Ерофеева Ирина Викторовна

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория спиновой и оптической электроники

научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 25 лет, 9 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

14.11.2017 - 14.11.2017
Повышение квалификации: специальная подготовка по качеству, АНО ЦРМ "СПК", документ № № 8394/СПК от 14.11.2017

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2018

Труды (тезисы) конференции

Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Ерофеева И.В., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Боряков А.В. Влияние состава на термоэлектрические свойства тонких плёнок MnSi(x) // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. 2 С.. 2018. С. 594-595.

Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Кузнецов Ю.М., Попов А.А., Ланцев Е.А., Боряков А.В., Котомина В.Е. Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. 2 С.. 2018. С. 608-609.

2017

Труды (тезисы) конференции

Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Кузнецов Ю.М. Термоэлектрические эффекты в наноразмерных слоях силицида марганца // Материалы ХХ Международного симпозиума Нанофотоника и Наноэлектроника. Издательство Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, том 2, 831. 2017. С. 584-585.

Публикации в научных журналах

Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Кузнецов Ю.М., Здоровейщев А.В., Питиримова Е.А. Термоэлектрические эффекты в наноразмерных слоях силицида марганца // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1456-1461.

2016

Труды (тезисы) конференции

Дорохин М.В., Бобров А.И., Ведь М.В., Павлов Д.А., Лесников В.П., Ерофеева И.В., Демина П.Б., Малышева Е.И., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Эпитаксиальный слой MnGa – перспективный материал для практического применения в полупроводниковых приборах // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 435с. 2016. С. 564-565.

Публикации в научных журналах

Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В. Кристаллическая структу-ра и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSix // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1473-1478.

Erofeeva I.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V. On the crystal structure and thermoelectric properties of thin Si1–xMnx films // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1453-1457.

2015

Труды (тезисы) конференции

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. С. 168-169.

Публикации в научных журналах

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1649-1653.

Zdoroveishchev A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Vedy M.V., Danilov Yu.A., Erofeeva I.V., Kryukov R.N., Nikolichev D.E. CoPt Ferromagnetic Injector in Light-Emitting Schottky Diodes Based on InGaAs/GaAs Nanostructures // Semiconductors. № 12. V. 49. 2015. P. 1601-1604.

2011

Публикации в научных журналах

Morozov S.V., Gavrilenko L.V., Erofeeva I.V., Antonov A.V., Maremyanin K.V., Yablonskiy A.N., Kuritsin D.I., Orlova E.E., Gavrilenko V.I. Relaxation of the Impurity Photoconductivity in p-Ge/Ge1-xSix Quantum Well Heterostructures // Semiconductor Science and Technology. № 8. V. 26. 2011. P. 085009.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского