Калентьева Ирина Леонидовна

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2023

Калентьева И.Л., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Здоровейщев Д.А., Татарский Д.А., Горев Р.В., Орлова А.Н. Образование скирмионных состояний в тонких ферромагнитных пленках Co/Pd // Труды XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». В 2 томах. Том 1-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2023. — 496 с.. 2023. С. 207-208.

Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Здоровейщев Д.А., Темирязев А.Г., Темирязева М.П., Калентьева И.Л., Трушин В.Н., Садовников А.В., Мартышкин А.А. Фазовый состав и магнитные свойства тонких пленок CoPt // Труды XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта 2023 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т.1. 2023. С. 177-178.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Демина П.Б., Здоровейщев Д.А., Дудин Ю.А., Котомина В.Е., Калентьева И.Л. Детектор магнитного поля на основе магнитоуправляемого спинового светодиода // Труды XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта 2023 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т.1. 2023. С. 209-210.

Татарский Д.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Калентьева И.Л., Гусев Н.С., Пашенькин И.Ю., Скороходов Е.В., Орлова А.Н., Гусев С.А. Лоренцева просвечивающая электронная микроскопия // Труды XXVII Международного симпозиума. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 13–16 марта 2023 г.). В 2 томах. Том 1-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2023. — 496 с.. 2023. С. 315-316.

Kuznetsov Yu.M., Mochalov L.A., Dorokhin M.V., Fukina D.G., Kudryashov M., Kudryashova Yu.P., Zdoroveishchev A.V., Zdoroveishchev D.A., Kalentyeva I.L., Kryukov R.N. PECVD synthesis and thermoelectric properties of thin films of lead chalcogenides (PbTe)1-x(PbS)x // Coatings. № 13. 2023. P. -. [принято к печати]

2022

Антонов И.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дудин Ю.А., Здоровейщев Д.А., Калентьева И.Л., Кузнецов Ю.М., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Быков В.А., Парафин А.Е., Юнин П.А. Формирование магнитных полупроводников GaFeAs и GaMnAs ионной имплантацией и импульсным лазерным отжигом // Материалы XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14-17 марта 2022 г., Нижний Новгород.. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1, 643 с.. 2022. С. 183-184.

Демина П.Б., Калентьева И.Л., Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Дудин Ю.А. Ионное облучение как метод управления характеристиками спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt // Материалы XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14-17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т. 1, 643 с.. 2022. С. 224-225.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Здоровейщев Д.А., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Садовников А.В. Образование скирмионных состояний в ионно-имплантированных тонких пленках CoPt и CoPd // Труды XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Изд-во Нижегородского госуниверситета, т.1, 643 с. 2022. 2022. С. 252-253.

Kalentyeva I.L., Demina P.B., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Dudin Yu.A. Effect of ion radiation on the characteristics of InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt spin light-emitting diodes/ // Book of Abstracts Saint Petersburg OPEN 2022. Copyright © by 2022 National Research University Higher School of Economics - St. Petersburg , 736 страниц. 2022. P. 169-170.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Кузнецов Ю.М., Кудрин А.В., Парафин А.Е., Юнин П.А., Данилов Д.В. Влияние импульсного лазерного отжига на свойства слоев (Ga,Mn)As различной толщины // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. – Т.1. 2022. С. 199-200.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Zdoroveishchev D.A., Dudin Yu.A., Danilov Yu.A., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G., Sadovnikov A.V. Formation of the skyrmions in CoPt and CoPd thin films after ion irradiation // Book of abstracts VIII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» (EASTMAG-2022). August 22–26, 2022, Zavoisky Phisical-Technical Institute FRC Kazan SC RAS V.1. 2022. P.566. 2022. P. 378-380.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В. Особенности технологии изготовления магниторезистивных диодов p-(Ga,Mn)As/n-InGaAs/n+-GaAs // Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников. Нижний Новгород, ИПФ РАН, 2022. 2022. С. 359.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Дудин Ю.А., Данилов Ю.А., Здоровейщев Д.А., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Садовников А.В. . Влияние ионного облучения на магнитные свойства и доменную структуру тонких пленок CoPd // Тезисы докладов международной конференции ФизикаА. Спб. Издательство Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 562 стр.. 2022. С. 121-122.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Дудин Ю.А., Данилов Ю.А., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Садовников А.В. Ионное облучение тонких ферромагнитных пленок CoPd // Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Издательство: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского.2022. 92 стр.. 2022. С. 80.

Здоровейщев А.В., Демина П.Б., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Дудин Ю.А., Калентьева И.Л. Управление характеристиками спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt ионным облучением // XV Российская конференция по физике полупроводников. 3 – 7 октября 2022 года, Нижний Новгород. Тезисы докладов. Нижний Новгород. 2022. С. 203.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Здоровейщев Д.А., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Парафин А.Е. Комбинированный лазерный метод получения магнитных полупроводников // XV Российская конференция по физике полупроводников. 3 – 7 октября 2022 года, Нижний Новгород. Тезисы докладов. Нижний Новгород. 2022. С. 229.

Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Kalentyeva I.L., Vergeles P.S., Yakimov E.B., Lesnikov V.P., Zvonkov B.N., Vedy M.V., Danilov Yu.A., Zdoroveishchev A.V. GaAs diodes for TiT2-based betavoltaic cells // Applied Radiation and Isotopes. № 11. V. 179. 2022. P. 110030.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Kuznetsov Yu.M., Kudrin A.V., Khomitskii D.V., Yunin P.A., Parafin A.E., Danilov D.V. Effect of pulsed laser annealing on the properties of (Ga,Mn)As layers // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. № 556. 2022. P. 169360.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Дудин Ю.А., Юнин П.А., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Садоников А.В. Формирование скирмионных состояний в ионно-облученных тонких пленках CoPt // Physics of the Solid State. № 9. Т. 64. 2022. С. 1304-1310.

Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L., Vedy M.V., Trushin V.N., Tatarskii D.A. Manipulation of micromagnetic structure of thin Co/Pt multilayer films by precise variation of Co and Pt thicknesses // Journal of Alloys and Compounds. № 926. 2022. P. 166956.

2021

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Юнин П.А., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Садовников А.В. Влияние ионного облучения на свойства и доменную структуру тонких пленок CoPt // Сборник тезисов XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 9-12 марта. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. Т. 1. 2021. С. 174-175.

Антонов И.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Здоровейщев Д.А., Калентьева И.Л., Кузнецов Ю.М., Кудрин А.В., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Хомицкий Д.В. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As // Сборник тезисов XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 9-12 марта. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. Т. 1. 2021. С. 126-127.

Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Крюков Р.Н., Кудрин А.В., Кузнецов Ю.М., Кунькова З.Э., Лесников В.П., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Питиримова Е.А., Руковишников А.И. Импульсный лазерный отжиг слоев GaAs, легированных атомами переходных 3d элементов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – 155 с. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 1 т. Том 1. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.524. 2021. С. 155.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Юнин П.А., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Садовников А.В. Влияние ионного облучения на магнитные свойства и доменную структуру тонких пленок CoPt // Труды XXV международной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью ВИП - 2021" Ярославль 23-27 августа 2021. Том 2, 306 с, Из-во: Москва 2021. 2021. С. 230-233.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Kuznetsov Yu.M., Yunin P.A., Parafin A.E. Effect of pulsed laser annealing on the properties of (Ga,Mn)As layers // Book of Abstracts "The 4th International Baltic Conference on Magnetism" Svetlogorsk, Russia August 29 — September 2, 2021. 226 p.. 2021. P. 133.

Калентьева И.Л., Демина П.Б., Дорохин М.В. Влияние ионного облучения на характеристики спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt // Тезисы докладов XXIII Всероссийской научной молодежной конференции «Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника». Г., Санкт-Петербург. Политех-Пресс. 2021. С. 93.

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Калентьева И.Л. Диагностика слоев CoPt, обладающих магнитной анизотропией // Высокоточная диагностика функциональных материалов: лабораторные и синхротронные исследования. Сборник тезисов 1 Всероссийской молодежной конференции. Воронеж. Издательство-полиграфический центр "Научная книга", 62 с.. 2021. С. 27-28.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Кузнецов Ю.М., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Хомицкий Д.В., Антонов И.Н. Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем // Physics of the Solid State. № 3. Т. 63. 2021. С. 346-355.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Дудин Ю.А., Кудрин А.В., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Никитов С.А., Садовников А.В. Влияние ионного облучения на магнитные свойства пленок CoPt // Physics of the Solid State. № 3. Т. 63. 2021. С. 324-332.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Дроздов М.Н., Здоровейщев Д.А., Калентьева И.Л., Кузнецов Ю.М., Кудрин А.В., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Хомицкий Д.В. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As // Physics of the Solid State. № 9. Т. 63. 2021. С. 1245-1252.

Lesnikov V.P., Vedy M.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kalentyeva I.L., Kudrin A.V., Kryukov R.N. Diode Heterostructures with Narrow-Gap Ferromagnetic A3FeB5 Semiconductors of Various Conduction Type // Physics of the Solid State. № 7. V. 53. 2021. P. 998-1005.

Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Kalentyeva I.L., Vergeles P.S., Yakimov E.B., Lesnikov V.P., Zvonkov B.N., Vedy M.V., Danilov Yu.A., Zdoroveishchev A.V. GaAs diodes for TiT2-based betavoltaic cells // Applied Radiation and Isotopes. V. 179. 2021. P. 110030.

2020

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Кузнецов Ю.М., Темирязева М.П., Темирязев А.Г. Ионное облучение пленок CoPt с различным содержанием кобальта // Сборник тезисов XXIV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 10-13 марта. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. Т. 1. 2020. С. 207-208.

Калентьева И.Л., Данилов Ю.А. Влияние импульсного лазерного отжига на свойства светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As // Тезисы докладов 22-й Всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. ПОЛИТЕХ-ПРЕСС Санкт-Петербург, 114 стр. 2020. С. 43.

Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Kudrin A.V., Zdoroveishchev A.V., Larionova E.A., Kovalyskii V.A., Soltanovich O.A. Diode Heterostructures with a Ferromagnetic (Ga,Mn)As Layer // Physics of the Solid State. № 3. V. 62. 2020. P. 373-380.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Хомицкий Д.В., Антонов И.Н. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs // Semiconductors. № 12. Т. 54. 2020. С. 1336-1343.

2019

Калентьева И.Л., Данилов Ю.А. Исследование свойств светоизлучающих GaAs структур с контактным слоем из многослойного графена // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника. Тезисы докладов 21-й Всероссийской молодёжной конференции, 25-29 ноября 2019 года. Санкт-Петербург: Политех-пресс. 2019. С. 95.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Ларионова Е.А., Ковальский В.А. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 201-202.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Никитов С.А., Садовников А.В. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 205-206.

Demina P.B., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G. Properties and spintronic applications of CoPt ferromagnetic films // Book of аbstracts «The 3rt International Baltic Conference on Magnetism: nanobiomedicine and smart materials. IBCM 2019», Kaliningrad, Russia 18-22 August, 2019.. Immanuel Kant Baltic Federal University. 189 с.. 2019. P. 94.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kalentyeva I.L., Kudrin A.V., Larionova E.A. Effect of laser annealing on diode heterostructures with a ferromagnetic GaMnAs layer // Book of аbstracts «IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures», Yaroslavl, Russia 26-29 August, 2019. 113с.. 2019. P. 69.

Zvonkov B.N., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Kalentyeva I.L., Malysheva E.I. Structures of semiconductor spintronics, formed by the combined method of MOCVD epitaxy and pulsed laser deposition // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.1.. 2019. P. 59-60.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Dudin Yu.A., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G., Nikitov S.A., Sadovnikov A.V. Changing the magnetic properties of CoPt alloy by ion irradiation // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.1.. 2019. P. 387-388.

Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Konakov A.A., Vasilyev V.K., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Zvonkov B.N. The nature of transport and ferromagnetic properties of the GaAs structures with the Mn δ-doped layer // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 478. 2019. P. 84-90.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л., Ларионова Е.А., Ковальский В.А., Солтанович О.А. Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 53. 2019. С. 351-358.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Никитов С.А., Садовников А.В. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения // Физика твердого тела. № 9. Т. 61. 2019. С. 1694-1699.

2018

Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Демина П.Б. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с CoPt барьером Шоттки // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1. 2018. С. 214-215.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Антонов И.Н. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs структур // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума. 12-15 марта 2018 г. Нижний Новгород.. Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 2 стр.. 2018. С. 639-640.

Калентьева И.Л., Дорохин М.В. Улучшение рабочих характеристик спиновых светоизлучающих диодов на основе разбавленных магнитных полупроводников // Тезисы докладов 20-й Всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург (2018).. 1 стр. 2018. С. 107.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Антонов И.Н. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 52. 2018. С. 1286-1290.

Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Демина П.Б. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 60. 2018. С. 2236-2239.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Antonov I.N. The effect of the Composition of a Carrier Gas during the Growth of a Mn delta-Layer on the Electrical and Magnetic Properties of GaAs Structures // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1398-1402.

2017

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 149-150.

Калентьева И.Л., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Павлов Д.А., Пирогов А.В., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Юнин П.А. Особенности селективного легирования марганцем GaAs гетероструктур // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 612-613.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Magnetic properties of epitaxial GaMnAs layers // Saint Petersburg OPEN 2017 «4th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures». Academic University Publishing St. Petersburg, 2017, 640. 2017. P. 503-504.

Kalentyeva I.L., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V. Magneto-optical effects of CoPt and CoPd alloys // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 139.

Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L., Kudrin A.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Pitirimova E.A., Tolkachev D.S., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Yakubov R.R. Formation of the ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As by ion implantation and pulse laser annealing // III International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 9-11 October. 2017. P. 60.

Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Kalentyeva I.L., Vedy M.V. Circularly polarized light detector based on MDP structure of CoPt/(Al2O3/SiO2/Al2O3)/InGaAs/GaAs // Book of abstracts III International conference on Modern problems in physics of surfaces and nanostructures, 9-11 october 2017, Yaroslavl, Russia.. Yaroslavl Demidov State University, 121p.. 2017. P. 59.

Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. Детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП структуры CoPt/(Al2O3/SiO2)/InGaAs/GaAs // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников, 2-6 октября 2017, Екатеринбург.. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2017.. 2017. С. 268.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2196-2199.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Дроздов М.Н., Усов Ю.В. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1468-1472.

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Демина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2203-2205.

2016

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с дельта-легированным Mn слоем GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.2. 2016. С. 600-602.

Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В. Изготовление образцов со спиновым латеральным переносом на основе GaAs структур с дельта-слоем Mn // 23-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика-2016». Зеленоград.: МИЭТ. 2016. С. 10.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Дроздов М.Н. Влияние точечных дефектов на диффузию Mn и C в квантово-размерных гетероструктурах на основе GaAs // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 123-124.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 204-207.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V. GaAs Structures with a Gate Dielectric Based on Aluminium-Oxide Layers // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 204-207.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Drozdov M.N. Effect of Thermal Annealing on the Photoluminescence of Structures with InGaAs/GaAs Quantum Wells and a Low-temperature GaAs Layer delta-doped with Mn // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1469-1474.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дроздов М.Н. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным дельта-легированным Mn слоем GaAs // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1490-1496.

2015

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.2. 2015. С. 523-524.

Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Drozdov M.N. Annealing of delta-doped (Mn,C) GaAsSb/GaAs heteronanostructures // International Conference Nanomeeting-2015 “Physics, Chemistry and Applications of Nanostructures”. Reviews and Short Notes, Minsk, Belarus, 26-29 May 2015. World Scientific Publ.. 2015. P. 402-405.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Диагностика структур с двухслойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным инжектором GaMnAs // Труды VIII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 14-18 cентября, Рязань. РГРТУ, т.3. 2015. С. 95-99.

Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Комбинированные слои Al2O3 и HfO2 в качестве подзатворного диэлектрика для GaAs-структур // Труды II Российско-Белорусской научно-технической конференции "Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение" им. О.В. Лосева. 511 с. 2015. С. 191-194.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Чунин И.И., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 102-106.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kalentyeva I.L., Nezhdanov A.V., Chunin I.I., Yunin P.A. Raman Spectroscopy of InGaAs/GaAs Nanoheterostructures Delta-doped with Mn // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 99-103.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1478-1483.

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Морозов С.В., Крыжков Д.И., Юнин П.А. Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения // Физика и техника полупроводников. № 49. Т. 1. 2015. С. 113-116.

Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yunin P.A. Structural and optical properties of GaAsSb QW heterostructures grown by laser deposition // Semiconductors. № 49. V. 1. 2015. P. 109-112.

Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V. Optical and magnetotransport properties of InGaAs/GaAsSb/GaAs structures doped with a magnetic impurity // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1430-1434.

2014

Планкина С.М., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Скворцов В.В., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". 10-14 марта 2014 г. Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского университета, т.1. 2014. С. 186-187.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Light-emitting GaAsSb/GaAs structures with GaMnAs ferromagnetic injector // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 233.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Исследование возможности создания на основе слоев оксида алюминия подзатворного диэлектрика для арсенид-галлиевых структур // Труды VII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 15-19 сентября 2014 г., Рязань. Рязань: изд-во РГРТУ. Т.3. 2014. С. 93-97.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Юнин П.А. Влияние особенностей дизайна гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства // Известия РАН. Серия физическая. № 1. Т. 78. 2014. С. 26-31.

Вихрова О.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Калентьева И.Л. Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs // Письма в журнал технической физики. № 20. Т. 40. 2014. С. 96-103.

Vikhrova O.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L. The effect of Ferromagnetic Mn-Delta-Doped Layer on the Emission Properties of GaAsSb/GaAs and InGaAs/GaAsSb/GaAs Heterostructures // Technical Physics Letters. № 10. V. 40. 2014. P. 930-933.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Чунин И.И., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № Выпуск 1. Т. 49. 2014. С. 102-106.

2013

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Кудрин А.В. Влияние особенностей дизайна гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 122-123.

Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L. Peculiarities of manifestation of spin-dependent effects in the ferromagnetic quantum confined GaAs structures // Proceedings of International Conference. Nanomeeting-2013. Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Reviews and Short Notes. Minsk, Belarus, 28-31 May2013. World Scientific. 2013. P. 40-42.

Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Kalentyeva I.L. Peculiarities of manifestation of spin-dependent effects in the ferromagnetic quantum confined GaAs structures // 10 International conference "Nanomeeting 2013" 28-31 May, Minsk. Belarus. 2013. 3P.. 2013. P. 40-42.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Ферромагнитные свойства наноструктур на основе гетеросистемы InGaAs/GaAs-дельта Mn // Всероссийская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. С. Петербург. 16-20 сентября 2013.. Изд-во ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 2013. С. 312.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л. Свойства гетероструктур MnSb/GaAs // Известия РАН. Сер. Физическая. № 1. Т. 77. 2013. С. 79-81.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Drozdov Yu.N., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L. Properties of MnSb/GaAs Heterostructures // Bulletin of Russian Academy of Sciences. Physics. № 1. V. 77. 2013. P. 69-71.

2012

Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N. The carrier transport in the ferromagnetic quantum confined structures // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 116-117.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л. Необычные свойства гетероструктур MnSb/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. Т.1, 640 С. 2012. С. 111-112.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Получение и свойства гетеронаноструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. Т.1. 2012. С. 259-260.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L., Prokofyeva M.M., Vikhrova O.V. Ferromagnetic effect of delta-Mn doping in GaAs/InGaAs heterostructures: galvanomagnetic and luminescence studies // 20th Int.Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Nizhny Novgorod, Russia, June 24-30, 2012. St. Petersburg Academic University, 2012. 2012. P. 170-171.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Влияние толщины спейсерного слоя GaAs между квантовой ямой InGaAs/GaAs и дельта-слоем Mn на гальваномагнитные и светоизлучающие свойства структур // Труды V Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Рязань: РГРТУ. Т.III. 2012. С. 219-223.

Горшков А.П., Карпович И.А., Павлова Е.Д., Калентьева И.Л. Влияние дефектообразования при встраивании // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 46. 2012. С. 194-197.

Danilov Yu.A., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Kalentyeva I.L., Dunaev V.S. Manganese Distribution and Galvanomagnetic Properties of DeltaMn-Doped GaAs Structures // Journal of Spintronics and Magnetic Nanomaterials. № 1. V. 1. 2012. P. 82-84.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л. Диффузия марганца в InGaAs/GaAs квантово-размерных структурах // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.. № 6. 2012. С. 51-54.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1527-1531.

2011

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л. Диффузия марганца в InGaAs/GaAs квантово-размерных структурах // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г. Нижний Новгород. Т.2. 670 С. 2011. С. 424-425.

Патенты, авторские свидетельства

2018

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Калентьева И.Л. Способ определения знака циркулярной поляризации света и детектор для его осуществления (Патент).

2016

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Калентьева И.Л. Светоизлучающий диод на основе гетероструктуры второго рода (Патент).