Николичев Дмитрий Евгеньевич

Место работы

Физический факультет

Кафедра физики полупроводников, электроники и наноэлектроники

доцент

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур"

старший научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в университете лобачевского: 2002
Общий стаж работы 18 лет, 4 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Высшее образование
Бакалавр. Специальность: физика. Квалификация: бакалавр физики.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

28.08.2019 - 28.11.2019
Переподготовка: Современное состояние и актуальные проблемы исследований в области физико-математических наук, ННГУ, 250 час., документ № 522409110424, рег. № 33-699 от 28.11.2019

18.10.2019 - 23.10.2019
Повышение квалификации: Навыки оказания первой помощи, ННГУ, 36 час., документ № 522409106309 рег ном 107 от 23.10.2019

16.01.2018 - 01.02.2018
Повышение квалификации: Использование инновационных методов и современной аппаратуры в естественно-научных исследованиях, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 72 час., документ № 522405001948; рег. № 33-820 от 01.02.2018

26.04.2017 - 26.05.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № удостоверение, 522404998003, 33-1904 от 26.05.2017

23.03.2017 - 25.05.2017
Повышение квалификации: Дистанционные образовательные технологии, ННГУ, 72 час., документ № 522404997757 рег номер 33-1672 от 25.05.2017

02.10.2017 - 25.05.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № удостоверение, 522404998908, 33-2488 от 25.05.2017

02.04.2018
Повышение квалификации: Создание онлайн-курсов, ННГУ, 36 час., документ № 522406996881, рег. номер 33-2123 от 01.01.0001

Список преподаваемых дисциплин

Физический факультет
Аналитическая просвечивающая электронная микроскопия
Информационные технологии
Научно-исследовательская работа (получение первичных навыков научно-исследовательской работы). Прием защиты отчетов по учебной практике.
Практика (научно-исследовательская работа). Прием защиты отчетов по практике.

Публикации

2019

Труды (тезисы) конференции

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Звонков Б.Н. Физико-химические свойства слоёв MnGa // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII международного симпозиума. (Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета - т. 1, - 544 с.. 2019. С. 219-220.

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Звонков Б.Н. Физико-химические свойства структур спинового светоизлучающего диода со слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII международного симпозиума. (Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета - т. 1, - 544 с.. 2019. С. 221-222.

Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Николичев Д.Е., Дорохин М.В., Звонков Б.Н. Физико-химические свойства слоёв GaMnSb // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII международного симпозиума. (Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета - т. 1, - 544 с.. 2019. С. 223-224.

Николичев Д.Е., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Михайлов А.Н. Химический состав диэлектрических пленок в устройствах резистивной памяти // Материалы XXIII Всероссийской конференции с международным участием РЭСХС-2019. Воронеж, 2019. 2019. С. 56.

Зубков С.Ю., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Павлов Д.А., Сушков А.А., Михайлов А.Н., Горшков О.Н. Исследование химического состава многослойных мемристивных систем на основе тонких диэлектрических пленок // Материалы XXIII Всероссийской конференции с международным участием РЭСХС-2019. Воронеж, 2019. 2019. С. 106.

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Зубков С.Ю., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. Физико-химические свойства разбавленных магнитных полупроводников на основе A3B5 // Материалы XXIII Всероссийской конференции с международным участием РЭСХС-2019. Воронеж, 2019, 1-4 октября. 2019. С. 46.

Публикации в научных журналах

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Konakov A.A., Dudin Yu.A., Kuznetsov Yu.M., Temiryazeva M.P., Sobolev N.A. Robustness of ferromagnetism in (In,Fe)Sb diluted magnetic semiconductor to variation of charge carrier concentration // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 485. 2019. P. 236–243.

Evgeny Bryuzgin, Viktor Klimov, Yulia Tarasova, Elena Sprygina, Nikolichev D.E., Alexander Navrotsky, Ivan Novakov Superhydrophilic and underwater superoleophobic coatings on the basis of grafted polyelectrolytes on a textured aluminum surface // Polymer Bulletin. № Online. V. Onlin. 2019. P. Online.

2018

Труды (тезисы) конференции

Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю. Состав и структура слоев GaMnAs, выращенных методом импульсного лазерного осаждения // XXVII Российская конференция по электронной микроскопии. ВНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, т.1, 2018, 427 С. 2018. С. 349-350.

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Зубков С.Ю. Физико-химические свойства слоёв разбавленных магнитных полупроводников, выращенных методом импульсного лазерного осаждения // XXVII Российская конференция по электронной микроскопии. ВНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, т.2, 2018, 256 С.. 2018. С. 54-55.

Суродин С.И., Шоболов Е.Л., Николичев Д.Е. Подготовка поперечных сколов для РЭМ методом Николичев Д.Е. трехлучевой ионной резки // XXVII Российская конференция по электронной микроскопии. ВНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, т.2, 2018, 256 С.. 2018. С. 97-98.

Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Дорохин М.В., Звонков Б.Н. Химический состав разбавленного магнитного полупроводника InMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г.. Н. Новгород: Издательство ННГУ Н. Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2018. С. 200-201.

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Зубков С.Ю. Топография и состав ферромагнитных слоёв GaFeSb, выращенных импульсным лазерным осаждением // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г.. Н. Новгород: Издательство ННГУ Н. Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2018. С. 210-211.

Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Парафин А.Е. Изменение топографии и состава слоёв GaMnAs в результате отжига эксимерным лазером // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г.. Н. Новгород: Издательство ННГУ Н. Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2018. С. 237-238.

Публикации в научных журналах

Rajamani S., Arora K., Konakov A.A., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Surodin S., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Deep UV Narrow-Band Photodetector Based on Ion Beam Synthesized Indium Oxide Quantum Dots in Al2O3 Matrix // Nanotechnology. V. 29. 2018. P. 305603.

Boryakov A.V., Surodin S.I., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Zubkov S.Yu. Spectral fit refinement in XPS analysis technique and its practical applications // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. V. 229. 2018. P. 132-140.

Zubkov S.Yu., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Pavlov D.A., Shenina M.E. X-Ray Photoelectron Spectroscopy of Stabilized Zirconia Films with Embedded Au Nanoparticles Formed under Irradiation with Gold Ions // Physics of the Solid State. № 3. V. 60. 2018. P. 598-602.

2017

Труды (тезисы) конференции

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Крюков Р.Н., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Николичев Д.Е., Павлов С.А., Парафин А.Е., Пашенькин И.Ю., Планкина С.М. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений А3В5 импульсным лазерным отжигом // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 151-152.

Ершов А.В., Суродин С.И., Боряков А.В., Николичев Д.Е., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Модификация химического и фазового состава многослойных наноструктур SiOx/ZrO2 при высокотемпературном отжиге // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 586–587.

Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Демина П.Б., Звонков Б.Н. Влияние низкотемпературного отжига на перераспределение химического состава системы спинового светоизлучающего диода на основе GaAs с дельта-слоем Mn // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. 2017. С. 217-218.

Королев Д.С., Никольская А.А., Белов А.И., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Маркелов А.С., Шушунов А.Н., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Формирование нановключений нитрида галлия при имплантации ионов галлия и азота в кремний и кремний-совместимые диэлектрические пленки // Тезисы докладов, 11 Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы. Москва, 1-3 февраля. 2017. С. 146-147.

Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Николичев Д.Е., Дорохин М.В., Звонков Б.Н. Свойства поверхности слоёв GaAs:Mn, выращенных методом импульсного лазерного осаждения // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Изд-во ННГУ, Т.2. 2017. С. 606-607.

Публикации в научных журналах

Боряков А.В., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Ершов А.В. Химический и фазовый состав многослойных нанопериодических структур a-SiOx/ZrO2, подвергнутых высокотемпературному отжигу // Физика твердого тела. № 6. Т. 59. 2017. С. 1183-1191.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Vasiliev V.K., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Tetelbaum D.I. Composition and luminescence of Si and SiO2 layers co-implanted with Ga and N ions // International Journal of Nanotechnology. № 7-8. V. 14. 2017. P. 637-645.

Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Павлов Д.А., Шенина М.Е. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота // Физика твердого тела. № 3. Т. 18. 2017. С. 591-595.

2016

Труды (тезисы) конференции

Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Формирование нанокластеров в кремнии и оксидных пленках на кремнии, имплантированных Ga и N // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тез. докл. VI Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов, Нижний Новгород, 24–27 окт. 2016 г. Н. Новгород. : Изд-во Нижегорд. госун-та. 2016. 141 с. 2016. С. 62-63.

Суродин С.И., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Распределение химического состава по глубине в кремнии,имплантированном ионами галлия и азота // XX научный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", г. Нижний Новгород, 14-18 марта. Т.2, Изд-во ННГУ. 2016. С. 741-742.

Суродин С.И., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Королев Д.С. Профилирование по глубине химического состава структур, полученных методом имплантации ионов Ga и N в кремний и кремний-совместимые диэлектрические матрицы. // Физические и физико-химические основы ионной имплантации, г. Нижний Новгород, 24-27 октября. Изд-во ННГУ. 2016. С. 91.

Публикации в научных журналах

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Окулич Е.В., Шемухин А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 274-278.

Rajamani S., Korolev D.S., Belov A.I., Surodin S.I., Nikolitchev D.E., Okulich E.V., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Effect of annealing on carrier transport properties of GaN-incorporated silicon // RSC Advances. V. 6. 2016. P. 74691.

Surodin S.I., Nikolitchev D.E., Kryukov R.N., Belov A.I., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I. Distribution of species and Ga–N bonds in silicon co-implanted with gallium and nitrogen ions // AIP Conference Proceedings. V. 1748. 2016. P. 050005.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Усов Ю.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1463-1468.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Demina P.B., Usov Yu.V., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu. Fabrication of MnGa/GaAs Contacts for Optoelectronics and Spintronics Applications // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1443-1448.

Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Shemmukhin A.A., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Layer-by-Layer Composition and Structure of Silicon Subjected to Combined Gallium and Nitrogen Ion Implantation for the Ion Synthesis of Gallium Nitride // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 271-275.

2015

Труды (тезисы) конференции

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Смирнов А.Е., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Трушин В.Н., Маркелов А.С., Нежданов А.В. Ионно-лучевой синтез GaN в кремнии // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 663-664.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. С. 168-169.

Суродин С.И., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Королев Д.С., Белов А.И. Исследование химического состава кремния, имплантированного ионами галлия и азота // XX Нижегородская сессия молодых ученых. Естественные, математические науки. Княгинино : НГИЭУ. – 2015. – 218 с.. 2015. С. 60-63.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Guseinov D.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Tetelbaum D.I. Ion synthesis of GaN nanocrystals in silicon // 2nd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2015”. Book of abstracts, St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. 2015. P. 237-238.

Публикации в научных журналах

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1649-1653.

Zdoroveishchev A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Vedy M.V., Danilov Yu.A., Erofeeva I.V., Kryukov R.N., Nikolichev D.E. CoPt Ferromagnetic Injector in Light-Emitting Schottky Diodes Based on InGaAs/GaAs Nanostructures // Semiconductors. № 12. V. 49. 2015. P. 1601-1604.

Sergeev V.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Guseinov D.V., Nezhdanov A.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Ion-beam synthesis of GaN in silicon // Journal of Physics: Conference Series. № 643. V. 1. 2015. P. 012082.

2014

Труды (тезисы) конференции

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Суродин С.И., Ершов А.В. Исследование многослойных наноструктур на основе SiOx/ZrO2 методами электронной спектроскопии и микроскопии // Тезисы XXV Росс. конференции по электронной микроскопии «РКЭМ-2014», 2–6 июня Черноголовка.. Т.1, 2 стр.,. 2014. С. 228.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Крюков Р.Н., Дорохин М.В. Химический состав структур спиновых светоизлучающих диодов на основе GaAs // Тезисы XXV Росс. конференции по электронной микроскопии «РКЭМ-2014», 2–6 июня Черноголовка.. Т1., 2 стр.,. 2014. С. 254.

Surodin S.I., Boryakov A.V., Nikolichev D.E., Ershov A.V. Chemical composition of multilayer nanostructures based on SiOx/ZrO2 studying by X-ray photoelectron spectroscopy // 1st International School and Conference “Saint-Petersburg OPEN 2014”: Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (March 25-27, 2014. Russia, Saint-Petersburg). Saint-Petersburg. 2014. P. 109-110.

Суродин С.И., Боряков А.В., Николичев Д.Е., Ершов А.В. Исследование химического состава многослойных наноструктур на основе SiOx/ZrO2 методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // Тезисы докладов Третьей школы молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов (15-17 мая 2014 г. Россия, г. Нижний Новгород). Нижний Новгород: ННГУ. 2014. С. 151-152.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Белов А.И., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Маркелов А.С., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Структура и состав ионно-синтезированных нанокристаллов GaN в кремнии // XXXIII научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова, г. Нижний Новгород. Изд-во ННГу. 2014. С. 108.

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Боряков А.В. Исследование системы спинового светоизлучающего диода методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // Конспекты лекций и тезисы докладов. Третья школа молодых учёных по физике наноструктурированных и кристаллических материалов, г. Нижний Новгород, 15-17 мая. Изд-во ННГУ. 2014. С. 137-138.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Крюков Р.Н., Дорохин М.В. Химический состав структур спиновых светоизлучающих диодов на основе GaAs // Тезисы докладов XXV Российской конференции по электронной микроскопии «РКЭМ-2014», г. Черноголовка, 2-7 июня. Черноголовка, Т.1. 2014. С. 254-255.

Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Kryukov R.N., Dorokhin M.V., Kudrin A.V. Chemical and phase composition of GaMnAs/GaAs/InGaAs spin light emitting diode // Abstracts. IV International Scientific Conference, STRANN, г. Санкт-Петербург, 22-25 апреля. Г. Санкт-Петербург. 2014. P. 97-99.

Публикации в научных журналах

Николичев Д.Е., Зубков С.Ю., Боряков А.В., Крюков Р.Н., Дорохин М.В., Кудрин А.В. Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 48. 2014. С. 839-844.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Зубков С.Ю. Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом // Журнал технической физики. № 12. Т. 84. 2014. С. 102-106.

Pavlov D.A., Bobrov A.I., Novikov A.V., Sorokin D.S., Malekhonova N.V., Pirogov A.V., Nikolichev D.E., Boryakov A.V. Investigation of deformations and strain fields in silicon matrix structures embedded with vertically stacked Ge(Si) self-assembled islands // Appl. Phys. Lett.. № 161910. V. 105. 2014. P. 1-5.

Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Zubkov S.Yu. Spin Injection of Electrons in GaMnAs/GaAs/InGaAs Light-Emitting Diode Structures // Technical Physics. № 12. V. 59. 2014. P. 1839-1843.

Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Zubkov S.Yu., Kryukov R.N., Dorokhin M.V., Kudrin A.V. Chemical and Phase Composition of GaMnAs/GaAs/InGaAs Spin Light-Emitting Diodes // Semiconductors. № 6. V. 48. 2014. P. 815-820.

2013

Труды (тезисы) конференции

Боряков А.В., Николичев Д.Е., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г. Локальный состав приборных слоев Si/КНИ, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии // Тезисы докладов XVIII-го Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел «РЭМ-2013» 3–7 июня 2013, Черноголовка, Россия. 2 стр.. 2013. С. 224-225.

Зубков С.Ю., Боряков А.В., Ершов А.В., Николичев Д.Е., Суродин С.И. Состав многослойных нанопериодических структур на основе ZrO2 и SiO // Тез. докл. XVIII Росс. симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел «РЭМ-2013», 3–7 июня 2013. Черноголовка. 2013. С. 284-285.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Дорохин М.В., Суродин С.И. Состав структур спиновых светоизлучающих диодов на основе GaMnAs // Тез. докл. XVIII Росс. симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел «РЭМ-2013», 3–7 июня Черноголовка.. 2013. С. 75-76.

Публикации в научных журналах

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Трушин В.Н., Питиримова Е.А. Структура и морфология поверхности слоев твердого раствора Si(1-X)Ge(X), выращенных на КНС-подложках методом МЛЭ с сублимационным кремниевым и газовым германиевым источниками // Неорганические материалы. № 7. Т. 49. 2013. С. 805-809.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Суродин С.И., Дроздов М.Н Диагностика методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии состава наносистем спинтроники на основе полупроводников GaAs со спин-инжектирующим слоем GaAs // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1. 2013. С. 48-52.

Matveev S.A., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G., Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Trushin V.N., Pitirimova E.A. Structure and surface morphology of Si(1–x)Ge(x) layers grown on Si/Sapphire by Molecular Beam Epitaxy using a sublimation silicon source and gaseous germanium source // Inorganic Materials. V. 49. 2013. P. 749-753.

Боряков А.В., Николичев Д.Е., Суродин С.И., Чугров И.А., Семерухин М.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Ершов А.В., Теруков Е.И., Тетельбаум Д.И. Диагностика химического и фазового состава тонкопленочных структур с нанокристаллами кремния в матрице ZrO2 методами электронной спектроскопии // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2 (2). 2013. С. 52-57.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Малышев А.Ю., Зубков С.Ю. Метрологическое обеспечение аналитических методов исследования твердотельных наносистем // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 6. 2013. [принято к печати]

Боряков А.В., Вихорев А.С., Ершов А.В., Зубков С.Ю., Карзанов В.В., Николичев Д.Е. Морфология, состав и термическая стабильность тонких слоев SiO2/HfO2, полученных на кремнии методом электронно-лучевого испарения в вакууме // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 9. 2013. С. 69-77.

2012

Труды (тезисы) конференции

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Трушин В.Н., Тихов С.В., Питиримова Е.А., Николичев Д.Е., Боряков А.В. Выращивание эпитаксиальных слоев Si1-XGeX и Ge на КНС-подложках и их свойства // Тезисы докладов IX-ой Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2012». Санкт-Петербург, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, 9-13 июля 2012 г. 2012. С. 285.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Дудин Ю.А., Павлов Д.А., Бобров А.И. Особенности формирования нанокластеров золота в матрице SiO2 // Тезисы докладов XXIV Российской конференции по электронной микроскопии. Черноголовка, 29 мая – 1 июня, 2012. 2012. С. 42-43.

Зубков С.Ю., Боряков А.В., Николичев Д.Е., Малышев А.Ю., Шенгуров В.Г. Метрологическое обеспечение метода АСМ при исследовании геометрических характеристик самоорганизованных наноостровков на основе полупроводников A4 и A3B5 // Тезисы докладов XXIV-ой Российской конференции по электронной микроскопии РКЭМ-2012. Черноголовка, 29 мая - 1 июня 2012. 2012. С. 229.

Боряков А.В., Николичев Д.Е., Малышев А.Ю., Шенгуров В.Г. Сравнительный анализ методов расчета содержания Si и Ge в тонких пленках SiGe и метрологическое обеспечение метода электронной Оже-спектроскопии // Тезисы докладов XXIV-ой Российской конференции по электронной микроскопии РКЭМ-2012. Черноголовка, 29 мая - 1 июня 2012. 2012. С. 264.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б. Особенности формирования нанокластеров золота в матрице SiO2 // XXIV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2012: Тез. докл.. 29 мая – 1 июня 2012 г., Черноголовка, Россия. 2012. С. 42-43.

Публикации в научных журналах

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Николичев Д.Е., Боряков А.В. Влияние ионного облучения на морфологию, структуру и оптические свойства наночастиц золота, синтезированных в диэлектрических матрицах SiO2 и Al2O3 // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 8. 2012. С. 58-64.

Николичев Д.Е., Тетельбаум Д.И., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Боряков А.В., Белов А.И. Химический и фазовый состав пленок оксида кремния с нанокластерами, полученными путем ионной имплантации углерода // Физика твердого тела. № 2. Т. 52. 2012. С. 370-377.

Boryakov A.V., Nikolitchev D.E., Tetelbaum D.I., Belov A.I., Ershov A.V., Mikhaylov A.N. Chemical and Phase Compositions of Silicon Oxide Films with Nanocrystals Prepared by Carbon Ion Implantation // Physics of the Solid State. № 2. V. 54. 2012. P. 347-359.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Fedonin M.P., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Nikolitchev D.E., Boryakov A.V. Influence of Ion Irradiation on the Morphology, Structure, and Optical Properties of Gold Nanoparticles Synthesized in SiO2 and Al2O3 Dielectric Matrices // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 4. V. 6. 2012. P. 681-687.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Суродин С.И., Чугров И.А., Семерухин М.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Теруков Е.И., Тетельбаум Д.И. Диагностика химического и фазового состава тонкопленочных структур с нанокристаллами кремния в матрице ZrO2методами электронной спектроскопии // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2012. [принято к печати]

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Суродин С.И., Дроздов М.Н. Диагностика методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии состава наносистем спинтроники на основе полупроводников GaAs со спин-инжектирующим слоем GaMnAs // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2012. [принято к печати]

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Вихорев А.С., Ершов А.В., Зубков С.Ю. Морфология, состав и термическая стабильность тонких слоев SiO2 / HfO2, полученных на кремнии методом электронно-лучевого испарения в вакууме // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. 2012. [принято к печати]

2011

Публикации в научных журналах

Терехов В.А., Турищев С.Ю., Панков К.Н., Занин И.Е., Домашевская Э.П., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Николичев Д.Е. Синхротронные исследования особенностей электронной и атомной структуры поверхностных слоев пленок оксида кремния, содержащих нанокристаллы кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 10. 2011. С. 46-55.

Terekhov V.A., Turishchev S.Yu., Pankov K.N., Zanin I.E., Domashevskaya E.P., Tetelbaum D.I., Mikhailov A.N., Belov A.I., Nikolichev D.E. Synchrotron investigations of electronic and atomic-structure peculiarities for silicon-oxide films' surface layers containing silicon nanocrystals // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 5. V. 5. 2011. P. 958-967.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского