Ежевский Александр Александрович

Место работы

Физический факультет

Кафедра физики полупроводников, электроники и наноэлектроники

профессор

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-исследовательская лаборатория мощных волоконных лазеров и лазерных систем ближнего и среднего ИК диапазонов

главный научный сотрудник

Ученая степень
Доктор физико-математических наук
Ученое звание
Профессор
Дата начала работы в университете лобачевского: 1973
Общий стаж работы 42 года, 2 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: полупроводники и диэлектрики. Квалификация: инженер электронной техники.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

15.01.2018 - 01.02.2018
Повышение квалификации: Современные нанотехнологии: физические основы и подготовка кадров, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 72 час., документ № 522405002110; рег. № 33-981 от 01.02.2018

16.01.2018 - 01.02.2018
Повышение квалификации: Современные подходы в преподавании естественнонаучных дисциплин (в условиях введения ФГОС), Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 72 час., документ № 522405002137; рег. № 33-1008 от 01.02.2018

19.12.2017 - 26.01.2018
Повышение квалификации: Организация инклюзивного образования в вузе, ННГУ, 72 час., документ № 522405001354; рег.№33-229 от 26.01.2018

17.01.2018 - 17.01.2018
Повышение квалификации: Оказание первой помощи, ННГУ, 8 час., документ № рег номер 936 от 17.01.2018

23.03.2017 - 25.05.2017
Повышение квалификации: Обеспечение качества образования через инновационные образовательные технологии, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 72 час., документ № удостоверение № 522404999821, рег.№ 33-3258 от 25.05.2017

06.02.2017 - 06.04.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная средв вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404110794 рег номер 33-212 от 10.04.2017

10.05.2016 - 31.05.2016
Повышение квалификации: Использование инновационных методов и современной аппаратуры в естественнонаучных исследованиях, ННГУ, 72 час., документ № 522403227276 рег номер 33-515 от 31.05.2016

19.02.2014 - 18.06.2014
Повышение квалификации: Английский язык для межкультурных коммуникаций., ННГУ, 72 час., документ № 522401036420 рег номер 308 от 18.06.2014

05.10.2009 - 07.12.2009
Повышение квалификации: Инновационные методики при самостоятельном изучении английского язака., ННГУ, 72 час., документ № рег номер 832 от 07.12.2009

13.06.2011 - 17.06.2011
Инновации в образовании, взаимодействие университетов и предприятий в Финляндии., Университет Аалто (Финляндия, г. Хельсинки), 72 час.

Список преподаваемых дисциплин

Физический факультет
Квантовая и оптическая электроника
Магнитные резонансы в твердых телах
Спин-зависимые явления в твердых телах
Спинтроника

Публикации

2018

Труды (тезисы) конференции

Деточенко А.П., Ежевский А.А., Конаков А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Abrosimov N.V., Riemann H. Изучение донорного центра лития в кремнии методом электронного парамагнитного резонанса // XXII международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника”. 2018 Т 2, http://nanosymp.ru/UserFiles/Symp/2018_v2.pdf. 2018. С. 587 – 588.

Ежевский А.А., Гусаров В.В., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Деточенко А.П., Мамин Г.В., Зверев Д.Г., Абросимов Н.В. Исследование объемных монокристаллов Si1–XGeX (x 0.05) методами магнитных резонансов // VII Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов. Нижний Новгород, 7–9 ноября 2018 г.. 2018. С. 133-135.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Деточенко А.П., Горшкова А.Г. Спиновый эффект Холла в кремнии, облученном висмутом // VII Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов. Нижний Новгород, 7–9 ноября 2018 г.. 2018. С. 135-136.

2017

Труды (тезисы) конференции

Андреев Б.А., Ершов А.В., Легков А.М., Грачев Д.А., Красильникова Л.В., Яблонский А.Н., Чунин И.И., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Ежевский А.А. Люминесцентные свойства структур с нановключениями кремния в диоксиде кремния и оксидах с высокой диэлектрической постоянной, отожженных в водороде // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т. 2, 402 с. 2017. С. 503–504.

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Detochenko A.P., Ezhevskii A.A., Nezhdanov A.V., Stepikhova M.V., Gavva V.A., Bulanov A.D. Molecular beam epitaxy of monoisotopic 30Si and 30Si1-x74Gex // Abstract book 19th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (EuroMBE19), March 19-22, 2017. Korobitsyno, Saint-Petersburg, Russia. 2017. P. 87.

Detochenko A.P., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Konakov A.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Novikov A.V., Abrosimov N. Spin transport in silicon doped with heavy donors // Technical Digest of 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-2017). Matsue, Japan, July 31 – Aug.4. 2017. P. 116.

Бардина Е.Е., Прохоров Д.С., Денисов С.А., Деточенко А.П., Ежевский А.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Эпитаксиальные слои кремния с высоким структурным совершенством для создания приборов микро-, оптоэлектроники и спинтроники // Тезисы докладов XII Всероссийской конференции молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика». Саратов, Россия, 5 - 7 сентября 2017 г.. 2017. С. 14.

Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Степихова М.В., Деточенко А.П., Ежевский А.А., Бардина Е.Е., Нежданов А.В., Гавва В.А., Буланов А.Д. Люминесцентные свойства моноизотопных 28Si и 28Si1-x74Gex, легированных эрбием // Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «Фотоника 2017». Новосибирск, Россия, 11-15 сентября 2017 г.. 2017. С. 147.

Деточенко А.П., Ежевский А.А., Кудрин А.В., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Конаков А.А., Абросимов Н.В. Влияние спин-зависимого рассеяния на спиновый транспорт электронов проводимости в кремнии, легированном висмутом // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 578–579.

Ежевский А.А., Конаков А.А., Деточенко А.П., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Abrosimov N.V., Riemann H. Проявление динамического эффекта Яна-Теллера у мелкого донорного центра лития с орбитально вырожденным основным состоянием в кремнии // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 580–581.

Деточенко А.П., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Конаков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Абросимов Н.В. Спиновый транспорт в кремнии, легированном донорами с большой спин-орбитальной связью // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников. Екатеринбург, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, 2017. – с. 480. 2017. С. 265.

Публикации в научных журналах

Ezhevskii A.A., Detochenko A.P., Sukhorukov A.V., Kudrin A.V., Guseinov D.V., Abrosimov N.V., Riemann H. The spin-flip scattering effect in the spin transport in silicon doped with bismuth // Journal of Physics: Conference Series. V. 816. 2017. P. 012001.

2016

Труды (тезисы) конференции

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Эпитаксиальные моноизотопные слои Si, Ge и Si1-xGex // Материалы ХX Международного Симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника",. Нижний Новгород, Россия, 14-18 марта 2016 г.. 2016. С. 561-563.

Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Филатов Д.О., Ежевский А.А., Деточенко А.П., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Зайцев А.В., Нежданов А.В. Эпитаксиальный рост слоев Ge на Si(100) с использованием метода «горячей проволоки» // Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск, Россия, 12-15 сентября 2016. 2016. С. 129.

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., N.V. Abrosimov, H.Riemann 4. Получение и исследование тонких пленок моноизотопных кремния и твердого раствора Si1-xGeх // Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск, Россия, 12-15 сентября 2016 г. 2016. С. 130.

Ежевский А.А., Деточенко А.П., Денисов С.А., Нежданов А.В., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Гавва В.А. Получение эпитаксиальных моноизотопных слоев Si и SiGe с высокой изотопной чистотой // 22 Всероссийская научная конференция студентов физиков и молодых ученых. Ростов-на-Дону 21-28 апреля 2016. 2016. С. 183-184.

Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Деточенко А.П., Кудрин А.В., Конаков А.А., Абросимов Н.В., Riemann H. Спиновые эффекты на легких и тяжелых донорах в кремнии // Тезисы докладов XI конференции и X школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск 12-15 сентября 2016.. 2016. С. 29.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Деточенко А.П., Конаков А.А., Бурдов В.А., Абросимов Н.В. Спиновый транспорт с участием мелких доноров в кремнии // Тезисы докладов XI конференции и X школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, метериаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск 12-15 сентября 2016. 2016. С. 152.

Публикации в научных журналах

Ezhevskii A.A., Detochenko A.P., Popkov S.A., Konakov A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Zverev D.G., Mamin G.V., Abrosimov N.V., Riemann H. Spin relaxation times of donor centers associated with lithium in monoisotopic 28Si // Solid State Phenomena. № 242. 2016. P. 322-326.

Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Popkov S.A., Detochenko A.P., Koroleva A.V., Ezhevskii A.A., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. The impurity spin-dependent scattering effects in the transport and spin resonance of conduction electrons in bismuth doped silicon // Solid State Phenomena. № 242. 2016. P. 327-331.

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si1-xGex: получение и некоторые свойства // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 50. 2016. С. 350-353.

Detochenko A.P., Denisov S.A., Drozdov M.N., Mashin A.I., Gavva V.A., Bulanov A.D., Nezhdanov A.V., Ezhevskii A.A., Stepikhova M.V., Chalkov V.Yu., Trushin V.N., Shengurov D.V., Shengurov V.G., Abrosimov N.V., Riemann H. Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si1 – xGex alloy layers: production and some properties // Semiconductors. № 3. V. 50. 2016. P. 345-348.

2015

Труды (тезисы) конференции

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Исследование моноизотопных эпитаксиальных слоев 30Si и твердого раствора Si1-xGex, осажденных из молекулярных пучков // XV Всероссийская конференция и VIII Школа молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение». Нижний Новгород, Россия, 26-29 мая 2015 г.. 2015. С. 112.

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и Si1 xGex: получение и свойства // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 159.

Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Popkov S.A., Detochenko A.P., Konakov A.A., Koroleva A.V. The impurity spin-dependent scattering effects in the conduction electrons transport in bismuth doped silicon // Тезисы докладов международной конференции «Spin physics, spin chemistry, and spin technology»,. Санкт-Петербург, 1-5 июня 2015, С.165. 2015. P. 165.

Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Detochenko A.P., Popkov S.A., Zverev D.G., Mamin G.V., Abrosimov N.V., Riemann H. Spin relaxation times of donor centers associated with lithium in monoisotopic 28Si // Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XVI September 20-25, 2015,. Bad Staffelstein, Germany 2015. 2015. P. 132-133.

Ezhevskii A.A., Detochenko A.P., Shengurov V.G., Stepikhova M.V. Investigation of the influence of defects on the luminescent properties of Si/Si1-хGex:Er/Si heterostructures // Тезисы докладов 2 международной конференции «2-nd international school and conference on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures», 6-8 апреля 2015,. Санкт-Петербург 2015,. 2015. P. 100-101.

Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Detochenko A.P., Konakov A.A., Koroleva A.V., Abrosimov N.V., Riemann H. The impurity spin-dependent scattering effect in the transport and spin resonance of conduction electrons in bismuth doped silicon // Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XVI September 20-25, 2015, B. Ad Staffelstein, Germany.. 2015. P. 134-135.

Ezhevskii A.A., Koroleva A.V., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Detochenko A.P., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. Spin-Dependent Transport in Bismuth Doped Silicon // International Conference Modern Development of Magnetic Resonance. Kazan 22–26 September 2015. 2015. P. 110.

Ежевский А.А., Деточенко А.П., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Конаков А.А., Зверев Д.Г., Мамин Г.В., Abrosimov N.V., Riemann H. Времена спиновой релаксации донорных центров, связанных с литием в моноизотопном кремнии 28Si // Труды ХIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника».. Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г. Т.2. 2015. С. 489-490.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Деточенко А.П., Королева А.В., Конаков А.А., Бурдов В.А., Абросимов Н.В., Riemann H. Эффекты примесного спин-зависимого рассеяния в транспорте и спиновом резонансе электронов проводимости в кремнии, легированном висмутом // Труды ХIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника».. Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г. 2015, Т.2,. 2015. С. 661-662.

Ежевский А.А., Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Шенгуров В.Г. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и Si1-xGex: получение и свойства // XII российская конференция по физике полупроводников. Звенигород, 21-25 сентября 2015. 2015. С. 159.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Деточенко А.П., Конаков А.А., Бурдов В.А. Спиновый транспорт и спиновый резонанс с участием мелких доноров в кремнии // XII российская конференция по физике полупроводников. Звенигород 21-25 сентября 2015,. 2015. С. 308.

2014

Труды (тезисы) конференции

Гусейнов Д.В., Ежевский А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Конаков А.А., Бурдов В.А., Abrosimov N.V., Riemann H. Сильные эффекты примесного рассеяния в спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014.. 2014. С. 444-445.

Сухоруков А.В., Ежевский А.А., Конаков А.А., Попков С.А., Гусейнов Д.В., Курова Н.В., Кузнецов О.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Спиновый резонанс электронов проводимости в эпитаксиальных слоях твердого раствора кремний-германия // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014. С. 634-635.

Денисов С.А., Гавва В.А., Гусев А.В., Дроздов М.Н., Ежевский А.А., Деточенко А.П., Шенгуров В.Г. Рост эпитаксиальных слоев моноизотопного кремния методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии // Тезисы докладов XXXIII научных чтений им. академика Н.В. Белова, Нижний Новгород, Россия, 16 - 17 декабря 2014. ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 2014. - 144 с.. 2014. С. 87-88.

Ежевский А.А., Деточенко А.П., Попков С.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Конаков А.А., Abrosimov N.V., Riemann H. Времена спиновой релаксации донорных центров, связанных с литием в моноизотопном 28Si // 11-ая Зимняя молодежная школа-конференция «Магнитный резонанс и его приложения», 30 ноября – 6 декабря 2014, Санкт-Петербург. 2014, С.115-117. Санкт-Петербург. 2014, С.115-117. 2014. С. 115-117.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. The ground states structure and spin-orbit coupling for lithium donor centers in monoisotopic 28Si // “2014 EMN Summer meeting (Energy Material Nanotechnology)”, Cancun, Mexico 6 - 16 июня 2014 г.. Cancun, Mexico 6 - 16 июня 2014 г. 2014 EMN Summer Meeting Adstracts P. 237. 2014. P. 237.

Публикации в научных журналах

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. Monoisotopic 28Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized on shallow donors // Solid State Phenomena. V. 205-2. 2014. P. 191-200.

2013

Труды (тезисы) конференции

Степихова М.В., Дроздов М.Н., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Деточенко А.П., Ежевский А.А. Влияние процессов взаимодействия дефектов гетерослоя и редкоземельной примеси Er на люминесцентные свойства структур Si/Si(1-x)Ge(x):Er // Труды XVII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 11-15 марта, 2013. Том 2, 2 стр.. 2013. С. 599-600.

Публикации в научных журналах

Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Попков С.А., Гусев А.В., Гавва В.А., Abrosimov N.V., Riemann H. Моноизотопный кремний 28Si в спектроскопии спинового резонанса электронов, локализованных на донорах // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 47. 2013. С. 168-173.

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Temperature Renormalization of the Conduction Electron g-Factor in Silicon // Semiconductors. V. 47. 2013. P. 169.

Guseinov D.V., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Popkov S.A., Gusev A.V., Gavva V.A., Abrosimov N.V., Riemann H Monoisotopic silicon 28Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized at donors // Semiconductors. № 47. V. 2. 2013. P. 203-208.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Попков С.А., Гусейнов Д.В., Гусев А.В., Гавва В.А., Зверев Д.Г., Абросимов Н.В., Riemann H. ВЛИЯНИЕ ДЕФОРМАЦИЙ НА СПЕКТРЫ ЭПР ДОНОРНЫХ ЦЕНТРОВ ЛИТИЯ И ЖЕЛЕЗА В МОНОИЗОТОПНОМ 28Si // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия Физика твердого тела.. № 2. 2013. С. 79-87.

2012

Труды (тезисы) конференции

Попков С.А., Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Шенгуров В.Г., Кузнецов О.А., Гусев А.В. Исследование мелкого донорного центра в слоях SiGe/Si с изменены изотопным составом // Тезисы докладов IX-ой Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2012». Санкт-Петербург, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, 9-13 июля 2012 г.. 2012. С. 190.

Публикации в научных журналах

Ежевский А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кузнецов О.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Исследование спектров электронного спинового резонанса в SiGe/Si гетерослоях, легированных фосфором // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 230-232.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kuznetsov O.A., Shengurov V.G., Denisov S.A. Investigating the Spectra of Electron Spin Resonance in SiGe/Si Heterolayers Doped with Phosphorous // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 2. V. 76. 2012. P. 201-203.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Температурная перенормировка g-фактора электронов проводимости в кремнии // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1604-1608.

Ежевский А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Abrosimov N.V., Riemann H. Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом 28Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 46. 2012. С. 1468-1474.

Сухоруков А.В., Ежевский А.А., Попков С.А., Гусейнов Д.В., Гусев А.В. ВКЛАД СВЕРХТОНКОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В ПРОЦЕССЫ СПИНОВОЙ РЕЛАКСАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДИМОСТИ В КРЕМНИИ // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Серия физика твердого тела. № 3. Т. 1. 2012. С. 34-36.

2011

Труды (тезисы) конференции

Ежевский А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Кузнецов О.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Исследование спектров электронного спинового резонанса в SiGe/Si гетерослоях, легированных фосфором // Труды XV Международного Симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”. Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.1. – C.60-61. 2011. С. 60-61.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Температурная зависимость g-фактора электронов проводимости в кремнии: теория и эксперимент // Вторая школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. Конспекты лекций и тезисы докладов. Издательство ННГУ, 131 С. 2011. С. 106-107.

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Temperature dependence of the conduction electron g-factor in silicon // XIV International Youth Scientific School «Actual problems of magnetic resonance and its application». Program. Lecture Notes. Proceedings. Издательство Казанского университета, 138 С. 2011. P. 120-123.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Влияние электрон-фононного взаимодействия на g-фактор электронов проводимости в кремнии // ХХХ научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова. Тезисы докладов конференции 20-21 декабря 2011 г. Издательство ННГУ, 189 С. 2011. С. 123-124.

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Electron g-factor in silicon: temperature dependence // International Conference «Resonances in condensed matter» devoted to the centenary of Professor S. A. Altshuler. Book of Abstracts. Издательство Казанского университета, 137 С. 2011. P. 93.

Публикации в научных журналах

Корнаухов А.В., Ежевский А.А., Марычев М.О., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. О природе электролюминесценции в режиме пробоя при обратном смещении на длине волны 1.5мкм для легированных эрбием кремниевых структур с p // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 45. 2011. С. 87-92.

Kornaukhov A.V., Ezhevskii A.A., Marychev M.O., Filatov D.O., Shengurov V.G. On the Nature of Electroluminescence at 1.5 µm in the Breakdown Mode of Reverse-Biased Er-Doped Silicon p–n-Junction Structures Grown by Sublimation Molecular Beam Epitaxy // Semiconductors. № 1. V. 45. 2011. P. 85-90.

Konakov A.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A., Burdov V.A. Lande factor of the conduction electrons in silicon: temperature dependence // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 324. 2011. P. 012027.

Konakov A.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A., Burdov V.A. Temperature dependence of the conduction electron g-factor in silicon: theory and experiment // Magnetic Resonance in Solids. Electronic Journal. № 2. V. 13. 2011. P. 14-20.

Контакты

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского