Кривулин Николай Олегович

Место работы

Физический факультет

Кафедра физики полупроводников, электроники и наноэлектроники

доцент

Физический факультет

Кафедра теоретической физики

Научно-исследовательская лаборатория материалов для квантовых технологий

старший научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 10 лет, 11 мес.
Педагогический стаж 8 лет, 4 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
бакалавр. Специальность: нанотехнология. Квалификация: бакалавр техники и технологии.

Высшее образование
магистр. Специальность: нанотехнология. Квалификация: магистр техники и технологии.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

06.12.2021 - 23.12.2021
Повышение квалификации: программа дополнительного профессионального образования "Развитие эмоционального интеллекта у педагогических работников", ГБУ ДПО ННИЦ, 72 час., документ № 626/21 РЭИ от 24.12.2021

21.12.2021 - 23.12.2021
Повышение квалификации: программа дополнительного профессионального образования "Введение в область решения изобретательских задач и поиска новых технических решений", ГБУ ДПО ННИЦ, 16 час., документ № 643/21 ТРИЗ от 23.12.2021

17.09.2021 - 19.11.2021
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522413306103, рег. № 33-2242 от 24.11.2021

28.08.2019 - 28.11.2019
Переподготовка: Современное состояние и актуальные проблемы исследований в области физико-математических наук, ННГУ, 250 час., документ № 522409110403, рег. № 33-678 от 28.11.2019

13.03.2017 - 13.05.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404111629 рег номер 33-859 от 13.05.2017

09.01.2017 - 26.01.2017
Повышение квалификации: Использование инновационных методов и современной аппаратуры в естественнонаучных исследованиях, ННГУ, 72 час., документ № 522404110523 рег номер 33-08 от 26.01.2017

04.03.2015 - 21.05.2015
Повышение квалификации: Школа молодого преподавателя, ННГУ, 72 час., документ № 522401469384 рег номер 333 от 21.05.2015

Список преподаваемых дисциплин

Физический факультет
Материалы и методы нанотехнологии
Мехатроника и микроэлектромеханика
Научно-исследовательская работа. Прием защиты отчетов по НИР
Практика по получению первичных профессиональных умений и навыков. Прием защиты отчетов.
Практика по получению профессиональных умений и опыта профессиональной деятельности. Прием защиты отчетов.
Сканирующая зондовая микроскопия

Институт биологии и биомедицины
Физика

Публикации

2020

Труды (тезисы) конференции

Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Кочугова Е.С., Сушков А.А. Методика формирования однородных по толщине структур SixGe1-x на больших подложках // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIV Международного симпозиума, 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 505 с. 2020. С. 693-694.

2019

Труды (тезисы) конференции

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Кривулин Н.О., Марычев М.О., Мухаматчин К.Р., Елизарова А.А., Конаков А.А., Тетельбаум Д.И., Павлов Д.А. Светоизлучающая 9R фаза кремния, сформированная методом ионной имплантации инертного газа в подложки SiO2/Si // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума. Нижний Новгород, 11-14 марта. 2019. С. 780-781.

2018

Труды (тезисы) конференции

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование включений кремния гексагональной фазы при ионной имплантации в структуру SiO2/Si // Сборник тезисов XXII международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". Типография ННГУ, Н. Новгород, 12-15 марта, Т.2, 390 стр. 2018. С. 717-718.

Никольская А.А., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Мухаматчин К.Р., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Елизарова А.А., Конаков А.А. Структура и оптические свойства гексагональной модификации кремния, полученной методом ионной имплантации // «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов VII Всероссийской конференции (Нижний Новгород, 7-9 ноября 2018 г.). Отпечатано в РИУ Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Н. Новгород, 174 стр.. 2018. С. 28.

Публикации в научных журналах

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Mukhamatchin K.R., Elizarova A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Muhamatchin K.R., Elizarova A.A., Marychev M.O., Konakov A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

2017

Труды (тезисы) конференции

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Krivulin N.O., Pavlov D.A. Formation of nanocrystalline 9R silicon hexagonal phase under multi-ion implantation into Si and SiO2/Si substrates // Abstracts, Nineteenth Annual Conference YUCOMAT 2017. Herceg Novi, Montenegro, September 4-8. 2017. P. 95.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Синтез гексагональной модификации кремния с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов, III Всероссийский научный форум «Наука будущего – наука молодых». Нижний Новгород, 12-14 сентября. 2017. С. 374-375.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Соболев Н.А., Kumar M. Ионно-лучевой синтез кремния с гексагональной структурой // Материалы докладов, 16-ая Международная научная конференция -школа «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение». Саранск, 19-22 сентября. 2017. С. 24.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональной фазы кремния при ионном облучении // Материалы докладов, 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь, 19-22 сентября. 2017. С. 150-151.

Публикации в научных журналах

Королев Д.С., Никольская А.А., Кривулин Н.О., Белов А.И., Михайлов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Соболев Н.А., Kumar M. Формирование гексагональной фазы кремния 9R при ионной имплантации // Письма в Журнал технической физики. № 16. Т. 43. 2017. С. 87-92.

Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Krivulin N.O., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Sobolev N.A., Kumar M. Formation of Hexagonal 9R Silicon Polytype by Ion Implantation // Technical Physics Letters. № 8. V. 43. 2017. P. 767-769.

2015

Труды (тезисы) конференции

Пирогов А.В., Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Бобров А.И. Эпитаксиальный рост гексагональной модификации кремния на сапфире // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX международного симпозиума (Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.) в 2-х томах. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015.- Т. 2.- 359 с. 2015. С. 613-614.

Публикации в научных журналах

Павлов Д.А., Пирогов А.В., Кривулин Н.О., Бобров А.И. Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 98-101.

Pavlov D.A., Pirogov A.V., Krivulin N.O., Bobrov A.I. Epitaxial growth of hexagonal silicon polytypes on sapphire // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 95-98.

Кривулин Н.О., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Бобров А.И. Исследование кристаллической структуры наноостровков кремния на сапфире // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 49. 2015. С. 160-162.

Krivulin N.O., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Study of the crystal structure of silicon nanoislands on sapphire // Semiconductors. № 2. V. 49. 2015. P. 154-156.

2014

Труды (тезисы) конференции

Кривулин Н.О., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Бобров А.И. Исследование кристаллической структуры наноостровков кремния на сапфире // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 505-506.

Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Бобров А.И., Пирогов А.В. Формирование ориентированной гексагональной фазы кремния // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 593-594.

Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Бобров А.И., Пирогов А.В. Формирование ориентированной гексагональной фазы кремния // XXV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2014.- Тез. докл.- Черноголовка, Россия, 2 - 6 июня 2014 г. ИПТМ РАН, Т. 1. 2014. С. 38-39.

Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Бобров А.И., Пирогов А.В. Определение деформаций в островках кремния на сапфире методом нанодифракции // XXV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2014.- Тез. докл.- Черноголовка, Россия, 2 - 6 июня 2014 г. ИПТМ РАН, Т. 1. 2014. С. 40-41.

2013

Труды (тезисы) конференции

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Шиляев П.А. Модель роста наноостровков кремния на сапфире // Труды XVII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 479.

Павлов Д.А., Шиляев П.А., Кривулин Н.О., Бобров А.И., Пирогов А.В. Анализ закономерностей начальных стадий молекулярно-лучевой гетероэпитаксии кремния на сапфире // Труды XVII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 554-555.

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Бобров А.И. Формирование бездефектных наноразмерных островков кремния на сапфире // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XI РКФП), 16-20 сентября 2013. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2013. С. 179.

Пирогов А.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Шиляев П.А., Кривулин Н.О. Структурная модификация кремния на сапфире // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, T. 1. 2013. С. 203-205.

Публикации в научных журналах

Павлов Д.А., Шиляев П.А., Пирогов А.В., Кривулин Н.О., Бобров А.И., Пегасина М.Д. Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 47. 2013. С. 854-858.

Krivulin N.O., Pavlov D.A., Shilyaev P.A. Growth Model of Silicon Nanoislands on Sapphire // Semiconductors. № 12. V. 47. 2013. P. 1595-1597.

Tikhov S.V., Pavlov D.A., Krivulin N.O. A Method for Determining the State of the Silicon–Sapphire Boundary in Thin Silicon-on-Sapphire Layers // Russian Microelectronics. № 8. V. 42. 2013. P. 529-531.

Pavlov D.A., Shilyaev P.A., Pirogov A.V., Krivulin N.O., Bobrov A.I., Pegasina M.D. Analysis of the growth dependences of silicon-on-sapphire heteroepitaxy // Semiconductors. № 6. V. 47. 2013. P. 865-869.

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Шиляев П.А. Модель роста наноостровков кремния на сапфире // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 47. 2013. С. 1621-1623.

2012

Труды (тезисы) конференции

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Шиляев П.А., Бобров А.И., Пегасина М.Д. Исследование гетероганицы в структуре кремний на сапфи-ре методом просвечивающей электронной микроскопии // Труды XVI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 12–16 марта 2012, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.1. 2012. С. 282.

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Шиляев П.А., Бобров А.И., Пегасина М.Д. Исследование начальных стадий эпитаксиального роста кремния на сапфире методом ПЭМ // XXIV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2012: Тез. докл.. 29 мая – 1 июня 2012 г., Черноголовка, Россия,. 2012. С. 29.

Публикации в научных журналах

Павлов Д.А., Шиляев П.А., Коротков Е.В., Кривулин Н.О., Бобров А.И. Исследование КНС-структур методами просвечивающей электронной микроскопии // Известия РАН. Серия физическая. № 9. Т. 76. 2012. С. 1115-1117.

Pavlov D.A., Shilyaev P.A., Korotkov E.V., Krivulin N.O., Bobrov A.I. Investigation of Silicon-on-Sapphire by Means of TEM // Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. № 9. V. 76. 2012. P. 1002-1004.

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Шиляев П.А., Коротков Е.В., Гладышева В.А., Бобров А.И. Влияние дефектов на механические свойства эпитаксиальных слоев кремния на сапфире // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 3(1). 2012. С. 30-33.

2011

Труды (тезисы) конференции

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Кривулин Н.О., Питиримова Е.А., Трушин В.Н., Шенгуров В.Г. Структура и морфология слоев SiGe на подложках кремний-на-сапфире // Сборник трудов конференции «ХХХ научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова». Нижний Новгород, 20-21 декабря. 2011. С. 144.

Павлов Д.А., Коротков Е.В., Шиляев П.А., Кривулин Н.О., Гладышева В.А., Бобров А.И. Влияние условий молекулярно-лучевого осаждения на механические свойства слоѐв кремния на сапфире // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 14–18 марта, 2011.- Н. Новгород: Изд-во ИПМ РАН, - Т.2.- С. 562-563.. 2011. С. 562-563.

Публикации в научных журналах

Тихов С.В., Павлов Д.А., Кривулин Н.О. Способ определения состояния поверхности раздела кремний—сапфир в тонких слоях кремний–на–сапфире. // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники.. № 4. 2011. С. 1-5.

Патенты, авторские свидетельства

2021

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Кочугова Е.С. Керамический блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с плоскопружинными зажимами фиксирующих керамических пластин (Патент).

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Кочугова Е.С. Керамический блок фиксации нагреваемой подложки для вакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии (Патент).

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Кочугова Е.С. Керамический блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с жёсткими зажимами фиксирующих керамических пластин (Патент).

2020

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Кочугова Е.С. Узел фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере (варианты) (Патент).

2019

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Никольская А.А., Васильев В.К., Михайлов А.Н. Способ формирования гексагональной фазы кремния (Патент).

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Никольская А.А., Васильев В.К., Михайлов А.Н. Способ формирования гексагональной фазы кремния путем имплантации ионов криптона в пленку оксида кремния на пластине монокристаллического кремния (Патент).

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Кочугова Е.С. Блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с плоско-пружинными зажимами фиксирующих керамических пластин (Патент).

Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Кочугова Е.С. Блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с жёсткими зажимами фиксирующих керамических пластин (Патент).

2018

Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Резистивный испарительный блок для вакуумной эпитаксии кремний-германиевых гетероструктур (Патент).

Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Графитовый резистивный испаритель для вакуумной эпитаксии кремний-германиевых структур (Патент).

Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Резистивный испаритель для вакуумной эпитаксии кремний-германиевых структур (Патент).

2016

Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Графитовый испаритель для вакуумной эпитаксии кремния (Патент).

2015

Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Способ формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме (Патент).

Кривулин Николай Олегович
Контакты

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского