Котина Алина Юрьевна

Место работы

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур"

Научно-исследовательская лаборатория "Лаборатория мемристорной наноэлектроники"

ведущий инженер

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Сектор подготовки поверхности полупроводников и твердых тел

ведущий инженер

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур"

Научно-исследовательская лаборатория стохастических мультистабильных систем

ведущий инженер

Ученая степень
нет
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 20 лет, 5 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Квалификация: инженер.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

14.11.2017 - 14.11.2017
Повышение квалификации: специальная подготовка по качеству, АНО ЦРМ "СПК", документ № № 8378/СПК от 14.11.2017

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2020

Публикации в научных журналах

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Kotomina V.E., Kotina A.Yu., Gryaznov E.G., Sharapov A.N., Koryazhkina M.N., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Morozov O.A., Tetelbaum D.I. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Advanced Materials Technologies. № 5. V. 5. 2020. P. 1900607(1-9).

2019

Публикации в научных журналах

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Kotomina V.E., Kotina A.Yu., Gryaznov E.G., Sharapov A.N., Koryazhkina M.N., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Morozov O.A., Tetelbaum D.I. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Advanced Materials Technologies. V. 5. 2019. P. 1900607.

Патенты, авторские свидетельства

2018

Грязнов Е.Г., Антонов И.Н., Котина А.Ю., Котомина В.Е., Михайлов А.Н., Шарапов А.Н., Горшков О.Н. Топология тестового кристалла с матрицей мемристивных микроустройств (Авторское свидетельство).

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского