Казанцева Инга Александровна

Место работы

Физический факультет

Кафедра физики полупроводников, электроники и наноэлектроники

доцент

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур"

Научно-исследовательская лаборатория стохастических мультистабильных систем

старший научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 22 года, 4 мес.
Педагогический стаж 24 года, 8 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Высшее образование
бакалавр. Специальность: физика. Квалификация: бакалавр физики.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

17.09.2021 - 19.11.2021
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 72 час., документ № 522413306010 33-2149 от 24.11.2021

22.01.2018 - 01.02.2018
Повышение квалификации: Высокопроизводительные вычисления, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 72 час., документ № 522405001927; рег. № 33-799 от 01.02.2018

13.03.2017 - 13.05.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404111596 рег номер 33-830 от 13.05.2017

23.09.2015 - 18.11.2015
Повышение квалификации: Школа молодого преподвавтеля, ННГУ, 72 час., документ № 522402179289 рег номер 1099 от 18.11.2015

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2022

Публикации в научных журналах

Filatov D.O., Novikov A.S., Shenina M.E., Antonov I.N., Nezhdanov A.V., Kazantseva I.A., Gorshkov O.N. Scanning Kelvin Probe Microscopy investigation of optically induced charge in Au nanoparticles embedded into ZrO2(Y) films // Technical Physics. V. 67. 2022. P. 12.

2020

Публикации в научных журналах

Boldyrevskii P.B., Filatov D.O., Kazantseva I.A., Revin M.V., Yunin P.A. Atomic Force Microscopy Examination of Elementary Processes in Metalorganic Compound Hydride Epitaxy of GaAs-Based Nanoheterostructures // Technical Physics. № 5. V. 65. 2020. P. 791-794.

2019

Публикации в научных журналах

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Antonov I.N., Antonov D.A., Shenina M.E., Gorshkov O.N. Observation of Quantum-Size Effects in a Study of Resistive Switching in Dielectric Films with Au Nanoparticles via Tunneling Atomic Force Microscopy // Journal of Surface Investigation. № 13. V. 1. 2019. P. 23-29.

2018

Публикации в научных журналах

Болдыревский П.Б., Филатов Д.О., Казанцева И.А., Ревин М.В., Смотрин Д.С., Юнин П.А. Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии // Журнал технической физики. Т. 88 (2. 2018. С. 219-223.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Antonov D.A., Shenina M.E., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. Conductive Atomic Force Microscopy Study of the Resistive Switching in Yttria-Stabilized Zirconia Films with Au Nano-particles // Scanning. V. 2018. 2018. P. Article ID 5489596, 9 pages.

2017

Труды (тезисы) конференции

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Baidusy N.V., Gorshkov A.P., Mishkin V.P. Investigation of photoconductivity of individual InAs/GaAs(001) quantum dots by Scanning Near=field Optical Microscopy // Scanning Probe Microscopy 2017 (SPM-2017) IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. Mater. Sci. Eng. 256 012005, 6 c.. 2017. P. 1-6.

Публикации в научных журналах

Филатов Д.О., Казанцева И.А., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Горшков А.П., Мишкин В.П. Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si-p−n-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии // Физика и техника полупроводников. № 4. Т. 51. 2017. С. 563-568.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Mishkin V.P., Gorshkov A.P. Investigation of Spatial Distribution of Photocurrent in the Plane of a Si p–n Photodiode with GeSi Nanoislands by Scanning Near-Field Optical Microscopy // Semiconductors. № 4. V. 51. 2017. P. 536-541.

Болдыревский П.Б., Филатов Д.О., Казанцева И.А., Ревин М.В., Смотрин Д.С., Юнин П.А. Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии // Журнал технической физики. № 2. Т. 88. 2017. С. 219-223.

2016

Публикации в научных журналах

Казанцева И.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А. Телеграфный шум в туннельных Si p-n-переходах с наноостровками GeSi // Письма в ЖТФ. № 8. Т. 42. 2016. С. 94-101.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A. A Random Telegraph Signal in Tunneling Silicon p–n Junctions with GeSi Nanoislands // Technical Physics Letters. № 4. V. 42. 2016. P. 435-437.

Болдыревский П.Б., Филатов Д.О., Казанцева И.А., Смотрин Д.С., Ревин М.В. Начальные стадии МОС-гидридной эпитаксии арсенида галлия // Неорганические материалы. № 10. Т. 52. 2016. С. 1054-1059.

2011

Публикации в научных журналах

Dzhons M.M., Bulgakova S.A., Pantyukhina I.A., Kazantseva I.A. Effects of chemical structure and composition of the polymer matrix on the morphology and electro-optical performance of polymer-dispersed liquid crystal films // Liquid Crystal. № 10. V. 38. 2011. P. 1263-1268.

Контакты

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского