Волкова Наталья Сергеевна

Место работы

Научно-исследовательский институт химии

Отдел химии неорганических соединений

Лаборатория неорганических материалов

младший научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в университете лобачевского: 2011
Общий стаж работы 7 лет, 8 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее профессиональное образование
Бакалавр. Специальность: техники и технологии. Квалификация: бакалавр техники и технологии.

Высшее профессиональное образование
Магистр. Специальность: техники и технологии. Квалификация: магистр техники и технологии.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

08.10.2014 - 26.12.2014
Английский язык для преподавателя исследовательского университета (уровня Elementary), ННГУ, 72 час.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2018

Труды (тезисы) конференции

Горшков А.П., Волкова Н.С., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Истомин Л.А., Левичев С.Б. Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой // Сборник тезисов XXII международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". Типография ННГУ, Н. Новгород, 12-15 марта, Т. 2, 390 стр.. 2018. С. 574-575.

Публикации в научных журналах

Ivanova M.M., Kachemtsev A.N., Mikhaylov A.N., Filatov D.O., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G. Effect of Pulsed Gamma-Neutron Irradiation on the Photosensitivity of Si-Based Photodiodes with GeSi Nanoislands and Ge Epitaxial Layers // Semiconductors. № 6. V. 52. 2018. P. 797-801.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Istomin L.A., Levichev S.B. Relation between the Electronic Properties and Structure of InAs/GaAs Quantum Dots Grown by Vapor-Phase Epitaxy // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1525–1528.

М.Л. Орлов, Волкова Н.С., Н.Л. Ивина, Л.К. Орлов Электрополевое поведение резонансных особенностей в туннельной составляющей фототока в гетероструктурах InAs(QD)/GaAs // Semiconductors. № 9. Т. 52. 2018. С. 1006-1014.

2017

Труды (тезисы) конференции

Горшков А.П., Волкова Н.С., Воронин П.Г., Здоровейщев А.В., Истомин Л.А., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Левичев С.Б. Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 559-560.

Монографии

Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Matveev S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Kruglov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Photodiodes based on Thick Ge/Si(001) Epilayers Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition. New York: Horizons in World Physics. Volume 288. Ed. Albert Reimer. / New York: Nova Science, 2017. Chapter 9. P.171-200. ISBN: 978-1-63485-882-3(eBook). 2017.

Публикации в научных журналах

Горшков А.П., Волкова Н.С., Воронин П.Г., Здоровейщев А.В., Истомин Л.А., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Левичев С.Б. Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1447-1450.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Istomin L.A., Levichev S.B. Temperature-dependent efficiency of the carrier emission from InAs/GaAs quantum dots // Materials Research Express. № 4. V. 4. 2017. P. 045002.

2016

Публикации в научных журналах

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Zdoroveishchev A.V., Istomin L.A., Levichev S.B. Investigation of the energy spectra and the electron-hole alignment of the InAs/GaAs quantum dots with an ultrathin cap layer // Solid State Communications. № 240. 2016. P. 20-23.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Zdoroveishchev A.V., Istomin L.A., Levichev S.B. Diagnostic of the Bimodal Distribution of InAs/GaAs Quantum Dots by Means of a Simple Nondestructive Method Based on the Photoelectrical Spectroscopy // Nano. № 11. V. 10. 2016. P. 1650109.

2015

Публикации в научных журналах

Волкова Н.С., Тихов С.В., Горшков А.П., Байдусь Н.В., Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Филатов Д.О. Влияние пространственного расположения delta -слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs // ФТП, 2015, том 49, выпуск 2 .С.145-148. № 2. Т. 49. 2015. С. 145-148.

Филатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // ФТП. № 3. Т. 49. 2015. С. 399-405.

Filatov D.O., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Guseinov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Shengurov V.G. Photodiodes Based on Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoisland Arrays Grown by the Combined Sublimation Molecular-Beam Epitaxy of Silicon and Vapor-Phase Epitaxy of Germanium // Semiconductors. № 3. V. 49. 2015. P. 387-393.

Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Горшков А.П., Волкова Н.С., Иванова М.М., Круглов А.В., Филатов Д.О. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 49. 2015. С. 1411-1414.

Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Ivanova M.M., Kruglov A.V., Filatov D.O. Photodetectors on the Basis of Ge/Si(001) Heterostructures Grown by the HotWire CVD Technique // Semiconductors. № 10. V. 49. 2015. P. 1365-1368.

2014

Труды (тезисы) конференции

Тихов С.В., Волкова Н.С., Горшков А.П., Байдусь Н.В., Дегтярев В.Е. Влияние пространственного расположения дельта-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs. // Труды ХY111 Международного симпозиума по Нанофизике и Наноэлектронике 10 -14 марта 2014.. Нижний Новгород, том 2, стр. 421-422.. 2014. С. 421-422.

Гусейнов Д.В., Горшков А.П., Денисов С.А., Иванова М.М., Волкова Н.С., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Алябина Н.А., Трушин В.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотодетекторы на базе гетероэпитаксиальных слоёв Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 684-685.

Денисов С.А., Матвеев С.А., Нежданов А.В., Зайцев А.В., Волкова Н.С. Влияние толщины слоя на структурное совершенство эпитаксиальных слоев Ge, выращенных методом горячей проволоки на Si(100) // Конспекты лекций и тезисы докладов 3-й школы молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов, Нижний Новгород, Россия, 15-17 мая 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 175 с. 2014. 2014. С. 142-143.

Guseinov D.V., Denisov S.A., Shengurov V.G., Shengurov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Stepikhova M.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Chalkov V.Yu. Silicon-based nano-optoelectronic components for optical interconnections // E-MRS 2014 Fall Meeting, Symposium Q : Terahertz and infrared optoelectronics: from materials to devices, September 15-19, 2014, Warsaw, Poland. Warsaw University of Technology (Poland). 2014. P. Q7.

Публикации в научных журналах

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Istomin L.A., Utsyna E.V., Levichev S.B., Zvonkov B.N. Comparison of optoelectronic properties of InAs/GaAs quantum dots grown under different conditions by metalorganic vapor phase epitaxy // Journal of Luminescence. № 147. 2014. P. 59-62.

Филатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // Физика и техника полупроводников. Т. 49. 2014. [принято к печати]

Горшков А.П., Волкова Н.С., Филатов Д.О., Абрамкин Д.С. Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией // Письма в ЖЭТФ. № 3. Т. 100. 2014. С. 175-180.

2013

Публикации в научных журналах

Горшков А.П., Волкова Н.С., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Истомин Л.А., Левичев С.Б. Влияние режима выращивания слоев квантовых точек InAs/GaAs в методе газофазной эпитаксии на их оптоэлектронные свойства // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия физическая.. № 4. 2013. С. 33-37.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 47. 2013. С. 1609-1612.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Карпович И.А., Здоровейщев А.В., Полова И.А. Фотоэлектрические свойства бимодальных массивов квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией // Известия РАН. Серия физическая. № 77. 2013. С. 61-63.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Karpovich I.A., Zdoroveishchev A.V., Polova I.A. Photoelectric properties of bimodal arrays of InAs/GaAs quantum dots grown by means of gas phase epitaxy // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 1. V. 77. 2013. P. 53-55.

Volkova N.S., Gorshkov A.P., Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Optoelectronic properties of heteronanostructures with combined layers of In(Ga)As/GaAs quantum wells and dots // Semiconductors. № 12. V. 47. 2013. P. 1583-1586.

2012

Публикации в научных журналах

Горшков А.П., Карпович И.А., Волкова Н.С. Влияние электрического поля, температуры, дефектообразования на процессы эмиссии неравновесных носителей из квантовых точек InAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.. № 6. 2012. С. 59-61.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Карпович И.А. Влияние поверхностного дефектообразования на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия физическая.. № 2(1). 2012. С. 34-38.

Горшков А.П., Карпович И.А., Павлова Е.Д., Волкова Н.С. Влияние облучения ионами He+ на спектры фоточувствительности структур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs // ФТП. № 12. Т. 46. 2012. С. 1542–1545.

Горшков А.П., Волкова Н.С. Исследование эмиссии фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия физическая.. № 4(1). 2012. С. 88-90.

2011

Труды (тезисы) конференции

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Волкова Н.С. Формирование квантовых точек InAs/GaAs методом газофазной эпитаксии в присутствии атомов Mn // Труды XIII Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Ульяновск, 19-26 сентября 2011 г.. Ульяновск: УЛГУ. 2011. С. 50-51.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Волкова Н.С. Формирование квантовых точек InAs на легированном атомами Mn буферном слое GaAs методом газофазной эпитаксии // Сборник трудов IV Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых "Диагностика наноматериалов и наноструктур", Рязань, 12-16 сентября 2011 г.. Рязань: РГРТУ, Т. 3. 2011. С. 73-77.

Патенты, авторские свидетельства

2017

Истомин Л.А., Тихов С.В., Горшков А.П., Волкова Н.С. Способ контроля наличия глубоких дефектов матрицы GaAs, связанных свстраиванием в нее слоя квантовых точек InAs (Патент).

Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Филатов Д.О., Гусейнов Д.В., Шенгуров Д.В., Горшков А.П., Волкова Н.С., Алябина Н.А. Применение вакуумного осаждения германия из газовой среды германа в качестве способа удаления диоксида кремния с рабочей поверхности кремниевой подложки и способ изготовления монокристаллической плёнки германия на кремниевой подложке, включающий указанное применение (Патент).

Горшков А.П., Волкова Н.С. Способ определения степени влияния дефектообразования на рекомбинационное время жизни носителей в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода (Патент).

2016

Горшков А.П., Волкова Н.С., Филатов Д.О. Способ определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода (Патент).

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского