Хазанова Софья Владиславовна

Список преподаваемых дисциплин

Физический факультет
Информационные технологии
Нанофизика и наноэлектроника
СВЧ электроника
Теоретические основы электро- и радиотехники

Публикации

2023

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Голиков О.Л., Кодочигов Н.Е. Анализ неоднородностей DpHEMT-структуры на основе GaAs/In0.53Ga0.47As после нейтронного воздействия // Труды XXVII Международного симпозиума 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, ИПФ РАН, 2023, Т. 1, 496 с.. 2023. С. 759-760.

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенский С.В., Голиков О.Л., Иванов А.С., Павельев Д.Г. Транспорт электронов в гетеробиполярном транзисторе со сверхрешеткой в области эмиттера // Труды XXVII Международного симпозиума 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород. Труды XXVII Международного симпозиума 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород, Т. 1, 496 с.. 2023. С. 782-783.

Хазанова С.В., Савельев В.В. Расчет транспортных характеристик двухслойного графена с различным углом разориентации // Труды XXVII Международного симпозиума 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, ИПФ РАН, 2023, Т. 2, 469 с.. 2023. С. 780-781.

Хазанова С.В., Бобров А.И., Сидоренко К.В., Горшков А.П., Юртова Е.И., Здоровейщев А.В., Малехонова Н.В., Байдусь Н.В., Панфилов А.С. Влияние сегрегации состава и полей упругих деформаций на оптические спектры двойных ассиметричных INGAAS/ALGAAS/GAAS туннельно-связанных квантовых ям. // Сборник трудов 14-й Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Типография НИЯУ МИФИ, г. Москва, Каширское шоссе, 2023. 2023. С. 58.

Нежданов А.В., Бобров А.И., Сидоренко К.В., Горшков А.П., Лемешевская Г.А., Карзанов В.В., Демидов Е.С., Ершов А.В., Хазанова С.В., Клементьев Д.С. Проектирование конструкции термооптического элемента для управления планарным интерферометром по схеме Маха-Цендера на основе кремния-на-изоляторе. // Сборник трудов 14-й Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Типография НИЯУ МИФИ, г. Москва, Каширское шоссе, 2023. 2023. С. 33.

Хазанова С.В., Савельев В.В. Влияние эффекта релаксации на транспортные характеристики муарового графена // Материалы V Международной конференции по Математическому моделированию в материаловедении электронных компонентов.. Москва : Материалы V Международной конференции. – Москва : МАКС Пресс, 2023. – 172 с. : ил.. 2023. С. 46.

Хазанова С.В., Савельев В.В. Расчет транспортных характеристик двуслойного графена с различным углом разориентации // Физика и техника полупроводников. № 5. Т. 57. 2023. С. 357-361.

Khazanova S.V., Golikov O.L., Puzanov A.S., Tarasova E.A., Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A., Obolenskaya E.S., Ivanov A.S., Pavelyev D.G., Obolenskii S.V. Calculating Current–Voltage Characteristics with Negative Differential Conductivity Sections of Superlattices Based on a GaAs/AlAs Compound with Different Numbers of Periods // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 87. V. 6. 2023. P. 800-804.

2022

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Кодочигов Н.Е., Земляков В.Е. Анализ нелинейных искажений DpHEMT структур на основе соединения GaAs/InGaAs c двусторонним дельта-легированием // Труды XXVI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2022, т.2. 2022. С. 1027-1028.

Хазанова С.В., Сидоренко К.В., Бобров А.И., Байдусь Н.В., Горшков А.П., Нежданов А.В., Панфилов А.С., Юртова Е.И., Шушунов А.Н., Малехонова Н.В. Изменение показателя преломления двойных туннельно-связанных InGaAs/AlGaAs/GaAs квантовых ям под действием электрического поля // Материалы XXVI Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2022.– В 2-х томах.. В кн.: Материалы XXVI Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2022.– В 2-х томах.–Т.2.. 2022. С. 1049-1050.

Оболенский С.В., Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенская Е.С., Иванов А.С., Павельев Д.Г. Моделирование вольт-амперных характеристик и пробоя в сверхрешетках с малым числом периодов // Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников. Типография ИПФ РАН. 603950, Нижний Новгород, ул. Ульянова, 46, 451 стр.. 2022. С. 367.

Хазанова С.В., Бобров А.И., Горшков А.П., Сидоренко К.В., Малехонова Н.В., Байдусь Н.В. Влияние электрического поля на вариацию показателя преломления InGaAs/AlGaAs/GaAs туннельно-связанных квантовых ям в модуляторе по схеме Маха – Цендера // Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников. Типография ИПФ РАН. 603950, Нижний Новгород, ул. Ульянова, 46, 451 стр.. 2022. С. 127.

Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Моделирование электрофизических характеристик AlGaAs/InGaAs транзисторных структур с двусторонним δ- легированием // Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2022, Н. Новгород, 2022. – 92 с.. 2022. С. 52.

Хазанова С.В., Савельев В.В. Численный расчёт транспортных характеристик двуслойного графена со сверхпериодом // Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2022, Н. Новгород, 2022. – 92 с.. 2022. С. 53.

Хазанова С.В. Расчет вольт-амперных характеристик структур на основе двухслойного графена // Материалы XXVI Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2022.– В 2-х томах.. В кн.: Материалы XXVI Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2022.– В 2-х томах.–Т.2.. 2022. С. 1047-1048.

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Земляков В.Е., Голиков О.Л. Анализ нелинейных искажений DpHEMT структур на основе соединния GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 56. 2022. С. 844-847.

Tarasova E.A., Khazanova S.V., Golikov O.L., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Zemlyakov V.E. Analysis of nonlinear distortions of DpHEMT structures based on the GaAs/InGaAs compound with double-sided delta-doping // Semiconductors. № 9. V. 56. 2022. P. 708-710.

Нежданов А.В., Бобров А.И., Байдусь Н.В., Хазанова С.В., Горшков А.П., Сидоренко К.В., Шушунов А.Н., Малехонова Н.В., Здоровейщев А.В., Трушин В.Н., Убыйвовк Е.В., Охапкин А.И., Клементьев Д.С., Гасайниев З.Ш., Харламов А.В. Проектирование дизайна туннельно-связанных квантовых ям для создания модулятора по схеме Маха--Цендера // Физика и техника полупроводников. Т. 8. 2022. С. 833.

2021

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Земляков В.Е., Оболенский С.В. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик DpHEMT структур на основе тсоединений GaAs/InGaAs // Труды XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Вгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, том 2, 467 с.. 2021. С. 869-870.

Бобров А.И., Байдусь Н.В., Хазанова С.В., Горшков А.П., Сидоренко К.В., Шушунов А.Н., Малехонова Н.В., Нежданов А.В., Убыйвовк Е.В., Кулинич И.В. Методика контроля структуры и состава туннельно-связанных квантовых ям, проектируемых для создания модулятора по схеме интерферометра Маха-Цендера // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 72.

Бобров А.И., Байдусь Н.В., Хазанова С.В., Горшков А.П., Сидоренко К.В., Шушунов А.Н., Малехонова Н.В., Нежданов А.В., Убыйвовк Е.В., Кулинич И.В. Методика проектирования дизайна туннельно-связанных квантовых ям для модулятора по схеме Маха-Цендера // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 74.

Хазанова С.В., Голиков О.Л., Панфилов А.С. Расчет электрофизических параметров гетероструктур InGaAs/GaAs с двусторонним дельта-легированием // Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021, том 2, 467 с.. 2021. С. 899-900.

Хазанова С.В., Савельев В.В. Расчёт кондактанса периодических структур на основе графена // Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021.. Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021, том 2, 467 с.. 2021. С. 901-902.

Хазанова С.В., Савельев В.В. Численный расчёт транспортных характеристик двумерных наноматериалов // Материалы III Международной конференции "МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ в материаловедении электронных компонентов" ММMЭK–2021 25–27 октября 2021 г., Москва. Москва : МАКС Пресс, 2021. –160 с.. 2021. С. 44.

Хазанова С.В., Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Голиков О.Л., Пузанов А.С. Методы расчетно-экспериментального моделирования электрофизических параметров в перспективных полупроводниковых гетероструктурах на основе соединений AlGaAs/InGaAs // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 235-238.

Волкова Е.В., Логинов А.Б., Логинов Б.А., , Пузанов А.С., Королев С.А., Семёновых Е.С., Хазанова С.В., Оболенский С.В. Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 55. 2021. С. 846-849.

, Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Земляков В.Е. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 55. 2021. С. 872-876.

Tarasova E.A., Khazanova S.V., Golikov O.L., Puzanov A.S., Zemlyakov V.E. Analysis of the Effect of Spacer Layers on Nonlinear Distortions of the Current–Voltage Characteristics of GaAlAs/InGaAs pHEMTs // Semiconductors. № 10. V. 55. 2021. P. 872-876.

Volkova E.V., Loginov A.B., Loginov B.A., Tarasova E.A., Puzanov A.S., Korolev S.A., Semenovykh E.S., Khazanova S.V., Obolenskii S.V. Experimental Studies of Modification of the Characteristics of GaAs Structures with Schottky Contacts after Exposure to Fast Neutrons // Semiconductors. № 10. V. 55. 2021. P. 846-849.

Volkova E.V., Loginov B.A., Loginov A.B., Tarasova E.A., Puzanov A.S., Korolev S.A., Semenovykh E.S., Khazanova S.V., Obolenskii S.V. Experimental Studies of Modification of the Characteristics of GaAs Structures with Schottky Contacts after Exposure to Fast Neutrons // Semiconductors. № 10. V. 55. 2021. P. 846-849.

2020

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хазанова С.В., Пузанов А.С., Григорьева Н.Н. Анализ нелинейных искажений сигналов в полевых транзисторах с 2D газом до и после воздействия нейтронов // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА Труды XXIV Международного симпозиума 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Том 2, 2 стр.. 2020. С. 687-688.

Хазанова С.В., Голиков О.Л., Григорьева Н.Н., Дегтярев В.Е. Влияние одностороннего и двустороннего дельта-легирования на электрофизические параметры гетероструктур InGaAs/GaAs // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА Труды XXIV Международного симпозиума 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. ТОм 2., стр 774-775. 2020. С. Стр 774-775.

Хазанова С.В., Григорьева Н.Н., Дегтярев В.Е., Голиков О.Л. Расчет транспортных характеристик асимметричных трехбарьерных резонансно-туннельных гетероструктур на основе A3B5 // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА Труды XXIV Международного симпозиума 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Том 2, стр. 776-777. 2020. С. Стр. 776-777.

Хазанова С.В., Савельев В.В., Григорьева Н.Н. Зависимость спектра пропускания графеновых сверхрешеток от степени периодичности структуры // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА Труды XXIV Международного симпозиума 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Том 2., стр. 778-779. 2020. С. Стр. 778-779.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хазанова С.В., Григорьева Н.Н., Голиков О.Л., Иванов А.Б., Пузанов А.С. Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ∼ 100 нм // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. Т. 54. 2020. С. 968-973.

Tarasova E.A., Obolenskii S.V., Khazanova S.V., Puzanov A.S., Grigoryeva N.N., Golikov O.L., Ivanov A.B. Compensation for the Nonlinearity of the Drain–Gate I–V Characteristic in Field-Effect Transistors with a Gate Length of ~100 nm // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1155-1160.

2019

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Козлов В.А., Латышева Н.Д., Боженькина А.С., Иванов А.Б., Хазанова С.В., Дегтярев В.Е. Анализ причин интермодуляционных искажений перспективных квазибаллистических полевых транзисторов до и после радиационного воздействия // Труды XXIII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: изд. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 957 стр.. 2019. С. С. 837-838.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Григорьева Н.Н., Голиков О.Л. Диагностика легированных гетероструктур InGaAs/GaAs методом моделирования профиля наблюдаемой концентрации // Труды XXIII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: изд. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 957 стр.. 2019. С. 862-863.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Григорьева Н.Н., Голиков Моделирование спектра фотолюминесценции двойных асимметричных туннельно-связанных квантовых ям с высоким содержанием индия // Труды XXIII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: изд. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 957 стр.. 2019. С. 864-865.

2018

Артамонов Д.М., Зайнагутдинов А.Р., Кулаков Д.А., Дегтярев В.Е., Хазанова С.В., Конаков А.А. Спин-орбитальное взаимодействие в полупроводниковых квантовых ямах с произвольным направлением роста. // Материалы XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2018. С. 544-545.

Дегтярев В.Е., Хазанова С.В., Белов А.С., Конаков А.А. Расчет параметров Рашба и Дрессельхауза в InGaAs/GaAs квантовых ямах конечной глубины // Материалы XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2018. С. 580-581.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Байдусь Н.В., Григорьева Н.Н. Моделирование спектра фотолюминесценции глубоких InGaAs/GaAs квантовых ям с учетом деформации в эпитаксиальных слоях // Материалы XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника".. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2018. С. 799-800.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Григорьева Н.Н., Голиков О.Л. Численный расчет CV-характеристик в гетероструктурах InGaAs/GaAs с неоднородным легированием // Труды VII Всероссийской конференции по физическим и физико-химическим основам ионной имплантации, Нижний Новгород, 7-9 ноября. РИУ ННГУ им. Н.И.Лобачевского. 2018. РИУ ННГУ им. Н.И.Лобачевского,. 2018. С. 33.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Григорьева Н.Н., А.С.Белов Моделирование спектра фотолюминисценции в напряженных гетероструктурах на основе А3B5 // Труды VII Всероссийской конференции по физическим и физико-химическим основам ионной имплантации, Нижний Новгород, 7-9 ноября. РИУ ННГУ им. Н.И.Лобачевского. 2018. С. 22.

2017

Козулин А.С., Малышев А.И., Дегтярев В.Е., Хазанова С.В., Конаков А.А. Спиновые хеликсы в двумерных полупроводниковых системах // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников. Екатеринбург, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, 2017. – с. 480. 2017. С. 273.

Дегтярев В.Е., Хазанова С.В., Конаков А.А. Численный расчет параметров Рашбы и Дрессельхауза в асимметричных квантовых ямах на основе AIIIBV // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 574-575.

Kozulin A.S., Degtyarev V.E., Malyshev A.I., Khazanova S.V., Artamonov D.M., Konakov A.A. Formation of Persistent Spin Helices in Semiconductor Quantum Wells with an Arbitrary Growth Direction // EMN Bangkok Meeting 2017, November 12 to 16 in Bangkok, Thailand. Program & Abstract. Bangkok, Thailand. 2017. P. 13.

Kozulin A.S., Malyshev A.I., Degtyarev V.E., Khazanova S.V., Kirillova N.E., Konakov A.A. SU(2) Symmetric Spin-Orbit Coupling in 2D Electron System: the General Description for Quantum Wells with an Arbitrary Growth Direction // Joint Conference: EP2DS-22 / MSS-18 (July 31 – August 4, 2017). Poster Abstract List. Penn State University. 2017. P. 113.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Демарина Н.В. Электронная проводимость планарных InAs нанопроволок, выращенных на Si // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). Т.2 2 стр. 2017. С. 56.

Konakov A.A., Degtyarev V.E., Khazanova S.V. Effect of Electric Field on the Ratio between the Rashba and Dresselhaus Parameters in III–V Heterostructures // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1409–1414.

Degtyarev V.E., Khazanova S.V., Demarina N.V. Features of electron gas in InAs nanowires imposed by interplay between nanowire geometry, doping and surface states // Scientific Reports. № 7. V. 1. 2017. P. 3411.

2016

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Демарина Н.В., Еремеев А.В. Численный расчет электронного спектра в нанотрубках на основе InAs // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород.. Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2016, Т.2. 2016. С. 764-765.

Хазанова С.В., Конаков А.А., Данилов Ю.А., Дегтярев В.Е. Расчет спинового расщепления в гетероструктурах на основе полупроводников A3B5 // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–18 марта 2016 г.) В 2 т. Том 2. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета.. 2016. С. 556-557.

2015

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Демарина Н.В. Энергетический спектр электронов в InAs квантовых нитях с поперечным сечением реальной формы // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XIX Международного симпозиума, 10-14 марта 2015 г. Нижний Новгород.. Изд-во ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 2015, Т.2, 2. 2015. С. 693-694.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Байдусь Н.В. Исследование электрофизических и транспортных свойств гетероструктур InGaAs/GaAs с δ-легированием // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XIX Международного симпозиума, 10-14 марта 2015 г. Нижний Новгород.. Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2015, Т.2, 2. 2015. С. 691-692.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Демарина Н.В., Еремеев А.В. Особенности электронного газа в нанотрубках на основе InAs // Тезисы докладов XVII Всероссийской молодежной конференции по конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто - и наноэлектронике. Изд-во Политехнического университета, Санкт-Петербург, 2015,1. 2015. С. 94.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Тихов С.В., Байдусь Н.В. Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с delta-легированными слоями // ФТП, 2015, том 49, выпуск 1. С. 53-57.. № 1. Т. 49. 2015. С. 53-57.

Волкова Н.С., Тихов С.В., Горшков А.П., Байдусь Н.В., Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Филатов Д.О. Влияние пространственного расположения delta -слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs // ФТП, 2015, том 49, выпуск 2 .С.145-148. № 2. Т. 49. 2015. С. 145-148.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Байдусь Н.В. Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 58-62.

Khazanova S.V., Degtyarev V.E., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Baidus N.V. Khazanova S.V., Degtyarev V.E., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Baidus N.V. Influence of the technological parameters of growth on the characteristics of double tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 55-59.

2014

Тихов С.В., Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Байдусь Н.В. Mоделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs c дельта-легированным слоем. // Труды ХY111 Международного симпозиума по Нанофизике и Наноэлектронике 10 -14 марта 2014. Нижний Новгород, том 2, стр.658-659.. 2014. С. 658-659.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Дегтярев В.Е., Павлов Д.А., Малехонова Н.В. Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 660-661.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Демарина Н.В. Влияние параметров поперечного сечения на энергетический спектр в InAs квантовых нитях // Тезисы докладов XVI всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 24-28 ноября 2014 г., г. Санкт-Петербург. Изд-во Политехнического университета, Санкт-Петербург, 2014, 2. 2014. С. 51.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Дегтярев В.Е. Влияние геометрии наногетероструктур InGaAs/GaAs на оптические и транспортные свойства. // Сборник тезисов V всероссийской конференции и школы молодых учёных и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации", 27-31 октября 2014, Нижний Новгород,. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Н.Новгород,1. 2014. С. 113.

2013

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е. Оптимизация параметров роста двойных туннельно-связанных квантовых ям InGaAs/GaAs // Тезисы докладов XV всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 25-29 ноября 2013 г., г. Санкт-Петербург.. Изд-во Политехнического университета, Санкт-Петербург,. 2013. С. 43.

2012

Тихов С.В., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Хазанова С.В. Определение концентрации и подвижности электронов в гетероструктурах InGaAs/GaAs с // Труды XVI Международного симпозиумa “ Нанофизика и наноэлетроника”. Институт микроструктур академии наук, т. 2. стр. 600. 2012. С. 408-409.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Дегтярев В.Е., Смотрин Д.С. Исследование реального энергетического спектра туннельно-связанных квантовых ям InGaAs/GaAs структурными и фотоэлектрическими методами // Труды XVI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 12–16 марта 2012, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2012. С. 415-416.

N.V. Baidus, M.I. Vasilevskiy, S.V. Khazanova, B.N. Zvonkov, H.P. van der Meulen, J.M. Calleja, L. Vina Light emission and spin-polarised hole injection in InAs/GaAs quantum dot heterostructures with Schottky contact // EPL. V. 90. 2012. P. 27012-1-6.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Дегтярев В.Е., Смотрин Д.С., Бобров А.И. Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1510-1514.

Тихов С.В., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Хазанова С.В. Определение концентрации и подвижности электронов в гетерструктурах InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. 12. 2012. № 12. Т. 46. 2012. С. 1532-1536.

Khazanova S.V., Baidusy N.V., Zvonkov B.N., Pavlov D.A., Malekhonova N.V., Smotrin D.S., Bobrov A.I. Khazanova S. V., Baidus N. V., Zvonkov B. N., Pavlov D.A., Malekhonova N.V., Smotrin D.S., Bobrov A.I. Tunnel-coupled In-GaAs/GaAs quantum wells: Structure, composition, and energy spectrum // Semiconductors. № 12. V. 46. 2012. P. 1476-1480.

Хазанова С.В., Агарев В.Н. Резонансное туннелирование в трехбарьерной структуре с дельта-легированием // Вестник ННГУ им. Н.И.Лобачевского, сер. «физика твердого тела». № 6. Т. 6. 2012. С. 28-31.

2011

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Дегтярев В.Е. Влияние флуктуаций состава и эффекта сегрегации на оптические свойства туннельно-связаанных квантовых ям InGaAs/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника, Труды XV Международного симпозиума 14-18 марта. Институт физики микроструктур, т.2. 2011. С. 531.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е. Численный расчёт энергетических характеристик двойных квантовых ям InGaAs/GaAs для различных параметров роста // Тезисы докладов XIII всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 21-25 ноября 2011 г, г.Санкт-Петербург. Изд-во Политехнического университета, Санкт-Петербург, 2011. 2011. С. 51.