Макарцев Илья Владимирович

Место работы
В настоящее время не является сотрудником ННГУ
Ученая степень
нет
Ученое звание
нет

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
бакалавр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: бакалавр.

Высшее образование
бакалавр. Специальность: Электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2022

Труды (тезисы) конференции

Недошивина А.Д., Оболенский С.В., Макарцев И.В. Методика многопараметрического анализа влияния эффекта всплеска скорости в канале короткоканальных транзисторов // Труды XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород), Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, т.2 с 711-712, 2022г, РИНЦ. Т.2 с 711-712, 2022г, 2 стр. 2022. С. 711-712.

Недошивина А.Д., Макарцев И.В., Оболенский С.В., Беляков В.А., Фефелов А.Г. РАЗРАБОТКА УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ В ДИАПАЗОНЕ 90-100 ГГЦ // Труды XXVI Научной конференции по радиофизике, ННГУ, 2022. Труды XXVI Научной конференции по радиофизике, ННГУ, 2022 СЕКЦИЯ «ЭЛЕКТРОНИКА». 2022. С. 96,97.

Недошивина А.Д., Макарцев И.В., Оболенский С.В. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ПОДХОД К РАСЧЕТУ ПАРАМЕТРОВ HEMT ТРАНЗИСТОРОВ // Труды XXVI научной конференции по радиофизике. Труды XXVI научной конференции по радиофизике СЕКЦИЯ «ЭЛЕКТРОНИКА». 2022. С. 105-107.

Публикации в научных журналах

Недошивина А.Д., Макарцев И.В., Оболенский С.В. МОДЕЛЬ ДЛЯ МНОГОПАРАМЕТРИЧЕСКОГО АНАЛИЗА ПАРАМЕТРОВ КОРОТКОКАНАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ТИПА НЕМТ // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. № 7. Т. 56. 2022. С. 618-623.

Nedoshivina A.D., Makartsev I.V., Obolenskii S.V. A Model for Multiparametric Analysis of the Parameters of Short-Channel HEMT-Type Transistors // Semiconductors. № 56. 2022. P. 346-351.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского