Нежданов Алексей Владимирович

Место работы

Физический факультет

Кафедра физики полупроводников, электроники и наноэлектроники

доцент

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Лаборатория функциональных наноматериалов

старший научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в Университете Лобачевского: 2000
Общий стаж работы 21 год, 2 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
специалист. Специальность: микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Квалификация: инженер.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

16.01.2018 - 01.02.2018
Повышение квалификации: Использование инновационных методов и современной аппаратуры в естественно-научных исследованиях, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 72 час., документ № 522405001946; рег. № 33-818 от 01.02.2018

17.01.2018 - 17.01.2018
Повышение квалификации: Оказание первой помощи, ННГУ, 8 час., документ № Сертификат рег.№ 1104 от 17.01.2018

13.03.2017 - 13.05.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522401411679 рег номер 33-909 от 13.05.2017

08.04.2014 - 11.06.2014
Повышение квалификации: Английский язык для преподавателей исследовательского университета (уровня Elementary)., ННГУ, 72 час., документ № 522401037137 рег номер 393 от 11.06.2014

Список преподаваемых дисциплин

Физический факультет
Квантовая и оптическая электроника
Приборы твердотельной электроники
Теоретические основы электро- и радиотехники
Физика полупроводников

Публикации

2021

Труды (тезисы) конференции

Ершов А.В., Дуров К.В., Мартынов Л.Н., Нежданов А.В., Белов А.И., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Николичев Д.Е., Сидоренко К.В., Байдусь Н.В. Оптические и структурные свойства пленок субоксидов кремния и германия, полученных реактивным ВЧ-магнетронным распылением // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.). Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. В 2-х томах, 1 страница. 2021. С. 668.

Антонов И.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Здоровейщев Д.А., Калентьева И.Л., Кузнецов Ю.М., Кудрин А.В., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Хомицкий Д.В. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As // Труды XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 9–12 марта 2021 г., Нижний Новгород.. Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т.1, 521 с.. 2021. С. 126-127.

Планкина С.М., Данилов Ю.А., Дмитроусова Д.М., Дудин Ю.А., Нежданов А.В., Парафин А.Е. Влияние облучения ионами железа и лазерного отжига на спектры комбинационного рассеяния InAs и GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 1. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. — 521 с.. 2021. С. 214-215.

Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Крюков Р.Н., Кудрин А.В., Кузнецов Ю.М., Кунькова З.Э., Лесников В.П., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Питиримова Е.А., Руковишников А.И. Импульсный лазерный отжиг слоев GaAs, легированных атомами переходных 3d элементов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – 155 с. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 1 т. Том 1. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.524. 2021. С. 155.

Бобров А.И., Байдусь Н.В., Хазанова С.В., Горшков А.П., Сидоренко К.В., Шушунов А.Н., Малехонова Н.В., Нежданов А.В., Убыйвовк Е.В., Кулинич И.В. Методика контроля структуры и состава туннельно-связанных квантовых ям, проектируемых для создания модулятора по схеме интерферометра Маха-Цендера // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 72.

Бобров А.И., Байдусь Н.В., Хазанова С.В., Горшков А.П., Сидоренко К.В., Шушунов А.Н., Малехонова Н.В., Нежданов А.В., Убыйвовк Е.В., Кулинич И.В. Методика проектирования дизайна туннельно-связанных квантовых ям для модулятора по схеме Маха-Цендера // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 74.

Данилов Ю.А., Алафердов А.В., Вихрова О.В., Здоровейщев Д.А., Ковальский В.А., Крюков Р.Н., Кузнецов Ю.М., Лесников В.П., Нежданов А.В., Дроздов М.Н. Легирование углеродных нанослоев, выращенных импульсным лазерным методом // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 115.

Жуков А.О., Усанов Д.А., Нежданов А.В., Кудряшов М.А., Машин А.И. Структурный анализ халькогенидных плёнок As-S, легированных ионами Yb3+ // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 162.

Кузнецов Ю.М., Дорохин М.В., Нежданов А.В., Лесников В.П., Здоровейщев Д.А. Способ формирования фазы β-FeSi2 методом импульсного лазерного осаждения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 207.

Нежданов А.В., Усанов Д.А., Кудряшов М.А., Машин А.И. Структурные и оптические свойства плёнок ZnSnN2: нового материала для солнечной энергетики // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 263.

Vodopyyanov A.V., Preobrazhenskii E.I., Nezhdanov A.V. Intercalation of graphene with hydrogen using inductively coupled hydrogen-argon plasma // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. P. 296.

Тетельбаум Д.И., Никольская А.А., Королев Д.С., Алмаев А.В., Чигиринский Ю.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Нежданов А.В., Трушин В.Н., Николичев Д.Е., Giulian R., Kumar M. Синтез и модификация наноструктур на основе оксида галлия методами ионной имплантации и магнетронного осаждения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 360.

Титова А.М., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Зайцев А.В., Трушин В.Н., Кудрин А.В., Филатов Д.О., Нежданов А.В., Бузынин Ю.Н. In situ легирование гетероэпитаксиальных слоев Ge1-xSnx/Si(001) при их выращивании методом HW CVD // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 362.

Kumar N., Kozakov A.T., Nezhdanov A.V., Polkovnikov V.N., Smertin R.M., Pleshkov R.S., Chkhalo N.I. Plasmon excitation of crystalline nanoclusters in multilayers mirrors operating in EUV and X-ray region of wavelengths // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 1 т. Том 1. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.524. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 1 т. Том 1. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.524. 2021. P. 364.

Kumar N., Pleshkov R.S., Nezhdanov A.V., Polkovnikov V.N., Yunin P.A., Chkhalo N.I., Mashin A.I. Microstructural transformation and thermal stability of nanoscale Mo/Be periodic multilayer mirrors operating in EUV wavelength // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 1 т. Том 1. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.524. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 1 т. Том 1. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.524. 2021. P. 366.

Публикации в научных журналах

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Кузнецов Ю.М., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Хомицкий Д.В., Антонов И.Н. Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем // Physics of the Solid State. № 3. Т. 63. 2021. С. 346-355.

Kumar N., Pleshkov R.S., Nezhdanov A.V., Polkovnikov V.N., Yunin P.A., Chkhalo N.I., Mashin A.I. Microstructural Transformation of Nanoscale Be Layers in the Mo/Be and Be/Mo Periodic Multilayer Mirrors Investigated by Raman Spectroscopy // Journal of Physical Chemistry C. № 4. V. 125. 2021. P. 2729-2738.

Gavrishchuk E.M., Savin D., Tomilova T., Ikonnikov M., Kurashkin S., Mashin A.I., Nezhdanov A.V., Usanov D.A. Spray pyrolysis deposited Cr and In doped CdS films for laser application // Optical Materials. V. 117. 2021. P. 111153.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Дроздов М.Н., Здоровейщев Д.А., Калентьева И.Л., Кузнецов Ю.М., Кудрин А.В., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Хомицкий Д.В. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As // Physics of the Solid State. № 9. Т. 63. 2021. С. 1245-1252.

Kumar N., Nezhdanov A.V., Garakhin S.A., Smertin R.M., Yunin P.A., Polkovnikov V.N., Chkhalo N.I., Mashin A.I. Investigation of transverse optical phonon of thin Si films embedded in periodic Mo/Si and W/Si multilayer mirrors // Surfaces and Interfaces. V. 25. 2021. P. 101270.

Kuznetsov Yu.M., Dorokhin M.V., Nezhdanov A.V., Zdoroveishchev D.A., Lesnikov V.P., Vedy M.V. Formation of the β-FeSi2 phase by pulsed laser deposition // Journal of Physics: Conference Series. V. 1851. 2021. P. 012007.

Tetelybaum D.I., Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mullagaliev T.D., Belov A.I., Trushin V.N., Dudin Yu.A., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Mikhailov A.N., Plechnikov A., Shcheglov M., Nikolaev V., Gogova D. Ion-beam modification of metastable gallium oxide polymorphs // Materials Letters. V. 302. 2021. P. 130346.

Kozakov A.T., Kumar N., Garakhin S.A., Polkovnikov V.N., Chkhalo N.I., Nikolskii A.V., Scrjabin A.A., Nezhdanov A.V., Yunin P.A. Size-dependent plasmon effects in periodic W-Si- based mirrors, investigated by X-ray photoelectron spectroscopy // APPLIED SURFACE SCIENCE. V. 566. 2021. P. 150616.

Shiryaev V.S., Karaksina E., Filatov A., Nezhdanov A.V. Structural peculiarities of Ge-rich Ga-Ge-Sb-Se chalcogenide glasses // Journal of Solid State Chemistry. 2021. P. 122454.

Nezhdanov A.V., Kumar N., Kozakov A.T., Garakhin S.A., Polkovnikov V.N., Chkhalo N.I., Mashin A.I., Nikolskii A.V. Phonon, plasmon and electronic properties of surfaces and interfaces of periodic W/Si and Si/W multilayers // Physical Chemistry Chemical Physics. V. 23. 2021. P. 15076.

2020

Труды (тезисы) конференции

Сресели О. М., Берт Н. А., Неведомский В. Н., Андреев Б. А., Яблонский А. Н., Нежданов А.В., Кузякин Я. Д., Ершов А.В. Модификация отжигом структурных и оптических свойств многослойных нанопериодических структур Al2O3/Ge/Si, полученных электронно-лучевым испарением // Материалы XXIV Междунар. Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 года.. Нижний Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2020. – Т. 2. – С. 745-746.. 2020. С. 745-746.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Демина П.Б., Дроздов М.Н., Здоровейщев А.В., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Планкина С.М., Темирязева М.П. Формирование углеродных слоев методом термического разложения CCl4 в реакторе МОС-гидридной эпитаксии // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIV Международного симпозиума, 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 505 с.. 2020. С. 587-588.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Лесников В.П., Нежданов А.В., Планкина С.М. Исследование углеродных слоев методом конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума. 10-13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2020. С. 530-531.

Демидов Е.С., Ефимов А.Д., Абросимов А.С., Карзанов В.В., Демидова Н.Е., Нежданов А.В. Влияние скважности импульсного формирования пористого кремния на его люминесцентные, парамагнитные и транспортные свойств // Труды XXIV международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 10-13 марта 2020 г., ИФМ РАН, Н.Новгород. ННГУ, т.2, 975 с.. 2020. С. 547-548.. ННГУ, т.2, 975 с.. 2020. С. 547-548. 2 стр.. 2020. С. 547-548.

Нежданов А.В., Усанов Д.А., Кудряшов М.А. Структура и фотолюминесценция плёнок сульфида мышьяка, модифицированных непрерывным лазерным излучением // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума. 10-13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2020. С. 677.

Nezhdanov A.V., Usanov D.A., Kudryashov M.A., Mashin A.I., Zhukov A.O., Ferrari M. Photoluminescence of As-S films, doped with Yb3+ ions // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума. 10-13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2020. P. 495.

Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Kudryashov M.A., Usanov D.A., Kumar N., Smertin R.M., Zuev S.Y., Polkovnoikov V.N., Chkhalo N.I. Properties of quantum mechanically confined Si layer in Mo/Si multilayer nanofilms // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума. 10-13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2020. P. 829.

Нежданов А.В., Юрасов Д.В., Байдакова Н.А., Вербус В.А., Гусев Н.С., Морозова Е.Е., Новиков А.В., Скороходов Е.В., Шенгуров Д.В., Яблонский А.Н. Локально деформированные Ge структуры, встроенные в микрорезонаторы, как активная среда для кремниевой фотоники // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума. 10-13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2020. С. 819.

Публикации в научных журналах

Сресели О.М., Берт Н.А., Неведомский В. Н., Лихачев Л. И., Яссиевич И. Н., Ершов А.В., Нежданов А.В., Машин А.И., Андреев Б.А., Яблонский А. Н. Квантовые точки «ядро-оболочка» Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства // Semiconductors. № 2. Т. 54. 2020. С. 129–137.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Демина П.Б., Дроздов М.Н., Здоровейщев А.В., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Планкина С.М., Темирязева М.П. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии // Semiconductors. № 8. Т. 54. 2020. С. 956-960.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Хомицкий Д.В., Антонов И.Н. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs // Semiconductors. № 12. Т. 54. 2020. С. 1336-1343.

Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Usanov D.A., Kudryashov M.A., Minkov D., Angelov G., Nesterov R. Optical Characterization of AsxTe100−x Films Grown by Plasma Deposition Based on the Advanced Optimizing Envelope Method // Materials. № 13.1. V. 13. 2020. P. 1-18.

Fukina D.G., Suleimanov E.V., Nezhdanov A.V., Istomin L.A. The new tellurium compounds: Na1.5Te2Mo0.5O6.25 and K6(Te94+Te6+)Mo6O42 // Journal of Solid State Chemistry. V. 277. 2020. P. 337-345.

Nezhdanov A.V., Karaksina E.V., Shiryaev V.S., Filatov A.I., Plekhovich A.D., Stepanov B.S., Kurganova A.E., Sidorenko K.V. Effect of Ge-rich Ga-Ge-Sb-Se glass composition on the optical and thermal properties // Optical Materials. V. 104. 2020. P. 109943.

Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Kudryashov M.A., Usanov D.A., Kumar N., Smertin R.M., Polkovnikov V.N., Yunin P.A., Garakhin S.A., Chkhalo N.I. Phase-microstructure of Mo/Si nanoscale multilayer and intermetallic compound formation in interfaces // Intermetallics. V. 125. 2020. P. 106872.

Nezdanov A.V., Romanova E., Afanasyev A., Velymuzhov A., Sukhanov M., Kuzyutkina Yu., Shiryaev V. Time-resolved non-linear optical response and photo-induced carriers trapping in glassy semiconductors // Journal of Physics: Conference Series. V. 1461. 2020. P. 012139.

Nezhdanov A.V., Mashin A.I., N. Kumar, A. T. Kozakov, R. M. Smertin, V. N. Polkovnikov, N. I. Chkhalo, A. N. Nikolskii, A. A. Scrjabin, S. Y. Zuev Quantum Confinement Effect in a Nanoscale Mo/Si Multilayer Structure // Journal of Physical Chemistry C. V. 124. 2020. P. 17795-17805.

Rajbhar M.K., Rajamani S., Singh S.K., Surodin S., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Korolev D.S., Nikolyskaya A.A., Belov A.I., Nezhdanov A.V., Mikhailov A.N., Tetelybaum D.I., Kumar M. Gallium nitride nanocrystal formation in Si3N4 matrix by ion synthesis // Bulletin of Materials Science. № 43. V. 234. 2020. P. 1-9.

Ivanova M.M., Filatov D.O., Nezhdanov A.V., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A. On the Influence of Pulsed Gamma-Neutron Irradiation on the Morphology of Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoislands // Journal of Surface Investigation. № 1. V. 14. 2020. P. 169-175.

2019

Труды (тезисы) конференции

Ершов А.В., Грачев Д.А., Боряков А.В., Нежданов А.В., Кузякин Я.Д., , Сресели О.М. Получение и свойства многослойных наноструктур a-SiGex/SiO2, сформированных последовательным осаждением // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного Симпозиума 11-14 марта 2019, Нижний Новгород. Труды XXIII Международного Симпозиума Нанофизика и наноэлектроника. 11-14 марта 2019, Нижний Новгород, Изд.ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2019. - Том 2. - С. 682 - 683.. 2019. С. 682-683.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Павлов Д.А., Пашенькин И.Ю., Сушков А.А. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур // Материалы XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.. Изд-во ННГУ, 2 т., 957 с.. 2019. С. 795-796.

Danilov Yu.A., Kryukov R.N., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Nezhdanov A.V., Parafin A., Plankina S.M., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Zvonkov B.N. Modification of PLD-grown GaAs:Mn layers by pulse excimer laser annealing // Book of Abstracts «IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures», Yaroslavl, Russia 26-29 August, 2019. P.G. Demidov Yaroslavl State University. 2019. P. 11.

Новиков А.В., Нежданов А.В., Машин А.И., Юрасов Д.В., Байдакова Н.А., Вербус В.А., Гусев Н.С., Морозва Е.Е., Скороходов Е.В., Шенгуров Д.В., Яблонский А.Н. Локально деформированные структуры на основе Ge как активная среда для кремниевой оптоэлектроники // Материалы ХХIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 11-14 марта 2019, Нижний Новгород. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского 603950, г. Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23, т.2, стр. 425. 2019. С. 898-899.

Новиков А.В., Д.В. Юрасов, А.Н. Яблонский, Н.А. Байдакова, Е.Е. Морозова, В.А. Вербус, Н.С. Гусев, Д.В. Шенгуров, Нежданов А.В., Машин А.И. Светоизлучающие структуры для кремниевой оптоэлектроники на основе локально растянутых Ge микроструктур // Светоизлучающие структуры для кремниевой оптоэлектроники на основе локально растянутых Ge микроструктур. Издательство ИФП СО РАН. 2019. С. 70.

Публикации в научных журналах

Nezhdanov A.V., Usanov D.A., Kudryashov M.A., Markelov A.S., Trushin V.N., Giovanni De Filpo, Mashin A.I. Design of composition, structure and optical properties of AsxSe100-x (15x96) films by plasma-enhanced chemical vapor deposition // Optical Materials. V. 94. 2019. P. 166-171.

Kudryashov M.A., Leonid Mochalov, Nezhdanov A.V., Roman Kornev, Alexander Logunov, Usanov D.A., Mashin A.I., Giovanni De Filpo, Daniela Gogova A novel plasma-based method for synthesis of As-Se-Te films: Impact of plasma parameters on the structure, composition, and optical properties // Superlattices and Microstructures. № 128. 2019. P. 334-341.

Usanov D.A., Nezhdanov A.V., Kudryashov M.A., Krivenkov I.A., Markelov A.S., Trushin V.N., Mochalov L.A., Daniela Gogova, Mashin A.I. Some insights into the mechanism of photoluminescence of As-S-based films synthesized by PECVD // Journal of Non-Crystalline Solids. № 513. 2019. P. 120-124.

Nezhdanov A.V., Usanov D.A., Kudryashov M.A., Trushin V.N., Markelov A.S., Giovanni De Filp, Mashin A.I. Impact of composition and ex-situ laser irradiation on the structure and optical properties of As-S-based films synthesized by PECVD // Optical Materials. V. 96. 2019. P. 109292.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Павлов Д.А., Пашенькин И.Ю., Сушков А.А. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 53. 2019. С. 1233-1236. Translated version: Plankina S.M., Vikh.

Dorokhin M.V., Gavva V.A., Vedy M.V., Demina P.B., Kuznetsov Yu.M., Erofeeva I.V., Nezhdanov A.V., Boldin M.S., Lantsev E.A., Popov A.A., Trushin V.N., Vikhrova O.V., Boryakov A.V., Yakimov E.B., Tabakov N.Yu. New functional material: spark plasma sintered Si/ SiO2 nanoparticles – fabrication and properties // RSC Advances. V. 9. 2019. P. 16746-16753.

Novikov A.V., Nezhdanov A.V., Yurasov D.V., Baidakova N.A., Verbus V.A, Gusev N.S., Morozova E.E., Mashin A.I., Skorokhodov E.V., Shengurov D.V., Yablonskii A.N. Locally Strained Ge/SOI Structures with an Improved Heat Sink as an Active Medium for Silicon Optoelectronics // Semiconductors. № 10. V. 53. 2019. P. 1324–1328.

Suleimanov E.V., Fukina D.G., Nezhdanov A.V., Istomin L.A. The new tellurium compounds: Na1.5Te2Mo0.5O6.25 and K6(Te94+Te6+)Mo6O42 // Journal of Solid State Chemistry. V. 277. 2019. P. 337-345.

2018

Труды (тезисы) конференции

Планкина С.М., Боряков А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Определение состава твердых растворов GaInAs и GaInP из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света // Нанофизика и наноэлектроника. XXII Международный симпозиум. Изд-во ННГУ, т.2, 897. 2018. С. 731-732.

Ершов А.В., Кузякин Я.Д., Карабанова И.А., Нежданов А.В., Байдусь Н.В. Сравнительное исследование влияния отжига на оптические свойства многослойных нанопериодических структур a-Si/CeO2 и a-Si/SiO2 // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тез. докл. VII Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 7–9 нояб. 2018 г.). – Н. Новгород, 174 с. 2018. С. 112–113.

Ершов А.В., Сресели О.М., Грачев Д.А., Карабанова И.А., Боряков А.В., Нежданов А.В., Кузякин Я.Д. Получение и свойства многослойных нанопериодических структур a-SiGex/SiO2, сформированных последовательным ионно-плазменным и электронно-лучевым осаждением // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тез. докл. VII Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 7–9 нояб. 2018 г.). – Н. Новгород, 174 с. 2018. С. 158–159.

Ершов А.В., Кузякин Я.Д., Карабанова И.А., Нежданов А.В., Байдусь Н.В. Получение и свойства структур с массивами нанокристаллов кремния в матрицах CeO2 и SiO2 // Аморфные и микрокристаллические полупроводники. : Сб. тр. Междунар. конф. 19–21 ноября 2018 г., Санкт-Петербург. – СПб.: ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 304 с. 2018. С. 55.

Данилов Ю.А., Дмитроусова Д.М., Лесников В.П., Нежданов А.В., Планкина С.М. Комбинационное рассеяние в слоях твердых растворов GaAsSb и GaAsSb:Fe, выращенных методом лазерного распыления // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тезисы докладов. Издательство Нижегородского государственного университета. 2018. С. 131.

Nezhdanov A.V., Mochalov L.A., Usanov D.A., Kudryashov M.A., Logunov A.A., Mashin A.I. Plasma Preparation of the Top-Quality Phase Change Materials Based on As-Se-Te Chalcogenide System // 20th International Conference on Transparent Optical Networks (Bucharest; Romania, 1–5 July 2018). IEEE Computer Society. 2018. P. Tu.P.9.

Nezhdanov A.V., Mochalov L.A., Logunov A.A., Kudryashov M.A., Usanov D.A., Krivenkov I., Mashin A.I. Plasma Prepared Arsenic Sulfide Luminescent Quantum Dots // 20th International Conference on Transparent Optical Networks (Bucharest; Romania, 1–5 July 2018). IEEE Computer Society. 2018. P. Tu.P.10.

Nezhdanov A.V., Mochalov L.A., Usanov D.A., Kudryashov M.A., Logunov A.A., Stepanov A.N., Murzanev A.A., Korytin A.I., Romashkin A.V., Dorosz D., Mashin A.I. Structure and optical properties of PECVD-prepared As-Se-Te chalcogenide films designed for the IR optical applications // SPIE Photonics Europe (Strasbourg, France, 22-26 April 2018). SPIE, Proceedings Volume 10683, Fiber Lasers and Glass Photonics: Materials through Applications. 2018. P. 106833K.

Kudryashov M.A., Mochalov L.A., Nezhdanov A.V., Kornev R.A., Logunov A.A., Mashin A.I. Dependence of As-Se-Te films properties on the plasma parameters // Advanced Photonics Congress (Zurich; Switzerland; 2-5 July 2018). OSA - The Optical Society (BGPP, IPR, NP, Networks, NOMA, Sensors, SOF, SPPCom). 2018. P. JTu2A.32.

Nezhdanov A.V., Kudryashov M.A., Usanov D.A., Mochalov L.A., Logunov A.A., Mashin A.I. Thin phase tailoring and laser modification of As-Se-Te phase change materials // Advanced Photonics Congress (Zurich; Switzerland; 2-5 July 2018). OSA - The Optical Society (BGPP, IPR, NP, Networks, NOMA, Sensors, SOF, SPPCom). 2018. P. JTu2A.34.

Кривенков И.А., Усанов Д.А., Нежданов А.В., Мочалов Л.А., Кудряшов М.А., Логунов А.А., Машин А.И., Боряков А.В. Фотолюминесцентные свойства пленок As-S при комнатной температуре // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 12-15 марта 2018). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 390 с. 2018. С. 670-671.

Планкина С.М., Боряков А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Определение состава твёрдых растворов GaInAs и GaInP из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г.. Н. Новгород: Издательство ННГУ Н. Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2018. С. 731-732.

Публикации в научных журналах

Mochalov L.A., Dominik Dorosz, Nezhdanov A.V., Kudryashov M.A., Zelentsov S.V., Usanov D.A., Logunov A.A., Mashin A.I., Daniela Gogova Investigation of the composition-structure-property relationship of AsxTe100 − x films prepared by plasma deposition // Spectrochimica Acta - Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy. V. 191. 2018. P. 211-216.

Giovanni De Filpo, Patrizia Formoso, Mashin A.I., Nezhdanov A.V., Mochalov L.A., Fiore P. Nicoletta A new reverse mode light shutter from silica-dispersed liquid crystals // Liquid Crystals. № 5. V. 45. 2018. P. 721-727.

Mochalov L.A., Dorosz D., Nezhdanov A.V., Kudryashov M.A., Zelentsov S.V., Usanov D.A., Logunov A.A., Mashin A.I., Gogova D. Investigation of the composition-structure-property relationship of AsxTe100−x films prepared by plasma deposition // Spectrochimica Acta - Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy. V. 191. 2018. P. 211-216.

Mochalov L.A., Nezhdanov A.V., Logunov A.A., Kudryashov M.A., Krivenkov I., Vorotyntsev A., Gogova D., Mashin A.I. Optical emission of two-dimensional arsenic sulfide prepared by plasma // Superlattices and Microstructures. V. 114. 2018. P. 305-313.

Mochalov L.A., Dorosz D., Kudryashov M.A., Nezhdanov A.V., Usanov D.A., Gogova D., Zelentsov S.V., Boryakov A.V., Mashin A.I. Infrared and Raman spectroscopy study of As-S chalcogenide films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition // Spectrochimica Acta - Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy. V. 193. 2018. P. 258-263.

Romashkin A.V., Murzanev A.A., Kiselev A.M., Korytin A.I., Kudryashov M.A., Nezhdanov A.V., Mochalov L.A., Mashin A.I., Stepanov A.N. Structural Modification of PECVD As50S50Chalcogenide-Glass Films by Femtosecond Laser Radiation // Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya). № 5. V. 124. 2018. P. 741-747.

Mochalov L.A., Logunov A.A., Zelentsov S.V., Kudryashov M.A., Nezhdanov A.V., Gogova D., Mashin A.I. A novel method for synthesis of arsenic sulfide films employing conversion of arsenic monosulfide in a plasma discharge // Superlattices and Microstructures. V. 120. 2018. P. 264-271.

Новиков А.В., Юрасов Д.И., Морозова Е.Е., Скороходов Е.В., Вербус В.А., Яблонский А.Н., Байдакова Н.А., Гусев Н.С., Кудрявцев К.Е., Нежданов А.В., Машин А.И. Формирование и исследование локально растянутых Ge микроструктур для кремниевой фотоники // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 52. 2018. С. 1331-1336.

Novikov A.V., Yurasov D.V., Morozova E.E., Skorohodov E.V., Verbus V.A., Yablonskiy A.N., Baidakova N.A., Gusev N.S., Kudryavtsev K.E., Nezhdanov A.V., Mashin A.I. Formation and Properties of Locally Tensile Strained Ge Microstructures for Silicon Photonics // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1442-1447.

2017

Труды (тезисы) конференции

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Крюков Р.Н., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Николичев Д.Е., Павлов С.А., Парафин А.Е., Пашенькин И.Ю., Планкина С.М. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений А3В5 импульсным лазерным отжигом // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 151-152.

Грачев Д.А., Ершов А.В., Нежданов А.В., Красильникова Л.В., Яблонский А.Н., Андреев Б.А. Оптические свойства вертикальных резонаторов, содержащих нанокристаллы Ge // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т. 2, 402 с. 2017. С. 565–566.

Шенгуров В.Г., Бузынин Ю.Н., Бузынин А.Н., Байдусь Н.В., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Сушков А.А., Павлов Д.А., Дроздов М.Н., Нежданов А.В., Юнин П.А., Трушин В.Н. Эпитаксиальные подложки GaAs/Ge/Si // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 770-771.

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Detochenko A.P., Ezhevskii A.A., Nezhdanov A.V., Stepikhova M.V., Gavva V.A., Bulanov A.D. Molecular beam epitaxy of monoisotopic 30Si and 30Si1-x74Gex // Abstract book 19th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (EuroMBE19), March 19-22, 2017. Korobitsyno, Saint-Petersburg, Russia. 2017. P. 87.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур // Материалы XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта 2017г., Нижний Новгород. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т.2. 2017. С. 690.

Королев Д.С., Никольская А.А., Белов А.И., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Маркелов А.С., Шушунов А.Н., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Формирование нановключений нитрида галлия при имплантации ионов галлия и азота в кремний и кремний-совместимые диэлектрические пленки // Тезисы докладов, 11 Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы. Москва, 1-3 февраля. 2017. С. 146-147.

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Nezhdanov A.V., Trushin V.N., Filatov D.O., Prokhorov D.S., Buzynin Yu.N., Buzynin A.N., Baidusy N.V. Growth of high quality Ge epitaxial layer on Si(001) substrate using hot-wire chemical vapor deposition // Book of abstracts the III International Conference «Modern problems in the physics of surfaces and nanostructures» (ICMPSN-2017). Yaroslavl, Russia, October 9-11, 2017, 123 p.. 2017. P. 65.

Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Степихова М.В., Деточенко А.П., Ежевский А.А., Бардина Е.Е., Нежданов А.В., Гавва В.А., Буланов А.Д. Люминесцентные свойства моноизотопных 28Si и 28Si1-x74Gex, легированных эрбием // Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «Фотоника 2017». Новосибирск, Россия, 11-15 сентября 2017 г.. 2017. С. 147.

Mochalov L.A., Nezhdanov A.V., Kudryashov M.A., Logunov A.A., Dorosz D., Chidichimo G., De Filpo G., Mashin A.I. Influence of stoichiometry on properties and femtosecond laser modification ability of As-Se-Te chalcogenide films // XIVth INTERNATIONAL CONFERENCE ON MOLECULAR SPECTROSCOPY (Białka Tatrzańska, 3–7 September 2017). Wydawnictwo Naukowe „Akapit”, Kraków, 372p. 2017. P. 257.

Mochalov L.A., Nezhdanov A.V., Kudryashov M.A., Logunov A.A., Dorosz D., Chidichimo G., De Filpo G., Mashin A.I. Structural and optical study of As-Te chalcogenide films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition // XIVth INTERNATIONAL CONFERENCE ON MOLECULAR SPECTROSCOPY (Białka Tatrzańska, 3–7 September 2017). Wydawnictwo Naukowe „Akapit”, Kraków, 372p. 2017. P. 88.

Mochalov L.A., Nezhdanov A.V., Mashin A.I. Thin phase tailoring of As-Te phase change materials // 19TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON TRANSPARENT OPTICAL NETWORKS. (ICTON). 2017. P. 8025046.

Монографии

Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Matveev S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Kruglov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Photodiodes based on Thick Ge/Si(001) Epilayers Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition. New York: Horizons in World Physics. Volume 288. Ed. Albert Reimer. / New York: Nova Science, 2017. Chapter 9. P.171-200. ISBN: 978-1-63485-882-3(eBook). 2017.

Публикации в научных журналах

Kudrin A.V., Plankina S.M., Vikhrova O.V., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Drozdov Yu.N., Shvetsov A.V. Characterization of the cleaved edge cross section of the heterostructures with GaMnAs layer by the confocal micro-Raman spectroscopy // Micron. № 2. V. 93. 2017. P. 38-42.

Грачев Д.А., Ершов А.В., Карабанова И.А., Пирогов А.В., Нежданов А.В., Машин А.И., Павлов Д.А. Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeOx и многослойных структурах Ge/SiO2 // Физика твердого тела. № 5. Т. 59. 2017. С. 965–971.

Grachev D.A., Karabanova I.A., Pirogov A.V., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Pavlov D.A. Influence of the Deposition and Annealing Temperatures on the Luminescence of Germanium Nanocrystals Formed in GeOx Films and Multilayer Ge/SiO2 Structures // Physics of the Solid State. № 5. V. 59. 2017. P. 992-998.

Egorova A.E., Portnov V.N., Vorontsov D.A., Nezhdanov A.V., Noskova A.N. The growth rates of KDP crystals in solutions with potassium permanganate additives // Journal of Crystal Growth. № 1. V. 457. 2017. P. 2-5.

Giovanni De Filpo, Patrizia Formoso, Mashin A.I., Nezhdanov A.V., Mochalov L.A., Fiore P. Nicoletta A new reverse mode light shutter from silicadispersed liquid crystals // Liquid Crystals. № -. V. -. 2017. P. -.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1510-1513.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Nezhdanov A.V., Pashenykin I.Yu. Cleaved-Edge Photoluminescence Spectroscopy of Multilayer Heterostructures // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1456–1459.. [принято к печати]

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Пашенькин И.Ю., Планкина С.М. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений А3В5 импульсным лазерным отжигом // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2130-2134.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Nezhdanov A.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Pashenykin I.Yu., Plankina S.M. Modification of the Properties of Ferromagnetic Layers Based on A3B5 Compounds by Pulsed Laser Annealing // Physics of the Solid State. № 11. V. 59. 2017. P. 2150-2154.

Mochalov L.A., Kudryashov M.A., Logunov A.A., Zelentsov S.V., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Daniela Gogova, Giuseppe Chidichimo, Giovanni De Filpo Structural and optical properties of arsenic sulfide films synthesized by a novel PECVD-based approach // Superlattices and Microstructures. V. 111. 2017. P. 1104-1112.

Trushin V.N., Mochalov L.A., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Markelov A.S. A new method for synthesis of As-Te chalcogenide films // Superlattices and Microstructures. № November 2017. V. 111. 2017. P. 173-180.

Mochalov L.A., Nezhdanov A.V., Kudryashov M.A., Logunov A.A., Strikovskiy A.V., Gushchin M.E., Chidichimo G., De Filpo G., Mashin A.I. Influence of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Parameters on Characteristics of As-Te Chalcogenide Films // Plasma Chemistry and Plasma Processing. № 5. V. 37. 2017. P. 1417-1429.

Грачев Д.А., Ершов А.В., Карабанова И.А., Пирогов А.В., Нежданов А.В., Машин А.И., Павлов Д.А. ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОСАЖДЕНИЯ И ОТЖИГА НА ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ ГЕРМАНИЕВЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ, СФОРМИРОВАННЫХ В ПЛЕНКАХ GEOX И МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУРАХ GE/SIO2 // Физика твердого тела. № 5. Т. 59. 2017. С. 965-971.

Grachev D.A., Ershov A.V., Karabanova I.A., Pirogov A.V., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Pavlov D.A. Influence of the Deposition and Annealing Temperatures on the Luminescence of Germanium Nanocrystals Formed in GeOx Films and Multilayer Ge/SiO2 Structures // Physics of the Solid State. № 5. V. 59. 2017. P. 992-998.

2016

Труды (тезисы) конференции

Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А., Планкина С.М., Якубов Р.Р. Формирование однофазных ферромагнитных полупроводников (III,Mn)V импульсным лазерным отжигом // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.1. 2016. С. 179-180.

Корнев Р.А., Сенников П.Г., Андрющенко И.А., Лесников В.П., Данилов Ю.А., Нежданов А.В. Получение и исследование изотопно-обогащенного высокочистого 72Ge в виде объемных образцов и тонких пленок // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.2. 2016. С. 625.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Коннова Н.Ю., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.2. 2016. С. 686-687.

Грачев Д.А., Белолипецкий А.В., Гарахин С.А., Нежданов А.В., Карабанова И.А., Сресели О.М., Ершов А.В. Влияние температурного воздействия на формирование нанокристаллов Ge в пленках GeOx // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород. Изд-во Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, Т. 2: Секция 3, 840 с. 2016. С. 545–546.

Грачев Д.А., Ершов А.В., Нежданов А.В., Яблонский А.Н., Андреев Б.А. Фазовые модификации диэлектрических композитов с массивами нанокристаллов германия // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород. Изд-во Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, Т. 2: Секция 3, 840 с. 2016. С. 547–548.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бобров А.И., Коряжкина М.Н., Нежданов А.В., Кудряшов М.А. Формирование методами магнетронного осаждения металлических наночастиц в матрицах ZrO2(Y), HfO2(Y) и GeOx для мемристорных структур // Материалы XX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 14-18 марта 2016). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 406 с. 2016. С. 543-544.

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Эпитаксиальные моноизотопные слои Si, Ge и Si1-xGex // Материалы ХX Международного Симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника",. Нижний Новгород, Россия, 14-18 марта 2016 г.. 2016. С. 561-563.

Пашенькин И.Ю., Данилов Ю.А., Нежданов А.В., Планкина С.М. Комбинационное рассеяние света в слоях GaAs:Mn // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 122-123.

Grachev D.A., Garakhin S.A., Belolipetskii A.V., Nezhdanov A.V., Ershov A.V. Luminescence and structural properties of germanium nanocrystals formed by annealing multilayer Ge/Al2O3 nanostructures // Book of Abstracts of 3st International School and Conference “Saint-Petersburg OPEN 2016”: Optoelectronics, Photonics, Engi-neering and Nanostructures (March 28-30, 2016. Russia, Saint-Petersburg). St Petersburg: Academic University Publishing, 574 pp. 2016. P. 360-361.

Грачев Д.А., Гарахин С.А., Нежданов А.В., Белолипецкий А.В., Яблонский А.Н., Андреев Б.А., Ершов А.В. Получение и оптические свойства тонкопленочных high-k оксидов с вертикально упорядоченными массивами нанокристаллов германия // Аморфные и микрокристаллические полупроводники: сб. тр. Междунар. конф. 4–7 июля 2016 года. – СПб. Изд-во Политехн. ун-та, 395 с. 2016. С. 86.

Грачев Д.А., Гарахин С.А., Нежданов А.В., Дудин Ю.А., Ершов А.В. Модификация оптических свойств массивов нановключений германия в диэлектрике под действием ионного внедрения кислорода и термообработки // Физические и физико-химические основы ионной имплантации : Тез. докл. VI Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов, Нижний Новгород, 24–27 окт. 2016 г. – Н. Новгород. Изд-во Нижегорд. госун-та, 141 с. 2016. С. 70–71.

Грачев Д.А., Гарахин С.А., Сушков А.А., Дудин Ю.А., Нежданов А.В., Павлов Д.А., Ершов А.В. Структурные свойства многослойных композитов «наногерманий – оксид алюминия», подвергнутых имплантации ионов кислорода // Физические и физико-химические основы ионной имплантации : Тез. докл. VI Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов, Нижний Новгород, 24–27 окт. 2016 г. – Н. Новгород. Изд-во Нижегорд. госун-та, 141 с. 2016. С. 131–132.

Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Филатов Д.О., Ежевский А.А., Деточенко А.П., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Зайцев А.В., Нежданов А.В. Эпитаксиальный рост слоев Ge на Si(100) с использованием метода «горячей проволоки» // Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск, Россия, 12-15 сентября 2016. 2016. С. 129.

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., N.V. Abrosimov, H.Riemann 4. Получение и исследование тонких пленок моноизотопных кремния и твердого раствора Si1-xGeх // Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск, Россия, 12-15 сентября 2016 г. 2016. С. 130.

Зайцев А.В., Денисов С.А., Трушин В.Н., Нежданов А.В., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Влияние температурного режима на структуру и морфологию слоев Ge, выращенных методом «горячей проволоки» на Si(100) // Сборник трудов 15-й Международной научной конференции-школы «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (МНКШ-2016). Саранск, Россия, 11-14 октября 2016 г.,. 2016. С. 112.

Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Формирование нанокластеров в кремнии и оксидных пленках на кремнии, имплантированных Ga и N // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тез. докл. VI Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов, Нижний Новгород, 24–27 окт. 2016 г. Н. Новгород. : Изд-во Нижегорд. госун-та. 2016. 141 с. 2016. С. 62-63.

Mochalov L.A., Lobanov A.S., Strikovskiy A.V., Kostrov A.V., Murzanev A.A., Nezhdanov A.V., Kudryashov M.A., Mashin A.I. Preparation of chalcogenide glasses via plasma-enhanced chemical vapor deposition on the example of As-S system // 18th International Conference on Transparent Optical Networks (Trento; Italy; 10-14 July 2016). IEEE Computer Society. 2016. P. We.D6.2.

Ежевский А.А., Деточенко А.П., Денисов С.А., Нежданов А.В., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Гавва В.А. Получение эпитаксиальных моноизотопных слоев Si и SiGe с высокой изотопной чистотой // 22 Всероссийская научная конференция студентов физиков и молодых ученых. Ростов-на-Дону 21-28 апреля 2016. 2016. С. 183-184.

Публикации в научных журналах

Воротынцев А.В., Мочалов Л.А., Лобанов А.С., Нежданов А.В., Воротынцев В.М., Машин А.И. ПОЛУЧЕНИЕ СТЕКОЛ СИСТЕМЫ As–S МЕТОДОМ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ // Журнал прикладной химии.. № 2. Т. 89. 2016. С. 168-173.

Mochalov L.A., Kornev R.A., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Lobanov A.S., Kostrov A.V., Vorotyntsev V.M., Vorotyntsev A.V. Preparation of Silicon Thin Films of Different Phase Composition from Monochlorosilane as a Precursor by RF Capacitive Plasma Discharge // Plasma Chemistry and Plasma Processing. № March. 2016. P. 1-8.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Окулич Е.В., Шемухин А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 274-278.

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si1-xGex: получение и некоторые свойства // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 50. 2016. С. 350-353.

Detochenko A.P., Denisov S.A., Drozdov M.N., Mashin A.I., Gavva V.A., Bulanov A.D., Nezhdanov A.V., Ezhevskii A.A., Stepikhova M.V., Chalkov V.Yu., Trushin V.N., Shengurov D.V., Shengurov V.G., Abrosimov N.V., Riemann H. Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si1 – xGex alloy layers: production and some properties // Semiconductors. № 3. V. 50. 2016. P. 345-348.

Mochalov L.A., Nezhdanov A.V., Kudryashov M.A., Mashin A.I., Strikovskiy A.V., Kostrov A.V. Preparation of chalcogenide glasses via plasma-enhanced chemical vapor deposition on the example of As-S system // 18th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON). № 5. V. 3. 2016. P. 1-4.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Коннова Н.Ю., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1561-1564.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Konnova N.Yu., Nezhdanov A.V., Pashenkin I.Yu Study of the Structures of Cleaved Cross Sections by Ramsn Spectroscopy // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1539-1542.

Кудряшов М.А., Машин А.И., Нежданов А.В., Логунов А.А., Грачева Т.А., Кузьмичева Т.А., Chidichimo G., De Filpo G. Структура и оптические свойства нанокомпозитов серебро/полиакрилонитрил // Журнал технической физики. № 11. Т. 86. 2016. С. 80-85.

Kudryashov M.A., Mashin A.I., Nezhdanov A.V., Logunov A.A., Gracheva T.A., Kuz’micheva, Chidichimo G., De Filpo G. Structure and Optical Properties of the Silver/Polyacrylonitrile Nanocomposites // TECHNICAL PHYSICS. № 11. V. 61. 2016. P. 1684-1688.

Grachev D.A., Garakhin S.A., Belolipetskii A.V., Nezhdanov A.V., Ershov A.V. Luminescence and structural properties of germanium nanocrystals formed by annealing multilayers GeOx/Al2O3 nanostructures // Journal of Physics: Conference Series. V. 741. 2016. P. 012129-(1-5).

Mochalov L.A., Lobanov A.S., Nezhdanov A.V., Kudryashov M.A., Mashin A.I., Stepanov A.N., Korytin A.I., Vorotyntsev A.V., Vorotyntsev V.M. Comparison of optical properties and impurities content of Ge-Sb-S-I glasses prepared by different methods // OPTICAL MATERIALS EXPRESS. № 12. V. 6. 2016. P. 3759-3765.

Mochalov L.A., Nezhdanov A.V., Kudryashov M.A., Mashin A.I., Strikovskiy A.V., Kostrov A.V. Preparation of chalcogenide glasses via plasma-enhanced chemical vapor deposition on the example of As-S system // ICTON. № 5. V. 3. 2016. P. 1-4.

Mochalov L.A., Lobanov A.S., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Kudryashov M.A., Strikovskiy A.V., Kostrov A.V., Vorotyntsev A.V., Vorotyntsev V.M. Influence of the preparation technique on the optical properties and content of heterophase inclusions of AS2S3 chalcogenide glasses // OPTICAL MATERIALS EXPRESS. № 11. V. 6. 2016. P. 3507-3517.

Yashunin D.A., Velmuzhov A.P., Nezhdanov A.V., Murzanev A.A., Malkov Yu.A., Kudryashov M.A., Mashin A.I., Mochalov L.A., Lobanov A.S., Korytin A.I., Vorotyntsev V.M., Vorotyntsev A.V., Stepanov A.N. Comparative study of nonlinear optical properties of Ge-S-I glasses with different macrocompositions // Journal of Non-Crystalline Solids. V. 453. 2016. P. 84-87.

Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Matveev S.A., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Filatov D.O., Stepikhova M.V., Krasilynik Z.F. Conditions of Growth of High-Quality Relaxed Si1 – xGex Layers with a High Ge Content by the Vapor-Phase Decomposition of Monogermane on a Sublimating Si Hot Wire // Semiconductors. № 9. V. 50. 2016. P. 1248-1253.

Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Матвеев С.А., Нежданов А.В., Машин А.И., Филатов Д.О., Степихова М.В., Красильник З.Ф. Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si1-xGex с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 50. 2016. С. 1270-1275.

Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Shemmukhin A.A., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Layer-by-Layer Composition and Structure of Silicon Subjected to Combined Gallium and Nitrogen Ion Implantation for the Ion Synthesis of Gallium Nitride // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 271-275.

Зеленцов С.В., Логунов А.А., Машин А.И., Кудряшов М.А., Нежданов А.В., Рябов А.С., Chidichimo G., De Filpo G. Влияние полианаона фосфорновольфрамовой кислоты на фотоконверсионную эффективность солнечных ячеек на основе диоксида титана сенсибилизированного красителями // Химия высоких энергий. № 3. Т. 50. 2016. С. 195-197.

Logunov A.A., Mashin A.I., Zelentsov S.V., Kudryashov M.A., Nezhdanov A.V., Ryabov A. S., Chidichimo G., De Filpo G. Effect of the polyoxoanion of phosphotungstic acid on the photoconversion efficiency of dye-sensitized solar cells based on titanium dioxide // High Energy Chemistry. № 3. V. 50. 2016. P. 189-191.

Grachev D.A., Garakhin S.A., Belolipetskii A.V., Nezhdanov A.V., Ershov A.V. Luminescence and structural properties of germanium nanocrystals formed by annealing multilayer GeOx /Al2 O3 nanostructures // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 741. 2016. P. 012129.

2015

Труды (тезисы) конференции

Грачев Д.А., Нежданов А.В., Ершов А.В. Нанокристаллы Ge в оксидных матрицах с разной диэлектрической проницаемостью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2015. С. 463–464.

Машин А.И., Нежданов А.В., Ершов А.В., Чевелева Е.А. Влияние условий получения на свойства нанокристаллов кремния в системах SiOx:SiO2 и a-Si:SiO2 // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2015. С. 597–598.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Смирнов А.Е., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Трушин В.Н., Маркелов А.С., Нежданов А.В. Ионно-лучевой синтез GaN в кремнии // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 663-664.

Грачев Д.А., Ершов А.В., Нежданов А.В., Дудин Ю.А., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Оптоэлектронные и структурные свойства массивов нанокристаллов германия в диэлектрике, сформированных отжигом многослойных нанопериодических Ge/Al2O3 систем // Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение. Тезисы докладов XV конференции, Нижний Новгород, 26–29 мая 2015 г. / Под ред. академика РАН М.Ф. Чурбанова. Нижний Новгород: Печатная мастерская РАДОНЕЖ. 216 с. 2015. С. 174.

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Нежданов А.В., Планкина С.М., Дроздов Ю.Н. Использование спектроскопии комбинационного рассеяния для анализа влияния упругих напряжений на магнитные свойства слоев GaMnAs // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". 10-14 марта 2015 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского университета. 2015. С. 615-617.

Грачев Д.А., Пирогов А.В., Нежданов А.В., Дудин Ю.А., Павлов Д.А., Ершов А.В. Модификация структурных и люминесцентных свойств многослойных нанопериодичкеских систем Ge/Al2O3 имплантацией ионами кислорода и отжигом // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: программа и материалы 14 Международной научной конференции-школы, Саранск 29 сентября - 2 октября 2015 / редкол.: К.Н. Нищев. Саранск: Издательство Мордовского университета, 232 с. 2015. С. 30.

Гарахин С.А., Грачев Д.А., Нежданов А.В., Ершов А.В. Формирование нанокристаллов Ge путем направленного отжига тонких пленок GeOx // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: программа и материалы 14 Международной научной конференции-школы, Саранск 29 сентября - 2 октября 2015 / редкол.: К.Н. Нищев. Саранск: Издательство Мордовского университета, 232 с. 2015. С. 39.

Машин А.И., Кудряшов М.А., Нежданов А.В., Chidichimo G., De Filpo G. Комбинационное рассеяние света нанокомпозитов Ag/ПАН // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". ИФМ РАН, Том 2, 359 с. 2015. С. 555-556.

Денисов С.А., Нежданов А.В., Трушин В.Н., Машин А.И., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Шенгуров В.Г. Низкотемпературный рост эпитаксиальных слоев германия на Si(100) методом газофазного осаждения, усиленного разложением моногермана на горячей проволоке // XV Всероссийская конференция и VIII Школа молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение». Нижний Новгород, Россия, 26-29 мая 2015 г.. 2015. С. 110.

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Исследование моноизотопных эпитаксиальных слоев 30Si и твердого раствора Si1-xGex, осажденных из молекулярных пучков // XV Всероссийская конференция и VIII Школа молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение». Нижний Новгород, Россия, 26-29 мая 2015 г.. 2015. С. 112.

Гусейнов Д.В., Денисов С.А., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Юнин П.А., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Степихова М.В., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Имплантируемые ионами P+ слои германия на Si(100) для светоизлучающих приборов // XXII международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2015)». Москва, Россия, 20-24 августа 2015, Т.2. 2015. С. 120-123.

Денисов С.А., Нежданов А.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Бузынин Ю.Н., Шенгуров В.Г. Гетероэпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 154.

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и Si1 xGex: получение и свойства // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 159.

Грачев Д.А., Ершов А.В., Нежданов А.В., Дудин Ю.А., Павлов Д.А. Подходы к формированию нанокристаллов Ge в диэлектрических матрицах // Сборник трудов 18-ой молодежной научной школы по твердотельной электронике «Микро- и Нанотехника нового поколения», 12 – 13 ноября 2015 Санкт-Петербург.. СПб: Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 179 с.. 2015. С. 25-26.

Ежевский А.А., Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Шенгуров В.Г. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и Si1-xGex: получение и свойства // XII российская конференция по физике полупроводников. Звенигород, 21-25 сентября 2015. 2015. С. 159.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Konakov A.A., Shemukhin A., Ranwa S., Kumar M. Si and Si-compatible dielectric films subjected to Ga+N co-implantation: towards the Si-based technology of nc-GaN fabrication // 18th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-18), Dates: 26th to 31st October, 2015. Book of Abstracts. Jaipur, Rajasthan, India. 2015. P. 238.

Публикации в научных журналах

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Чунин И.И., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 102-106.

Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Ulin V.P., Lvova T.V., Filatov D.O., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Berkovits V.L. Nitride surface passivation of GaAs nanowires: Impact on surface state density // NANOLett. № 1. V. 15. 2015. P. 63-68.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kalentyeva I.L., Nezhdanov A.V., Chunin I.I., Yunin P.A. Raman Spectroscopy of InGaAs/GaAs Nanoheterostructures Delta-doped with Mn // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 99-103.

Mochalov L.A., Nezhdanov A.V., Lobanov A.S., Kostrov A.V., Vorotyntsev V.M. Preparation of Ge-S-I and Ge-Sb-S-I glasses by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition // JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS. V. 423-4. 2015. P. 76-80.

Sergeev V.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Guseinov D.V., Nezhdanov A.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Ion-beam synthesis of GaN in silicon // Journal of Physics: Conference Series. № 643. V. 1. 2015. P. 012082.

2014

Труды (тезисы) конференции

Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Нежданов А.В., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Низкотемпературная гетероэпитаксия слоев германия на Si(100) с использованием метода горячей проволоки // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014. С. 551-552.

Matveev S.A., Denisov S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Filatov D.O., Shengurov V.G. Low temperature growth of the epitaxial Ge layers on Si(100) by Hot Wire Chemical Vapor Deposition // Book of abstracts of Saint-Petersburg OPEN 2014, March 25-27, 2014. ISBN 978-5-906433-10-7 Published by St. Petersburg Academic University RAS. 2014. P. 107-108.

Машин А.И., Нежданов А.В., Ершов А.В., Чевелева Е.А. Влияние типа и ориентации подложки на оптические свойства систем SiOx:SiO2 при термическом отжиге // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2014 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2014. С. 573-574.

Денисов С.А., Матвеев С.А., Нежданов А.В., Зайцев А.В., Волкова Н.С. Влияние толщины слоя на структурное совершенство эпитаксиальных слоев Ge, выращенных методом горячей проволоки на Si(100) // Конспекты лекций и тезисы докладов 3-й школы молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов, Нижний Новгород, Россия, 15-17 мая 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 175 с. 2014. 2014. С. 142-143.

Планкина С.М., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Скворцов В.В., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". 10-14 марта 2014 г. Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского университета, т.1. 2014. С. 186-187.

Машин А.И., Нежданов А.В., Ершов А.В., Чевелева Е.А. Оптические свойства систем SiOx:SiO2 на поверхности ВОПГ // Кремний – 2014 / Тезисы докладов X Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (Иркутск, 7–12 июля 2014 г.). Иркутск: Изд-во Института географии им. В.Б. Сочавы СО РАН, 2014, 229 с.. 2014. С. 157.

Грачев Д.А., Пирогов А.В., Нежданов А.В., Павлов Д.А., Ершов А.В. Формирование и свойства вертикально упорядоченных ансамблей нанокристаллов Ge в матрицах Al2O3, HfO2 и SiO2 // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: тезисы докладов V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 27–31 октября 2014 г.). Нижний Новгород: ННГУ. 142 с. 2014. С. 123-124.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Степихова М.В., Шенгуров В.Г., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. Рост слоев твердого раствора Si1 XGeX/Si(100) с низкой плотностью дислокаций комбинированным методом молекулярно-пучковой эпитаксии // Сборник трудов 13-й Международной научной конференции-школы «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» Саранск, Россия, 07-10 октября 2014. Мордовский университет, 2014, 180 с. 2014. С. 48.

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Коннова Н.Ю., Нежданов А.В., Планкина С.М. Свойства слоев GaMnAs, выращенных методом лазерного осаждения в потоке арсина // Тезисы докладов V Всероссийской конференции "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". 27-31 октября 2014 года, Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского университета. 2014. С. 114-115.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Нежданов А.В. Структурные и фотолюминесцентные свойства слоев твердого раствора Si1-XGeX с низкой плотностью дислокаций, выращенных методом низкотемпературной молекулярно-пучковой эпитаксии с газовым источником германия // Тезисы докладов II-ой Всероссийской научной молодежной конференции «Актуальные проблемы нано- и микроэлектроники» Уфа, Россия, 02 - 05 декабря 2014. Уфа, Россия. 2014. С. 1.

Гусейнов Д.В., Денисов С.А., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Степихова М.В., Шенгуров В.Г. Формирование и исследование растянутых слоев n+ - Ge на Si // Тезисы докладов XXXIII научных чтений им. академика Н.В. Белова, Нижний Новгород, Россия, 16 - 17 декабря 2014. ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 2014. - 144 с.. 2014. С. 83-85.

Публикации в научных журналах

Pavlov D.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pirogov A.V., Nezhdanov A.V. Self-assembled nanocrystals discovered in Chelyabinsk meteorite // Scientific Reports. № 4280. V. 4. 2014. P. 1-6.

Shushunov A.N., Gorshkov O.N., Smirnova N.N., Somov N.V., Chigirinskii Yu.I., Bykov A.B., Nezhdanov A.V. Thermophysical properties of Ca2GeO4 over the temperature range between (6 and 350) K // The Journal of Chemical Thermodynamics. V. 78. 2014. P. 58-68.

Matveev S.A., Denisov S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Filatov D.O., Shengurov V.G. Low temperature growth of the epitaxial Ge layers on Si(100) by Hot Wire Chemical Vapor Deposition // Journal of Physics: Conference Series. V. 541. 2014. P. 012026.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Чунин И.И., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № Выпуск 1. Т. 49. 2014. С. 102-106.

Грачев Д.А., Ершов А.В., Суровегина Е.А., Нежданов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Оптические и структурные свойства отожженных многослойных нанопериодических систем Ge/SiO2, содержащих нанокристаллы германия // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1 (2). 2014. С. 59-63.

2013

Труды (тезисы) конференции

Нежданов А.В., Афанаскин А.Ю., Ершов А.В., Машин А.И. Исследование оптических свойств нанокристаллов кремния в матрице аморфного кремния, формируемых импульсным лазерным отжигом // Труды XVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 11-15 марта 2013. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ, Т. 2. 2013. С. 535-536.

Машин А.И., Нежданов А.В., Ершов А.В., Чевелева Е.А. Исследование влияния подложки на формирование нанокристаллов кремния в диэлектрической матрице // Труды XVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 11-15 марта 2013. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ, Т. 2. 2013. С. 537.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. Релаксированные слои твердого раствора Si1-XGeX (x=0,25–0,4) с низкой плотностью дислокаций, выращенные на Si(100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с газовым источником германия // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XI РКФП), 16-20 сентября 2013. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2013. С. 224.

Шушунов А.Н., Горшков О.Н., Смирнова Н.Н., Сомов Н.В., Чигиринский Ю.И., Быков А.Б., Нежданов А.В. Термодинамические свойства Ca2GeO4 в области от Т - 0 до 350 К // Сборник трудов XIV Международной конференции по термическому анализу и калориметрии в России (RTAC-2013) Санкт-Петербург Россия 23 – 28 сентября 2013 года. Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. С.474. 2013. С. 211-213.

Публикации в научных журналах

Ершов А.В., Чугров И.А., Тетельбаум Д.И., Машин А.И., Павлов Д.А., Нежданов А.В., Бобров А.И., Грачев Д.А. Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO2 // Физика и техника полупроводников. № 4. Т. 47. 2013. С. 460-465.

Ershov A.V., Chugrov I.A., Tetelbaum D.I., Mashin A.I., Pavlov D.A., Nezhdanov A.V., Bobrov A.I., Grachev D.A. Thermal evolution of the morphology, structure, and optical properties of multilayer nanoperiodic systems produced by the vacuum evaporation of SiO and SiO2 // Semiconductors. № 4. V. 47. 2013. P. 481-486.

Машин А.И., Нежданов А.В., Анисимов А.В., Турищев С.Ю., Терехов В.А. Рентгеноспектральные исследования электронной и атомной структры нанослоев кремния на подложке высокоориентированного пиролитического графита // Конденсированные среды и межфазные границы. № 4. Т. 15. 2013. С. 473-478.

Алексеев П.А., Дунаевский М.С., Марычев М.О., Нежданов А.В., Lepsa M., Grützmacher D., Титков А.Н. Фотопроводимость нитевидных нанокристаллов GaAs // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2-2. 2013. С. 22-27.

2012

Сборники статей

Filatov D.O., Isakov M.A., Shengurov V.G., Marychev M.O., Nezhdanov A.V., Mashin A.I. Photoluminescence of the Self-Assembled GESI/SI(001) Nanoislands Grown by Sublimation Molecular Beam Epitaxy in GEH4 Ambient // Photoluminescence: Applications, Types and Efficacy. New York.: Nova Science Publishers, Editors: M.A. Case and B.C. Stout, 275 p, ISBN: 978-1-61942-426-5. 2012. P. 1-53.

Труды (тезисы) конференции

Машин А.И., Нежданов А.В., Антонов Д.А., Филатов Д.О. Структура и свойства кремниевых монослоёв на поверхности высокоориентированного пиролитического графита // VIII Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". Санкт-Петербург:Издательство Политехнический университет, 2-5 июля. 2012. С. 137-138.

Афанаскин А.Ю., Ершов А.В., Машин А.И., Нежданов А.В. Исследование оптических свойств нанокристаллов кремния в матрице аморфного кремния, формируемых непрерывным и импульсным лазерным отжигом // Труды XVI Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н.Новгород, 12–16 марта, Т.1. 2012. С. 189-190.

Машин А.И., Нежданов А.В., Антонов Д.А., Филатов Д.О. Влияние условий получения на свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур на поверхности высокоориентированного пиролитического графита // XVI Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н.Новгород, 12–16 марта Т.1. 2012. С. 334-335.

Афанаскин А.Ю., Ершов А.В., Машин А.И., Нежданов А.В. Оптические свойства нанокристаллических включений в аморфной матрице кремния, сформированных непрерывным лазенрным отжигом // Тез. докл. XIX Уральской международной зимней школы по физике полупроводников, Екатеринбург – Новоуральск, 20–25 февр. 2012. Екатеринбург. 2012. С. 254-255.

Публикации в научных журналах

Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Жаворонков И.Ю., Королев Д.С., Нежданов А.В., Ершов А.В., Гусейнов Д.В., Грачева Т.А., Малыгин Н.Д., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Особенности формирования и свойства светоизлучающих структур на основе ионно-синтезированных нанокристаллов кремния в матрицах SiO2 и Al2O3 // Физика твердого тела. № 2. Т. 54. 2012. С. 347-359.

Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Plankina S.M., Dunaev V.S., Nezhdanov A.V., Drozdov Yu.N. Room-Temperature Ferromagnetism in (III,Mn)Sb Semiconductors // Solid State Phenomena. V. 190. 2012. P. 109-112.

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Планкина С.М., Дунаев В.С., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Сапожников М.В. Магнитный полупроводник (Ga,Mn)Sb как перспективный материал для приборов спинтроники // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 199-201.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Kostyuk A.B., Zhavoronkov I.Yu., Korolev D.S., Nezhdanov A.V., Ershov A.V., Guseinov D.V., Gracheva T.A., Malygin N.D., Demidov E.S., Tetelbaum D.I. Peculiarities of the Formation and Properties of Light-Emitting Structures Based on Ion-Synthesized Silicon Nanocrystals in SiO2 and Al2O3 Matrices // Physics of the Solid State. № 2. V. 54. 2012. P. 368-382.

Нежданов А.В., Афанаскин А.Ю., Ершов А.В., Машин А.И. Рамановская спектроскопия аморфного кремния, подвергнутого лазерному отжигу // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 1. 2012. С. 3-7.

2011

Труды (тезисы) конференции

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Планкина С.М., Дунаев В.С., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Сапожников М.В. Магнитный полупроводник (Ga,Mn)Sb как перспективный материал для приборов спинтроники // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г. Нижний Новгород. T.1. 670 C. 2011. С. 129-130.

Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Plankina S.M., Dunaev V.S., Nezhdanov A.V., Drozdov Yu.N. Room-temperature ferromagnetism in (III,Mn)Sb semiconductors // Moscow International Symposium on Magnetism. August 21-25, 2011. Book of Abstracts. Moscow. 944 P. 2011. P. 688.

Нежданов А.В., Машин А.И., Ершов А.В., Шенгуров В.Г., Афанаскин А.Ю. Оптические свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур на подложках ВОПГ и сапфира // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.2. – C.512 - 513. 2011. С. 512-513.

Машин А.И., Нежданов А.В., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Ершов А.В., Шенгуров В.Г. Влияние подложки и условий получения на свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур // X-я Российская конференция по физике полупроводников. Нижний Новгород, 19-23 сентября. 2011. С. 171.

Афанаскин А.Ю., Ершов А.В., Машин А.И., Нежданов А.В. Влияние условий получения пленок аморфного кремния на спектры комбинационного рассеяния света нанокристаллических включений, синтезированных методом лазерного отжига // Труды XV международного симпозиума «нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород: ИФМ РАН, 14-18 марта. – Т.2. 2011. С. 407-408.

Афанаскин А.Ю., Ершов А.В., Машин А.И., Нежданов А.В. Рамановская спектроскопия нанокристаллического кремния, синтезированного методом лазерного отжига аморфного кремния // ВКНСФ-17. Семнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых. Екатеринбург: Изд-во АСФ России, 25 марта – 1 апреля. 2011. С. 176-177.

Афанаскин А.Ю., Ершов А.В., Машин А.И., Нежданов А.В. Рамановская спектроскопия нанокристаллов кремния, полученных лазерным отжигом аморфного кремния // III Всероссийская научно-инновационная молодежная конференция «Современные твердофазные технологии: теория, практика и инновационный менеджмент»: материалы III Международной научно-инновационной молодежной конференции. Изд-во ИП Чеснокова А.В., 31 октября – 2 ноября. 2011. С. 193-194.

Афанаскин А.Ю., Ершов А.В., Машин А.И., Нежданов А.В. Спектроскопия комбинационного рассеяния света нанокристаллов кремния в матрице аморфного кремния // Всероссийская конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике. Владивосток. Изд-во ДВФУ, 11-13 мая. 2011. С. 83-84.

Публикации в научных журналах

Ершов А.В., Тетельбаум Д.И., Чугров И.А., Машин А.И., Михайлов А.Н., Нежданов А.В., Ершов А.А., Карабанова И.А. Эволюция оптических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiOx/ZrO2, содержащей нанокластеры кремния // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 45. 2011. С. 747-753.

Ershov A.V., Tetelbaum D.I., Chugrov I.A., Mashin A.I., Mikhaylov A.N., Nezhdanov A.V., Ershov A.A., Karabanova I.A. Annealing-Induced Evolution of Optical Properties of the Multilayered Nanoperiodic SiOx/ZrO2 System Containing Si Nanoclusters // Semiconductors. № 6. V. 45. 2011. P. 731-737.

Нежданов А.В., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Зубков С.Ю., Машин А.И., Ершов А.В. Морфология, электронная структура и оптические свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур на поверхности высокоориентированного пиролитического графита // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 45. 2011. С. 57-61.

Nezhdanov A.V., Filatov D.O., Antonov D.A., Zubkov S.Yu., Mashin A.I., Ershov A.V. The morphology, electron structure, and optical properties of self-assembled silicon nanostructures on the surface of highly oriented pyrolytic graphite // Semiconductors. № 1. V. 45. 2011. P. 56-60.

Нежданов А.В., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Зубков С.Ю., Машин А.И. Структура и свойства наноструктур Si на поверхности ВОПГ // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 6. 2011. С. 52-57.

Filatov D.O., Zubkov S.Yu., Nezhdanov A.V., Mashin A.I. Structure and properties of Si nanostructures on highly oriented pyrolitic graphite surface A. V. Nezhdanov and A. I. Mashin // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 3. V. 5. 2011. P. 554-558.

Патенты, авторские свидетельства

2018

Нежданов А.В., Машин А.И., Мочалов Л.А., Лобанов А.С. Способ вакуумной очистки теллура от углеродсодержащих наноразмерных гетеровключений (Патент).

2016

Мочалов Л.А., Машин А.И., Лобанов А.С., Нежданов А.В., Стриковский А. В. Плазмохимический способ получения халькогенидных стекол As-S и устройство для его реализации (Патент).

Нежданов Алексей Владимирович
Контакты

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского