Горшков Олег Николаевич

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2022

Mikhailov A.N., Koryazhkina M.N., Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Antonov I.N., Shuiskii R.A., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shenina M.E., Gryaznov E.G., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Gorshkov O.N., Spanyolo B Resistive switching in metal-oxide memristive materials and devices. Amsterdam: Elsevier, chapter 2, pp. 33-78. 2022.

Mikhailov A.N., Koryazhkina M.N., Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Antonov I.N., Shuiskii R.A., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shenina M.E., Gryaznov E.G., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Gorshkov O.N., Emelyyanov A.V., Nikirui K.E., Rylykov V.V., Demin V.A., Spanyolo B Technology and neuromorphic functionality of magnetron-sputtered memristive devices. Amsterdam: Elsevier, chapter 4, pp. 109-131. 2022.

Kochergin V.S., Yakimov A.V., Klyuev A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Mikhailov A.N., Sunyaikin D.V., Shtraub N.I., Vasileiadis N., Dimitrakis P., Spagnolo B. Effect of SiO2 sublayer on the retention characteristics of nanometer-sized Si3N4 memristive devices investigated by low-frequency noise spectroscopy // Japanese Journal of Applied Physics. № SM1013. V. 61. 2022. P. 1-7.

Filatov D.O., Novikov A.S., Shenina M.E., Antonov I.N., Nezhdanov A.V., Kazantseva I.A., Gorshkov O.N. Scanning Kelvin Probe Microscopy investigation of optically induced charge in Au nanoparticles embedded into ZrO2(Y) films // Technical Physics. V. 67. 2022. P. 12.

Yakimov A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Klyuev A.V., Shtraub N.I, Kochergin V.S., Spagnolo B. Corrigendum to “Influence of oxygen ion elementary diffusion jumps on the electron current through the conductive filament in yttria stabilized zirconia nanometer sized memristor” [Chaos, Solitons Fractals 148 (2021) 111014] // Chaos, Solitons and Fractals. V. 162. 2022. P. 112652-112653.

2021

Филатов Д.О., Шенина М.Е., Роженцов И.А., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Новиков А.С., Ершов А.В., Горшков А.П., Горшков О.Н. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе плёнок ZrO2(Y) с наночастицами Au // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т., том 2. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. 2 страницы. 2021. С. 893-894.

Koryazhkina M.N., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Shchanikov S.A., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Agudov N.V., Dubkov A.A., Valenti D., Spagnolo B. Noise-induced resistance switching of the SiO2-based memristor // MEMRISYS 2021 4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems. 49 p.. 2021. P. 37.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Novikov A.S., Shishmakova V.A., Shenina M.E., Belov A.I., Antonov I.N., Mikhailov A.N., Gorshkov O.N., Agudov N.V., Spanyolo B. Relaxation times to the stationary state of ZrO2(Y)-based memristor // MEMRISYS 2021 4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems. 49 p.. 2021. P. 38.

Коряжкина М.Н., Филатов Д.О., Новиков А.С., Шишмакова В.А., Шенина М.Е., Белов А.И., Антонов И.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Агудов Н.В., Спаньоло Б. РЕЛАКСАЦИЯ РЕЗИСТИВНОГО СОСТОЯНИЯ МЕМРИСТОРОВ НА ОСНОВЕ СТАБИЛИЗИРОВАННОГО ДИОКСИДА ЦИРКОНИЯ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ПАРАМЕТРОВ ШУМОВОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ // Материалы 24-й Всероссийской молодежной научной конференции "Актуальные проблемы физической и функциональной электроники". 240 c.. 2021. С. 174-175.

Koryazhkina M.N., Belov A.I., Shenina M.E., Antonov I.N., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Agudov N.V., Dubkov A.A., Spagnolo B. EFFECT OF EXTERNAL NOISE ON THE RESISTIVE STATE OF THE MEMRISTIVE STRUCTURES BASED ON ZRO2(Y) // Труды XXV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород, ННГУ, 562 с.. 2021. P. 464-466.

Spagnolo B., Dubkov A.A., Agudov N.V., Yakimov A.V., Mikhailov A.N., Gorshkov O.N., Filatov D.O., Demin V.A., Karollo A., Valenti D. PHYSICS OF COMPLEX SYSTEMS: MULTISTABILITY, NONEQUILIBRIUM PHENOMENA AND ENVIRONMENTAL NOISE // Труды XXV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород, ННГУ, 562 с.. 2021. P. 483-486.

Kochergin V.S., Yakimov A.V., Klyuev A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Mikhailov A.N., Sunyaikin D.V., Shtraub N.I., Dimitrakis P., Spagnolo B. Effect of SiO2 sublayer on degradation of Si3N4 based nanometer sized memristive systems // 4th International Conference on Memristive Materials, Devices and Systems. MEMRISYS 2021, November 1–4, 2021. Tsukuba, Japan. MEMRISYS 2021. 4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems. 2021.11.1 [MON] – 4 [THU]. TSUKUBA, JAPAN. ABSTRACTS of Poster Presentations. 49 p. P-35. 2021. P. P-35.

Mikhailov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Korolev D.S., Shishmakova V.A., Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Maldonado D., Alonso F.J., Roldan J.B., Krichigin A.V., Agudov N.V., Dubkov A.A., Karollo A., Spagnolo B. Stochastic resonance in a metal-oxide memristive device // Chaos, Solitons and Fractals. V. 144. 2021. P. 110723 (1-12).

Ryabova M.A., Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kharcheva A.A., Dubkov A.A. Resonant activation of resistive switching in ZrO2(Y) films // Journal of Physics: Conference Series. V. 1851. 2021. P. 012003 (1-6).

Yakimov A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Klyuev A.V., Shtraub N.I., Kochergin V.S., Spagnolo B. Influence of oxygen ion elementary diffusion jumps on the electron current through the conductive filament in yttria stabilized zirconia nanometer sized memristor // Chaos, Solitons and Fractals. V. 148. 2021. P. 111014-1-111014-7.

Филатов Д.О., Шенина М.Е., Роженцов И.А., Коряжкина М.Н., Новиков А.С., Антонов И.Н., Ершов А.В., Горшков А.П., Горшков О.Н. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO2(Y) с наночастицами Au // Физика и техника полупроводников. № 55. Т. 9. 2021. С. 1-4.

Novikov A.S., Filatov D.O., Shenina M.E., Antonov I.N., Antonov D.A., Nezhdanov A.V., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. A mechanism of effect of optical excitation on resistive switching in ZrO2(Y) films with Au nanoparticles // Journal Physics D: Applied Physics. V. 54. 2021. P. 485303.

Vorontsov V.A., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Shenina M.E., Kotomina V.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Pavlov D.A., Filatov D.O., Gorshkov O.N. Investigation of resistive switching in Ag/Ge/Si(001) stack by conduc-tive atomic force microscopy // Journal of Physics: Conference Series. V. 2086. 2021. P. 012043(1-4).

Filatov D.O., Shenina M.E., Rozhentsov I.A., Koryazhkina M.N., Novikov A.S., Antonov I.N., Ershov A.V., Gorshkov A.P., Gorshkov O.N. Effect of Optical Illumination on Resistive Switching in MOS Structures Based on ZrO2(Y) Films with Au Nanoparticles // Semiconductors. № 9. V. 55. 2021. P. 1005-1008.

Филатов Д.О., Шенина М.Е., Роженцов И.А., Коряжкина М.Н., Новиков А.С., Антонов И.Н., Ершов А.В., Горшков А.П., Горшков О.Н. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO2(Y) с наночастицами Au // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 55. 2021. С. 754-757.

2020

Gorshkov O.N., Filatov D.O., Koveshnikov S.V., Shenina M.E., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Pavlov D.A., Vorontsov V.A., Kruglov A.V., Yakimov E.B. Bipolar resistive switching in memristors based on Ge/Si(001) epitaxial layer // 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, Russia, April 26 – 30, 2020. Book of Abstracts. St. Petersburg Academic University, 2020.- 543 pp. 2020. P. 434-435.

Суняйкин Д.В., Якимов А.В., Клюев А.В., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Михайлов А.Н., Dimitrakis P., Спаньоло Б. Анализ деградационных процессов в мемристивных элементах хранения информации // Труды XXIV научной конференции по радиофизике, посвященной 75-летию радиофизического факультета (Нижний Новгород, 13–31 мая 2020 г.).. Нижний Новгород: ННГУ, 2020. – 530 с. ISBN 978-5-91326-602-6. 2020. С. 450-453.

Штрауб Н.И., Якимов А.В., Клюев А.В., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Кочергин В.С., Спаньоло Б. Анализ атомных диффузионных процессов в мемристоре, как энергонезависимом устройстве хранения информации // Труды XXIV научной конференции по радиофизике, посвященной 75-летию радиофизического факультета (Нижний Новгород, 13–31 мая 2020 г.).. Нижний Новгород: ННГУ, 2020. – 530 с. ISBN 978-5-91326-602-6.. 2020. С. 454-457.

Filatov D.O., Shenina M.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. Resistive switching in memristors based on Ge/Si(001) epitaxial layers // 28th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology” . Minsk, Republic of Belarus, September 28 – October 2, 2020. Book of Abstracts Saint Petersburg Ioffe Institute, Russia, 2020.- 228 pp. 2020. P. 109-110.

Филатов Д.О., Табаков О.В., Новиков А.С., Кассин Г.Л., Белов А.И., Антонов И.Н., Шарков В.В., Окулич Е.В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Реакция мемристоров на основе плёнок SiO2 на внешний белый гауссовский шум // Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (10-13 марта, 2020, Нижний Новгород). Т. 2, 505 с.. 2020. С. 768-769.

Filatov D.O., Novikov A.S., Baranova V.N., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Koryazhkina M.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Carollo A., Spagnolo B. Experimental investigations of local stochastic resistive switching in yttria stabilized zirconia film on a conductive substrate // Journal of Statistical Mechanics: Theory and Experiment. № 2. V. 2020. 2020. P. 024005 (1-11).

Тихов С.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Антонов И.Н., Круглов А.В., Белов А.И., Филатов Д.О., Горшков О.Н., Михайлов А.Н. Резистивное переключение в структурах металл-оксид-полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния // Журнал технической физики. № 10. Т. 90. 2020. С. 1741-1749.

Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Mikhailov A.N. Electrophysical Characteristics of Multilayer Memristive Nanostruc-tures Based on Yttria-Stabilized Zirconia and Tantalum Oxide // Technical Physics. № 2. V. 65. 2020. P. 284–290.

Михайлов А.Н., Королев Д.С., Белов А.И., Герасимова С.А., Мищенко М.А., Гусейнов Д.В., Коряжкина М.Н., Тетельбаум Д.И., Филатов Д.О., Горшков О.Н., Агудов Н.В., Дубков А.А., Казанцев В.Б., Спаньоло Б. Мемристивные устройства под действием нейроноподобной активности и шума // Наноиндустрия. № S4 (99). Т. 13. 2020. С. 561-562.

Gorshkov O.N., Filatov D.O., Koveshnikov S.V., Shenina M.E., Soltanovich O.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Pavlov D.A., Vorontsov V.A., Kruglov A.V., Yakimov E.B. Bipolar resistive switching in memristors based on Ge/Si(001) epitaxial layers // Journal of Physics: Conference Series. V. 1695. 2020. P. 012158(1-5).

Antonov D.A., Antonov I.N., Belov A.I., Baranova V.N., Shenina M.E., Gorshkov O.N. Resistive Switching of Memristors Based on Stabilized Zirconia by Complex Signals // Physics of the Solid State. № 62. V. 4. 2020. P. 642-647.

Gorshkov O.N., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Kruglov A.V., Shenina M.E., Kotomina V.E., Filatov D.O., Serov D.A. Resistive Switching in Memristors Based on Ag/Ge/Si Heterostructures // Technical Physics Letters. № 46. V. 1. 2020. P. 91-93.

Filatov D.O., Shenina M.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Kruglov A.V., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. Resistive Switching in Memristors Based on Ge/Si(001) Epitaxial Layers // Semiconductors. № 14. V. 54. 2020. P. 1833-1835.

2019

Тихов С.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Сушков А.А., Милин В.Е., Зубков С.Ю., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н. Повышение воспроизводимости резистивного переключения в многослойных мемристивных наноструктурах на основе стабилизированного иттрием оксида циркония // Материалы ХХIII Международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". ННГУ им. Н.И.Лобачевского, т.2, 2 страницы. 2019. С. 758-759.

Филатов Д.О., Новиков А.С., Баранова В.Н., Антонов Д.А., Круглов А.В., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Индуцированное шумом резистивное переключение на контакте асм-зонда к пленке стабилизированного диоксида циркония на проводящей подложке // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 501-504.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Vrzheshch D.V., Tabakov O.V., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Spagnolo B. ZrO2(Y)/Ta2O5-based memristor response to white Gaussian noise // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. P. 497-500.

Табаков О.В., Филатов Д.О., Вржещ Д.В., Новиков А.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Резистивное переключение мемристора на базе тонкоплёночной структуры ZrO2(Y)/Ta2O5 шумовым сигналом // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 508-511.

Вржещ Д.В., Филатов Д.О., Табаков О.В., Новиков А.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Временные характеристики резистивного переключения мемристора на основе ZrO2(Y)/Ta2O5 под действием шумового сигнала // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 512-515.

Зубков С.Ю., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Павлов Д.А., Сушков А.А., Михайлов А.Н., Горшков О.Н. Исследование химического состава многослойных мемристивных систем на основе тонких диэлектрических пленок // Материалы XXIII Всероссийской конференции с международным участием РЭСХС-2019. Воронеж, 2019. 2019. С. 106.

Klyuev A.V., Yakimov A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Liskin D.A., Antonov I.N., Anikina Yu.I. Flicker noise spectroscopy as a tool for the measurement of activation energies of oxygen ion diffusion in memristor systems at fixed temperature // Proc. 25th International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF 2019). 18–21 June 2019, Neuchâtel, Switzerland. Neuchâtel, Switzerland. 378 p. https://icnf2019.epfl.ch/wp-content/uploads/2019/06/ICNF2019_Proceedings.pdf (password-protected). 2019. P. 136-139.

Аникина Ю.И., Якимов А.В., Филатов Д.О., Горшков О.Н., Антонов Д.А., Лискин Д.А., Антонов И.Н., Клюев А.В., Спаньоло Б. Определение энергий активации диффузии ионов кислорода в мемристивных системах методом фликкер–шумовой спектроскопии // Труды XXIII Научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова (Нижний Новгород, 13-21 мая 2019 г.). Нижний Новгород: ННГУ, 2019. – 581 с. http://www.rf.unn.ru/wp-content/uploads/sites/21/2019/09/2019_Mat-modelirovanie.pdf. 2019. С. 489-492.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Зубков С.Ю., Шенина М.Е., Милин В.Е., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Тихов С.В. Повышение воспроизводимости резистивного переключения в многослойных мемристивных наноструктурах на основе стабилизированного иттрием оксида циркония // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума. Нижний Новгород, 11-14 марта, Т.2. 2019. С. 758-759.

Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Belov A.I., Gerasimova S.A., Guseinov D.V., Tikhov S.V., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Koryazhkina M.N., Agudov N.V., Dubkov A.A., Emelyyanov A.V., Nikiruy K.E., Demin A.V., Spanyolo B. From device engineering and adaptive programming to stochastic multistable models of metal-oxide memristors // International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems (MEMRISYS). Conference Proceedings. Dresden, Germany, 8-11 July. 2019. P. 98.

Korolev D.S., Okulich E.V., Koryazhkina M.N., Shuiski R.A., Belov A.I., Shenina M.E., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Okulich V.I., Antonov I.N., Dudin Yu.A., Spagnolo B. Effect of irradiation with Si+ ions on resistive switching in memristive structures based on yttria-stabilized zirconia and silicon dioxide // International Conference “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)”. Book of abstracts. Erice, Italy, October 18-21. 2019. P. 27.

Gorshkov O.N., Yakimov A.V., Filatov D.O., Antonov D.A., Liskin D.A., Antonov I.N., Klyuev A.V., Anikina Yu.I., Spagnolo B. Flicker noise spectroscopy as a tool for the measurement of activation energies of oxygen ion diffusion in memristor systems at fixed temperature // International Conference “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors” (nes2019). 18–21 October 2019, Erice, Italy. Site: https://nes2019.sciences-conf.org/data/BookAbstract.pdf. 52 p. 2019. P. 21-21.

Dubkov A.A., Kharcheva A.A., Koryazhkina M.N., Gorshkov O.N., Filatov D.O., Spanyolo B. Stationary probabilistic characteristics of memristor in circuit with capacitor and colored Gaussian voltage source // Book of abstracts of “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)” (October 18-21, 2019, Erice, Italy). 1. 2019. P. 16.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Vrzheshch D., Tabakov O., Novikov A.S., Kharcheva A.A., Belov A.I., Antonov I.N., Sharkov V.V., Mikhailov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Valenti D., Spanyolo B. Statistical analysis of ZrO2(Y)/Ta2O5-based memristor response to white Gaussian noise // Book of abstracts of “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)” (October 18-21, 2019, Erice, Italy). 1. 2019. P. 25.

Филатов Д.О., Коряжкина М.Н., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Лискин Д.А., Рябова М.А., Горшков О.Н. Исследование методом атомно-силовой микроскопии резистивного переключения сложными сигналами в пленках стабилизированного диоксида циркония // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (11-14 марта 2019, Нижний Новгород). Т. 1, 544 с.. 2019. С. 402-403.

Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Liskin D.A., Ryabova M.A., Gorshkov O.N. Conductive Atomic Force Microscopy study of local resistive switching by a complex signal in the yttria stabilized zirconia films // 3rd International Conference Scanning Probe Microscopy. 4th Russia-China Workshop on Dielectric and Ferroelectric Materials. International Youth Conference Functional Imaging of Nanomaterials. (Ekaterinburg, August 25-28, 2019). 301 c.. 2019. P. 177-178.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Белов А.И., Антонов И.Н., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н. Механизм токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах стабилизированного иттрием диоксида гафния // Журнал технической физики. № 6. Т. 89. 2019. С. 933-940.

Emelyanov A.V., Nikiruy K.E., Demin V.A., Rylkov V.V., Belov A.I., Korolev D.S., Gryaznov E.G., Pavlov D.A., Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Dimitrakis P. Yttria-stabilized zirconia cross-point memristive devices for neuromorphic computing // Microelectronic Engineering. V. 215. 2019. P. 110988.

Yakimov A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Liskin D.A., Antonov I.N., Belyakov A.V., Klyuev A.V., Carollo A., Spagnolo B. Measurement of the activation energies of oxygen ion diffusion in yttria stabilized zirconia by flicker noise spectroscopy // Applied Physics Letters. V. 114. 2019. P. 253506-1-25306-5.

Filatov D.O., Vrzheshch D.V., Tabakov O.V., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Sharkov V.V., Koryazhkina M.N., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Carollo A., Spagnolo B. Noise-induced resistive switching in a memristor based on ZrO2(Y)/Ta2O5 stack // Journal of Statistical Mechanics: Theory and Experiment. V. 2019. 2019. P. 124026 (1-14).

Liskin D.A., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Novikov A.S. Investigation of the Local Photoconductivity of ZrO2(Y) Films with Embedded Au Nanoparticles by Conductive Atomic Force Microscopy // Journal of Surface Investigation. № 13. V. 3. 2019. P. 424-428.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Antonov I.N., Antonov D.A., Shenina M.E., Gorshkov O.N. Observation of Quantum-Size Effects in a Study of Resistive Switching in Dielectric Films with Au Nanoparticles via Tunneling Atomic Force Microscopy // Journal of Surface Investigation. № 13. V. 1. 2019. P. 23-29.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Belov A.I., Antonov I.N., Morozov A.I., Koryazhkina M.N., Mikhailov A.N. Mechanisms of Current Transport and Resistive Switching in Capacitors with Yttria-Stabilized Hafnia Layers // Technical Physics. № 6. V. 64. 2019. P. 873–880.

Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Liskin D. A., Ryabova M.A., Gorshkov O.N. Atomic-Force Microscopy of Resistive Nonstationary Signal Switching in ZrO2(Y) Films // Technical Physics. № 11. V. 64. 2019. P. 1579–1583.

Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Liskin D. A., Ryabova M.A., Gorshkov O.N. Investigation of resistive switching by non-stationary signals in ZrO2(Y) films by atomic force microscopy // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. № 1. V. 699. 2019. P. 012012.

2018

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Mikhailov A.N., Korolev D.S., Koryazhkina M.N., Ryabova M.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Pavlov D.A., Dunaevskii M.S. Investigation of local charge accumulation in yttria stabilized zirconia films with Au nanoparticles by Scanning Kelvin Probe Microscopy // “Saint Petersburg OPEN 2018” 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. St Petersburg, Russia, April 2-5, 2018. BOOK of ABSTRACTS. Academic University Publishing St. Petersburg, 2018, 621 p.. 2018. P. 573-574.

Koryazhkina M., Antonov I., Gorshkov O., Mikhailov A., Belov A., Shenina M., Pigareva Ya., Pimashkin A., Filatov D., Agudov N., Dubkov A., Kharcheva A., Valenti D., Spagnolo B. Statistical analysis of memristor response to complex electric activity // 15th Course of the INTERNATIONAL SCHOOL OF STATISTICAL PHYSICS New Trends in Nonequilibrium Statistical Mechanics: Classical and Quantum Systems. Ettore Majorana Foundation and Centre for Scientific Culture, 59pp. 2018. P. 25.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., P. Karakolis2, P. Dimitrakis Особенности поведения МДП-мемристоров с нанослоем Si3N4, изготовленных на основе проводящей подложки из кремния // Материалы XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний новгород издательство ННГУ, т.2, с.775-776. 2018. С. 775-776.

Котов А.В., Горшков О.Н., Ершов А.В., Шенина М.Е., Антонов И.Н. Резистивные переключения в МДМ-структурах, сформированных электронно-лучевыми и магнетронными методами на основе слоевого диэлектрика ZrOx/AlOy // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тез. докл. VII Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 7–9 нояб. 2018 г.). – Н. Новгород, 174 с. 2018. С. 154–155.

Sidorenko K.V., Shenina M.E., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N. Self-consistent Monte-Carlo simulation of ion, electron and heat transport in ZrO2(Y)-based memristive nanostructures // E-MRS Spring Meeting 2018. Abstracts, France, Strasbourg. 2018. P. K.P1.32.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Zubkov S.Yu., Shenina M.E., Milin V.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N. Improvement of resistive switching reproducibility by stabilized oxygen exchange in Au/Ta/ZrO2(Y)/Ta2O5/TiN/Ti devices // INTERNATIONAL WORKSHOP From ReRAM and Memristors to new Computing Paradigms. Book of Abstracts, Rethymno, Crete, Greece, October 28-31, 35 стр. 2018. P. 18.

Korolev D.S., Belov A.I., Antonov I.N., Gerasimova S.A., Pigareva Ya.I., Pimashkin A.S., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N. Dynamic response of metal-oxide memristive devices to complex electric signals // INTERNATIONAL WORKSHOP From ReRAM and Memristors to new Computing Paradigms. Book of Abstracts, Rethymno, Crete, Greece, October 28-31, 35 стр. 2018. P. 15.

Королев Д.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Герасимова С.А., Пигарева Я.И., Пимашкин А.С., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Мемристивные структуры на основе оксидных диэлектриков для применения в нейроморфных системах нового поколения // Сборник докладов VIII Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела». Минск: Ковчег, Минск, Беларусь, 24-28 сентября, Т.2, 286 стр. 2018. С. 249-250.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Okulich E.V., Okulich V.I., Shuisky R.A., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Stepanov A.V., Gorshkov O.N. Ion Implantation in the Technology of Metal-Oxide Memristive Devices // XII International Conference on Ion implantation and other applications of ions and electrons. Book of Abstracts, Kazimierz Dolny, Poland, June 18-21, 137 стр. 2018. P. 122.

Коряжкина М.Н., Окулич Е.В., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шуйский Р.А., Антонов И.Н., Васильев В.К. Влияние облучения ионами Si и постимплантационного отжига на параметры резистивного переключения в мемристивных структурах на основе // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 150.

Роженцов И.А., Горшков О.Н., Шенина М.Е., Антонов И.Н., Филатов Д.О., Горшков А.П. Влияние наночастиц золота на резистивные переключения в мдп-структурах, сформированных методом магнетронного осаждения // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 7–9 ноября 2018 г.). Н. Новгород, 2018.. 2018. С. 155-156.

Pimashkin A.S., Pigareva Ya.I., Gerasimova S.A., Belov A.I., Gorshkov O.N., Kazantsev V.B., Mikhailov A.N. Decoding spiking activity of neuronal cultures using memristive devices // 11th FENS forum of neuroscience. Decoding spiking activity of neuronal cultures using memristive devices. A. Pimashkin, Y. Pigareva, S. Gerasimova, A. Belov, D. Koralev, O. Gorshkov, V. Kazantsev, A. Mikhailov // 11th FENS forum of neuroscience. 2018. Berlin, Germany, July 7-11, 2018. 2018. P. -.

Gerasimova S.A., Pimashkin A.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Pigareva Ya.I., Gorshkov O.N., Kazantsev V.B. Adaptive Behavior of Memristive Device Stimulated by Neuron-Like Signal // Opera Medica et Physiologica. Adaptive Behavior of Memristive Device Stimulated by Neuron-Like Signal / S.A. Gerasimova*, A.N. Mikhaylov, D.S. Korolev, A.I. Belov, I.N. Antonov, D.V. Guseinov, Ya.I. Pigareva, A.S. Pimashkin, O.N. Gorshkov, V.B. Kazantsev // Opera Medica et Physiologica. S1, Vol. 4. 2018. Proceedings of Volga Neuroscience Meeting 2018. N. Novgorod-Samara, July 22-27, 2018. P. 90.. 2018. P. 90.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Okulich E.V., Okulich V.I., Shuisky R.A., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N. Ion implantation in the technology of metal-oxide memristive devices. New York:: Nova Science Publishers, Inc. - Ion Implantation: Synthesis, Applications and Technology / A.D. Pogrebnyak (Ed.), ISBN: 978-1-53613-962-4.. 2018.

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Bipolar resistive switching in metal-insulator-semiconductor nanostructures based on silicon nitride and silicon oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 993. 2018. P. 012028.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Morozov A.I., Koryazhkina M.N., Filatov D.O. Ion Migration Polarization in the Yttria Stabilized Zirconia Based Metal-Oxide-Metal and Metal-Oxide-Semiconductor Stacks for Resistive Memory // Advances in Materials Science and Engineering. № 2018. V. 2018. 2018. P. 2028491 (8 p.).

Gerasimova S.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Guseinov D.V., Lebedeva A.V., Gorshkov O.N., Kazantsev V.B. Design of memristive interface between electronic neurons // AIP Conference Proceedings. № 1959. V. 1. 2018. P. 090005.

Mikhaylov A.N., Morozov O.A., Ovchinnikov P.E., Antonov I.N., Belov A.I., Korolev D.S., Sharapov A.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Pigareva Ya.I., Pimashkin A.S., Lobov S.A., Kazantsev V.B. One-Board Design and Simulation of Double-Layer Perceptron Based on Metal-Oxide Memristive Nanostructures // IEEE Transactions on Emerging Topics in Computational Intelligence. № 5. V. 2. 2018. P. 371-379.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., P. Karakolis Особенности поведения МДП-мемристоров с нанослоем Si3N4, изготовленных на основе проводящей подложки из кремния // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 52. 2018. С. 1436–1442.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Mikhaylov A.N., Belov A.I., P. Karakolis, P. Dimitrakis Behavioral Features of MIS Memristors with a Si3N4 Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1540–1546.

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Koryazhkina M.N., Ryabova M.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Pavlov D.A., Dunaevskiy M.S. Investigation of local charge accumulation in yttria stabilized zirconia films with Au nanoparticles by Scanning Kelvin Probe Microscopy // Journal of Physics: Conference Series. V. 1124. 2018. P. 081028.

Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors // Microelectronic Engineering. V. 187-1. 2018. P. 134-138.

Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Antonov I.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N. Manipulation of resistive state of silicon oxide memristor by means of current limitation during electroforming // Superlattices and Microstructures. V. 122. 2018. P. 371-376.

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Bipolar resistive switching in metal-insulator-semiconductor nanostructures based on silicon nitride and oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 993. 2018. P. 012028.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Morozov A.N., Karakolis P., Dimitrakis P. Behavioral Features of MIS Memristors with a Si3N4 Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1540-1546.

Филатов Д.О., Карзанов В.В., Антонов И.Н., Горшков О.Н. Особенности переключения мемристорных структур в высокоомное состояние пилообразными импульсами // Письма в Журнал технической физики. № 24. Т. 44. 2018. С. 88-93.

Filatov D.O., Antonov I.N., Sinutkin D.Yu., Liskin D.A., Gorshkov A.P., Gorshkov O.N., Kotomina V.E., Shenina M.E., Tikhov S.V., Korotaeva I.S. Plasmon Resonance Induced Photoconductivity in the Yttria Stabilized Zirconia Films with Embedded Au Nanoclusters // Semiconductors. № 4. V. 52. 2018. P. 465–467.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Морозов А.И., Белов А.И., Karacolis P., Dimitrakis P. Особенности биполярного переключения в МДП-стркутурах на основе проводящего кремния // Физика и техника полупроводников. № 2018. Т. 12. 2018. С. 1436.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Antonov D.A., Shenina M.E., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. Conductive Atomic Force Microscopy Study of the Resistive Switching in Yttria-Stabilized Zirconia Films with Au Nano-particles // Scanning. V. 2018. 2018. P. Article ID 5489596, 9 pages.

Zubkov S.Yu., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Pavlov D.A., Shenina M.E. X-Ray Photoelectron Spectroscopy of Stabilized Zirconia Films with Embedded Au Nanoparticles Formed under Irradiation with Gold Ions // Physics of the Solid State. № 3. V. 60. 2018. P. 598-602.

Zubkov S.Yu., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Kryukov R.N., Pavlov D.A., Shenina M.E. X-Ray Photoelectron Spectroscopy of Stabilized Zirconia Films with Embedded Au Nanoparticles Formed under Irradiation with Gold Ions // Physics of the Solid State. № 3. V. 60. 2018. P. 603-607.

Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shuisky R.A., Antonov I.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N. Manipulation of resistive state of silicon oxide memristor by means of current limitation during electroforming // Superlattices and Microstructures. V. 122. 2018. P. 371-376.

2017

Тихов С.В., Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н., Морозов А.И. Процессы поляризации ионов в стабилизированном диоксиде циркония в МДМ- и МДП-наноконденсаторах // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 13-16 марта 2017). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 402 с.. 2017. С. 738-739.

Филатов Д.О., Лискин Л.А., Горшков О.Н., Горшков А.П., Антонов И.Н., Котомина В.Е., Тихов С.В., Коротаев И.С., Синуткин Д.Ю. Фотопроводимость пленок ZrO2(Y) c встроенными наночастицами Au, индуцированная плазменным резонансом. // Материалы ХХI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника".. HHГУ, Нижний Новгород, т. 2. 2017. С. 738-739.

Горшков О.Н., Тихов С.В., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Коряжкина М.Н., Сидоренко К.В., Мухаматчин К.Р., Антонов И.Н., Касаткин А.П. Микроскопические эффекты в структурах на основе стабилизированного диоксида циркония, проявляющих резистивное переключение // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 13-16 марта 2017). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 402 с.. 2017. С. 563-564.

Королев Д.С., Окулич Е.В., Шуйский Р.А., Окулич В.И., Белов А.И., Антонов И.Н., Васильев В.К., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Влияние ионно-лучевой обработки на параметры электроформовки и резистивного переключения мемристивных наноструктур // Материалы докладов, 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь, 19-22 сентября. 2017. С. 152-153.

Сидоренко К.В., Горшков О.Н., Касаткин А.П. Применение метода кинетического Монте-Карло для расчета ВАХ и теплопереноса в мемристивных структурах на основе стабилизированного диоксида циркония // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 13-16 марта 2017). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Лобачевского, Т. 2, 402 с.. 2017. С. 716-717.

Gorshkov O.N., Filatov D.O., Antonov D.A., Shenina M.E., Pavlov D.A. An oscillator based on a single Au nanocluster // Journal of Applied Physics. № 1. V. 121. 2017. P. 014308 (1-6).

Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shenina M.E., Korolev D.S., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Okulich E.V., Okulich V.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G. Filamentary model of bipolar resistive switching in capacitor-like memristive nanostructures on the basis of yttria-stabilised zirconia // International Journal of Nanotechnology. № 7/8. V. 14. 2017. P. 604-617.

Liskin D. A., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Gorshkov A.P., Antonov I.N., Shenina M.E., Zubkov S.Yu., Sinutkin D.S. Plasmon resonance induced photoconductivity of ZrO2(Y) films with embedded Au nanoparticles // Journal of Physics: Conference Series. № 816. V. 1. 2017. P. 012010.

Gorshkov O.N., Antonov I.N., Filatov D.O., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Bobrov A.I., Koryazhkina M.N., Kudryashov M.A., Korotaeva I. S. Fabrication of metal nanoparticle arrays in the ZrO2(Y), HfO2(Y), and GeOx films by magnetron sputtering // Advances in Materials Science and Engineering. V. 2017. 2017. P. 1759469.

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Shenina M.E., Sinutkin D.Yu., Zenkevich A.V., Matveev Yu.A. The generation of the electrical oscillations in a contact of an AFM probe to an individual Au nanoparticle in a SiO2/Si film // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. № 256. V. 1. 2017. P. 012006.

Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Павлов Д.А., Шенина М.Е. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота // Физика твердого тела. № 3. Т. 18. 2017. С. 591-595.

Герасимова С.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Горшков О.Н., Казанцев В.Б. Имитация синаптической связи нейроноподобных генераторов с помощью мемристивного устройства // Журнал технической физики. № 87. Т. 8. 2017. С. 1248-1254.

Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., P. Karakolis, P. Dimitrakis Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors // Microelectronic Engineering. № 187. V. 188. 2017. P. 134-138.

2016

Сатанин А.М., Горшков О.Н., Дербенева Н.В., Мухаматчин К.Р. Численное моделирование электронных состояний в диоксиде циркония с кислородными вакансиями и примесями иттрия // Вычислительные технологии в естественных науках. М.: Том 1, 12 стр.. 2016. С. 201.

Коряжкина М.Н., Тихов С.В., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н. Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник // Материалы XX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 14-18 марта 2016). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 406 с.. 2016. С. 626-627.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бобров А.И., Коряжкина М.Н., Нежданов А.В., Кудряшов М.А. Формирование методами магнетронного осаждения металлических наночастиц в матрицах ZrO2(Y), HfO2(Y) и GeOx для мемристорных структур // Материалы XX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 14-18 марта 2016). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 406 с. 2016. С. 543-544.

Gorshkov O.N., Mikhailov A.N., Belov A.I., Koryazhkina M.N., Malekhonova N.V., Antonov I.N., Shenina M.E. Resistive Switching in the Au/Zr/ZrO2–Y2O3/TiN Nanostacks // “Saint Petersburg OPEN 2016” 3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. St Petersburg, Russia, March 28 – 30, 2016. BOOK of ABSTRACTS. Academic University Publishing St. Petersburg, 2016, 600 p.. 2016. P. 332-333.

Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Belov A.I., Shenina M.E., Koryazhkina M.N., Guseinov D.V., Okulich V.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Antonov D.A., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching in capacitor-like structures based on ionic and covalent oxide dielectrics // Abstracts 20th International Symposium On Non-Oxide and New Optical Glasses. Nizhny Novgorod, Russia, August 21-26, 2016. 2016. P. 103-104.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н., Вихрова О.В., Морозов А.И. Электрофизические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе n-GaAs с квантовыми точками InAs, Выращенными на поверхности слоя n-GaAs // Материалы XX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 14-18 марта 2016). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 406 с.. 2016. С. 750-751.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П. Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл−диэлектрик−полупроводник // Письма в Журнал технической физики. № 3. Т. 42. 2016. С. 52-60.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Королев Д.С., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах металл-диэлектрик –металл на основе SiOx // Жтф. Т. 5. 2016. С. 107-114.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П. Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл--диэлектрик--полупроводник на основе кремния // Письма в Журнал технической физики. № 10. Т. 42. 2016. С. 78-84.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Филатов Д.О., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бобров А.И., Павлов Д.А. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления // Письма в ЖТФ. № 1. Т. 42. 2016. С. 72-79.

Gorshkov O.N., Antonov I.N., Filatov D.O., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Forming Dense Arrays of Gold Nanoparticles in Thin Films of Yttria Stabilized Zirconia by Magnetron Sputtering // Technical Physics Letters. № 1. V. 42. 2016. P. 36-39.

Белов А.И., Михайлов А.Н., Королев Д.С., Сергеев В.А., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiOx/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки // Письма в журнал технической физики. № 10. Т. 42. 2016. С. 17-24.

Belov A.I., Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Okulich E.V., Sergeev V.A., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Kozlovski V.V. Medium-energy ion-beam simulation of the effect of ionizing radiation and displacement damage on SiO2-based memristive nanostructures // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. V. 379. 2016. P. 13-17.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiOx // Журнал технической физики. № 5. Т. 86. 2016. С. 107-111.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I. Adaptive behaviour of silicon oxide memristive nanostructures // Journal of Physics: Conference Series. V. 741. 2016. P. 012161.

Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Belov A.I., Koryazhkina M.N., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Gryaznov E.G., Antonov I.N., Shenina M.E. Resistive switching in the Au/Zr/ZrO2–Y2O3/TiN/Ti memristive devices deposited by magnetron sputtering // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 741. 2016. P. 012174.

Коряжкина М.Н., Тихов С.В., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н. Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1639-1643.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н., Вихрова О.В., Морозов А.И. Электрофизические свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе n-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя n-GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1615-1619.

Горшков О.Н., Марков К.А., Чувильдеев В.Н. Опыт организации подготовки кадров для высокотехнологичных отраслей промышленности. Высшее образование в России // Высшее образование в России. № 3. 2016. С. 132-137.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Koryazhkina M.N., Antonov I.N., Kasatkin A.P. Specific features of nonequilibrium depletion accompanied by the trapping of minority carriers by surface states in metal–insulator–semiconductor structures // Technical Physics Letters. № 2. V. 42. 2016. P. 138-142.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Koryazhkina M.N., Antonov I.N., Kasatkin A.P. Light-induced resistive switching in silicon-based metal–insulator–semiconductor structures // Technical Physics Letters. № 5. V. 42. 2016. P. 536-538.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Koryazhkina M.N., Kasatkin A.P., Antonov I.N., Vikhrova O.V., Morozov A.I. Physical properties of metal–insulator–semiconductor structures based on n-GaAs with InAs quantum dots deposited onto the surface of an n-GaAs layer // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1589–1594.

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Antonov I.N. Electrical and photoelectric properties of Si-based metal–insulator–semiconductor structures with Au nanoparticles at the insulator–semiconductor interface // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1614-1618.

2015

Шенина М.Е., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Касаткин А.П. Формирование металлических наночастиц в стабилизированном диоксиде циркония при имплантации ионов Ag // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 10-14 марта 2015). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 359 с.. 2015. С. 713-714.

Коряжкина М.Н., Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П. Электрофизические процессы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник, проявляющих эффекты резистивного переключения и памяти // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 10-14 марта 2015). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 359 с.. 2015. С. 543-544.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н., Коряжкина М.Н. Особенности поведения МДП-структур на основе эпитаксиальных слоев c пассивированной нанослоем InP поверхностью GaAs // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 10-14 марта 2015). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 359 с.. 2015. С. 665-666.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Efimovykh D.V., Antonov I.N., Okulich E.V., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tetelbaum D.I. Influence of ion irradiation on the resistive switching parameters of SiOx-based thin-film structures // 2nd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2015”. Book of abstracts. St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. 2015. P. 271-272.

Rosario C.M.M., Sobolev N.A., Kobeleva S.P., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Antonov I.N., Korolev D.S., Mikhailov A.N. Resistive switching and impedance spectroscopy in zirconium oxide-based mim structures // Proceedings of the International conference “Nanomeeting-2015”. Belarus, Minsk, 26-29 May, 2015. 2015. P. 544-547.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tetelbaum D.I. Effect of ion irradiation on resistive switching in silicon-oxide-based MIM structures // Proceedings of the International conference “Nanomeeting-2015”. Belarus, Minsk, 26-29 May, 2015. 2015. P. 88-90.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сергеев В.А., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения на параметры резистивного переключения в МДМ-структурах на основе оксида кремния // XXII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП 2015)». Труды. Москва, 20-24 августа, 2015. – Т.3. 2015. С. 101-104.

Грязнов Е.Г., Кузнецов С. Н., Горшков О.Н., Михайлов А.Н., Ятманов А.П. Исследование циклов запись-чтение в резистивных элементах памяти // Нижегородская сессия молодых ученых. Технические науки: Материалы докладов. (20; 2015)/Отв. За вып. Зверева И.А. - Н.Новгород: Гладкова О.В., 2015. - 263 с.. 2015. С. 100-101.

Shushunov A.N., Gorshkov O.N., Smirnova N.N., Knyazev A.V., Chigirinskii Yu.I., Efimov N.N. CALORIMETRIC AND MAGNETIC STUDY OF SYNTHETIC Ca2Ge(1-x)CrxO4 MIXED CRYSTALS // XX International Conference on Chemical Thermodynamics in Russia (RCCT-2015) (June 22-26,2015, Nizhni Novgorod): Abstracts.. Nizhni Novgorod: Nizhni Novgorod University Press, 2015. - 407 pp.. 2015. P. 173.

Горшков О.Н., Тихов С.В., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П. Формирование тонких плёнок GeOx методом магнетронного распыления для применения их в качестве диэлектрика в мемристорных структурах // Тезисы докладов XV конференции и VIII школы молодых ученых "Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение" (Н. Новгород, 26-29 мая 2015). Н. Новгород: Печатная мастерская РАДОНЕЖ, 216 с.. 2015. С. 173.

Золотарева Н. В., Семенов В.В., Мяков В.Н., Куликова Т.И., Арапова А.В., Фаерман В.И., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Котомина В.Е., Круглов А.В., Трушин В.Н., Треушников В.В., Треушников В.М. Формирование микроканалов в термоотверждаемом силиконовом каучуке с помощью нитевидных кристаллов n-аминобензойной кислоты // Известия Академии наук. Серия химическая. Т. 1. 2015. С. 189-195.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor // Materials Science and Engineering B. V. 195. 2015. P. 48-54.

Золотарева Н. В., Семенов В.В., Мяков В.Н., Куликова Т.И., Арапова А.В., Фаерман В.И., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Котомина В.Е., Круглов А.В., Трушин В.Н., Треушников В.В., Треушников В.М. Формирование микроканалов в термоотверждаемом силиконовом каучуке с помощью нитевидных кристаллов n-аминобензойной кислоты // Известия Академии наук. Серия химическая. № 1. 2015. С. 189-195.

Горшков О.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Филатов Д.О. Формирование нанокристаллов Au4Zr в стабилизированном диоксиде циркония в процессе имплантации ионов золота // Письма в ЖТФ. № 41. Т. 11. 2015. С. 62-70.

Gorshkov O.N., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Antonov I.N., Bobrov A.I., Filatov D.O. Formation of Au4Zr Nanocrystals in Yttria Stabilized Zirconia in the Course of Implantation of Gold Ions // Technical Physics Letters. № 6. V. 41. 2015. P. 543-546.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor // Materials Science and Engineering B. № 4. V. 194. 2015. P. 48-54.

Белов А.И., Михайлов А.Н., Королев Д.С., Сергеев В.А., Окулич Е.В., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Грязнов Е.Г., Ятманов А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние облучения ионами H+ и Ne+ на резистивное переключение в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiOx // Письма в журнал технической физики. № 19. Т. 41. 2015. С. 81-89.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I. Influence of ion irradiation on the resistive switching parameters of SiOx-based thin-film structures // Journal of Physics: Conference Series. V. 643. 2015. P. 012094.

2014

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Тихов С.В. Свойства структур Au/Zr/GeOx/ZrO2(Y)/TiN, проявляющих эффекты резистивного переключения и памяти // Труды ХVIII Международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника" (Н. Новгород, 10 -14 марта 2014). Н. Новгород, изд. ННГУ, Т. 2, 353 с.. 2014. С. 434-435.

Тихов С.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Королев Д.С., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Электрофизические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе оксида кремния, проявляющий эффект резистивного переключения // Труды ХY111 Международного симпозиума по Нанофизике и Наноэлектронике 10 -14 марта 2014. Нижний Новгород, том 2, 557-558. 2014. С. 557-558.

Коряжкина М.Н., Тихов С.В., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Шенина М.Е. Нелинейный характеристики конденсаторов на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота // Третья школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов (Н. Новгород, 15-17 мая 2014). Конспекты лекций и тезисы докладов. Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского. - 175 с. 2014. С. 135-136.

Шенина М.Е., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Касаткин А.П. Различия в ширине запрещенной зоны стабилизированного диоксида циркония вследствие неоднородного распределения стабилизирующей примеси // Третья школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов (Н. Новгород, 15-17 мая 2014). Конспекты лекций и тезисы докладов.. Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского. - 175 с. 2014. С. 153-154.

Шушунов А.Н., Горшков О.Н., Смирнова Н.Н., Князев А.В., Чигиринский Ю.И., Ефимов Н.Н. Влияние легирования ионами хрома на термодинамические свойства Сa2GeO4 // Материалы XIV Российской конференции (с международным участием) по теплофизическим свойствам веществ (РКТС - 14) в 2-х томах. Казань, 15-17 октября, 2014. "Отечество", Т. 1. 2014. С. 209-210.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Антонов И.Н., Ефимовых Д.В., Тихов С.В., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Резистивное переключение в структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе оксида кремния // Материалы ІV Международной научной конференции "Наноструктурные материалы-2014: Беларусь-Россия-Украина". Минск, 7-10 октября,. 2014. С. 355.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Ефимовых Д.В., Антонов И.Н., Тихов С.В., Касаткин А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Грязнов Е.Г. Влияние ионного облучения на параметры резистивного переключения в структурах «металл – оксид кремния – металл» // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014.. 2014. С. 36.

Горшков О.Н., Шенина М.Е., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Формирование металлических наночастиц различного состава в стабилизированном диоксиде циркония, облученного ионами Au // Тезисы докладов V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" 27-31 октября 2014 года, Н.Новгород. Н.Новгород: ННГУ, 2014 - 142 с.. 2014. С. 63.

Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Тихов С.В., Шенина М.Е. Формирование наночастиц золота в плёнках стабилизированного диоксида циркония // Тезисы докладов V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" (Н. Новгород, 27-31 октября 2014 года). Н.Новгород: ННГУ, 2014 - 142 с.. 2014. С. 121-122.

Filatov D.O., Antonov D.A., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Trushin V.N., Antonov I.N., Shenina M.E. Atomic force microscopy. Principles, modes of operation and limitations. New York: NOVA Science Publishers Inc. , p.372. 2014.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н., Шенина М.Е. Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота // Письма в Журнал технической физики. № 9. Т. 40. 2014. С. 9-16.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Физика твердого тела. № 3. Т. 56. 2014. С. 607-610.

Demidov E.S., Karzanova M.V., Mikhailov A.N., Tetelybaum D.I., Belov A.I., Korolev D.S., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Gorshkov O.N., Demidova N.E., Chigirinskii Yu.I. Effect of Ion Irradiation on the Structure and Luminescence Characteristics of Porous Silicon Im-pregnated with Tungsten–Telluride Glass Doped by Er and Yb Impurities // Physics of the Solid State. № 3. V. 56. 2014. P. 631-634.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Antonov I.N., Bobrov A.I., Kasatkin A.P., Koryazhkina M.N., Shenina M.E. Capacitors with Nonlinear Characteristics Based on Stabilized Zirconia with Built_in Gold Nanoparticles // Technical Physics Letters. № 5. V. 40. 2014. P. 369-371.

Молодняков С.П., Треушников В.В., Треушников В.М., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Шенина М.Е., Шушунов А.Н., Круглов А.В., Семенов В.В. Полимерные волноводы на основе фотополимеризующихся метакрилатных композиций // Журнал прикладной химии. № 3. Т. 87. 2014. С. 367-371.

Molodnyakov S.P., Treushnikov V.V., Treushnikov V.M., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Shenina M.E., Shushunov A.N., Kruglov A.V., Semenov V.V. Polymeric waveguides based on photopolymerizing methacrylate compositions // Russian Journal of Applied Chemistry. № 3. V. 87. 2014. P. 331-335.

Gorshkov O.N., Antonov I.N., Belov A.I., Kasatkin A.P., Mikhailov A.N. Resistive Switching in Metal–Insulator–Metal Structures Based on Germanium Oxide and Stabilized Zirconia. // Technical Physics Letters. № 2. V. 40. 2014. P. 101-103.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Михайлов А.Н. Резистивное переключение в структурах”металл−диэлектрик−металл“ на основе оксида германия и стабилизированного диоксида циркония. // Письма в журнал технической физики. № 3. Т. 40. 2014. С. 12-19.

Shushunov A.N., Gorshkov O.N., Smirnova N.N., Somov N.V., Chigirinskii Yu.I., Bykov A.B., Nezhdanov A.V. Thermophysical properties of Ca2GeO4 over the temperature range between (6 and 350) K // The Journal of Chemical Thermodynamics. V. 78. 2014. P. 58-68.

Filatov D.O., Guseinov D.V., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N. Imaging and spectroscopy of Au nanoclusters in yttria-stabilized zirconia films using ballistic electron/hole emission microscopy // RSC Advances. № 4. V. 100. 2014. P. 57337.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н. Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник. // Письма в Журнал технической физики. № 19. Т. 40. 2014. С. 18-26.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Kasatkin A.P. The forming process in resistive-memory elements based on metal-insulator-semiconductor structures // Technical Physics Lttters. № 10. V. 40. 2014. P. 837-840.

Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Малехонова Н.В., Шенина М.Е. Влияние ионного распыления на формирование наночастиц золота методом ионной имплантации в плёнках стабилизированного диоксида циркония // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1(2). 2014. С. 80-83.

Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Koryazhkina M.N., Gorshkov O.N., Antonov I.N. The forming process in resistive-memory elements based on metal-insulator-semiconductor structures // Technical Physics Letters. № 10. V. 40. 2014. P. 837-840.

2013

Горшков О.Н., Касаткин А.П., Шенина М.Е., Шарапов А.Н. Формирование золотых наночастиц методом ионной имплантации в диоксиде циркония с разным содержанием стабилизирующего оксида // Седьмая научно-техническая конференция молодых специалистов Росатома "Высокие технологии атомной отрасли. Молодежь в инновационном процессе": материалы конференции 2012г.. Н.Новгород: ООО "Растр-НН", 2013. - 249 с.. 2013. С. 108-110.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Шарапов А.Н. Резистивное переключение в МДМ-структурах на основе наноразмерных плёнок диоксида циркония и стабилизированного диоксида циркония // Труды научно-технической конференции "Пассивные электронные компоненты - 2013". Н. Новгород "КБ "ИКАР", 322. 2013. С. 309-313.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Тихов С.В., Шенина М.Е., Коряжкина М.Н. Влияние диффузии ионов кислорода в наноразмерных плёнках стабилизированного диоксида циркония на резистивное переключение МДМ – структур на основе этих плёнок // Пассивные электронные компоненты - 2013: труды научно-технической конференции. Н.Новгород: КБ «ИКАР», 2013. – 322С.. 2013. С. 303-308.

Горшков О.Н., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Филатов Д.О., Шарапов А.Н., Шенина М.Е. Локальная электрополевая модификация свойств наноразмерных слоёв на основе стабилизированного диоксида циркония // Пассивные электронные компоненты - 2013: труды научно-технической конференции. Н.Новгород: КБ "ИКАР", 2013. - 322С. 2013. С. 314-316.

Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П. Модификация свойств приповерхностных слоёв стабилизированного диоксида циркония при имплантации металлических ионов // Тезисы докладов научной студенческой конференции физического факультета ННГУ. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 70 c. 2013. С. 28-37.

Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Белов А.И. Резистивное переключение в МДМ-структурах на основе плёнок GeO2 и ZrO2 // Труды XVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (11-15 марта 2013 г.). Институт физики микроструктур РАН, Т. 2. 2 С.. 2013. С. 412-413.

Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Karzanova M.V., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Bobrov A.I., Chugrov I.A., Ershov A.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Demidov E.S. Ion-beam engineering of silicon-based nanomaterials // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП 2013)». Ярославль, 22-26 августа, 2013, Т.2. 2013. P. 31-36.

Антонов И.Н., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Шенина М.Е., Бобров А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н. Исследование тонких плёнок стабилизированного диоксида циркония с нанокристаллами золота, сформированными методом отжига островковых металлических плёнок // Форум молодых учёных. Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, 317 с.. 2013. С. 91-93.

Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бобров А.И. Распыление стабилизированного диоксида циркония при имплантации ионов золота в условиях формирования наночастиц // Форум молодых учёных. Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, 317 с.. 2013. С. 157-159.

Шенина М.Е., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Тихов С.В. Особенности формирования элементов резистивной памяти на основе оксидов с наночастицами металлов // Труды VIII отраслевой научно-технической конференции молодых специалистов Госкорпорации "Росатом" "Высокие технологии атомной отрасли. Молодежь в инновационном процессе" в рамках 18-го Международного научно-промышленного Форума "Будущее России". ФГУП «ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова». 2013. [принято к печати]

Молодняков С.П., Треушников В.В., Треушников В.М., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Шенина М.Е., Шушунов А.Н., Круглов А.В., Любова Т.С., Ладилина Е.Ю., Семенов В.В. Полимерные волноводы на основе фотополимеризующихся метакрилатных композиций // Тез. докл. 2-го Симпозиума и 7-ой Школы молодых учёных«Новые высокочистые материалы». Нижний Новгород. 29-30 октября 2013 г. Под ред. академика М.Ф. Чурбанова. Нижний Новгород. 2013.. ООО «Печатная мастерская РАДОНЕЖ», 2 стр.. 2013. С. 137-138.

Шушунов А.Н., Горшков О.Н., Смирнова Н.Н., Сомов Н.В., Чигиринский Ю.И., Быков А.Б., Нежданов А.В. Термодинамические свойства Ca2GeO4 в области от Т - 0 до 350 К // Сборник трудов XIV Международной конференции по термическому анализу и калориметрии в России (RTAC-2013) Санкт-Петербург Россия 23 – 28 сентября 2013 года. Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. С.474. 2013. С. 211-213.

Orlova A.I., Pleskova S.N., Malanina N.V., Shushunov A.N., Gorshkova E.N., Pudovkina E.E., Gorshkov O.N. Ca3(PO4)2:Er3+,Yb3+: An Upconversion Phosphorfor In Vivo Imaging. // Inorganic Materials. № 7. V. 49. 2013. P. 697-701.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Физика твердого тела. № 3. Т. 56. 2013. С. 607-610.

Горшков О.Н., Тихов С.В., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н. Особенности пиннинга уровня ферми на границе раздела Al0.3Ga0.7As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония // Письма в Журнал технической физики. № 23. Т. 39. 2013. С. 72-79.

Молодняков С.П., Треушников В.В., Треушников В.М., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Шенина М.Е., Шушунов А.Н., Круглов А.В., Любова Т.С., Ладилина Е.Ю., Семенов В.В. Полимерные волноводы на основе фотополимеризующихся метакрилатных композиций // Российские нанотехнологии. 2013. [принято к печати]

Антонов Д.А., Филатов Д.О., Горшков О.Н., Дудин А.Ю., Шарапов А.Н., Зенкевич А.В., Матвеев Ю.А. Исследование резистивного переключения в тонких плёнках HfO2/Si методом комбинированной СТМ/АСМ // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2(2). 2013. С. 17-21.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Тихов С.В., Шенина М.Е., Коряжкина М.Н. Изучение диффузии ионов кислорода в МДМ-структурах на основе стабилизированного диоксида циркония, проявляющих резистивное переключение // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 5. Т. 1. 2013. С. 51-54.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П. Дырочные поляроны в тонких аморфных плёнках GeO2 // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2013. [принято к печати]

Antipov O.L., Novikov A.A., Zakharov N.G., Zinoviev A.P., Yagi H., Sakharov N.V., Kruglova M.V., Marychev M.O., Gorshkov O.N., Lagatskii A.A. Efficient 2.1-μm lasers based on Tm3+:Lu2O3 ceramics pumped by 800-nm laser diodes // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. № 6. V. 10. 2013. P. 969-973.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Koryazhkina M.N. Features of Fermi-level pinning at the interface of Al0.3Ga0.7As with anodic oxide and stabilized zirconia // Technical Physics Letters. № 12. V. 39. 2013. P. 1064-1067.

Кревчик В.Д., Грунин А.Б., Семенов М.Б., Горшков О.Н., Марычев М.О., Филатов Д.О., Губина С.А., Губин Т.А., Яшин С.В. Влияние внешнего электрического поля и диссипативного туннелирования на фотолюминесценцию квантовой молекулы с резонансным u-состояниемD-(2)-центра // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2. 2013. С. 58-65.

2012

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Карзанова М.В., Карзанов В.В., Рассолова И.С., Горшков О.Н., Чигиринский Ю.И., Тетельбаум Д.И. Влияние облучения ионами инертных и электрически активных элементов на люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Труды ХVI международного симпозиума “ Нанофизика и наноэлектроника”, Н. Новгород, 12–16 марта, 2012. T.2, 2 стр. 2012. С. 225-226.

Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Дудин А.Ю., Бобров А.И., Касаткин А.П., Сидоренко К.В. Исследование процесса формирования наноразмерных частиц золота в тонких плёнках диоксида германия методом ионной имплантации. // Тезисы IV Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Новосибирск.123с.. 2012. С. 103.

Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Дудин А.Ю., Бобров А.И., Касаткин А.П. Особенности формирования металлических наночастиц в матрице ZrO2(Y) методом ионной имплантации // Тезисы IV Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Новосибирск. 123 с.. 2012. С. 65.

Antipov O.L., Novikov A.A., Zakharov N.G., Zinoviev A.P., Hideki Yagi, Golovkin S.Yu., Sakharov N.V., Kruglova M.V., Marychev M.O., Gorshkov O.N., Lagatskii A.A. Novel efficient 2.1-μm lasers based on Tm3+:Lu2O3 ceramics pumped by 800-nm laser diodes // 8th Laser Ceramics Symposium: International Symposium on Transparent Ceramics for Photonic Applications (Nizhniy Novgorod, December 4-7, 2012). Nizhni Novgorod: IAP RAS, 2012.. 2012. P. 16.

Горшков О.Н., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Бобров А.И., Маркелов А.С., Дудин А.Ю., Касаткин А.П. Особенности формирования нанокристаллов золота в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации. // Письма в журнал технической физики. № 4. Т. 38. 2012. С. 60-65.

Антонов И.Н., Горшков О.Н., Шушунов А.Н., Касаткин А.П., Дудин А.Ю., Шенина М.Е. Влияние ионной имплантации фосфора на оптические свойства тонких пленок диоксида германия, легированных ионами Er3+ и Yb3+ // Письма в журнал технической физики. № 38. Т. 5. 2012. С. 71-77.

Горшков О.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н. Наночастицы серебра в матрице объемного монокристаллического стабилизированного диоксида циркония // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Серия физика твердого тела. № 1. Т. 2. 2012. С. 39-43.

Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Trushin V.N., Antonov I.N., Shenina M.E., Bobrov A.I., Markelov A.S., Dudin A.Yu., Kasatkin A.P. Peculiarities in the Formation of Gold Nanoparticles by Ion Implantation in Stabilized Zirconia // Technical Physics Letters. № 2. V. 38. 2012. P. 185-187.

Antonov I.N., Gorshkov O.N., Shushunov A.N., Kasatkin A.P., Dudin A.Yu., Shenina M.E. Effect of phosphorus ion implantation on the optical properties of thin films of germanium dioxide doped with Er3+ and Yb3+ ions. // Technical Physics Letters. № 3. V. 38. 2012. P. 235-237.

Ладилина Е.Ю., Любова Т.С., Семенов В.В., Кириллов А.И., Скамницкий Д.В., Касаткин А.П., Лермонтова С.А., Горшков О.Н., Шенина М.Е. Новые фторсодержащие полиорганосилсесквиоксаны: получение и свойства // Физика и Химия Стекла. № 3. Т. 38. 2012. С. 440-452.

Ladilina E.Yu., Lyubova T.S., Semenov V.V., Kirillov A.I., Skamnitskiy D.V., Kasatkin A.P., Lermontova S.A., Shenina M.E., Gorshkov O.N. New Fluorine-Containing Polyorganosilsesquioxanes: Preparation and Properties // Glass Physics and Chemistry. № 3. V. 38. 2012. P. 347-355.

Горшков О.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н. Наночастицы серебра в матрице объемного монокристаллического стабилизированного диоксида циркония // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2. Т. 1. 2012. С. 39-43.

2011

Гришин И.А., Горшков О.Н., Демидов Е.С., Карзанова М.В., Шушунов А.Н. Стёкла на основе оксидов V-VI групп. Оптические и полупроводниковые свойства // Тезисы докладов XIV Всероссийской конференции и VI Школы молодых учёных “ Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение.” (Нижний Новгород ИХВВ, 30 мая – 2 июня 2011г.). 2 стр. 2011. С. 27-28.

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Карзанова М.В., Карзанов В.В., Демидова Н.Е., Рассолова И.С., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Чигиринский Ю.И., Европейцев Е.А. Влияние ионного облучения и примесей редкоземельных элементов на свойства пористого кремния // Труды XIII Международной конференции “Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы”, Ульяновск, 19-26 сентября, 2011. 2 стр. 2011. С. 67-68.

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Карзанова М.В., Белов А.И., Карзанов В.В., Демидова Н.Е., Рассолова И.С., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Чигиринский Ю.И., Европейцев Е. А. Свойства пористого кремния с примесями редкоземельных элементов на имплантированном ионами фосфора кремнии // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 405-406.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Дудин А.Ю., Касаткин А.П. Формирование методами ионной имплантации наноразмерных частиц золота в матрицах ZrO2(Y) и GeO2 // Труды ХV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород 14-18 марта. ИФМ РАН, Нижний Новгород, Т.2. 2011. С. 552-553.

Горшков О.Н., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Бобров А.И., Маркелов А.С., Дудин А.Ю., Касаткин А.П. Исследование формирования нанокристаллов золота в диоксиде германия и стабилизированном диоксиде циркония оптическими и рентгенодифракционными методами и методом просвечивающей электронной микроскопии // Тезисы докладов XIV Всероссийской конференции и VI Школы молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение»,Н. Новгород, 30 мая – 2 июня. Нижний Новгород. 2011. С. 66.

Сидоренко К.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П. Исследование облученных ионами слоев GeO2 и ZrO2(Y) методами спектроскопической эллипсометрии // Тезисы докладов XIV Всероссийской конференции и VI Школы молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение». Н. Новгород, 30 мая – 2 июня. Нижний Новгород. 2011. С. 80.

Зубков С.Ю., Горшков О.Н., Шенина М.Е., Дудин А.Ю., Касаткин А.П. Исследование свойств и состава диоксида циркония, облученного ионами золота // Сборник тезисов XVII Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (РЭМ-2011). Черноголовка, 31 мая – 2 июня. Черноголовка. 2011. С. 152.

Антонов И.Н., Горшков О.Н., Шушунов А.Н., Касаткин А.П., Дудин А.Ю., Шенина М.Е. Влияние ионной имплантации фосфора на оптические свойства тонких пленок германия, легированных ионами Er3+ и Yb3+ // ХХХ НАУЧНЫЕ ЧТЕНИЯ им. академика Н.В.Белова. Тезисы докладов конференции. 20-21 декабря. Н.Новгород, ННГУ. 2011. С. 64-65.

Горшков О.Н., Шенина М.Е., Антонов И.Н., Дудин А.Ю., Касаткин А.П., Котомина В.Е., Шушунов А.Н. Легированные ионами Er3+ и Yb3+ тонкие пленки и волноводы на основе стабилизированного диоксида циркония // ХХХ НАУЧНЫЕ ЧТЕНИЯ им. академика Н.В.Белова. Тезисы докладов конференции. 20-21 декабря. Н.Новгород, ННГУ. 2011. С. 94-95.

Горшков О.Н., Золотарева Н.В., Касаткин А.П., Семенов В.В., Скамницкий Д.В., Шенина М.Е. Наведенный показатель преломления в пленках органических и кремнийорганических полимеров при ультрафиолетовом облучении // ХХХ НАУЧНЫЕ ЧТЕНИЯ им. академика Н.В.Белова. Тезисы докладов конференции. 20-21 декабря. Н.Новгород, ННГУ. 2011. С. 165.

Горшков О.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н. Наночастицы серебра в матрице объемного монокристаллического стабилизированного диоксида циркония // ХХХ НАУЧНЫЕ ЧТЕНИЯ им. академика Н.В.Белова. Тезисы докладов конференции. 20-21 декабря. Н.Новгород, ННГУ. 2011. С. 183-184.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Fedonin M.P., Korolev D.S., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N. Modification of Au nanoclusters embedded into oxide matrices by ion irradiation: computer simulation and experiment // Abstracts of 20th International Conference on Ion Beam Analysis (IBA 2011), Itapema, Brazil, 10-15 April, 2011. 1 p. 2011. P. 34.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Zhavoronkov I.Yu., Chugrov I.A., Belov A.I., Ershov A.V., Gorshkov O.N., Nagornykh S.N. Ion-beam formation of gold nanoclusters in single- and multi-layer ensembles of light-emitting silicon quantum dots // Abstracts of E-MRS Spring 2011 & Bilateral Energy Conference, Nice, France, 10-12 May, 2011. 1 p. 2011. P. 2-47.

Семёнов В.В., Ладилина Е.Ю., Лапшина Е.В., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Скамницкий Д.В., Шенина М.Е., Круглов А.В., Дашаев А.А., Шарапов А.Н. Наведенный показатель преломления в тонких пленках полимерных органосиланов при облучении УФ светом // Журнал прикладной химии. № 10. Т. 84. 2011. С. 1717-1720.

Антипов О.Л., Головкин С.Ю., Горшков О.Н., Захаров Н.Г., Зиновьев А.П., Касаткин А.П., Круглова М.В., Марычев М.О., Новиков А.А., Сахаров Н.В., Чупрунов Е.В. Структурные, оптические и спектроскопические свойства новой лазерной керамики Tm:Lu2O3 // Квантовая электроника. № 10. Т. 41. 2011. С. 863-868.

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Карзанова М.В., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И., Шушунов А.Н., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Европейцев Е.А. Фотолюминесценция пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных металлов // Физика твердого тела. № 12. Т. 53. 2011. С. 2294-2298.

Кузнецов В.П., Степихова М.В., Шмагин В.Б., Марычев М.О., Алябина Н.А., Кузнецов М.В., Андреев Б.А., Корнаухов А.В., Горшков О.Н., Красильник З.Ф. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда p-n-переходов // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 45. 2011. С. 1486-1488. [принято к печати]

Demidov E.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Karzanova M.V., Demidova N.E., Chigirinskii Yu.I., Shushunov A.N., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Evropeitsev E.A. Photoluminescence of Porous Silicon Saturated with Tungsten-Tellurite Glass with Rare-Earth Metal Impurities // Physics of the Solid State. № 12. V. 53. 2011. P. 2415-2420.

Антипов О.Л., Головкин С.Ю., Горшков О.Н., Захаров Н.Г., Зиновьев А.П., Круглова М.В., Новиков А.А., Сахаров Н.В., Чупрунов Е.В. Структурные, оптические и спектроскопические свойства новой лазерной керамики Tm3+:Lu2O3 и эффективная двухмикронная лазерная генерация на её основе // Квантовая электроника. № 10. Т. 41. 2011. С. 860-867.

Патенты, авторские свидетельства

2018

Грязнов Е.Г., Антонов И.Н., Котина А.Ю., Котомина В.Е., Михайлов А.Н., Шарапов А.Н., Горшков О.Н. Топология тестового кристалла с матрицей мемристивных микроустройств (Авторское свидетельство).