Недошивина Анастасия Дмитриевна

Место работы

Радиофизический факультет

Кафедра квантовой радиофизики и электроники

ассистент

Радиофизический факультет

КУРАТОР

Радиофизический факультет

Деканат

заместитель декана факультета

Ученая степень
нет
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 6 лет, 3 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование - специалитет, магистратура
магистр. Специальность: радиофизика. Квалификация: магистр.

Высшее образование - бакалавриат
магистр. Специальность: радиофизика. Квалификация: бакалавр.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

21.03.2023 - 25.03.2023
Повышение квалификации: "Оказание первой помощи (базовый курс)", "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского", 16 час., документ № 520324011543 от 27.03.2023

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2023

Труды (тезисы) конференции

Тарасова Е.А., Недошивина А.Д., Оболенский С.В., Макарцев И.В., Конча М. И. Моделирование транспорта электронов вдоль области 2DEG газа канала СВЧ полевого транзистора с учетом продольного распределения температуры // Труды XXVII Международного симпозиума. Труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород, ИПФ РАН, 2023, т. 2, 496 с.. 2023. С. 671-672.

2022

Труды (тезисы) конференции

Недошивина А.Д., Макарцев И.В., Оболенский С.В. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ПОДХОД К РАСЧЕТУ ПАРАМЕТРОВ HEMT ТРАНЗИСТОРОВ // ТРУДЫ XXVI НАУЧНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО РАДИОФИЗИКЕ, ПОСВЯЩЕННОЙ 120-ЛЕТИЮ М.Т. ГРЕХОВОЙ. Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород) Том1 страницы 105-107. 2022. С. 105-107.

Недошивина А.Д., Оболенский С.В., Макарцев И.В. Методика многопараметрического анализа влияния эффекта всплеска скорости в канале короткоканальных транзисторов // Труды XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород), Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, т.2 с 711-712, 2022г, РИНЦ. Т.2 с 711-712, 2022г, 2 стр. 2022. С. 711-712.

Недошивина А.Д., Макарцев И.В., Оболенский С.В., Беляков В.А., Фефелов А.Г. РАЗРАБОТКА УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ В ДИАПАЗОНЕ 90-100 ГГЦ // ТРУДЫ XXVI НАУЧНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО РАДИОФИЗИКЕ, ПОСВЯЩЕННОЙ 120-ЛЕТИЮ М.Т. ГРЕХОВОЙ. Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород) Том 1 страницы 96-97. 2022. С. 96.

Публикации в научных журналах

Недошивина А.Д., Макарцев И.В., Оболенский С.В. МОДЕЛЬ ДЛЯ МНОГОПАРАМЕТРИЧЕСКОГО АНАЛИЗА ПАРАМЕТРОВ КОРОТКОКАНАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ТИПА НЕМТ // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. № 7. Т. 56. 2022. С. 618-623.

Недошивина А.Д., Насеткин К.А., Муравьев М.С., Недошивина А.А., АЛИМИРЗОЕВ Г.М КОМПЛЕКСНЫЙ СХЕМОТЕХНИЧЕСКИЙ И ФИЗИКОТОПОЛОГИЧЕСКИЙ ПОДХОД К УВЕЛИЧЕНИЮ РАДИАЦИОННЫЙ СТОЙКОСТИ // Научно-технический вестник Поволжья. № 9. 2022. С. 15-17.

Недошивина А.Д., Недошивина А.А., Насеткин К.А., Муравьев М.С., Алимирзоев Г.М. КОНСТРУИРОВАНИЕ И МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СВЧ ДЕТЕКТОРА // НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ВЕСТНИК ПОВОЛЖЬЯ. № 9. 2022. С. 12-14.

Nedoshivina A.D., Makartsev I.V., Obolenskii S.V. A Model for Multiparametric Analysis of the Parameters of Short-Channel HEMT-Type Transistors // Semiconductors. № 56. 2022. P. 346-351.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского