Гусейнов Давуд Вадимович

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория физики и технологии тонких пленок

старший научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в университете лобачевского: 2001
Общий стаж работы 17 лет, 2 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

17.11.2014 - 05.12.2014
Использование инновационных методов и современной аппаратуры в естественнонаучных исследованиях, ННГУ, 72 час.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2019

Труды (тезисы) конференции

Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Belov A.I., Gerasimova S.A., Guseinov D.V., Tikhov S.V., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Koryazhkina M.N., Agudov N.V., Dubkov A.A., Emelyyanov A.V., Nikiruy K.E., Demin A.V., Spanyolo B. From device engineering and adaptive programming to stochastic multistable models of metal-oxide memristors // International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems (MEMRISYS). Conference Proceedings. Dresden, Germany, 8-11 July. 2019. P. 98.

2018

Труды (тезисы) конференции

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Okulich E.V., Okulich V.I., Shuisky R.A., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Stepanov A.V., Gorshkov O.N. Ion Implantation in the Technology of Metal-Oxide Memristive Devices // XII International Conference on Ion implantation and other applications of ions and electrons. Book of Abstracts, Kazimierz Dolny, Poland, June 18-21, 137 стр. 2018. P. 122.

Деточенко А.П., Ежевский А.А., Конаков А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Abrosimov N.V., Riemann H. Изучение донорного центра лития в кремнии методом электронного парамагнитного резонанса // XXII международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника”. 2018 Т 2, http://nanosymp.ru/UserFiles/Symp/2018_v2.pdf. 2018. С. 587 – 588.

Ежевский А.А., Гусаров В.В., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Деточенко А.П., Мамин Г.В., Зверев Д.Г., Абросимов Н.В. Исследование объемных монокристаллов Si1–XGeX (x 0.05) методами магнитных резонансов // VII Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов. Нижний Новгород, 7–9 ноября 2018 г.. 2018. С. 133-135.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Деточенко А.П., Горшкова А.Г. Спиновый эффект Холла в кремнии, облученном висмутом // VII Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов. Нижний Новгород, 7–9 ноября 2018 г.. 2018. С. 135-136.

Монографии

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Okulich E.V., Okulich V.I., Shuisky R.A., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N. Ion implantation in the technology of metal-oxide memristive devices. New York:: Nova Science Publishers, Inc. - Ion Implantation: Synthesis, Applications and Technology / A.D. Pogrebnyak (Ed.), ISBN: 978-1-53613-962-4.. 2018.

Публикации в научных журналах

Gerasimova S.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Guseinov D.V., Lebedeva A.V., Gorshkov O.N., Kazantsev V.B. Design of memristive interface between electronic neurons // AIP Conference Proceedings. № 1959. V. 1. 2018. P. 090005.

Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shuisky R.A., Antonov I.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N. Manipulation of resistive state of silicon oxide memristor by means of current limitation during electroforming // Superlattices and Microstructures. V. 122. 2018. P. 371-376.

Filatov D.O., Guseinov D.V., Denisov S.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu. Ballistic Hole Emission Spectroscopy of Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoislands // Semiconductors. № 5. V. 52. 2018. P. 590-592.

2017

Труды (тезисы) конференции

Андреев Б.А., Ершов А.В., Легков А.М., Грачев Д.А., Красильникова Л.В., Яблонский А.Н., Чунин И.И., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Ежевский А.А. Люминесцентные свойства структур с нановключениями кремния в диоксиде кремния и оксидах с высокой диэлектрической постоянной, отожженных в водороде // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т. 2, 402 с. 2017. С. 503–504.

Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Guseinov D.V., Mishkin V.P. Ballistic hole emission spectroscopy of self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands // 25th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”. St Petersburg Academic University, Saint Petersburg, Russia, June 26 – July 1, 2017, 320 р.. 2017. P. 224-225.

Detochenko A.P., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Konakov A.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Novikov A.V., Abrosimov N. Spin transport in silicon doped with heavy donors // Technical Digest of 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-2017). Matsue, Japan, July 31 – Aug.4. 2017. P. 116.

Деточенко А.П., Ежевский А.А., Кудрин А.В., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Конаков А.А., Абросимов Н.В. Влияние спин-зависимого рассеяния на спиновый транспорт электронов проводимости в кремнии, легированном висмутом // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 578–579.

Ежевский А.А., Конаков А.А., Деточенко А.П., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Abrosimov N.V., Riemann H. Проявление динамического эффекта Яна-Теллера у мелкого донорного центра лития с орбитально вырожденным основным состоянием в кремнии // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 580–581.

Деточенко А.П., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Конаков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Абросимов Н.В. Спиновый транспорт в кремнии, легированном донорами с большой спин-орбитальной связью // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников. Екатеринбург, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, 2017. – с. 480. 2017. С. 265.

Монографии

Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Matveev S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Kruglov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Photodiodes based on Thick Ge/Si(001) Epilayers Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition. New York: Horizons in World Physics. Volume 288. Ed. Albert Reimer. / New York: Nova Science, 2017. Chapter 9. P.171-200. ISBN: 978-1-63485-882-3(eBook). 2017.

Публикации в научных журналах

Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shenina M.E., Korolev D.S., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Okulich E.V., Okulich V.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G. Filamentary model of bipolar resistive switching in capacitor-like memristive nanostructures on the basis of yttria-stabilised zirconia // International Journal of Nanotechnology. № 7/8. V. 14. 2017. P. 604-617.

Ezhevskii A.A., Detochenko A.P., Sukhorukov A.V., Kudrin A.V., Guseinov D.V., Abrosimov N.V., Riemann H. The spin-flip scattering effect in the spin transport in silicon doped with bismuth // Journal of Physics: Conference Series. V. 816. 2017. P. 012001.

2016

Труды (тезисы) конференции

Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Belov A.I., Shenina M.E., Koryazhkina M.N., Guseinov D.V., Okulich V.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Antonov D.A., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching in capacitor-like structures based on ionic and covalent oxide dielectrics // Abstracts 20th International Symposium On Non-Oxide and New Optical Glasses. Nizhny Novgorod, Russia, August 21-26, 2016. 2016. P. 103-104.

Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Деточенко А.П., Кудрин А.В., Конаков А.А., Абросимов Н.В., Riemann H. Спиновые эффекты на легких и тяжелых донорах в кремнии // Тезисы докладов XI конференции и X школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск 12-15 сентября 2016.. 2016. С. 29.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Деточенко А.П., Конаков А.А., Бурдов В.А., Абросимов Н.В. Спиновый транспорт с участием мелких доноров в кремнии // Тезисы докладов XI конференции и X школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, метериаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск 12-15 сентября 2016. 2016. С. 152.

Публикации в научных журналах

Ezhevskii A.A., Detochenko A.P., Popkov S.A., Konakov A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Zverev D.G., Mamin G.V., Abrosimov N.V., Riemann H. Spin relaxation times of donor centers associated with lithium in monoisotopic 28Si // Solid State Phenomena. № 242. 2016. P. 322-326.

Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Popkov S.A., Detochenko A.P., Koroleva A.V., Ezhevskii A.A., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. The impurity spin-dependent scattering effects in the transport and spin resonance of conduction electrons in bismuth doped silicon // Solid State Phenomena. № 242. 2016. P. 327-331.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Окулич Е.В., Шемухин А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 274-278.

Belov A.I., Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Okulich E.V., Sergeev V.A., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Kozlovski V.V. Medium-energy ion-beam simulation of the effect of ionizing radiation and displacement damage on SiO2-based memristive nanostructures // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. V. 379. 2016. P. 13-17.

Mikhaylov A.N., Gryaznov D.V., Belov A.I., Korolev D.S., Sharapov A.N., Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Malekhonova N.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Gerasimova S.A., Kazantsev V.B., Agudov N.V., Dubkov A.A., C. M. M. Rosário, N. A. Sobolev, B. Spagnolo Field- and irradiation-induced phenomena in memristive nanomaterials // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. № 10-12. V. 13. 2016. P. 870-881.

Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Shemmukhin A.A., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Layer-by-Layer Composition and Structure of Silicon Subjected to Combined Gallium and Nitrogen Ion Implantation for the Ion Synthesis of Gallium Nitride // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 271-275.

2015

Труды (тезисы) конференции

Степихова М.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Гусейнов Д.В., Тетельбаум Д.И., Шенгуров В.Г. Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев германия на кремнии, выращенных методом химического газофазного осаждения с горячей проволокой // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. Т.2, 2 стр. 2015. С. 658-659.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Смирнов А.Е., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Трушин В.Н., Маркелов А.С., Нежданов А.В. Ионно-лучевой синтез GaN в кремнии // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 663-664.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Guseinov D.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Tetelbaum D.I. Ion synthesis of GaN nanocrystals in silicon // 2nd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2015”. Book of abstracts, St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. 2015. P. 237-238.

Гусейнов Д.В., Денисов С.А., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Юнин П.А., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Степихова М.В., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Имплантируемые ионами P+ слои германия на Si(100) для светоизлучающих приборов // XXII международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2015)». Москва, Россия, 20-24 августа 2015, Т.2. 2015. С. 120-123.

Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Popkov S.A., Detochenko A.P., Konakov A.A., Koroleva A.V. The impurity spin-dependent scattering effects in the conduction electrons transport in bismuth doped silicon // Тезисы докладов международной конференции «Spin physics, spin chemistry, and spin technology»,. Санкт-Петербург, 1-5 июня 2015, С.165. 2015. P. 165.

Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Detochenko A.P., Popkov S.A., Zverev D.G., Mamin G.V., Abrosimov N.V., Riemann H. Spin relaxation times of donor centers associated with lithium in monoisotopic 28Si // Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XVI September 20-25, 2015,. Bad Staffelstein, Germany 2015. 2015. P. 132-133.

Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Detochenko A.P., Konakov A.A., Koroleva A.V., Abrosimov N.V., Riemann H. The impurity spin-dependent scattering effect in the transport and spin resonance of conduction electrons in bismuth doped silicon // Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XVI September 20-25, 2015, B. Ad Staffelstein, Germany.. 2015. P. 134-135.

Ezhevskii A.A., Koroleva A.V., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Detochenko A.P., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. Spin-Dependent Transport in Bismuth Doped Silicon // International Conference Modern Development of Magnetic Resonance. Kazan 22–26 September 2015. 2015. P. 110.

Ежевский А.А., Деточенко А.П., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Конаков А.А., Зверев Д.Г., Мамин Г.В., Abrosimov N.V., Riemann H. Времена спиновой релаксации донорных центров, связанных с литием в моноизотопном кремнии 28Si // Труды ХIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника».. Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г. Т.2. 2015. С. 489-490.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Деточенко А.П., Королева А.В., Конаков А.А., Бурдов В.А., Абросимов Н.В., Riemann H. Эффекты примесного спин-зависимого рассеяния в транспорте и спиновом резонансе электронов проводимости в кремнии, легированном висмутом // Труды ХIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника».. Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г. 2015, Т.2,. 2015. С. 661-662.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Деточенко А.П., Конаков А.А., Бурдов В.А. Спиновый транспорт и спиновый резонанс с участием мелких доноров в кремнии // XII российская конференция по физике полупроводников. Звенигород 21-25 сентября 2015,. 2015. С. 308.

Публикации в научных журналах

Филатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // ФТП. № 3. Т. 49. 2015. С. 399-405.

Filatov D.O., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Guseinov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Shengurov V.G. Photodiodes Based on Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoisland Arrays Grown by the Combined Sublimation Molecular-Beam Epitaxy of Silicon and Vapor-Phase Epitaxy of Germanium // Semiconductors. № 3. V. 49. 2015. P. 387-393.

Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Горшков А.П., Волкова Н.С., Иванова М.М., Круглов А.В., Филатов Д.О. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 49. 2015. С. 1411-1414.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor // Materials Science and Engineering B. № 4. V. 194. 2015. P. 48-54.

Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Ivanova M.M., Kruglov A.V., Filatov D.O. Photodetectors on the Basis of Ge/Si(001) Heterostructures Grown by the HotWire CVD Technique // Semiconductors. № 10. V. 49. 2015. P. 1365-1368.

Sergeev V.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Guseinov D.V., Nezhdanov A.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Ion-beam synthesis of GaN in silicon // Journal of Physics: Conference Series. № 643. V. 1. 2015. P. 012082.

2014

Труды (тезисы) конференции

Тихов С.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Королев Д.С., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Электрофизические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе оксида кремния, проявляющий эффект резистивного переключения // Труды ХY111 Международного симпозиума по Нанофизике и Наноэлектронике 10 -14 марта 2014. Нижний Новгород, том 2, 557-558. 2014. С. 557-558.

Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Нежданов А.В., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Низкотемпературная гетероэпитаксия слоев германия на Si(100) с использованием метода горячей проволоки // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014. С. 551-552.

Сухоруков А.В., Ежевский А.А., Конаков А.А., Попков С.А., Гусейнов Д.В., Курова Н.В., Кузнецов О.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Спиновый резонанс электронов проводимости в эпитаксиальных слоях твердого раствора кремний-германия // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014. С. 634-635.

Гусейнов Д.В., Горшков А.П., Денисов С.А., Иванова М.М., Волкова Н.С., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Алябина Н.А., Трушин В.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотодетекторы на базе гетероэпитаксиальных слоёв Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 684-685.

Matveev S.A., Denisov S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Filatov D.O., Shengurov V.G. Low temperature growth of the epitaxial Ge layers on Si(100) by Hot Wire Chemical Vapor Deposition // Book of abstracts of Saint-Petersburg OPEN 2014, March 25-27, 2014. ISBN 978-5-906433-10-7 Published by St. Petersburg Academic University RAS. 2014. P. 107-108.

Гусейнов Д.В., Ежевский А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Конаков А.А., Бурдов В.А., Abrosimov N.V., Riemann H. Сильные эффекты примесного рассеяния в спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014.. 2014. С. 444-445.

Guseinov D.V., Denisov S.A., Shengurov V.G., Shengurov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Stepikhova M.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Chalkov V.Yu. Silicon-based nano-optoelectronic components for optical interconnections // E-MRS 2014 Fall Meeting, Symposium Q : Terahertz and infrared optoelectronics: from materials to devices, September 15-19, 2014, Warsaw, Poland. Warsaw University of Technology (Poland). 2014. P. Q7.

Гусейнов Д.В., Королев Д.С., Денисов С.А., Филатов Д.О., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Трушин В.Н., Степихова М.В., Шенгуров В.Г. Влияние режимов имплантации ионов P+ в слои Ge на Si(100) и последующего отжига на их фотолюминесценцию // Тезисы докладов V-ой Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», Нижний Новгород, Россия, 27- 31 октября 2014. ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2014, 142 с. 2014. С. 68-69.

Гусейнов Д.В., Денисов С.А., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Степихова М.В., Шенгуров В.Г. Формирование и исследование растянутых слоев n+ - Ge на Si // Тезисы докладов XXXIII научных чтений им. академика Н.В. Белова, Нижний Новгород, Россия, 16 - 17 декабря 2014. ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 2014. - 144 с.. 2014. С. 83-85.

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н. Ионно-лучевая имитация радиационных повреждений в гетероструктурах при облучении быстрыми нейтронами // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014.. 2014. С. 81.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Белов А.И., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Маркелов А.С., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Структура и состав ионно-синтезированных нанокристаллов GaN в кремнии // XXXIII научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова, г. Нижний Новгород. Изд-во ННГу. 2014. С. 108.

Ежевский А.А., Деточенко А.П., Попков С.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Конаков А.А., Abrosimov N.V., Riemann H. Времена спиновой релаксации донорных центров, связанных с литием в моноизотопном 28Si // 11-ая Зимняя молодежная школа-конференция «Магнитный резонанс и его приложения», 30 ноября – 6 декабря 2014, Санкт-Петербург. 2014, С.115-117. Санкт-Петербург. 2014, С.115-117. 2014. С. 115-117.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. The ground states structure and spin-orbit coupling for lithium donor centers in monoisotopic 28Si // “2014 EMN Summer meeting (Energy Material Nanotechnology)”, Cancun, Mexico 6 - 16 июня 2014 г.. Cancun, Mexico 6 - 16 июня 2014 г. 2014 EMN Summer Meeting Adstracts P. 237. 2014. P. 237.

Публикации в научных журналах

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. Monoisotopic 28Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized on shallow donors // Solid State Phenomena. V. 205-2. 2014. P. 191-200.

Obolenskii S.V., Tetelybaum D.I., Guseinov D.V., Vasilyev V.K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Kachemtsev A.N. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and methods. V. B236. 2014. P. 41-44.

Matveev S.A., Denisov S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Filatov D.O., Shengurov V.G. Low temperature growth of the epitaxial Ge layers on Si(100) by Hot Wire Chemical Vapor Deposition // Journal of Physics: Conference Series. V. 541. 2014. P. 012026.

Филатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // Физика и техника полупроводников. Т. 49. 2014. [принято к печати]

Filatov D.O., Guseinov D.V., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N. Imaging and spectroscopy of Au nanoclusters in yttria-stabilized zirconia films using ballistic electron/hole emission microscopy // RSC Advances. № 4. V. 100. 2014. P. 57337.

2013

Труды (тезисы) конференции

Tetelbaum D.I., Guseinov D.V., Vasiliev V.K., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shengurov V.G., Denisov S.A. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Book of abstracts of the 17th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-2013). Helsinki, Finland, June 30- July 5, 2013. 2013. P. 68.

Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Karzanova M.V., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Bobrov A.I., Chugrov I.A., Ershov A.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Demidov E.S. Ion-beam engineering of silicon-based nanomaterials // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП 2013)». Ярославль, 22-26 августа, 2013, Т.2. 2013. P. 31-36.

Костюк А.Б., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Степанов А.Л. Влияние ионного облучения на структуру и оптические свойства нанокластеров Au в диэлектрических матрице // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2013)». Ярославль, 22-26 августа. 2013. С. 300-303.

Костюк А.Б., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения и последующего отжига на оптические и структурные свойства массива нанокристаллов Au в SiO2 // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н. И. Лобачевского, T. 1.. 2013. С. 170-172.

Конаков А.А., Гусейнов Д.В., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Попков С.А., Бурдов В.А. Спиновая релаксация электронов проводимости в кремнии, легированном мелкими донорами // XVIII Нижегородская сессия молодых ученых. Естественные, математические науки. 28–31 мая 2013 г.. Отв. за вып. И.А. Зверева. – Н. Новгород: НИУ РАНХиГС. 2013. С. 42-43.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. Monoisotopic 28Si and 29Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized on donors and conduction electrons // GADEST 2013. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XV. 22nd to 27th September 2013, Oxford, UK. Programme and abstracts. Oxford, UK. 2013. P. 54-55.

Ежевский А.А., Конаков А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., N.V. Abrosimov, H. Riemann Исследование орбитально-вырожденных электронных состояний мелкого донорного центра лития в моноизотопном кремнии 28Si // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XI РКФП). Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. 2013. С. 354.

Публикации в научных журналах

Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Попков С.А., Гусев А.В., Гавва В.А., Abrosimov N.V., Riemann H. Моноизотопный кремний 28Si в спектроскопии спинового резонанса электронов, локализованных на донорах // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 47. 2013. С. 168-173.

Tetelbaum D.I., Guseinov D.V., Mikhaylov A.N., Vasiliev V.K., Belov A.I., Korolev D.S., Obolensky S.V., Kachemtsev A.N. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 2013. [принято к печати]

Степанов А.В., Филиппов Г.М., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Моделирование и экспериментальное изучение каналирования ионов в массивах углеродных нанотрубок // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2 (2). 2013. [принято к печати]

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Temperature Renormalization of the Conduction Electron g-Factor in Silicon // Semiconductors. V. 47. 2013. P. 169.

Guseinov D.V., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Popkov S.A., Gusev A.V., Gavva V.A., Abrosimov N.V., Riemann H Monoisotopic silicon 28Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized at donors // Semiconductors. № 47. V. 2. 2013. P. 203-208.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Попков С.А., Гусейнов Д.В., Гусев А.В., Гавва В.А., Зверев Д.Г., Абросимов Н.В., Riemann H. ВЛИЯНИЕ ДЕФОРМАЦИЙ НА СПЕКТРЫ ЭПР ДОНОРНЫХ ЦЕНТРОВ ЛИТИЯ И ЖЕЛЕЗА В МОНОИЗОТОПНОМ 28Si // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия Физика твердого тела.. № 2. 2013. С. 79-87.

2012

Труды (тезисы) конференции

Тетельбаум Д.И., Костюк А.Б., Федонин М.П., Гусейнов Д.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Структурные аспекты ионно-лучевой модификации ансамбля наночастиц золота в оксидных матрицах // Труды XVI Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 12–16 марта 2012, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ, Т. 2. 2012. С. 402-403.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Особенности ионно-лучевого воздействия на структуру слоев оксидов кремния и алюминия, содержащих нанокластеры Au // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 39.

Попков С.А., Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Шенгуров В.Г., Кузнецов О.А., Гусев А.В. Исследование мелкого донорного центра в слоях SiGe/Si с изменены изотопным составом // Тезисы докладов IX-ой Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2012». Санкт-Петербург, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, 9-13 июля 2012 г.. 2012. С. 190.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Температурная перенормировка g-фактора электронов проводимости в кремнии // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVI международного симпозиума, 12-16 марта 2012 г., Нижний Новгород. Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 1. 2012. С. 271.

Конаков А.А., Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Попков С.А., Бурдов В.А. Влияние легирования мелкими донорами на спиновую релаксацию и g-фактор электронов проводимости в кремнии // IX Международная конференция и VIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе «Кремний-2012», 9-13 июля 2012 г., Санкт-Петербург. Книга тезисов. Санкт-Петербург. 2012. С. 176.

Konakov A.A., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A., Burdov V.A. Renormalization of the conduction electron Lande g-factor in silicon // ICPS 2012. 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd, 2012. Final Program. ETH Zurich. 2012. P. 94.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Abrosimov N.V., Riemann H., Konakov A.A. Valley spin-orbit interaction for the triplet and doublet 1s-ground states of lithium donor center in silicon-28 // ICPS 2012. 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd, 2012. Final Program. ETH Zurich. 2012. P. 100.

Публикации в научных журналах

Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Жаворонков И.Ю., Королев Д.С., Нежданов А.В., Ершов А.В., Гусейнов Д.В., Грачева Т.А., Малыгин Н.Д., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Особенности формирования и свойства светоизлучающих структур на основе ионно-синтезированных нанокристаллов кремния в матрицах SiO2 и Al2O3 // Физика твердого тела. № 2. Т. 54. 2012. С. 347-359.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Николичев Д.Е., Боряков А.В. Влияние ионного облучения на морфологию, структуру и оптические свойства наночастиц золота, синтезированных в диэлектрических матрицах SiO2 и Al2O3 // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 8. 2012. С. 58-64.

Ежевский А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кузнецов О.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Исследование спектров электронного спинового резонанса в SiGe/Si гетерослоях, легированных фосфором // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 230-232.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kuznetsov O.A., Shengurov V.G., Denisov S.A. Investigating the Spectra of Electron Spin Resonance in SiGe/Si Heterolayers Doped with Phosphorous // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 2. V. 76. 2012. P. 201-203.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Температурная перенормировка g-фактора электронов проводимости в кремнии // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1604-1608.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Kostyuk A.B., Zhavoronkov I.Yu., Korolev D.S., Nezhdanov A.V., Ershov A.V., Guseinov D.V., Gracheva T.A., Malygin N.D., Demidov E.S., Tetelbaum D.I. Peculiarities of the Formation and Properties of Light-Emitting Structures Based on Ion-Synthesized Silicon Nanocrystals in SiO2 and Al2O3 Matrices // Physics of the Solid State. № 2. V. 54. 2012. P. 368-382.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Fedonin M.P., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Nikolitchev D.E., Boryakov A.V. Influence of Ion Irradiation on the Morphology, Structure, and Optical Properties of Gold Nanoparticles Synthesized in SiO2 and Al2O3 Dielectric Matrices // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 4. V. 6. 2012. P. 681-687.

Ежевский А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Abrosimov N.V., Riemann H. Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом 28Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 46. 2012. С. 1468-1474.

Сухоруков А.В., Ежевский А.А., Попков С.А., Гусейнов Д.В., Гусев А.В. ВКЛАД СВЕРХТОНКОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В ПРОЦЕССЫ СПИНОВОЙ РЕЛАКСАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДИМОСТИ В КРЕМНИИ // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Серия физика твердого тела. № 3. Т. 1. 2012. С. 34-36.

2011

Труды (тезисы) конференции

Костюк А.Б., Федонин М.П., Белов А.И., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Дудин Ю.А., Гусейнов Д.В., Михайлов А.Н., Рассолова И.С., Карзанов В.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения на свойства нанокластеров золота и кремния в диэлектрических матрицах // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.1. 2011. С. 188-189.

Лаптев Д.А., Менделева Ю.А., Гусейнов Д.В., Сидоренко К.В., Тетельбаум Д.И. Принципы формирования наноструктурированных и квазиоднородных слоев на кремнии путем дефектообразования при ионном облучении и их оптические свойства // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 440-441.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Лаптев Д.А., Королев Д.С., Федонин М.П., Ершов А.В., Чугров И.А. Особенности радиационного повреждения нанокристаллических материалов при ионном облучении // Труды XX Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью ВИП-2011», Звенигород, 25–29 августа, 2011. Т.2. 2011. С. 41-44.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Fedonin M.P., Korolev D.S., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N. Modification of Au nanoclusters embedded into oxide matrices by ion irradiation: computer simulation and experiment // Abstracts of 20th International Conference on Ion Beam Analysis (IBA 2011), Itapema, Brazil, 10-15 April, 2011. 1 p. 2011. P. 34.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Сидоренко К.В., Костюк А.Б., Гусейнов Д.В., Федонин М.П., Лаптев Д.А. Влияние динамических и химических факторов на оптические свойства диэлектрических слоёв с нановключениями золота при ионной имплантации // Тезисы докладов XIV Всероссийской конференции и VI Школы молодых ученых “Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение”, Нижний Новгород, 30 мая – 2 июня, 2011. 1 стр. 2011. С. 228.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Температурная зависимость g-фактора электронов проводимости в кремнии: теория и эксперимент // Вторая школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. Конспекты лекций и тезисы докладов. Издательство ННГУ, 131 С. 2011. С. 106-107.

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Temperature dependence of the conduction electron g-factor in silicon // XIV International Youth Scientific School «Actual problems of magnetic resonance and its application». Program. Lecture Notes. Proceedings. Издательство Казанского университета, 138 С. 2011. P. 120-123.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Влияние электрон-фононного взаимодействия на g-фактор электронов проводимости в кремнии // ХХХ научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова. Тезисы докладов конференции 20-21 декабря 2011 г. Издательство ННГУ, 189 С. 2011. С. 123-124.

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Electron g-factor in silicon: temperature dependence // International Conference «Resonances in condensed matter» devoted to the centenary of Professor S. A. Altshuler. Book of Abstracts. Издательство Казанского университета, 137 С. 2011. P. 93.

Публикации в научных журналах

Konakov A.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A., Burdov V.A. Lande factor of the conduction electrons in silicon: temperature dependence // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 324. 2011. P. 012027.

Konakov A.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A., Burdov V.A. Temperature dependence of the conduction electron g-factor in silicon: theory and experiment // Magnetic Resonance in Solids. Electronic Journal. № 2. V. 13. 2011. P. 14-20.

Патенты, авторские свидетельства

2017

Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Филатов Д.О., Гусейнов Д.В., Шенгуров Д.В., Горшков А.П., Волкова Н.С., Алябина Н.А. Применение вакуумного осаждения германия из газовой среды германа в качестве способа удаления диоксида кремния с рабочей поверхности кремниевой подложки и способ изготовления монокристаллической плёнки германия на кремниевой подложке, включающий указанное применение (Патент).

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Шарапов А.Н. Способ имитационного тестирования стойкости приборной структуры к облучению быстрыми нейтронами (варианты) (Патент).

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского