Калентьева Ирина Леонидовна

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория спиновой и оптической электроники

научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 8 лет, 5 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Магистр. Специальность: нанотехнология. Квалификация: магистр техники и технологии.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2019

Труды (тезисы) конференции

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Ларионова Е.А., Ковальский В.А. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 201-202.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Никитов С.А., Садовников А.В. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 205-206.

Demina P.B., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G. Properties and spintronic applications of CoPt ferromagnetic films // Book of аbstracts «The 3rt International Baltic Conference on Magnetism: nanobiomedicine and smart materials. IBCM 2019», Kaliningrad, Russia 18-22 August, 2019.. Immanuel Kant Baltic Federal University. 189 с.. 2019. P. 94.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kalentyeva I.L., Kudrin A.V., Larionova E.A. Effect of laser annealing on diode heterostructures with a ferromagnetic GaMnAs layer // Book of аbstracts «IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures», Yaroslavl, Russia 26-29 August, 2019. 113с.. 2019. P. 69.

Zvonkov B.N., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Kalentyeva I.L., Malysheva E.I. Structures of semiconductor spintronics, formed by the combined method of MOCVD epitaxy and pulsed laser deposition // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.1.. 2019. P. 59.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Dudin Yu.A., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G., Nikitov S.A., Sadovnikov A.V. Changing the magnetic properties of CoPt alloy by ion irradiation // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.1.. 2019. P. 387.

Публикации в научных журналах

Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Konakov A.A., Vasilyev V.K., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Zvonkov B.N. The nature of transport and ferromagnetic properties of the GaAs structures with the Mn δ-doped layer // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 478. 2019. P. 84-90.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л., Ларионова Е.А., Ковальский В.А., Солтанович О.А. Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 53. 2019. С. 351-358.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Никитов С.А., Садовников А.В. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения // Физика твердого тела (Physics of the Solid State). № 9. Т. 61. 2019. С. 1694-1699.

2018

Сборники статей

Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Демина П.Б. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с CoPt барьером Шоттки // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1. 2018. С. 214-215.

Труды (тезисы) конференции

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Антонов И.Н. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs структур // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума. 12-15 марта 2018 г. Нижний Новгород.. Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 2 стр.. 2018. С. 639-640.

Калентьева И.Л., Дорохин М.В. Улучшение рабочих характеристик спиновых светоизлучающих диодов на основе разбавленных магнитных полупроводников // Тезисы докладов 20-й Всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург (2018).. 1 стр. 2018. С. 107.

Публикации в научных журналах

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Антонов И.Н. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 52. 2018. С. 1286-1290.

Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Демина П.Б. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 60. 2018. С. 2236-2239.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Antonov I.N. The effect of the Composition of a Carrier Gas during the Growth of a Mn delta-Layer on the Electrical and Magnetic Properties of GaAs Structures // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1398-1402.

2017

Труды (тезисы) конференции

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 149-150.

Калентьева И.Л., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Павлов Д.А., Пирогов А.В., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Юнин П.А. Особенности селективного легирования марганцем GaAs гетероструктур // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 612-613.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Magnetic properties of epitaxial GaMnAs layers // Saint Petersburg OPEN 2017 «4th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures». Academic University Publishing St. Petersburg, 2017, 640. 2017. P. 503-504.

Kalentyeva I.L., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V. Magneto-optical effects of CoPt and CoPd alloys // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 139.

Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L., Kudrin A.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Pitirimova E.A., Tolkachev D.S., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Yakubov R.R. Formation of the ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As by ion implantation and pulse laser annealing // III International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 9-11 October. 2017. P. 60.

Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Kalentyeva I.L., Vedy M.V. Circularly polarized light detector based on MDP structure of CoPt/(Al2O3/SiO2/Al2O3)/InGaAs/GaAs // Book of abstracts III International conference on Modern problems in physics of surfaces and nanostructures, 9-11 october 2017, Yaroslavl, Russia.. Yaroslavl Demidov State University, 121p.. 2017. P. 59.

Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. Детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП структуры CoPt/(Al2O3/SiO2)/InGaAs/GaAs // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников, 2-6 октября 2017, Екатеринбург.. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2017.. 2017. С. 268.

Публикации в научных журналах

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2196-2199.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Дроздов М.Н., Усов Ю.В. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1468-1472.

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Демина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2203-2205.

2016

Труды (тезисы) конференции

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с дельта-легированным Mn слоем GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.2. 2016. С. 600-602.

Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В. Изготовление образцов со спиновым латеральным переносом на основе GaAs структур с дельта-слоем Mn // 23-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика-2016». Зеленоград.: МИЭТ. 2016. С. 10.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Дроздов М.Н. Влияние точечных дефектов на диффузию Mn и C в квантово-размерных гетероструктурах на основе GaAs // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 123-124.

Публикации в научных журналах

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 204-207.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V. GaAs Structures with a Gate Dielectric Based on Aluminium-Oxide Layers // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 204-207.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Drozdov M.N. Effect of Thermal Annealing on the Photoluminescence of Structures with InGaAs/GaAs Quantum Wells and a Low-temperature GaAs Layer delta-doped with Mn // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1469-1474.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дроздов М.Н. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным дельта-легированным Mn слоем GaAs // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1490-1496.

2015

Труды (тезисы) конференции

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.2. 2015. С. 523-524.

Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Drozdov M.N. Annealing of delta-doped (Mn,C) GaAsSb/GaAs heteronanostructures // International Conference Nanomeeting-2015 “Physics, Chemistry and Applications of Nanostructures”. Reviews and Short Notes, Minsk, Belarus, 26-29 May 2015. World Scientific Publ.. 2015. P. 402-405.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Диагностика структур с двухслойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным инжектором GaMnAs // Труды VIII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 14-18 cентября, Рязань. РГРТУ, т.3. 2015. С. 95-99.

Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Комбинированные слои Al2O3 и HfO2 в качестве подзатворного диэлектрика для GaAs-структур // Труды II Российско-Белорусской научно-технической конференции "Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение" им. О.В. Лосева. 511 с. 2015. С. 191-194.

Публикации в научных журналах

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Чунин И.И., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 102-106.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kalentyeva I.L., Nezhdanov A.V., Chunin I.I., Yunin P.A. Raman Spectroscopy of InGaAs/GaAs Nanoheterostructures Delta-doped with Mn // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 99-103.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1478-1483.

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Морозов С.В., Крыжков Д.И., Юнин П.А. Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения // Физика и техника полупроводников. № 49. Т. 1. 2015. С. 113-116.

Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yunin P.A. Structural and optical properties of GaAsSb QW heterostructures grown by laser deposition // Semiconductors. № 49. V. 1. 2015. P. 109-112.

Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V. Optical and magnetotransport properties of InGaAs/GaAsSb/GaAs structures doped with a magnetic impurity // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1430-1434.

2014

Труды (тезисы) конференции

Планкина С.М., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Скворцов В.В., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". 10-14 марта 2014 г. Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского университета, т.1. 2014. С. 186-187.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Light-emitting GaAsSb/GaAs structures with GaMnAs ferromagnetic injector // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 233.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Исследование возможности создания на основе слоев оксида алюминия подзатворного диэлектрика для арсенид-галлиевых структур // Труды VII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 15-19 сентября 2014 г., Рязань. Рязань: изд-во РГРТУ. Т.3. 2014. С. 93-97.

Публикации в научных журналах

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Юнин П.А. Влияние особенностей дизайна гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства // Известия РАН. Серия физическая. № 1. Т. 78. 2014. С. 26-31.

Вихрова О.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Калентьева И.Л. Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs // Письма в журнал технической физики. № 20. Т. 40. 2014. С. 96-103.

Vikhrova O.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L. The effect of Ferromagnetic Mn-Delta-Doped Layer on the Emission Properties of GaAsSb/GaAs and InGaAs/GaAsSb/GaAs Heterostructures // Technical Physics Letters. № 10. V. 40. 2014. P. 930-933.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Чунин И.И., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № Выпуск 1. Т. 49. 2014. С. 102-106.

2013

Труды (тезисы) конференции

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Кудрин А.В. Влияние особенностей дизайна гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 122-123.

Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L. Peculiarities of manifestation of spin-dependent effects in the ferromagnetic quantum confined GaAs structures // Proceedings of International Conference. Nanomeeting-2013. Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Reviews and Short Notes. Minsk, Belarus, 28-31 May2013. World Scientific. 2013. P. 40-42.

Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Kalentyeva I.L. Peculiarities of manifestation of spin-dependent effects in the ferromagnetic quantum confined GaAs structures // 10 International conference "Nanomeeting 2013" 28-31 May, Minsk. Belarus. 2013. 3P.. 2013. P. 40-42.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Ферромагнитные свойства наноструктур на основе гетеросистемы InGaAs/GaAs-дельта Mn // Всероссийская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. С. Петербург. 16-20 сентября 2013.. Изд-во ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 2013. С. 312.

Публикации в научных журналах

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л. Свойства гетероструктур MnSb/GaAs // Известия РАН. Сер. Физическая. № 1. Т. 77. 2013. С. 79-81.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Drozdov Yu.N., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L. Properties of MnSb/GaAs Heterostructures // Bulletin of Russian Academy of Sciences. Physics. № 1. V. 77. 2013. P. 69-71.

2012

Труды (тезисы) конференции

Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N. The carrier transport in the ferromagnetic quantum confined structures // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 116-117.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л. Необычные свойства гетероструктур MnSb/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. Т.1, 640 С. 2012. С. 111-112.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Получение и свойства гетеронаноструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. Т.1. 2012. С. 259-260.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L., Prokofyeva M.M., Vikhrova O.V. Ferromagnetic effect of delta-Mn doping in GaAs/InGaAs heterostructures: galvanomagnetic and luminescence studies // 20th Int.Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Nizhny Novgorod, Russia, June 24-30, 2012. St. Petersburg Academic University, 2012. 2012. P. 170-171.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Влияние толщины спейсерного слоя GaAs между квантовой ямой InGaAs/GaAs и дельта-слоем Mn на гальваномагнитные и светоизлучающие свойства структур // Труды V Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Рязань: РГРТУ. Т.III. 2012. С. 219-223.

Публикации в научных журналах

Горшков А.П., Карпович И.А., Павлова Е.Д., Калентьева И.Л. Влияние дефектообразования при встраивании // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 46. 2012. С. 194-197.

Danilov Yu.A., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Kalentyeva I.L., Dunaev V.S. Manganese Distribution and Galvanomagnetic Properties of DeltaMn-Doped GaAs Structures // Journal of Spintronics and Magnetic Nanomaterials. № 1. V. 1. 2012. P. 82-84.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л. Диффузия марганца в InGaAs/GaAs квантово-размерных структурах // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.. № 6. 2012. С. 51-54.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1527-1531.

2011

Труды (тезисы) конференции

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л. Диффузия марганца в InGaAs/GaAs квантово-размерных структурах // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г. Нижний Новгород. Т.2. 670 С. 2011. С. 424-425.

Патенты, авторские свидетельства

2018

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Калентьева И.Л. Способ определения знака циркулярной поляризации света и детектор для его осуществления (Патент).

2016

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Калентьева И.Л. Светоизлучающий диод на основе гетероструктуры второго рода (Патент).

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского