Казанцева Инга Александровна

Место работы

Физический факультет

Кафедра физики полупроводников, электроники и наноэлектроники

доцент

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 18 лет, 11 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
бакалавр. Специальность: физика. Квалификация: бакалавр физики.

Высшее образование
Магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

22.01.2018 - 01.02.2018
Повышение квалификации: Высокопроизводительные вычисления, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 72 час., документ № 522405001927; рег. № 33-799 от 01.02.2018

13.03.2017 - 13.05.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404111596 рег номер 33-830 от 13.05.2017

23.09.2015 - 18.11.2015
Повышение квалификации: Школа молодого преподвавтеля, ННГУ, 72 час., документ № 522402179289 рег номер 1099 от 18.11.2015

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2018

Публикации в научных журналах

Болдыревский П.Б., Филатов Д.О., Казанцева И.А., Ревин М.В., Смотрин Д.С., Юнин П.А. Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии // Журнал технической физики. Т. 88 (2. 2018. С. 219-223.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Antonov D.A., Shenina M.E., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. Conductive Atomic Force Microscopy Study of the Resistive Switching in Yttria-Stabilized Zirconia Films with Au Nano-particles // Scanning. V. 2018. 2018. P. Article ID 5489596, 9 pages.

2017

Труды (тезисы) конференции

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Baidusy N.V., Gorshkov A.P., Mishkin V.P. Investigation of photoconductivity of individual InAs/GaAs(001) quantum dots by Scanning Near=field Optical Microscopy // Scanning Probe Microscopy 2017 (SPM-2017) IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. Mater. Sci. Eng. 256 012005, 6 c.. 2017. P. 1-6.

Публикации в научных журналах

Филатов Д.О., Казанцева И.А., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Горшков А.П., Мишкин В.П. Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si-p−n-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии // Физика и техника полупроводников. № 4. Т. 51. 2017. С. 563-568.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Mishkin V.P., Gorshkov A.P. Investigation of Spatial Distribution of Photocurrent in the Plane of a Si p–n Photodiode with GeSi Nanoislands by Scanning Near-Field Optical Microscopy // Semiconductors. № 4. V. 51. 2017. P. 536-541.

Болдыревский П.Б., Филатов Д.О., Казанцева И.А., Ревин М.В., Смотрин Д.С., Юнин П.А. Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии // Журнал технической физики. № 2. Т. 88. 2017. С. 219-223.

2016

Публикации в научных журналах

Казанцева И.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А. Телеграфный шум в туннельных Si p-n-переходах с наноостровками GeSi // Письма в ЖТФ. № 8. Т. 42. 2016. С. 94-101.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A. A Random Telegraph Signal in Tunneling Silicon p–n Junctions with GeSi Nanoislands // Technical Physics Letters. № 4. V. 42. 2016. P. 435-437.

Болдыревский П.Б., Филатов Д.О., Казанцева И.А., Смотрин Д.С., Ревин М.В. Начальные стадии МОС-гидридной эпитаксии арсенида галлия // Неорганические материалы. № 10. Т. 52. 2016. С. 1054-1059.

2011

Публикации в научных журналах

Dzhons M.M., Bulgakova S.A., Pantyukhina I.A., Kazantseva I.A. Effects of chemical structure and composition of the polymer matrix on the morphology and electro-optical performance of polymer-dispersed liquid crystal films // Liquid Crystal. № 10. V. 38. 2011. P. 1263-1268.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского