Коряжкина Мария Николаевна

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2023

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Kruglov A.V., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N., Shchanikov S.A., Kim S., Spagnolo B. Silicon-Compatible Memristive Devices Tailored by Laser and Thermal Treatments // Low Power Memory/Memristor Devices and Systems. Basel: MDPI, Т.1, 240 с.. 2023. P. 33-54.

Roldan J.B., Miranda E., Maldonado D., Mikhailov A.N., Agudov N.V., Dubkov A.A., Koryazhkina M.N., González M.B., Villena M.A., Poblador S., Saludes-Tapia M., Picos R., Jiménez-Molinos F., Stavrinidis S.G., Salvador E., Alonso F.J., Campabadal F., Spagnolo B., Lanza M., Chua L.O. Variability in Resistive Memories // Advanced Intelligent Systems. № 6. V. 5. 2023. P. 2200338(1-46).

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Tikhov S.V., Belov A.I., Serov D.A., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gryaznov E.G., Orlova E.S., Shchanikov S.A., Mikhailov A.N., Kim S. Electrical characteristics of CMOS-compatible SiOx-based resistive-switching devices // Nanomaterials. № 14. V. 13. 2023. P. 2082.

Mikhaylov A.N., Gryaznov E.G., Koryazhkina M.N., Bordanov I.A., Shchanikov S.A., Telminov O.A., Kazantsev V.B. Neuromorphic Computing Based on CMOS-Integrated Memristive Arrays: Current State and Perspectives // Supercomputing Frontiers and Innovations. № 2. V. 10. 2023. P. 77-103.

2022

Ершов А.В., Коряжкина М.Н., Филатов Д.О., Шенина М.Е., Антонов И.Н., Круглов А.В., Горшков А.П., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO2(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge // Материалы XXVI Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2022.– В 2-х томах.–Т.2.. 2022. С. 858-859.

Mikhailov A.N., Koryazhkina M.N., Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Antonov I.N., Shuiskii R.A., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shenina M.E., Gryaznov E.G., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Gorshkov O.N., Spanyolo B Resistive switching in metal-oxide memristive materials and devices. Amsterdam: Elsevier, chapter 2, pp. 33-78. 2022.

Mikhailov A.N., Koryazhkina M.N., Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Antonov I.N., Shuiskii R.A., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shenina M.E., Gryaznov E.G., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Gorshkov O.N., Emelyyanov A.V., Nikirui K.E., Rylykov V.V., Demin V.A., Spanyolo B Technology and neuromorphic functionality of magnetron-sputtered memristive devices. Amsterdam: Elsevier, chapter 4, pp. 109-131. 2022.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Kruglov A.V., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Mikhailov A.N., Shchanikov S.A., Kim S., Spagnolo B. Silicon-Compatible Memristive Devices Tailored by Laser and Thermal Treatments // Journal of Low Power Electronics and Applications. № 1. V. 12. 2022. P. 1-22.

Коряжкина М.Н., Филатов Д.О., Тихов С.В., Белов А.И., Королев Д.С., Круглов А.В., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Воронцов В.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Ким С. Электрофизические свойства мемристоров на основе нитрида кремния на подложках "кремний-на-изоляторе" // Российские нанотехнологии. № 1. Т. 17. 2022. С. 98-105.

2021

Филатов Д.О., Шенина М.Е., Роженцов И.А., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Новиков А.С., Ершов А.В., Горшков А.П., Горшков О.Н. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе плёнок ZrO2(Y) с наночастицами Au // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т., том 2. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. 2 страницы. 2021. С. 893-894.

Koryazhkina M.N., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Shchanikov S.A., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Agudov N.V., Dubkov A.A., Valenti D., Spagnolo B. Noise-induced resistance switching of the SiO2-based memristor // MEMRISYS 2021 4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems. 49 p.. 2021. P. 37.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Novikov A.S., Shishmakova V.A., Shenina M.E., Belov A.I., Antonov I.N., Mikhailov A.N., Gorshkov O.N., Agudov N.V., Spanyolo B. Relaxation times to the stationary state of ZrO2(Y)-based memristor // MEMRISYS 2021 4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems. 49 p.. 2021. P. 38.

Коряжкина М.Н., Филатов Д.О., Новиков А.С., Шишмакова В.А., Шенина М.Е., Белов А.И., Антонов И.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Агудов Н.В., Спаньоло Б. РЕЛАКСАЦИЯ РЕЗИСТИВНОГО СОСТОЯНИЯ МЕМРИСТОРОВ НА ОСНОВЕ СТАБИЛИЗИРОВАННОГО ДИОКСИДА ЦИРКОНИЯ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ПАРАМЕТРОВ ШУМОВОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ // Материалы 24-й Всероссийской молодежной научной конференции "Актуальные проблемы физической и функциональной электроники". 240 c.. 2021. С. 174-175.

Koryazhkina M.N., Belov A.I., Shenina M.E., Antonov I.N., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Agudov N.V., Dubkov A.A., Spagnolo B. EFFECT OF EXTERNAL NOISE ON THE RESISTIVE STATE OF THE MEMRISTIVE STRUCTURES BASED ON ZRO2(Y) // Труды XXV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород, ННГУ, 562 с.. 2021. P. 464-466.

Gerasimova S.A., Lebedeva A.V., Fedulina A.A., Koryazhkina M.N., Belov A.I., Mishchenko M.A., Matveeva M.V., Guseinov D.V., Mikhailov A.N., Pisarchik A., Kazantsev V.B. A neurohybrid memristive system for adaptive stimulation of hippocampus // Chaos, Solitons and Fractals. V. 146. 2021. P. 110804.

Mikhailov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Korolev D.S., Shishmakova V.A., Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Maldonado D., Alonso F.J., Roldan J.B., Krichigin A.V., Agudov N.V., Dubkov A.A., Karollo A., Spagnolo B. Stochastic resonance in a metal-oxide memristive device // Chaos, Solitons and Fractals. V. 144. 2021. P. 110723 (1-12).

Ryabova M.A., Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kharcheva A.A., Dubkov A.A. Resonant activation of resistive switching in ZrO2(Y) films // Journal of Physics: Conference Series. V. 1851. 2021. P. 012003 (1-6).

Gerasimova S.A., Belov A.I., Korolev D.S., Guseinov D.V., Lebedeva A.V., Koryazhkina M.N., Mikhailov A.N., Kazantsev V.B., Pisarchik A.N. Stochastic Memristive Interface for Neural Signal Processing // Sensors. № 21. V. 16. 2021. P. 5587.

Филатов Д.О., Шенина М.Е., Роженцов И.А., Коряжкина М.Н., Новиков А.С., Антонов И.Н., Ершов А.В., Горшков А.П., Горшков О.Н. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO2(Y) с наночастицами Au // Физика и техника полупроводников. № 55. Т. 9. 2021. С. 1-4.

Agudov N.V., Dubkov A.A., Safonov A.V., Krichigin A.V., Kharcheva A.A., Guseinov D.V., Koryazhkina M.N., Novikov A.S., Shishmakova V.A., Antonov I.N., Carollo A., Spagnolo B. Stochastic model of memristor based on the length of conductive region // Chaos, Solitons and Fractals. V. 150. 2021. P. 111131 (1-11).

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Kruglov A.V., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N., Kim S. Electrical Properties of Silicon-Oxide-Based Memristors on Silicon-on-Insulator Substrates // NANOBIOTECHNOLOGY REPORTS. № 6. V. 16. 2021. P. 745-754.

Филатов Д.О., Шенина М.Е., Роженцов И.А., Коряжкина М.Н., Новиков А.С., Антонов И.Н., Ершов А.В., Горшков А.П., Горшков О.Н. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO2(Y) с наночастицами Au // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 55. 2021. С. 754-757.

2020

Филатов Д.О., Табаков О.В., Новиков А.С., Кассин Г.Л., Белов А.И., Антонов И.Н., Шарков В.В., Окулич Е.В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Реакция мемристоров на основе плёнок SiO2 на внешний белый гауссовский шум // Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (10-13 марта, 2020, Нижний Новгород). Т. 2, 505 с.. 2020. С. 768-769.

Михайлов А.Н., Королев Д.С., Белов А.И., Герасимова С.А., Мищенко М.А., Гусейнов Д.В., Коряжкина М.Н., Тетельбаум Д.И., Филатов Д.О., Горшков О.Н., Агудов Н.В., Дубков А.А., Казанцев В.Б., Спаньоло Б. Мемристивные устройства под действием нейроноподобной активности и шума // Наноиндустрия. № S4 (99). Т. 13. 2020. С. 561-562.

Filatov D.O., Novikov A.S., Baranova V.N., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Koryazhkina M.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Carollo A., Spagnolo B. Experimental investigations of local stochastic resistive switching in yttria stabilized zirconia film on a conductive substrate // Journal of Statistical Mechanics: Theory and Experiment. № 2. V. 2020. 2020. P. 024005 (1-11).

2019

Филатов Д.О., Новиков А.С., Баранова В.Н., Антонов Д.А., Круглов А.В., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Индуцированное шумом резистивное переключение на контакте асм-зонда к пленке стабилизированного диоксида циркония на проводящей подложке // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 501-504.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Vrzheshch D.V., Tabakov O.V., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Spagnolo B. ZrO2(Y)/Ta2O5-based memristor response to white Gaussian noise // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. P. 497-500.

Табаков О.В., Филатов Д.О., Вржещ Д.В., Новиков А.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Резистивное переключение мемристора на базе тонкоплёночной структуры ZrO2(Y)/Ta2O5 шумовым сигналом // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 508-511.

Вржещ Д.В., Филатов Д.О., Табаков О.В., Новиков А.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Временные характеристики резистивного переключения мемристора на основе ZrO2(Y)/Ta2O5 под действием шумового сигнала // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 512-515.

Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Belov A.I., Gerasimova S.A., Guseinov D.V., Tikhov S.V., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Koryazhkina M.N., Agudov N.V., Dubkov A.A., Emelyyanov A.V., Nikiruy K.E., Demin A.V., Spanyolo B. From device engineering and adaptive programming to stochastic multistable models of metal-oxide memristors // International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems (MEMRISYS). Conference Proceedings. Dresden, Germany, 8-11 July. 2019. P. 98.

Korolev D.S., Okulich E.V., Koryazhkina M.N., Shuiski R.A., Belov A.I., Shenina M.E., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Okulich V.I., Antonov I.N., Dudin Yu.A., Spagnolo B. Effect of irradiation with Si+ ions on resistive switching in memristive structures based on yttria-stabilized zirconia and silicon dioxide // International Conference “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)”. Book of abstracts. Erice, Italy, October 18-21. 2019. P. 27.

Dubkov A.A., Kharcheva A.A., Koryazhkina M.N., Gorshkov O.N., Filatov D.O., Spanyolo B. Stationary probabilistic characteristics of memristor in circuit with capacitor and colored Gaussian voltage source // Book of abstracts of “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)” (October 18-21, 2019, Erice, Italy). 1. 2019. P. 16.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Vrzheshch D., Tabakov O., Novikov A.S., Kharcheva A.A., Belov A.I., Antonov I.N., Sharkov V.V., Mikhailov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Valenti D., Spanyolo B. Statistical analysis of ZrO2(Y)/Ta2O5-based memristor response to white Gaussian noise // Book of abstracts of “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)” (October 18-21, 2019, Erice, Italy). 1. 2019. P. 25.

Филатов Д.О., Коряжкина М.Н., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Лискин Д.А., Рябова М.А., Горшков О.Н. Исследование методом атомно-силовой микроскопии резистивного переключения сложными сигналами в пленках стабилизированного диоксида циркония // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (11-14 марта 2019, Нижний Новгород). Т. 1, 544 с.. 2019. С. 402-403.

Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Liskin D.A., Ryabova M.A., Gorshkov O.N. Conductive Atomic Force Microscopy study of local resistive switching by a complex signal in the yttria stabilized zirconia films // 3rd International Conference Scanning Probe Microscopy. 4th Russia-China Workshop on Dielectric and Ferroelectric Materials. International Youth Conference Functional Imaging of Nanomaterials. (Ekaterinburg, August 25-28, 2019). 301 c.. 2019. P. 177-178.

Okulich E.V., Koryazhkina M.N., Korolev D.S., Belov A.I., Shenina M.E., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Antonov I.N., Dudin Yu.A. The Effect of Irradiation with Si+ Ions on Resistive Switching in Memristive Structures Based on Yttria-Stabilized Zirconia // Technical Physics Letters. № 7. V. 45. 2019. P. 690–693.

Filatov D.O., Vrzheshch D.V., Tabakov O.V., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Sharkov V.V., Koryazhkina M.N., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Carollo A., Spagnolo B. Noise-induced resistive switching in a memristor based on ZrO2(Y)/Ta2O5 stack // Journal of Statistical Mechanics: Theory and Experiment. V. 2019. 2019. P. 124026 (1-14).

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Kotomina V.E., Kotina A.Yu., Gryaznov E.G., Sharapov A.N., Koryazhkina M.N., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Morozov O.A., Tetelbaum D.I. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Advanced Materials Technologies. V. 5. 2019. P. 1900607.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Antonov I.N., Ryabova M.A., Dunaevskii M.S. Study of Local Charge Accumulation in ZrO2(Y) Films with Au Nanoparticles by Kelvin Probe Force Microsсopy // Journal of Surface Investigation. № 1. V. 13. 2019. P. 30–35.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Belov A.I., Antonov I.N., Morozov A.I., Koryazhkina M.N., Mikhailov A.N. Mechanisms of Current Transport and Resistive Switching in Capacitors with Yttria-Stabilized Hafnia Layers // Technical Physics. № 6. V. 64. 2019. P. 873–880.

Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Liskin D. A., Ryabova M.A., Gorshkov O.N. Atomic-Force Microscopy of Resistive Nonstationary Signal Switching in ZrO2(Y) Films // Technical Physics. № 11. V. 64. 2019. P. 1579–1583.

Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Liskin D. A., Ryabova M.A., Gorshkov O.N. Investigation of resistive switching by non-stationary signals in ZrO2(Y) films by atomic force microscopy // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. № 1. V. 699. 2019. P. 012012.

2018

Филатов Д.О., Антонов И.Н., Коряжкина М.Н., Рябова М.А., Дунаевский М.С. Изучение процессов локальной аккумуляции заряда в пленках ZrO2(Y), HfO2(Y), SiO2 с наночастицами Au методом Кельвин-зонд микроскопии // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 12-15 марта 2018). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, 507 с.. 2018. С. 373-374.

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Mikhailov A.N., Korolev D.S., Koryazhkina M.N., Ryabova M.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Pavlov D.A., Dunaevskii M.S. Investigation of local charge accumulation in yttria stabilized zirconia films with Au nanoparticles by Scanning Kelvin Probe Microscopy // “Saint Petersburg OPEN 2018” 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. St Petersburg, Russia, April 2-5, 2018. BOOK of ABSTRACTS. Academic University Publishing St. Petersburg, 2018, 621 p.. 2018. P. 573-574.

Koryazhkina M., Antonov I., Gorshkov O., Mikhailov A., Belov A., Shenina M., Pigareva Ya., Pimashkin A., Filatov D., Agudov N., Dubkov A., Kharcheva A., Valenti D., Spagnolo B. Statistical analysis of memristor response to complex electric activity // 15th Course of the INTERNATIONAL SCHOOL OF STATISTICAL PHYSICS New Trends in Nonequilibrium Statistical Mechanics: Classical and Quantum Systems. Ettore Majorana Foundation and Centre for Scientific Culture, 59pp. 2018. P. 25.

Коряжкина М.Н., Окулич Е.В., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шуйский Р.А., Антонов И.Н., Васильев В.К. Влияние облучения ионами Si и постимплантационного отжига на параметры резистивного переключения в мемристивных структурах на основе // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 150.

Sidorenko K.V., Koryazhkina M.N. Monte-Carlo simulation of anionic resistive switching phenomenon // International Workshop on Nanoelectronic Memristive Devices for Quantum and Neuromorphic Computing (MEM-Q). Book of abstracts, Russia, Moscow. 2018. P. 21.

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Bipolar resistive switching in metal-insulator-semiconductor nanostructures based on silicon nitride and silicon oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 993. 2018. P. 012028.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Morozov A.I., Koryazhkina M.N., Filatov D.O. Ion Migration Polarization in the Yttria Stabilized Zirconia Based Metal-Oxide-Metal and Metal-Oxide-Semiconductor Stacks for Resistive Memory // Advances in Materials Science and Engineering. № 2018. V. 2018. 2018. P. 2028491 (8 p.).

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Bipolar resistive switching in metal-insulator-semiconductor nanostructures based on silicon nitride and oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 993. 2018. P. 012028.

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Koryazhkina M.N., Ryabova M.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Pavlov D.A., Dunaevskiy M.S. Investigation of local charge accumulation in yttria stabilized zirconia films with Au nanoparticles by Scanning Kelvin Probe Microscopy // Journal of Physics: Conference Series. V. 1124. 2018. P. 081028.

2017

Тихов С.В., Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н., Морозов А.И. Процессы поляризации ионов в стабилизированном диоксиде циркония в МДМ- и МДП-наноконденсаторах // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 13-16 марта 2017). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 402 с.. 2017. С. 738-739.

Горшков О.Н., Тихов С.В., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Коряжкина М.Н., Сидоренко К.В., Мухаматчин К.Р., Антонов И.Н., Касаткин А.П. Микроскопические эффекты в структурах на основе стабилизированного диоксида циркония, проявляющих резистивное переключение // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 13-16 марта 2017). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 402 с.. 2017. С. 563-564.

Gorshkov O.N., Antonov I.N., Filatov D.O., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Bobrov A.I., Koryazhkina M.N., Kudryashov M.A., Korotaeva I. S. Fabrication of metal nanoparticle arrays in the ZrO2(Y), HfO2(Y), and GeOx films by magnetron sputtering // Advances in Materials Science and Engineering. V. 2017. 2017. P. 1759469.

2016

Коряжкина М.Н., Тихов С.В., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н. Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник // Материалы XX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 14-18 марта 2016). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 406 с.. 2016. С. 626-627.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бобров А.И., Коряжкина М.Н., Нежданов А.В., Кудряшов М.А. Формирование методами магнетронного осаждения металлических наночастиц в матрицах ZrO2(Y), HfO2(Y) и GeOx для мемристорных структур // Материалы XX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 14-18 марта 2016). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 406 с. 2016. С. 543-544.

Gorshkov O.N., Mikhailov A.N., Belov A.I., Koryazhkina M.N., Malekhonova N.V., Antonov I.N., Shenina M.E. Resistive Switching in the Au/Zr/ZrO2–Y2O3/TiN Nanostacks // “Saint Petersburg OPEN 2016” 3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. St Petersburg, Russia, March 28 – 30, 2016. BOOK of ABSTRACTS. Academic University Publishing St. Petersburg, 2016, 600 p.. 2016. P. 332-333.

Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Belov A.I., Shenina M.E., Koryazhkina M.N., Guseinov D.V., Okulich V.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Antonov D.A., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching in capacitor-like structures based on ionic and covalent oxide dielectrics // Abstracts 20th International Symposium On Non-Oxide and New Optical Glasses. Nizhny Novgorod, Russia, August 21-26, 2016. 2016. P. 103-104.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н., Вихрова О.В., Морозов А.И. Электрофизические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе n-GaAs с квантовыми точками InAs, Выращенными на поверхности слоя n-GaAs // Материалы XX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 14-18 марта 2016). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 406 с.. 2016. С. 750-751.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П. Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл−диэлектрик−полупроводник // Письма в Журнал технической физики. № 3. Т. 42. 2016. С. 52-60.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П. Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл--диэлектрик--полупроводник на основе кремния // Письма в Журнал технической физики. № 10. Т. 42. 2016. С. 78-84.

Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Belov A.I., Koryazhkina M.N., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Gryaznov E.G., Antonov I.N., Shenina M.E. Resistive switching in the Au/Zr/ZrO2–Y2O3/TiN/Ti memristive devices deposited by magnetron sputtering // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 741. 2016. P. 012174.

Коряжкина М.Н., Тихов С.В., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н. Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1639-1643.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н., Вихрова О.В., Морозов А.И. Электрофизические свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе n-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя n-GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1615-1619.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Koryazhkina M.N., Antonov I.N., Kasatkin A.P. Specific features of nonequilibrium depletion accompanied by the trapping of minority carriers by surface states in metal–insulator–semiconductor structures // Technical Physics Letters. № 2. V. 42. 2016. P. 138-142.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Koryazhkina M.N., Antonov I.N., Kasatkin A.P. Light-induced resistive switching in silicon-based metal–insulator–semiconductor structures // Technical Physics Letters. № 5. V. 42. 2016. P. 536-538.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Koryazhkina M.N., Kasatkin A.P., Antonov I.N., Vikhrova O.V., Morozov A.I. Physical properties of metal–insulator–semiconductor structures based on n-GaAs with InAs quantum dots deposited onto the surface of an n-GaAs layer // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1589–1594.

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Antonov I.N. Electrical and photoelectric properties of Si-based metal–insulator–semiconductor structures with Au nanoparticles at the insulator–semiconductor interface // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1614-1618.

2015

Шенина М.Е., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Касаткин А.П. Формирование металлических наночастиц в стабилизированном диоксиде циркония при имплантации ионов Ag // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 10-14 марта 2015). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 359 с.. 2015. С. 713-714.

Коряжкина М.Н., Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П. Электрофизические процессы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник, проявляющих эффекты резистивного переключения и памяти // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 10-14 марта 2015). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 359 с.. 2015. С. 543-544.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н., Коряжкина М.Н. Особенности поведения МДП-структур на основе эпитаксиальных слоев c пассивированной нанослоем InP поверхностью GaAs // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 10-14 марта 2015). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 359 с.. 2015. С. 665-666.

Горшков О.Н., Тихов С.В., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П. Формирование тонких плёнок GeOx методом магнетронного распыления для применения их в качестве диэлектрика в мемристорных структурах // Тезисы докладов XV конференции и VIII школы молодых ученых "Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение" (Н. Новгород, 26-29 мая 2015). Н. Новгород: Печатная мастерская РАДОНЕЖ, 216 с.. 2015. С. 173.

2014

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Тихов С.В. Свойства структур Au/Zr/GeOx/ZrO2(Y)/TiN, проявляющих эффекты резистивного переключения и памяти // Труды ХVIII Международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника" (Н. Новгород, 10 -14 марта 2014). Н. Новгород, изд. ННГУ, Т. 2, 353 с.. 2014. С. 434-435.

Коряжкина М.Н., Тихов С.В., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Шенина М.Е. Нелинейный характеристики конденсаторов на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота // Третья школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов (Н. Новгород, 15-17 мая 2014). Конспекты лекций и тезисы докладов. Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского. - 175 с. 2014. С. 135-136.

Шенина М.Е., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Касаткин А.П. Различия в ширине запрещенной зоны стабилизированного диоксида циркония вследствие неоднородного распределения стабилизирующей примеси // Третья школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов (Н. Новгород, 15-17 мая 2014). Конспекты лекций и тезисы докладов.. Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского. - 175 с. 2014. С. 153-154.

Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Тихов С.В., Шенина М.Е. Формирование наночастиц золота в плёнках стабилизированного диоксида циркония // Тезисы докладов V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" (Н. Новгород, 27-31 октября 2014 года). Н.Новгород: ННГУ, 2014 - 142 с.. 2014. С. 121-122.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н., Шенина М.Е. Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота // Письма в Журнал технической физики. № 9. Т. 40. 2014. С. 9-16.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Antonov I.N., Bobrov A.I., Kasatkin A.P., Koryazhkina M.N., Shenina M.E. Capacitors with Nonlinear Characteristics Based on Stabilized Zirconia with Built_in Gold Nanoparticles // Technical Physics Letters. № 5. V. 40. 2014. P. 369-371.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н. Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник. // Письма в Журнал технической физики. № 19. Т. 40. 2014. С. 18-26.

Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Малехонова Н.В., Шенина М.Е. Влияние ионного распыления на формирование наночастиц золота методом ионной имплантации в плёнках стабилизированного диоксида циркония // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1(2). 2014. С. 80-83.

Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Koryazhkina M.N., Gorshkov O.N., Antonov I.N. The forming process in resistive-memory elements based on metal-insulator-semiconductor structures // Technical Physics Letters. № 10. V. 40. 2014. P. 837-840.

2013

Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П. Модификация свойств приповерхностных слоёв стабилизированного диоксида циркония при имплантации металлических ионов // Тезисы докладов научной студенческой конференции физического факультета ННГУ. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 70 c. 2013. С. 28-37.

Антонов И.Н., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Шенина М.Е., Бобров А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н. Исследование тонких плёнок стабилизированного диоксида циркония с нанокристаллами золота, сформированными методом отжига островковых металлических плёнок // Форум молодых учёных. Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, 317 с.. 2013. С. 91-93.

Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бобров А.И. Распыление стабилизированного диоксида циркония при имплантации ионов золота в условиях формирования наночастиц // Форум молодых учёных. Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, 317 с.. 2013. С. 157-159.

Шенина М.Е., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Тихов С.В. Особенности формирования элементов резистивной памяти на основе оксидов с наночастицами металлов // Труды VIII отраслевой научно-технической конференции молодых специалистов Госкорпорации "Росатом" "Высокие технологии атомной отрасли. Молодежь в инновационном процессе" в рамках 18-го Международного научно-промышленного Форума "Будущее России". ФГУП «ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова». 2013. [принято к печати]

Горшков О.Н., Тихов С.В., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н. Особенности пиннинга уровня ферми на границе раздела Al0.3Ga0.7As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония // Письма в Журнал технической физики. № 23. Т. 39. 2013. С. 72-79.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Тихов С.В., Шенина М.Е., Коряжкина М.Н. Изучение диффузии ионов кислорода в МДМ-структурах на основе стабилизированного диоксида циркония, проявляющих резистивное переключение // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 5. Т. 1. 2013. С. 51-54.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Koryazhkina M.N. Features of Fermi-level pinning at the interface of Al0.3Ga0.7As with anodic oxide and stabilized zirconia // Technical Physics Letters. № 12. V. 39. 2013. P. 1064-1067.

2012

Горшков О.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н. Наночастицы серебра в матрице объемного монокристаллического стабилизированного диоксида циркония // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2. Т. 1. 2012. С. 39-43.

Патенты, авторские свидетельства

2024

Филатов Д.О., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Шенина М.Е., Антонов И.Н., Лобанова В.А., Рябова М.А., Михайлов А.Н., Шарапов А.Н. Способ переключения мемристора (Патент).

2018

Сидоренко К.В., Коряжкина М.Н. Программа расчета ионного и электронного токов, а также фононной кинетики в процессе электроформинга в мемристивных структурах на основе стабилизированного диоксида циркония (MemResearch) (Патент).

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Коряжкина М.Н. Оксидный мемристор с концентраторами электрического поля (Патент).

2016

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н., Шарапов А.Н. Способ определения электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки (Патент).