Волкова Наталья Сергеевна

Список преподаваемых дисциплин

Физический факультет
Выпускная квалификационная работа. Предзащита
Нанофизика и наноэлектроника
Нанофотоника
Наноэлектроника
Научно-исследовательская работа. Прием защиты отчетов НИР
Практика (научно-исследовательская работа). Прием защиты отчетов по НИР
Практика по получению первичных профессиональных умений и навыков, в том числе в научно-исследовательской деятельности (учебная практика). Прием защиты отчетов по учебной практике
Практика по получению первичных профессиональных умений и навыков. Прием защиты отчетов по практике
Практика по получению профессиональных умений и опыта профессиональной деятельности. Прием защиты отчетов по практике
Преддипломная практика. Прием защиты отчетов по практике
СВЧ-электроника
Схемотехника
Теоретические основы электро- и радиотехники
Физика поверхности полупроводников и систем с пониженной размерностью
Физические основы микроэлектроники

Публикации

2023

Мажукина К.А., Волкова Н.С., Горшков А.П. Исследование оптических свойств нового сложного оксида CsTeMoO6 // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 13–16 марта 2023 г.). В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2023. — 468 с.. 2023. С. 667-668.

Fukina D.G., Shotina V.A., Boryakov A.V., Telegin S.V., Volkova N.S., Zhizhin A.V., Koroleva A.V., Suleimanov E.V. Narrow Band Gap Compounds with β-Pyrochlore Structure in the A2O-V2O5-2TeO3 (A=Rb, Cs) System // European Journal of Inorganic Chemistry. 2023. P. E202200766.

Fukina D.G., Shotina V.A., Boryakov A.V., Zubkov S.Yu., Telegin S.V., Volkova N.S., Fukin G.K., Shilova E.V., Suleimanov E.V. Crystal Structure and Photocatalytic Properties of the CsV0.625Te1.375O6 Mixed-Valence β-Pyrochlore Compound // ChemPhotoChem. 2023. P. E202300072.

2022

Лемешевская Г.А., Горшков А.П., Волкова Н.С. ЧИСЛЕННОЕ РЕШЕНИЕ ФУНДАМЕНТАЛЬНОЙ СИСТЕМЫ УРАВНЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКА ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ РАБОТЫ ДИОДА С НАКОПЛЕНИЕМ ЗАРЯДА // SCIENCE AND TECHNOLOGY RESEARCH 2022. Сборник статей Международной научно-практической конференции. Петрозаводск, 2022. Издательство: Международный центр научного партнерства «Новая Наука» (ИП Ивановская И.И.) (Петрозаводск), 7стр.. 2022. С. 150-155.

Мажукина К.А., Волкова Н.С., Горшков А.П. Исследование оптических свойств сложного оксида Rb0.95Nb1.375Mo0.625O5.79 // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО. 2022. С. 1-2.

Fukina D.G., Koryagin A.V., Zhizhin A.V., Koroleva A.V., Suleimanov E.V., Volkova N.S., Kirillova N.I. The role of surface and electronic structure features of the CsTeMoO6 β-pyrochlore compound during the photooxidation dyes process // Journal of Solid State Chemistry. V. 308. 2022. P. 122939.

Fukina D.G., Koryagin A.V., Volkova N.S., Suleimanov E.V., Kuzymichev V.V., Mitin A.V. Features of the electronic structure and photocatalytic properties under visible light irradiation for RbTe1.5W0.5O6 with β-pyrochlore structure // Solid State Sciences. V. 126. 2022. P. 106858.

Gorshkov A.P., Mazhukina K.A., Volkova N.S., Fukina D.G., Yantser A.A., Levichev S.B., Istomin L.A., Boryakov A.V. Structure, optical absorption and photochromic effect in Rb0.95Nb1.375Mo0.625O5.79 // Journal of Solid State Chemistry. V. 310. 2022. P. 123083.

2021

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Fukina D.G., Levichev S. B., Istomin L.A. Impurity defect absorption and photochromic effect in KNbWO6 // Journal of Solid State Chemistry. V. 298. 2021. P. 122099 (1-7).

Syrov E.V., Krasheninnikova O.V., Knyazev A.V., Fukina D.G., Suleimanov E.V., Volkova N.S., Gorshkov A.P., Smirnov S.M. Synthesis, structure, and properties of new Dion-Jacobson compounds A ' LnNaNb(3)O(10) (A ' = Cs, Rb, H; Ln = Nd, Pr) // Journal of Physics and Chemistry of Solids. V. 156. 2021. P. 110184.

Krasheninnikova O.V., Syrov E.V., Knyazev A.V., Kayashkin V.M., Suleimanov E.V., Titaev D.N., Fukina D.G., Volkova N.S., Lomakin M.S. Synthesis and properties of layered perovskite-like compounds PbBi2Nb2O9 and PbBi3Ti2NbO12 // Solid State Sciences. V. 121. 2021. P. 106730.

2020

Fukina D.G., Suleimanov E.V., Boryakov A.V., Zubkov S.Yu., Koryagin A.V., Volkova N.S., Gorshkov A.P. Structure analysis and electronic properties of ATe4+0.5Te6+1.5-xM6+xO6 (A=Rb, Cs, M6+=Mo, W) solid solutions with β-pyrochlore structure // Journal of Solid State Chemistry. № 293. 2020. P. 1217874.

2019

Горшков А.П., Волкова Н.С., Байдусь Н.В., Истомин Л.А., Абрамкин Д.С., Лебединский Н.В., Левичев С.Б. Исследование дефектообразования в структурах с квантовыми точками InAs/GaAs методами фотоэлектрической и фотолюминесцентной спектроскопии // Нанофизика и Наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. XXIII международный симпозиум 11 – 14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского госуниверситета. Том 2. 411 с.. 2019. С. 626-627.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Trufanov A.N., Levichev S.B., Istomin L.A. Influence of neutron irradiation on optoelectronic properties of structures with the InAs/GaAs quantum dots // 6th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. April 22-25, 2019, Saint Petersburg, Russia. Published by St. Petersburg Academic University, Khlopina 8(3), 194021 St Petersburg, Russia Printed in Russian Federation, 597 p.. 2019. P. 455-456.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Istomin L.A., Levichev S.B., Trufanov A.N. Influence of neutron irradiation on optoelectronic properties of structures with the InAs/GaAs quantum dots // Journal of Physics: Conference Series. № 1410. 2019. P. 012137.

2018

Горшков А.П., Волкова Н.С., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Истомин Л.А., Левичев С.Б. Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой // Сборник тезисов XXII международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". Типография ННГУ, Н. Новгород, 12-15 марта, Т. 2, 390 стр.. 2018. С. 574-575.

Ivanova M.M., Kachemtsev A.N., Mikhaylov A.N., Filatov D.O., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G. Effect of Pulsed Gamma-Neutron Irradiation on the Photosensitivity of Si-Based Photodiodes with GeSi Nanoislands and Ge Epitaxial Layers // Semiconductors. № 6. V. 52. 2018. P. 797-801.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Istomin L.A., Levichev S.B. Relation between the Electronic Properties and Structure of InAs/GaAs Quantum Dots Grown by Vapor-Phase Epitaxy // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1525–1528.

М.Л. Орлов, Волкова Н.С., Н.Л. Ивина, Л.К. Орлов Электрополевое поведение резонансных особенностей в туннельной составляющей фототока в гетероструктурах InAs(QD)/GaAs // Semiconductors. № 9. Т. 52. 2018. С. 1006-1014.

2017

Горшков А.П., Волкова Н.С., Воронин П.Г., Здоровейщев А.В., Истомин Л.А., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Левичев С.Б. Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 559-560.

Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Matveev S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Kruglov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Photodiodes based on Thick Ge/Si(001) Epilayers Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition. New York: Horizons in World Physics. Volume 288. Ed. Albert Reimer. / New York: Nova Science, 2017. Chapter 9. P.171-200. ISBN: 978-1-63485-882-3(eBook). 2017.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Воронин П.Г., Здоровейщев А.В., Истомин Л.А., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Левичев С.Б. Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1447-1450.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Istomin L.A., Levichev S.B. Temperature-dependent efficiency of the carrier emission from InAs/GaAs quantum dots // Materials Research Express. № 4. V. 4. 2017. P. 045002.

2016

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Zdoroveishchev A.V., Istomin L.A., Levichev S.B. Investigation of the energy spectra and the electron-hole alignment of the InAs/GaAs quantum dots with an ultrathin cap layer // Solid State Communications. № 240. 2016. P. 20-23.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Zdoroveishchev A.V., Istomin L.A., Levichev S.B. Diagnostic of the Bimodal Distribution of InAs/GaAs Quantum Dots by Means of a Simple Nondestructive Method Based on the Photoelectrical Spectroscopy // Nano. № 11. V. 10. 2016. P. 1650109.

2015

Волкова Н.С., Тихов С.В., Горшков А.П., Байдусь Н.В., Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Филатов Д.О. Влияние пространственного расположения delta -слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs // ФТП, 2015, том 49, выпуск 2 .С.145-148. № 2. Т. 49. 2015. С. 145-148.

Филатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // ФТП. № 3. Т. 49. 2015. С. 399-405.

Filatov D.O., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Guseinov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Shengurov V.G. Photodiodes Based on Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoisland Arrays Grown by the Combined Sublimation Molecular-Beam Epitaxy of Silicon and Vapor-Phase Epitaxy of Germanium // Semiconductors. № 3. V. 49. 2015. P. 387-393.

Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Горшков А.П., Волкова Н.С., Иванова М.М., Круглов А.В., Филатов Д.О. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 49. 2015. С. 1411-1414.

Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Ivanova M.M., Kruglov A.V., Filatov D.O. Photodetectors on the Basis of Ge/Si(001) Heterostructures Grown by the HotWire CVD Technique // Semiconductors. № 10. V. 49. 2015. P. 1365-1368.

2014

Тихов С.В., Волкова Н.С., Горшков А.П., Байдусь Н.В., Дегтярев В.Е. Влияние пространственного расположения дельта-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs. // Труды ХY111 Международного симпозиума по Нанофизике и Наноэлектронике 10 -14 марта 2014.. Нижний Новгород, том 2, стр. 421-422.. 2014. С. 421-422.

Гусейнов Д.В., Горшков А.П., Денисов С.А., Иванова М.М., Волкова Н.С., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Алябина Н.А., Трушин В.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотодетекторы на базе гетероэпитаксиальных слоёв Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 684-685.

Денисов С.А., Матвеев С.А., Нежданов А.В., Зайцев А.В., Волкова Н.С. Влияние толщины слоя на структурное совершенство эпитаксиальных слоев Ge, выращенных методом горячей проволоки на Si(100) // Конспекты лекций и тезисы докладов 3-й школы молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов, Нижний Новгород, Россия, 15-17 мая 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 175 с. 2014. 2014. С. 142-143.

Guseinov D.V., Denisov S.A., Shengurov V.G., Shengurov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Stepikhova M.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Chalkov V.Yu. Silicon-based nano-optoelectronic components for optical interconnections // E-MRS 2014 Fall Meeting, Symposium Q : Terahertz and infrared optoelectronics: from materials to devices, September 15-19, 2014, Warsaw, Poland. Warsaw University of Technology (Poland). 2014. P. Q7.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Istomin L.A., Utsyna E.V., Levichev S.B., Zvonkov B.N. Comparison of optoelectronic properties of InAs/GaAs quantum dots grown under different conditions by metalorganic vapor phase epitaxy // Journal of Luminescence. № 147. 2014. P. 59-62.

Филатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // Физика и техника полупроводников. Т. 49. 2014. [принято к печати]

Горшков А.П., Волкова Н.С., Филатов Д.О., Абрамкин Д.С. Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией // Письма в ЖЭТФ. № 3. Т. 100. 2014. С. 175-180.

2013

Горшков А.П., Волкова Н.С., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Истомин Л.А., Левичев С.Б. Влияние режима выращивания слоев квантовых точек InAs/GaAs в методе газофазной эпитаксии на их оптоэлектронные свойства // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия физическая.. № 4. 2013. С. 33-37.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 47. 2013. С. 1609-1612.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Карпович И.А., Здоровейщев А.В., Полова И.А. Фотоэлектрические свойства бимодальных массивов квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией // Известия РАН. Серия физическая. № 77. 2013. С. 61-63.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Karpovich I.A., Zdoroveishchev A.V., Polova I.A. Photoelectric properties of bimodal arrays of InAs/GaAs quantum dots grown by means of gas phase epitaxy // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 1. V. 77. 2013. P. 53-55.

Volkova N.S., Gorshkov A.P., Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Optoelectronic properties of heteronanostructures with combined layers of In(Ga)As/GaAs quantum wells and dots // Semiconductors. № 12. V. 47. 2013. P. 1583-1586.

2012

Горшков А.П., Карпович И.А., Волкова Н.С. Влияние электрического поля, температуры, дефектообразования на процессы эмиссии неравновесных носителей из квантовых точек InAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.. № 6. 2012. С. 59-61.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Карпович И.А. Влияние поверхностного дефектообразования на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия физическая.. № 2(1). 2012. С. 34-38.

Горшков А.П., Карпович И.А., Павлова Е.Д., Волкова Н.С. Влияние облучения ионами He+ на спектры фоточувствительности структур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs // ФТП. № 12. Т. 46. 2012. С. 1542–1545.

Горшков А.П., Волкова Н.С. Исследование эмиссии фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия физическая.. № 4(1). 2012. С. 88-90.

2011

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Волкова Н.С. Формирование квантовых точек InAs/GaAs методом газофазной эпитаксии в присутствии атомов Mn // Труды XIII Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Ульяновск, 19-26 сентября 2011 г.. Ульяновск: УЛГУ. 2011. С. 50-51.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Волкова Н.С. Формирование квантовых точек InAs на легированном атомами Mn буферном слое GaAs методом газофазной эпитаксии // Сборник трудов IV Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых "Диагностика наноматериалов и наноструктур", Рязань, 12-16 сентября 2011 г.. Рязань: РГРТУ, Т. 3. 2011. С. 73-77.

Патенты, авторские свидетельства

2017

Истомин Л.А., Тихов С.В., Горшков А.П., Волкова Н.С. Способ контроля наличия глубоких дефектов матрицы GaAs, связанных свстраиванием в нее слоя квантовых точек InAs (Патент).

Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Филатов Д.О., Гусейнов Д.В., Шенгуров Д.В., Горшков А.П., Волкова Н.С., Алябина Н.А. Применение вакуумного осаждения германия из газовой среды германа в качестве способа удаления диоксида кремния с рабочей поверхности кремниевой подложки и способ изготовления монокристаллической плёнки германия на кремниевой подложке, включающий указанное применение (Патент).

Горшков А.П., Волкова Н.С. Способ определения степени влияния дефектообразования на рекомбинационное время жизни носителей в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода (Патент).

2016

Горшков А.П., Волкова Н.С., Филатов Д.О. Способ определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода (Патент).