгород. Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 1. 2012. С. 271.

Конаков А.А., Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Попков С.А., Бурдов В.А. Влияние легирования мелкими донорами на спиновую релаксацию и g-фактор электронов проводимости в кремнии // IX Международная конференция и VIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе «Кремний-2012», 9-13 июля 2012 г., Санкт-Петербург. Книга тезисов. Санкт-Петербург. 2012. С. 176.

Konakov A.A., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A., Burdov V.A. Renormalization of the conduction electron Lande g-factor in silicon // ICPS 2012. 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd, 2012. Final Program. ETH Zurich. 2012. P. 94.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Abrosimov N.V., Riemann H., Konakov A.A. Valley spin-orbit interaction for the triplet and doublet 1s-ground states of lithium donor center in silicon-28 // ICPS 2012. 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd, 2012. Final Program. ETH Zurich. 2012. P. 100.

Бурдов В.А., Беляков В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А. Влияние диэлектрической матрицы на фотолюминесценцию и энергообмен в ансамблях кремниевых нанокристаллов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 6. 2012. С. 74-79.

Конаков А.А., Беляков В.А., Бурдов В.А. Оптическая щель нанокристаллов кремния, легированных фосфором // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.. № 9. 2012. С. 72-74.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Температурная перенормировка g-фактора электронов проводимости в кремнии // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1604-1608.

Беляков В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А. Фотолюминесценция в плотных массивах нанокристаллов кремния: роль концентрации и среднего размера // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1613-1618.

2011

Беляков В.А., Конаков А.А., Бурдов В.А. Экситонный перенос в массивах нанокристаллов кремния с мелкими примесями // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XV международного симпозиума (в двух томах). Издательство Института прикладной физики РАН, Т. 2, 345 С. 2011. С. 462.

Беляков В.А., Бурдов В.А., Конаков А.А., Курова Н.В., Сидоренко К.В. Моделирование процессов экситонного переноса и люминесценции в ансамблях кремниевых нанокристаллов, сформированных в оксидной матрице // X Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы конференции. Издательство ННГУ, 294 С. 2011. С. 111.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Температурная зависимость g-фактора электронов проводимости в кремнии: теория и эксперимент // Вторая школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. Конспекты лекций и тезисы докладов. Издательство ННГУ, 131 С. 2011. С. 106-107.

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Temperature dependence of the conduction electron g-factor in silicon // XIV International Youth Scientific School «Actual problems of magnetic resonance and its application». Program. Lecture Notes. Proceedings. Издательство Казанского университета, 138 С. 2011. P. 120-123.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Влияние электрон-фононного взаимодействия на g-фактор электронов проводимости в кремнии // ХХХ научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова. Тезисы докладов конференции 20-21 декабря 2011 г. Издательство ННГУ, 189 С. 2011. С. 123-124.

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Electron g-factor in silicon: temperature dependence // International Conference «Resonances in condensed matter» devoted to the centenary of Professor S. A. Altshuler. Book of Abstracts. Издательство Казанского университета, 137 С. 2011. P. 93.

Конаков А.А., Беляков В.А., Бурдов В.А. Оптическая щель кремниевых нанокристаллов, легированных фосфором // Труды МФТИ. Труды Московского физико-технического института (государственного университета). № 2. Т. 3. 2011. С. 21-24.

Konakov A.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A., Burdov V.A. Lande factor of the conduction electrons in silicon: temperature dependence // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 324. 2011. P. 012027.

Беляков В.А., Конаков А.А., Курова Н.В., Сидоренко К.В., Бурдов В.А. Влияние оборванных связей на поверхности нанокристаллов кремния, легированных мелкими донорами, на излучательные межзонные переходы // Известия РАН. Серия физическая. № 8. Т. 75. 2011. С. 1130-1132.

Konakov A.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A., Burdov V.A. Temperature dependence of the conduction electron g-factor in silicon: theory and experiment // Magnetic Resonance in Solids. Electronic Journal. № 2. V. 13. 2011. P. 14-20.

Патенты, авторские свидетельства

2017

Сидоренко К.В., Конаков А.А., Тетельбаум Д.И. СВИДЕТЕЛЬСТВО о государственной регистрации программы для ЭВМ «Программа расчета спектра люминесценции массивов нанокристаллов нитрида галлия в дэилектрической матрице (GaNSpectr)» (Авторское свидетельство).