Хазанова Софья Владиславовна

Место работы

Физический факультет

Кафедра физики полупроводников, электроники и наноэлектроники

доцент

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Сектор радиофотоники

старший научный сотрудник

Физический факультет

КУРАТОР

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 26 лет, 6 мес.
Педагогический стаж 25 лет, 8 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: Радиофизика. Квалификация: радиофизик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

17.09.2021 - 19.11.2021
Повышение квалификации: "Электронная информационно-образовательная среда вуза", ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского", 72 час., документ № 522414381522 рег. № 33-2726 от 24.11.2021

28.08.2019 - 28.11.2019
Переподготовка: Современное состояние и актуальные проблемы исследований в области физико-математических наук, ННГУ, 250 час., документ № 522409110453, рег. № 33-728 от 28.11.2019

22.01.2018 - 01.02.2018
Повышение квалификации: Высокопроизводительные вычисления, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 72 час., документ № 522405001932; рег. № 33-804 от 01.02.2018

17.01.2018 - 17.01.2018
Повышение квалификации: Оказание первой помощи, ННГУ, 8 час., документ № Сертификат рег. № 1272 от 17.01.2018

02.10.2017 - 27.10.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 72 час., документ № 522404999352 рег номер 33-2848 от 27.10.2017

10.05.2016 - 31.05.2016
Повышение квалификации: Использование инновационных методов и современной аппаратуры в естественнонаучных исследованиях, ННГУ, 72 час., документ № 522403227283 рег номер 33-522 от 31.05.2016

20.01.2011
Повышение квалификации: Модульные приборы, National Instruments

Награды

Благодарственное письмо ректора Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского (приказ № 18-03-1-96 от 01.03.2016)

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2022

Труды (тезисы) конференции

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Кодочигов Н.Е., Земляков В.Е. Анализ нелинейных искажений DpHEMT структур на основе соединения GaAs/InGaAs c двусторонним дельта-легированием // Труды XXVI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2022, т.2. 2022. С. 1027-1028.

2021

Труды (тезисы) конференции

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Земляков В.Е., Оболенский С.В. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик DpHEMT структур на основе тсоединений GaAs/InGaAs // Труды XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Вгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, том 2, 467 с.. 2021. С. 869-870.

Бобров А.И., Байдусь Н.В., Хазанова С.В., Горшков А.П., Сидоренко К.В., Шушунов А.Н., Малехонова Н.В., Нежданов А.В., Убыйвовк Е.В., Кулинич И.В. Методика контроля структуры и состава туннельно-связанных квантовых ям, проектируемых для создания модулятора по схеме интерферометра Маха-Цендера // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 72.

Бобров А.И., Байдусь Н.В., Хазанова С.В., Горшков А.П., Сидоренко К.В., Шушунов А.Н., Малехонова Н.В., Нежданов А.В., Убыйвовк Е.В., Кулинич И.В. Методика проектирования дизайна туннельно-связанных квантовых ям для модулятора по схеме Маха-Цендера // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 74.

Хазанова С.В., Голиков О.Л., Панфилов А.С. Расчет электрофизических параметров гетероструктур InGaAs/GaAs с двусторонним дельта-легированием // Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021, том 2, 467 с.. 2021. С. 899-900.

Хазанова С.В., Савельев В.В. Расчёт кондактанса периодических структур на основе графена // Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021.. Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021, том 2, 467 с.. 2021. С. 901-902.

Хазанова С.В., Савельев В.В. Численный расчёт транспортных характеристик двумерных наноматериалов // Материалы III Международной конференции "МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ в материаловедении электронных компонентов" ММMЭK–2021 25–27 октября 2021 г., Москва. Москва : МАКС Пресс, 2021. –160 с.. 2021. С. 44.

Публикации в научных журналах

Хазанова С.В., Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Голиков О.Л., Пузанов А.С. Методы расчетно-экспериментального моделирования электрофизических параметров в перспективных полупроводниковых гетероструктурах на основе соединений AlGaAs/InGaAs // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 235-238.

Волкова Е.В., Логинов А.Б., Логинов Б.А., , Пузанов А.С., Королев С.А., Семёновых Е.С., Хазанова С.В., Оболенский С.В. Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 55. 2021. С. 846-849.

, Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Земляков В.Е. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 55. 2021. С. 872-876.

Tarasova E.A., Khazanova S.V., Golikov O.L., Puzanov A.S., Zemlyakov V.E. Analysis of the Effect of Spacer Layers on Nonlinear Distortions of the Current–Voltage Characteristics of GaAlAs/InGaAs pHEMTs // Semiconductors. № 10. V. 55. 2021. P. 872-876.

Volkova E.V., Loginov A.B., Loginov B.A., Tarasova E.A., Puzanov A.S., Korolev S.A., Semenovykh E.S., Khazanova S.V., Obolenskii S.V. Experimental Studies of Modification of the Characteristics of GaAs Structures with Schottky Contacts after Exposure to Fast Neutrons // Semiconductors. № 10. V. 55. 2021. P. 846-849.

Volkova E.V., Loginov B.A., Loginov A.B., Tarasova E.A., Puzanov A.S., Korolev S.A., Semenovykh E.S., Khazanova S.V., Obolenskii S.V. Experimental Studies of Modification of the Characteristics of GaAs Structures with Schottky Contacts after Exposure to Fast Neutrons // Semiconductors. № 10. V. 55. 2021. P. 846-849.

2020

Труды (тезисы) конференции

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хазанова С.В., Пузанов А.С., Григорьева Н.Н. Анализ нелинейных искажений сигналов в полевых транзисторах с 2D газом до и после воздействия нейтронов // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА Труды XXIV Международного симпозиума 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Том 2, 2 стр.. 2020. С. 687-688.

Хазанова С.В., Голиков О.Л., Григорьева Н.Н., Дегтярев В.Е. Влияние одностороннего и двустороннего дельта-легирования на электрофизические параметры гетероструктур InGaAs/GaAs // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА Труды XXIV Международного симпозиума 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. ТОм 2., стр 774-775. 2020. С. Стр 774-775.

Хазанова С.В., Григорьева Н.Н., Дегтярев В.Е., Голиков О.Л. Расчет транспортных характеристик асимметричных трехбарьерных резонансно-туннельных гетероструктур на основе A3B5 // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА Труды XXIV Международного симпозиума 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Том 2, стр. 776-777. 2020. С. Стр. 776-777.

Хазанова С.В., Савельев В.В., Григорьева Н.Н. Зависимость спектра пропускания графеновых сверхрешеток от степени периодичности структуры // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА Труды XXIV Международного симпозиума 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Том 2., стр. 778-779. 2020. С. Стр. 778-779.

Публикации в научных журналах

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хазанова С.В., Григорьева Н.Н., Голиков О.Л., Иванов А.Б., Пузанов А.С. Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ∼ 100 нм // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. Т. 54. 2020. С. 968-973.

Tarasova E.A., Obolenskii S.V., Khazanova S.V., Puzanov A.S., Grigoryeva N.N., Golikov O.L., Ivanov A.B. Compensation for the Nonlinearity of the Drain–Gate I–V Characteristic in Field-Effect Transistors with a Gate Length of ~100 nm // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1155-1160.

2019

Труды (тезисы) конференции

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Козлов В.А., Латышева Н.Д., Боженькина А.С., Иванов А.Б., Хазанова С.В., Дегтярев В.Е. Анализ причин интермодуляционных искажений перспективных квазибаллистических полевых транзисторов до и после радиационного воздействия // Труды XXIII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: изд. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 957 стр.. 2019. С. С. 837-838.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Григорьева Н.Н., Голиков О.Л. Диагностика легированных гетероструктур InGaAs/GaAs методом моделирования профиля наблюдаемой концентрации // Труды XXIII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: изд. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 957 стр.. 2019. С. 862-863.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Григорьева Н.Н., Голиков Моделирование спектра фотолюминесценции двойных асимметричных туннельно-связанных квантовых ям с высоким содержанием индия // Труды XXIII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: изд. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 957 стр.. 2019. С. 864-865.

2018

Труды (тезисы) конференции

Артамонов Д.М., Зайнагутдинов А.Р., Кулаков Д.А., Дегтярев В.Е., Хазанова С.В., Конаков А.А. Спин-орбитальное взаимодействие в полупроводниковых квантовых ямах с произвольным направлением роста. // Материалы XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2018. С. 544-545.

Дегтярев В.Е., Хазанова С.В., Белов А.С., Конаков А.А. Расчет параметров Рашба и Дрессельхауза в InGaAs/GaAs квантовых ямах конечной глубины // Материалы XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2018. С. 580-581.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Байдусь Н.В., Григорьева Н.Н. Моделирование спектра фотолюминесценции глубоких InGaAs/GaAs квантовых ям с учетом деформации в эпитаксиальных слоях // Материалы XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника".. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2018. С. 799-800.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Григорьева Н.Н., Голиков О.Л. Численный расчет CV-характеристик в гетероструктурах InGaAs/GaAs с неоднородным легированием // Труды VII Всероссийской конференции по физическим и физико-химическим основам ионной имплантации, Нижний Новгород, 7-9 ноября. РИУ ННГУ им. Н.И.Лобачевского. 2018. РИУ ННГУ им. Н.И.Лобачевского,. 2018. С. 33.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Григорьева Н.Н., А.С.Белов Моделирование спектра фотолюминисценции в напряженных гетероструктурах на основе А3B5 // Труды VII Всероссийской конференции по физическим и физико-химическим основам ионной имплантации, Нижний Новгород, 7-9 ноября. РИУ ННГУ им. Н.И.Лобачевского. 2018. С. 22.

2017

Труды (тезисы) конференции

Козулин А.С., Малышев А.И., Дегтярев В.Е., Хазанова С.В., Конаков А.А. Спиновые хеликсы в двумерных полупроводниковых системах // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников. Екатеринбург, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, 2017. – с. 480. 2017. С. 273.

Дегтярев В.Е., Хазанова С.В., Конаков А.А. Численный расчет параметров Рашбы и Дрессельхауза в асимметричных квантовых ямах на основе AIIIBV // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 574-575.

Kozulin A.S., Degtyarev V.E., Malyshev A.I., Khazanova S.V., Artamonov D.M., Konakov A.A. Formation of Persistent Spin Helices in Semiconductor Quantum Wells with an Arbitrary Growth Direction // EMN Bangkok Meeting 2017, November 12 to 16 in Bangkok, Thailand. Program & Abstract. Bangkok, Thailand. 2017. P. 13.

Kozulin A.S., Malyshev A.I., Degtyarev V.E., Khazanova S.V., Kirillova N.E., Konakov A.A. SU(2) Symmetric Spin-Orbit Coupling in 2D Electron System: the General Description for Quantum Wells with an Arbitrary Growth Direction // Joint Conference: EP2DS-22 / MSS-18 (July 31 – August 4, 2017). Poster Abstract List. Penn State University. 2017. P. 113.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Демарина Н.В. Электронная проводимость планарных InAs нанопроволок, выращенных на Si // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). Т.2 2 стр. 2017. С. 56.

Публикации в научных журналах

Konakov A.A., Degtyarev V.E., Khazanova S.V. Effect of Electric Field on the Ratio between the Rashba and Dresselhaus Parameters in III–V Heterostructures // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1409–1414.

Degtyarev V.E., Khazanova S.V., Demarina N.V. Features of electron gas in InAs nanowires imposed by interplay between nanowire geometry, doping and surface states // Scientific Reports. № 7. V. 1. 2017. P. 3411.

2016

Труды (тезисы) конференции

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Демарина Н.В., Еремеев А.В. Численный расчет электронного спектра в нанотрубках на основе InAs // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород.. Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2016, Т.2. 2016. С. 764-765.

Хазанова С.В., Конаков А.А., Данилов Ю.А., Дегтярев В.Е. Расчет спинового расщепления в гетероструктурах на основе полупроводников A3B5 // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–18 марта 2016 г.) В 2 т. Том 2. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета.. 2016. С. 556-557.

2015

Труды (тезисы) конференции

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Демарина Н.В. Энергетический спектр электронов в InAs квантовых нитях с поперечным сечением реальной формы // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XIX Международного симпозиума, 10-14 марта 2015 г. Нижний Новгород.. Изд-во ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 2015, Т.2, 2. 2015. С. 693-694.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Байдусь Н.В. Исследование электрофизических и транспортных свойств гетероструктур InGaAs/GaAs с δ-легированием // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XIX Международного симпозиума, 10-14 марта 2015 г. Нижний Новгород.. Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2015, Т.2, 2. 2015. С. 691-692.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Демарина Н.В., Еремеев А.В. Особенности электронного газа в нанотрубках на основе InAs // Тезисы докладов XVII Всероссийской молодежной конференции по конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто - и наноэлектронике. Изд-во Политехнического университета, Санкт-Петербург, 2015,1. 2015. С. 94.

Публикации в научных журналах

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Тихов С.В., Байдусь Н.В. Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с delta-легированными слоями // ФТП, 2015, том 49, выпуск 1. С. 53-57.. № 1. Т. 49. 2015. С. 53-57.

Волкова Н.С., Тихов С.В., Горшков А.П., Байдусь Н.В., Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Филатов Д.О. Влияние пространственного расположения delta -слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs // ФТП, 2015, том 49, выпуск 2 .С.145-148. № 2. Т. 49. 2015. С. 145-148.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Байдусь Н.В. Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 58-62.

Khazanova S.V., Degtyarev V.E., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Baidus N.V. Khazanova S.V., Degtyarev V.E., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Baidus N.V. Influence of the technological parameters of growth on the characteristics of double tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 55-59.

2014

Труды (тезисы) конференции

Тихов С.В., Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Байдусь Н.В. Mоделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs c дельта-легированным слоем. // Труды ХY111 Международного симпозиума по Нанофизике и Наноэлектронике 10 -14 марта 2014. Нижний Новгород, том 2, стр.658-659.. 2014. С. 658-659.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Дегтярев В.Е., Павлов Д.А., Малехонова Н.В. Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 660-661.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Демарина Н.В. Влияние параметров поперечного сечения на энергетический спектр в InAs квантовых нитях // Тезисы докладов XVI всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 24-28 ноября 2014 г., г. Санкт-Петербург. Изд-во Политехнического университета, Санкт-Петербург, 2014, 2. 2014. С. 51.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Дегтярев В.Е. Влияние геометрии наногетероструктур InGaAs/GaAs на оптические и транспортные свойства. // Сборник тезисов V всероссийской конференции и школы молодых учёных и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации", 27-31 октября 2014, Нижний Новгород,. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Н.Новгород,1. 2014. С. 113.

2013

Труды (тезисы) конференции

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е. Оптимизация параметров роста двойных туннельно-связанных квантовых ям InGaAs/GaAs // Тезисы докладов XV всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 25-29 ноября 2013 г., г. Санкт-Петербург.. Изд-во Политехнического университета, Санкт-Петербург,. 2013. С. 43.

2012

Труды (тезисы) конференции

Тихов С.В., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Хазанова С.В. Определение концентрации и подвижности электронов в гетероструктурах InGaAs/GaAs с // Труды XVI Международного симпозиумa “ Нанофизика и наноэлетроника”. Институт микроструктур академии наук, т. 2. стр. 600. 2012. С. 408-409.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Дегтярев В.Е., Смотрин Д.С. Исследование реального энергетического спектра туннельно-связанных квантовых ям InGaAs/GaAs структурными и фотоэлектрическими методами // Труды XVI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 12–16 марта 2012, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2012. С. 415-416.

Публикации в научных журналах

N.V. Baidus, M.I. Vasilevskiy, S.V. Khazanova, B.N. Zvonkov, H.P. van der Meulen, J.M. Calleja, L. Vina Light emission and spin-polarised hole injection in InAs/GaAs quantum dot heterostructures with Schottky contact // EPL. V. 90. 2012. P. 27012-1-6.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Дегтярев В.Е., Смотрин Д.С., Бобров А.И. Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1510-1514.

Тихов С.В., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Хазанова С.В. Определение концентрации и подвижности электронов в гетерструктурах InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. 12. 2012. № 12. Т. 46. 2012. С. 1532-1536.

Khazanova S.V., Baidusy N.V., Zvonkov B.N., Pavlov D.A., Malekhonova N.V., Smotrin D.S., Bobrov A.I. Khazanova S. V., Baidus N. V., Zvonkov B. N., Pavlov D.A., Malekhonova N.V., Smotrin D.S., Bobrov A.I. Tunnel-coupled In-GaAs/GaAs quantum wells: Structure, composition, and energy spectrum // Semiconductors. № 12. V. 46. 2012. P. 1476-1480.

Хазанова С.В., Агарев В.Н. Резонансное туннелирование в трехбарьерной структуре с дельта-легированием // Вестник ННГУ им. Н.И.Лобачевского, сер. «физика твердого тела». № 6. Т. 6. 2012. С. 28-31.

2011

Труды (тезисы) конференции

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Дегтярев В.Е. Влияние флуктуаций состава и эффекта сегрегации на оптические свойства туннельно-связаанных квантовых ям InGaAs/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника, Труды XV Международного симпозиума 14-18 марта. Институт физики микроструктур, т.2. 2011. С. 531.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е. Численный расчёт энергетических характеристик двойных квантовых ям InGaAs/GaAs для различных параметров роста // Тезисы докладов XIII всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 21-25 ноября 2011 г, г.Санкт-Петербург. Изд-во Политехнического университета, Санкт-Петербург, 2011. 2011. С. 51.

Хазанова Софья Владиславовна
Контакты

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского