Филатов Дмитрий Олегович

Место работы

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур"

ведущий научный сотрудник

Ученая степень
Доктор физико-математических наук
Ученое звание
Доцент
Общий стаж работы 23 года, 10 мес
Педагогический стаж 28 лет, 6 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
специалист. Специальность: полупроводники и диэлектрики. Квалификация: инженер-физик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

23.04.2018 - 11.05.2018
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № удостоверение 522406998385, рег.№ 33-3154 от 11.05.2018

Награды

Благодарственное письмо ректора Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского (приказ № 18-03-1-96 от 01.03.2016)

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2021

Труды (тезисы) конференции

Титова А.М., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Зайцев А.В., Трушин В.Н., Кудрин А.В., Филатов Д.О., Нежданов А.В., Бузынин Ю.Н. In situ легирование гетероэпитаксиальных слоев Ge1-xSnx/Si(001) при их выращивании методом HW CVD // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 362.

Филатов Д.О., Шенина М.Е., Роженцов И.А., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Новиков А.С., Ершов А.В., Горшков А.П., Горшков О.Н. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе плёнок ZrO2(Y) с наночастицами Au // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. 2 страницы. 2021. С. 893-894.

Публикации в научных журналах

Mikhailov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Korolev D.S., Shishmakova V.A., Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Maldonado D., Alonso F.J., Roldan J.B., Krichigin A.V., Agudov N.V., Dubkov A.A., Karollo A., Spagnolo B. Stochastic resonance in a metal-oxide memristive device // Chaos, Solitons and Fractals. V. 144. 2021. P. 110723 (1-12).

Ryabova M.A., Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kharcheva A.A., Dubkov A.A. Resonant activation of resistive switching in ZrO2(Y) films // Journal of Physics: Conference Series. V. 1851. 2021. P. 012003 (1-6).

Yakimov A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Klyuev A.V., Shtraub N.I., Kochergin V.S., Spagnolo B. Influence of oxygen ion elementary diffusion jumps on the electron current through the conductive filament in yttria stabilized zirconia nanometer sized memristor // Chaos, Solitons and Fractals. V. 148. 2021. P. 111014-1-111014-7.

Филатов Д.О., Шенина М.Е., Роженцов И.А., Коряжкина М.Н., Новиков А.С., Антонов И.Н., Ершов А.В., Горшков А.П., Горшков О.Н. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO2(Y) с наночастицами Au // Физика и техника полупроводников. № 55. Т. 9. 2021. С. 1-4.

Krevchik V.D., Semenov M.B., Shorokhov A.V., Filatov D.O., Baidus N.V., Marychev M.O., Shkurinov A.P., Timoshenko V.Y., Krevchik P.V., Zhurina A.E., Saburova D.A., Antonov I.S. Effects of dissipative electron tunneling manifested in the photocurrent of a GaAs p-i-n photodiode with a double InAs quantum dot layer // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 1851. 2021. P. Номер статьи 012016.

Novikov A.S., Filatov D.O., Shenina M.E., Antonov I.N., Antonov D.A., Nezhdanov A.V., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. A mechanism of effect of optical excitation on resistive switching in ZrO2(Y) films with Au nanoparticles // Journal Physics D: Applied Physics. V. 54. 2021. P. 485303.

Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Trushin V.N., Zaitsev A.V., Nezhdanov A.V., Pavlov D.A., Filatov D.O. Growth Defects in GeSn/Ge/Si(001) Epitaxial Layers Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition of Ge with Co-evaporaton of Sn // Journal of Crystal Growth. 2021. P. 126421.

Vorontsov V.A., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Shenina M.E., Kotomina V.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Pavlov D.A., Filatov D.O., Gorshkov O.N. Investigation of resistive switching in Ag/Ge/Si(001) stack by conduc-tive atomic force microscopy // Journal of Physics: Conference Series. V. 2086. 2021. P. 012043(1-4).

Коряжкина М.Н., Филатов Д.О., Тихов С.В., Белов А.И., Королев Д.С., Круглов А.В., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Воронцов В.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Ким С. Электрофизические свойства мемристоров на основе оксида кремния на подложках “кремний-на-изоляторе” // Российские нанотехнологии. № 6. Т. 16. 2021. С. 776-786.

2020

Труды (тезисы) конференции

Шишмакова В.А., Филатов Д.О., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Гусейнов Д.В., Михайлов А.Н., Агудов Н.В., Дубков А.А., Спаньоло Б. Экспериментальное обнаружение стохастического резонанса в мемристорах // Труды XXIV научной конференции по радиофизике, посвященной 75-летию радиофизического факультета (Нижний Новгород, 13—31 мая 2020 г.). Нижний Новгород: ННГУ, 2020. – 530 с.. 2020. С. 444-445.

Gorshkov O.N., Filatov D.O., Koveshnikov S.V., Shenina M.E., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Pavlov D.A., Vorontsov V.A., Kruglov A.V., Yakimov E.B. Bipolar resistive switching in memristors based on Ge/Si(001) epitaxial layer // 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, Russia, April 26 – 30, 2020. Book of Abstracts. St. Petersburg Academic University, 2020.- 543 pp. 2020. P. 434-435.

Суняйкин Д.В., Якимов А.В., Клюев А.В., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Михайлов А.Н., Dimitrakis P., Спаньоло Б. Анализ деградационных процессов в мемристивных элементах хранения информации // Труды XXIV научной конференции по радиофизике, посвященной 75-летию радиофизического факультета (Нижний Новгород, 13–31 мая 2020 г.).. Нижний Новгород: ННГУ, 2020. – 530 с. ISBN 978-5-91326-602-6. 2020. С. 450-453.

Штрауб Н.И., Якимов А.В., Клюев А.В., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Кочергин В.С., Спаньоло Б. Анализ атомных диффузионных процессов в мемристоре, как энергонезависимом устройстве хранения информации // Труды XXIV научной конференции по радиофизике, посвященной 75-летию радиофизического факультета (Нижний Новгород, 13–31 мая 2020 г.).. Нижний Новгород: ННГУ, 2020. – 530 с. ISBN 978-5-91326-602-6.. 2020. С. 454-457.

Filatov D.O., Shenina M.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. Resistive switching in memristors based on Ge/Si(001) epitaxial layers // 28th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology” . Minsk, Republic of Belarus, September 28 – October 2, 2020. Book of Abstracts Saint Petersburg Ioffe Institute, Russia, 2020.- 228 pp. 2020. P. 109-110.

Публикации в научных журналах

Boldyrevskii P.B., Filatov D.O., Kazantseva I.A., Revin M.V., Yunin P.A. Atomic Force Microscopy Examination of Elementary Processes in Metalorganic Compound Hydride Epitaxy of GaAs-Based Nanoheterostructures // Technical Physics. № 5. V. 65. 2020. P. 791-794.

Михайлов А.Н., Королев Д.С., Белов А.И., Герасимова С.А., Мищенко М.А., Гусейнов Д.В., Коряжкина М.Н., Тетельбаум Д.И., Филатов Д.О., Горшков О.Н., Агудов Н.В., Дубков А.А., Казанцев В.Б., Спаньоло Б. Мемристивные устройства под действием нейроноподобной активности и шума // Наноиндустрия. № S4 (99). Т. 13. 2020. С. 561-562.

Filatov D.O., Novikov A.S., Baranova V.N., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Koryazhkina M.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Carollo A., Spagnolo B. Experimental investigations of local stochastic resistive switching in yttria stabilized zirconia film on a conductive substrate // Journal of Statistical Mechanics: Theory and Experiment. № 2. V. 2020. 2020. P. 024005 (1-11).

Gorshkov O.N., Filatov D.O., Koveshnikov S.V., Shenina M.E., Soltanovich O.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Pavlov D.A., Vorontsov V.A., Kruglov A.V., Yakimov E.B. Bipolar resistive switching in memristors based on Ge/Si(001) epitaxial layers // Journal of Physics: Conference Series. V. 1695. 2020. P. 012158(1-5).

Ivanova M.M., Filatov D.O., Nezhdanov A.V., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A. On the Influence of Pulsed Gamma-Neutron Irradiation on the Morphology of Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoislands // Journal of Surface Investigation. № 1. V. 14. 2020. P. 169-175.

Gorshkov O.N., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Kruglov A.V., Shenina M.E., Kotomina V.E., Filatov D.O., Serov D.A. Resistive Switching in Memristors Based on Ag/Ge/Si Heterostructures // Technical Physics Letters. № 46. V. 1. 2020. P. 91-93.

Filatov D.O., Shenina M.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Kruglov A.V., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. Resistive Switching in Memristors Based on Ge/Si(001) Epitaxial Layers // Semiconductors. № 14. V. 54. 2020. P. 1833-1835.

2019

Труды (тезисы) конференции

Филатов Д.О., Новиков А.С., Баранова В.Н., Антонов Д.А., Круглов А.В., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Индуцированное шумом резистивное переключение на контакте асм-зонда к пленке стабилизированного диоксида циркония на проводящей подложке // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 501-504.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Vrzheshch D.V., Tabakov O.V., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Spagnolo B. ZrO2(Y)/Ta2O5-based memristor response to white Gaussian noise // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. P. 497-500.

Табаков О.В., Филатов Д.О., Вржещ Д.В., Новиков А.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Резистивное переключение мемристора на базе тонкоплёночной структуры ZrO2(Y)/Ta2O5 шумовым сигналом // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 508-511.

Вржещ Д.В., Филатов Д.О., Табаков О.В., Новиков А.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Временные характеристики резистивного переключения мемристора на основе ZrO2(Y)/Ta2O5 под действием шумового сигнала // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 512-515.

Klyuev A.V., Yakimov A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Liskin D.A., Antonov I.N., Anikina Yu.I. Flicker noise spectroscopy as a tool for the measurement of activation energies of oxygen ion diffusion in memristor systems at fixed temperature // Proc. 25th International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF 2019). 18–21 June 2019, Neuchâtel, Switzerland. Neuchâtel, Switzerland. 378 p. https://icnf2019.epfl.ch/wp-content/uploads/2019/06/ICNF2019_Proceedings.pdf (password-protected). 2019. P. 136-139.

Аникина Ю.И., Якимов А.В., Филатов Д.О., Горшков О.Н., Антонов Д.А., Лискин Д.А., Антонов И.Н., Клюев А.В., Спаньоло Б. Определение энергий активации диффузии ионов кислорода в мемристивных системах методом фликкер–шумовой спектроскопии // Труды XXIII Научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова (Нижний Новгород, 13-21 мая 2019 г.). Нижний Новгород: ННГУ, 2019. – 581 с. http://www.rf.unn.ru/wp-content/uploads/sites/21/2019/09/2019_Mat-modelirovanie.pdf. 2019. С. 489-492.

Gorshkov O.N., Yakimov A.V., Filatov D.O., Antonov D.A., Liskin D.A., Antonov I.N., Klyuev A.V., Anikina Yu.I., Spagnolo B. Flicker noise spectroscopy as a tool for the measurement of activation energies of oxygen ion diffusion in memristor systems at fixed temperature // International Conference “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors” (nes2019). 18–21 October 2019, Erice, Italy. Site: https://nes2019.sciences-conf.org/data/BookAbstract.pdf. 52 p. 2019. P. 21-21.

Публикации в научных журналах

Yakimov A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Liskin D.A., Antonov I.N., Belyakov A.V., Klyuev A.V., Carollo A., Spagnolo B. Measurement of the activation energies of oxygen ion diffusion in yttria stabilized zirconia by flicker noise spectroscopy // Applied Physics Letters. V. 114. 2019. P. 253506-1-25306-5.

Filatov D.O., Vrzheshch D.V., Tabakov O.V., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Sharkov V.V., Koryazhkina M.N., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Carollo A., Spagnolo B. Noise-induced resistive switching in a memristor based on ZrO2(Y)/Ta2O5 stack // Journal of Statistical Mechanics: Theory and Experiment. V. 2019. 2019. P. 124026 (1-14).

Liskin D.A., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Novikov A.S. Investigation of the Local Photoconductivity of ZrO2(Y) Films with Embedded Au Nanoparticles by Conductive Atomic Force Microscopy // Journal of Surface Investigation. № 13. V. 3. 2019. P. 424-428.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Antonov I.N., Antonov D.A., Shenina M.E., Gorshkov O.N. Observation of Quantum-Size Effects in a Study of Resistive Switching in Dielectric Films with Au Nanoparticles via Tunneling Atomic Force Microscopy // Journal of Surface Investigation. № 13. V. 1. 2019. P. 23-29.

2018

Труды (тезисы) конференции

Филатов Д.О., Антонов И.Н., Коряжкина М.Н., Рябова М.А., Дунаевский М.С. Изучение процессов локальной аккумуляции заряда в пленках ZrO2(Y), HfO2(Y), SiO2 с наночастицами Au методом Кельвин-зонд микроскопии // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 12-15 марта 2018). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, 507 с.. 2018. С. 373-374.

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Mikhailov A.N., Korolev D.S., Koryazhkina M.N., Ryabova M.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Pavlov D.A., Dunaevskii M.S. Investigation of local charge accumulation in yttria stabilized zirconia films with Au nanoparticles by Scanning Kelvin Probe Microscopy // “Saint Petersburg OPEN 2018” 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. St Petersburg, Russia, April 2-5, 2018. BOOK of ABSTRACTS. Academic University Publishing St. Petersburg, 2018, 621 p.. 2018. P. 573-574.

Здоровейщев А.В., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Ведь М.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотолюминесценция сильнолегированных фосфором эпитаксиальных слоёв Ge на Si (001) // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. 2 С.. 2018. С. 627-628.

Koryazhkina M., Antonov I., Gorshkov O., Mikhailov A., Belov A., Shenina M., Pigareva Ya., Pimashkin A., Filatov D., Agudov N., Dubkov A., Kharcheva A., Valenti D., Spagnolo B. Statistical analysis of memristor response to complex electric activity // 15th Course of the INTERNATIONAL SCHOOL OF STATISTICAL PHYSICS New Trends in Nonequilibrium Statistical Mechanics: Classical and Quantum Systems. Ettore Majorana Foundation and Centre for Scientific Culture, 59pp. 2018. P. 25.

Роженцов И.А., Горшков О.Н., Шенина М.Е., Антонов И.Н., Филатов Д.О., Горшков А.П. Влияние наночастиц золота на резистивные переключения в мдп-структурах, сформированных методом магнетронного осаждения // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 7–9 ноября 2018 г.). Н. Новгород, 2018.. 2018. С. 155-156.

Публикации в научных журналах

Болдыревский П.Б., Филатов Д.О., Казанцева И.А., Ревин М.В., Смотрин Д.С., Юнин П.А. Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии // Журнал технической физики. Т. 88 (2. 2018. С. 219-223.

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Koryazhkina M.N., Ryabova M.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Pavlov D.A., Dunaevskiy M.S. Investigation of local charge accumulation in yttria stabilized zirconia films with Au nanoparticles by Scanning Kelvin Probe Microscopy // Journal of Physics: Conference Series. V. 1124. 2018. P. 081028.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Morozov A.I., Koryazhkina M.N., Filatov D.O. Ion Migration Polarization in the Yttria Stabilized Zirconia Based Metal-Oxide-Metal and Metal-Oxide-Semiconductor Stacks for Resistive Memory // Advances in Materials Science and Engineering. № 2018. V. 2018. 2018. P. 2028491 (8 p.).

Tikhov S.V., Filatov D.O., Antonov I.N. Plasmon Resonance Induced Photoconductivity in the Yttria Stabilized Zirconia Films with Embedded Au Nanoclusters // Semiconductors. № 4. V. 52. 2018. P. 465-467.

Филатов Д.О., Карзанов В.В., Антонов И.Н., Горшков О.Н. Особенности переключения мемристорных структур в высокоомное состояние пилообразными импульсами // Письма в Журнал технической физики. № 24. Т. 44. 2018. С. 88-93.

Ivanova M.M., Kachemtsev A.N., Mikhaylov A.N., Filatov D.O., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G. Effect of Pulsed Gamma-Neutron Irradiation on the Photosensitivity of Si-Based Photodiodes with GeSi Nanoislands and Ge Epitaxial Layers // Semiconductors. № 6. V. 52. 2018. P. 797-801.

Filatov D.O., Antonov I.N., Sinutkin D.Yu., Liskin D.A., Gorshkov A.P., Gorshkov O.N., Kotomina V.E., Shenina M.E., Tikhov S.V., Korotaeva I.S. Plasmon Resonance Induced Photoconductivity in the Yttria Stabilized Zirconia Films with Embedded Au Nanoclusters // Semiconductors. № 4. V. 52. 2018. P. 465–467.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Antonov D.A., Shenina M.E., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. Conductive Atomic Force Microscopy Study of the Resistive Switching in Yttria-Stabilized Zirconia Films with Au Nano-particles // Scanning. V. 2018. 2018. P. Article ID 5489596, 9 pages.

Filatov D.O., Guseinov D.V., Denisov S.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu. Ballistic Hole Emission Spectroscopy of Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoislands // Semiconductors. № 5. V. 52. 2018. P. 590-592.

2017

Труды (тезисы) конференции

Филатов Д.О., Лискин Л.А., Горшков О.Н., Горшков А.П., Антонов И.Н., Котомина В.Е., Тихов С.В., Коротаев И.С., Синуткин Д.Ю. Фотопроводимость пленок ZrO2(Y) c встроенными наночастицами Au, индуцированная плазменным резонансом. // Материалы ХХI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника".. HHГУ, Нижний Новгород, т. 2. 2017. С. 738-739.

Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Guseinov D.V., Mishkin V.P. Ballistic hole emission spectroscopy of self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands // 25th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”. St Petersburg Academic University, Saint Petersburg, Russia, June 26 – July 1, 2017, 320 р.. 2017. P. 224-225.

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Nezhdanov A.V., Trushin V.N., Filatov D.O., Prokhorov D.S., Buzynin Yu.N., Buzynin A.N., Baidusy N.V. Growth of high quality Ge epitaxial layer on Si(001) substrate using hot-wire chemical vapor deposition // Book of abstracts the III International Conference «Modern problems in the physics of surfaces and nanostructures» (ICMPSN-2017). Yaroslavl, Russia, October 9-11, 2017, 123 p.. 2017. P. 65.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Baidusy N.V., Gorshkov A.P., Mishkin V.P. Investigation of photoconductivity of individual InAs/GaAs(001) quantum dots by Scanning Near=field Optical Microscopy // Scanning Probe Microscopy 2017 (SPM-2017) IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. Mater. Sci. Eng. 256 012005, 6 c.. 2017. P. 1-6.

Монографии

Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Matveev S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Kruglov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Photodiodes based on Thick Ge/Si(001) Epilayers Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition. New York: Horizons in World Physics. Volume 288. Ed. Albert Reimer. / New York: Nova Science, 2017. Chapter 9. P.171-200. ISBN: 978-1-63485-882-3(eBook). 2017.

Публикации в научных журналах

Филатов Д.О., Казанцева И.А., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Горшков А.П., Мишкин В.П. Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si-p−n-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии // Физика и техника полупроводников. № 4. Т. 51. 2017. С. 563-568.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Mishkin V.P., Gorshkov A.P. Investigation of Spatial Distribution of Photocurrent in the Plane of a Si p–n Photodiode with GeSi Nanoislands by Scanning Near-Field Optical Microscopy // Semiconductors. № 4. V. 51. 2017. P. 536-541.

Gorshkov O.N., Filatov D.O., Antonov D.A., Shenina M.E., Pavlov D.A. An oscillator based on a single Au nanocluster // Journal of Applied Physics. № 1. V. 121. 2017. P. 014308 (1-6).

Болдыревский П.Б., Филатов Д.О., Казанцева И.А., Ревин М.В., Смотрин Д.С., Юнин П.А. Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии // Журнал технической физики. № 2. Т. 88. 2017. С. 219-223.

Liskin D. A., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Gorshkov A.P., Antonov I.N., Shenina M.E., Zubkov S.Yu., Sinutkin D.S. Plasmon resonance induced photoconductivity of ZrO2(Y) films with embedded Au nanoparticles // Journal of Physics: Conference Series. № 816. V. 1. 2017. P. 012010.

Gorshkov O.N., Antonov I.N., Filatov D.O., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Bobrov A.I., Koryazhkina M.N., Kudryashov M.A., Korotaeva I. S. Fabrication of metal nanoparticle arrays in the ZrO2(Y), HfO2(Y), and GeOx films by magnetron sputtering // Advances in Materials Science and Engineering. V. 2017. 2017. P. 1759469.

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Shenina M.E., Sinutkin D.Yu., Zenkevich A.V., Matveev Yu.A. The generation of the electrical oscillations in a contact of an AFM probe to an individual Au nanoparticle in a SiO2/Si film // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. № 256. V. 1. 2017. P. 012006.

2016

Труды (тезисы) конференции

Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Филатов Д.О., Ежевский А.А., Деточенко А.П., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Зайцев А.В., Нежданов А.В. Эпитаксиальный рост слоев Ge на Si(100) с использованием метода «горячей проволоки» // Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск, Россия, 12-15 сентября 2016. 2016. С. 129.

Публикации в научных журналах

Казанцева И.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А. Телеграфный шум в туннельных Si p-n-переходах с наноостровками GeSi // Письма в ЖТФ. № 8. Т. 42. 2016. С. 94-101.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Филатов Д.О., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бобров А.И., Павлов Д.А. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления // Письма в ЖТФ. № 1. Т. 42. 2016. С. 72-79.

Gorshkov O.N., Antonov I.N., Filatov D.O., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Forming Dense Arrays of Gold Nanoparticles in Thin Films of Yttria Stabilized Zirconia by Magnetron Sputtering // Technical Physics Letters. № 1. V. 42. 2016. P. 36-39.

Konakov A.A., Filatov D.O., Korolev D.S., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Electronic states in spherical GaN nanocrystals embedded in various dielectric matrices: The k⋅p-calculations // AIP Advances. V. 6. 2016. P. 015007.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A. A Random Telegraph Signal in Tunneling Silicon p–n Junctions with GeSi Nanoislands // Technical Physics Letters. № 4. V. 42. 2016. P. 435-437.

Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Belov A.I., Koryazhkina M.N., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Gryaznov E.G., Antonov I.N., Shenina M.E. Resistive switching in the Au/Zr/ZrO2–Y2O3/TiN/Ti memristive devices deposited by magnetron sputtering // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 741. 2016. P. 012174.

Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Matveev S.A., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Filatov D.O., Stepikhova M.V., Krasilynik Z.F. Conditions of Growth of High-Quality Relaxed Si1 – xGex Layers with a High Ge Content by the Vapor-Phase Decomposition of Monogermane on a Sublimating Si Hot Wire // Semiconductors. № 9. V. 50. 2016. P. 1248-1253.

Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Матвеев С.А., Нежданов А.В., Машин А.И., Филатов Д.О., Степихова М.В., Красильник З.Ф. Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si1-xGex с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 50. 2016. С. 1270-1275.

Болдыревский П.Б., Филатов Д.О., Казанцева И.А., Смотрин Д.С., Ревин М.В. Начальные стадии МОС-гидридной эпитаксии арсенида галлия // Неорганические материалы. № 10. Т. 52. 2016. С. 1054-1059.

2015

Труды (тезисы) конференции

Гусейнов Д.В., Денисов С.А., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Юнин П.А., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Степихова М.В., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Имплантируемые ионами P+ слои германия на Si(100) для светоизлучающих приборов // XXII международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2015)». Москва, Россия, 20-24 августа 2015, Т.2. 2015. С. 120-123.

Денисов С.А., Нежданов А.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Бузынин Ю.Н., Шенгуров В.Г. Гетероэпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 154.

Публикации в научных журналах

Волкова Н.С., Тихов С.В., Горшков А.П., Байдусь Н.В., Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Филатов Д.О. Влияние пространственного расположения delta -слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs // ФТП, 2015, том 49, выпуск 2 .С.145-148. № 2. Т. 49. 2015. С. 145-148.

Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Ulin V.P., Lvova T.V., Filatov D.O., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Berkovits V.L. Nitride surface passivation of GaAs nanowires: Impact on surface state density // NANOLett. № 1. V. 15. 2015. P. 63-68.

Филатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // ФТП. № 3. Т. 49. 2015. С. 399-405.

Filatov D.O., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Guseinov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Shengurov V.G. Photodiodes Based on Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoisland Arrays Grown by the Combined Sublimation Molecular-Beam Epitaxy of Silicon and Vapor-Phase Epitaxy of Germanium // Semiconductors. № 3. V. 49. 2015. P. 387-393.

Горшков О.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Филатов Д.О. Формирование нанокристаллов Au4Zr в стабилизированном диоксиде циркония в процессе имплантации ионов золота // Письма в ЖТФ. № 41. Т. 11. 2015. С. 62-70.

Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Горшков А.П., Волкова Н.С., Иванова М.М., Круглов А.В., Филатов Д.О. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 49. 2015. С. 1411-1414.

Gorshkov O.N., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Antonov I.N., Bobrov A.I., Filatov D.O. Formation of Au4Zr Nanocrystals in Yttria Stabilized Zirconia in the Course of Implantation of Gold Ions // Technical Physics Letters. № 6. V. 41. 2015. P. 543-546.

Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Ivanova M.M., Kruglov A.V., Filatov D.O. Photodetectors on the Basis of Ge/Si(001) Heterostructures Grown by the HotWire CVD Technique // Semiconductors. № 10. V. 49. 2015. P. 1365-1368.

2014

Труды (тезисы) конференции

Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Нежданов А.В., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Низкотемпературная гетероэпитаксия слоев германия на Si(100) с использованием метода горячей проволоки // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014. С. 551-552.

Гусейнов Д.В., Горшков А.П., Денисов С.А., Иванова М.М., Волкова Н.С., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Алябина Н.А., Трушин В.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотодетекторы на базе гетероэпитаксиальных слоёв Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 684-685.

Matveev S.A., Denisov S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Filatov D.O., Shengurov V.G. Low temperature growth of the epitaxial Ge layers on Si(100) by Hot Wire Chemical Vapor Deposition // Book of abstracts of Saint-Petersburg OPEN 2014, March 25-27, 2014. ISBN 978-5-906433-10-7 Published by St. Petersburg Academic University RAS. 2014. P. 107-108.

Guseinov D.V., Denisov S.A., Shengurov V.G., Shengurov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Stepikhova M.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Chalkov V.Yu. Silicon-based nano-optoelectronic components for optical interconnections // E-MRS 2014 Fall Meeting, Symposium Q : Terahertz and infrared optoelectronics: from materials to devices, September 15-19, 2014, Warsaw, Poland. Warsaw University of Technology (Poland). 2014. P. Q7.

Гусейнов Д.В., Королев Д.С., Денисов С.А., Филатов Д.О., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Трушин В.Н., Степихова М.В., Шенгуров В.Г. Влияние режимов имплантации ионов P+ в слои Ge на Si(100) и последующего отжига на их фотолюминесценцию // Тезисы докладов V-ой Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», Нижний Новгород, Россия, 27- 31 октября 2014. ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2014, 142 с. 2014. С. 68-69.

Гусейнов Д.В., Денисов С.А., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Степихова М.В., Шенгуров В.Г. Формирование и исследование растянутых слоев n+ - Ge на Si // Тезисы докладов XXXIII научных чтений им. академика Н.В. Белова, Нижний Новгород, Россия, 16 - 17 декабря 2014. ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 2014. - 144 с.. 2014. С. 83-85.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Белов А.И., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Маркелов А.С., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Структура и состав ионно-синтезированных нанокристаллов GaN в кремнии // XXXIII научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова, г. Нижний Новгород. Изд-во ННГу. 2014. С. 108.

Монографии

Filatov D.O., Antonov D.A., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Trushin V.N., Antonov I.N., Shenina M.E. Atomic force microscopy. Principles, modes of operation and limitations. New York: NOVA Science Publishers Inc. , p.372. 2014.

Публикации в научных журналах

Matveev S.A., Denisov S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Filatov D.O., Shengurov V.G. Low temperature growth of the epitaxial Ge layers on Si(100) by Hot Wire Chemical Vapor Deposition // Journal of Physics: Conference Series. V. 541. 2014. P. 012026.

Филатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // Физика и техника полупроводников. Т. 49. 2014. [принято к печати]

Filatov D.O., Guseinov D.V., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N. Imaging and spectroscopy of Au nanoclusters in yttria-stabilized zirconia films using ballistic electron/hole emission microscopy // RSC Advances. № 4. V. 100. 2014. P. 57337.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Филатов Д.О., Абрамкин Д.С. Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией // Письма в ЖЭТФ. № 3. Т. 100. 2014. С. 175-180.

2013

Труды (тезисы) конференции

Горшков О.Н., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Филатов Д.О., Шарапов А.Н., Шенина М.Е. Локальная электрополевая модификация свойств наноразмерных слоёв на основе стабилизированного диоксида циркония // Пассивные электронные компоненты - 2013: труды научно-технической конференции. Н.Новгород: КБ "ИКАР", 2013. - 322С. 2013. С. 314-316.

Иванова М.М., Качемцев А.Н., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Влияние облучения на фоточувствительность кремниевых фотодетекторов с наноостровками SiGe в активной области // Тезисы докладов ХI-ой Российской конференции по физике полупроводников, 16-20 сентября 2013. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2013. С. 437.

Публикации в научных журналах

Антонов Д.А., Филатов Д.О., Горшков О.Н., Дудин А.Ю., Шарапов А.Н., Зенкевич А.В., Матвеев Ю.А. Исследование резистивного переключения в тонких плёнках HfO2/Si методом комбинированной СТМ/АСМ // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2(2). 2013. С. 17-21.

Кревчик В.Д., Грунин А.Б., Семенов М.Б., Горшков О.Н., Марычев М.О., Филатов Д.О., Губина С.А., Губин Т.А., Яшин С.В. Влияние внешнего электрического поля и диссипативного туннелирования на фотолюминесценцию квантовой молекулы с резонансным u-состояниемD-(2)-центра // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2. 2013. С. 58-65.

2012

Сборники статей

Filatov D.O., Shengurov V.G., Nurgazizov N. I., Borodin P. A., Bukharaev A.A. Tunneling Atomic Force Microscopy of Self-Assembled In(Ga)As/GaAs Quantum Dots and Rings and of GeSi/Si(001) Nanoislands // Fingerprints in the Optical and Transport Properties of Quantum Dots. Rijeka.: InTech, Edited by Ameenah Al-Ahmadi, 468 p., ISBN 978-953-51-0648-7. 2012. P. 273-298.

Filatov D.O., Isakov M.A., Shengurov V.G., Marychev M.O., Nezhdanov A.V., Mashin A.I. Photoluminescence of the Self-Assembled GESI/SI(001) Nanoislands Grown by Sublimation Molecular Beam Epitaxy in GEH4 Ambient // Photoluminescence: Applications, Types and Efficacy. New York.: Nova Science Publishers, Editors: M.A. Case and B.C. Stout, 275 p, ISBN: 978-1-61942-426-5. 2012. P. 1-53.

Verevkin Yu. K., Daume E. Ya., Petryakov V. N., Klimov A. Yu., Gribkov B. S., Filatov D.O., Gushchina Yu. Yu., Tan C., Peng C. S., Pessa M., Wang Z., Olaizola S. M., Tisserand S. Two-Dimensional Periodic Nanoscale Patterning of the Solid Surfaces by Four-Beam Standing Wave Excimer Laser Lithography // Encyclopedia of Laser Research. New York.: Nova Science, Vol.2, 1214 p. 2012. P. 723-788.

Труды (тезисы) конференции

Машин А.И., Нежданов А.В., Антонов Д.А., Филатов Д.О. Структура и свойства кремниевых монослоёв на поверхности высокоориентированного пиролитического графита // VIII Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". Санкт-Петербург:Издательство Политехнический университет, 2-5 июля. 2012. С. 137-138.

Машин А.И., Нежданов А.В., Антонов Д.А., Филатов Д.О. Влияние условий получения на свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур на поверхности высокоориентированного пиролитического графита // XVI Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н.Новгород, 12–16 марта Т.1. 2012. С. 334-335.

2011

Сборники статей

Verevkin Yu. K., Daume E. Ya., Petryakov V. N., Klimov A. Yu., Gribkov B. S., Filatov D.O., Gushchina Yu. Yu., Tan C., Peng C. S., Pessa M., Wang Z., Olaizola S. M., Tisserand S. Two-Dimensional Periodic Nanoscale Patterning of the Solid Surfaces by Four-Beam Standing Wave Excimer Laser Lithography // Laser Beams: Theory, Properties and Applications. New York.: Nova Science, 533 p. 2011. P. 159-204.

Труды (тезисы) конференции

Машин А.И., Нежданов А.В., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Ершов А.В., Шенгуров В.Г. Влияние подложки и условий получения на свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур // X-я Российская конференция по физике полупроводников. Нижний Новгород, 19-23 сентября. 2011. С. 171.

Публикации в научных журналах

Горшков А.П., Карпович И.А., Филатов Д.О., Павлова Е.Д., Дорохин М.В. Влияние дельта-слоя Mn на спектры фоточувствительности структур с квантовыми ямами InxGa1 – xAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. Т. 6. 2011. С. 63-66.

Корнаухов А.В., Ежевский А.А., Марычев М.О., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. О природе электролюминесценции в режиме пробоя при обратном смещении на длине волны 1.5мкм для легированных эрбием кремниевых структур с p // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 45. 2011. С. 87-92.

Kornaukhov A.V., Ezhevskii A.A., Marychev M.O., Filatov D.O., Shengurov V.G. On the Nature of Electroluminescence at 1.5 µm in the Breakdown Mode of Reverse-Biased Er-Doped Silicon p–n-Junction Structures Grown by Sublimation Molecular Beam Epitaxy // Semiconductors. № 1. V. 45. 2011. P. 85-90.

Бородин П.А., Бухараев А.А., Филатов Д.О., Исаков М.А., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А. Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si(001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 45. 2011. С. 414-418.

Borodin P.A., Bukharaev A.A., Filatov D.O., Isakov M.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A. Investigation of the Local Density of States in Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoislands by Combined Scanning Tunneling and Atomic Force Microscopy // Semiconductors. № 3. V. 45. 2011. P. 403-407.

Филатов Д.О., Зимовец И.А., Исаков М.А., Кузнецов В.П., Корнаухов А.В. Исследование энергетических уровней примесных центров Er в Si методом баллистической электронной эмиссионной спектроскопии // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 45. 2011. С. 1153-1158.

Filatov D.O., Zimovets I. A., Isakov M. A., Kuznetsov V.P., Kornaukhov A.V. Investigation of energy levels of Er-impurity centers in Si by the method of ballistic electron emission spectroscopy // Semiconductors. № 9. V. 45. 2011. P. 1111-1116.

Gorshkov A.P., Karpovich I.A., Filatov D.O., Pavlova E.D., Dorokhin M.V. The effect of the Mn delta layer on the photosensitivity spectra of structures with InxGa1 // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 3. V. 5. 2011. P. 563-565.

Нежданов А.В., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Зубков С.Ю., Машин А.И., Ершов А.В. Морфология, электронная структура и оптические свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур на поверхности высокоориентированного пиролитического графита // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 45. 2011. С. 57-61.

Nezhdanov A.V., Filatov D.O., Antonov D.A., Zubkov S.Yu., Mashin A.I., Ershov A.V. The morphology, electron structure, and optical properties of self-assembled silicon nanostructures on the surface of highly oriented pyrolytic graphite // Semiconductors. № 1. V. 45. 2011. P. 56-60.

Филатов Д.О., Бородин П. А., Бухараев А. А. Исследование локальной плотности электронных состояний в квантовых кольцах InGaAs/GaAs методом комбинированной СТМ/АСМ // ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. № 6. 2011. С. 44-51.

Filatov D.O., Borodin P. A., Bukharaev A. A. Study of local density of electron states in InGaAs/GaAs quantum rings by combined STM/AFM // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 3. V. 5. 2011. P. 547-553.

Нежданов А.В., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Зубков С.Ю., Машин А.И. Структура и свойства наноструктур Si на поверхности ВОПГ // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 6. 2011. С. 52-57.

Filatov D.O., Zubkov S.Yu., Nezhdanov A.V., Mashin A.I. Structure and properties of Si nanostructures on highly oriented pyrolitic graphite surface A. V. Nezhdanov and A. I. Mashin // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 3. V. 5. 2011. P. 554-558.

Контакты

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского