Макарцев Илья Владимирович
Отдел фундаментальных и прикладных исследований
Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур"
Научно-исследовательская лаборатория стохастических мультистабильных систем
младший научный сотрудник
Общие сведения
Научная Работа
Образование, учёные степени и учёные звания
Высшее образование
бакалавр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: бакалавр.
Высшее образование
бакалавр. Специальность: Электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.
Список преподаваемых дисциплин
Публикации
2022
Труды (тезисы) конференцииНедошивина А.Д., Оболенский С.В., Макарцев И.В. Методика многопараметрического анализа влияния эффекта всплеска скорости в канале короткоканальных транзисторов // Труды XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород), Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, т.2 с 711-712, 2022г, РИНЦ. Т.2 с 711-712, 2022г, 2 стр. 2022. С. 711-712.
Недошивина А.Д., Макарцев И.В., Оболенский С.В., Беляков В.А., Фефелов А.Г. РАЗРАБОТКА УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ В ДИАПАЗОНЕ 90-100 ГГЦ // Труды XXVI Научной конференции по радиофизике, ННГУ, 2022. Труды XXVI Научной конференции по радиофизике, ННГУ, 2022 СЕКЦИЯ «ЭЛЕКТРОНИКА». 2022. С. 96,97.
Недошивина А.Д., Макарцев И.В., Оболенский С.В. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ПОДХОД К РАСЧЕТУ ПАРАМЕТРОВ HEMT ТРАНЗИСТОРОВ // ТРУДЫ XXVI НАУЧНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО РАДИОФИЗИКЕ, ПОСВЯЩЕННОЙ 120-ЛЕТИЮ М.Т. ГРЕХОВОЙ. Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород) Том1 страницы 105-107. 2022. С. 105-107.
Недошивина А.Д., Макарцев И.В., Оболенский С.В., Беляков В.А., Фефелов А.Г. РАЗРАБОТКА УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ В ДИАПАЗОНЕ 90-100 ГГЦ // ТРУДЫ XXVI НАУЧНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО РАДИОФИЗИКЕ, ПОСВЯЩЕННОЙ 120-ЛЕТИЮ М.Т. ГРЕХОВОЙ. Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород) Том 1 страницы 96-97. 2022. С. 96.
Публикации в научных журналахНедошивина А.Д., Макарцев И.В., Оболенский С.В. МОДЕЛЬ ДЛЯ МНОГОПАРАМЕТРИЧЕСКОГО АНАЛИЗА ПАРАМЕТРОВ КОРОТКОКАНАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ТИПА НЕМТ // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. № 7. Т. 56. 2022. С. 618-623.
Nedoshivina A.D., Makartsev I.V., Obolenskii S.V. A Model for Multiparametric Analysis of the Parameters of Short-Channel HEMT-Type Transistors // Semiconductors. № 56. 2022. P. 346-351.
