Ежевский Александр Александрович

Список преподаваемых дисциплин

Физический факультет
Магнитные резонансы в твердых телах
Спинтроника

Публикации

2024

Vasilyeva A.A., Kazakovtsev S.A., Guseinov D.V., Ezhevskii A.A., Egorikhina M.N., Aleinik D.Ya., Bulanov E.N. Synthesis, some physicochemical and biomedical properties of colored apatite-structured compounds with Mn5+ and Cr5+ // ChemistrySelect. № 11. V. 9. 2024. P. 1-17.

2023

Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Караштин Е.А., Гусев Н.С. О форме линии ФМР и генерируемых спиновых токов в структурах Py/n-Si:Bi // Труды XXVII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта 2023 г., ИФМ РАН, Н.Новгород. ННГУ, т.1, с. 171–172 (2023).. Труды XXVII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта 2023 г., ИФМ РАН, Н.Новгород. ННГУ, т.1, с. 171–172 (2023).. 2023. С. 171–172.

Ezhevskii A.A., Guseinov D.V., Sukhorukov A.V., Kalinina E.A., Karashtin E.A., Yurasov D.V. Impact of spin-flip scattering on spin current and inverse Spin-Hall effect in silicon doped by bismuth, antimony or phosphorus. // Physica B: Condensed Matter. V. 674. 2023. P. 415551. [принято к печати]

Ezhevskii A.A., Kalinina E.A., Guseinov D.V., Sukhorukov A.V., Zverev D.G., Murzakhanov F.F., Abrosimov N.V. Electron Spin Resonance of Lithium Related Donor Centers in Bulk Si1−xGex Crystals Enriched in 28Si and 72Ge Isotopes // Semiconductors. 2023. [принято к печати]

2022

Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Калинина Е.А. Возбуждение ФМР и спиновых токов электрической компонентой микроволнового поля в структурах Py/n-Si:Bi c участием спин-орбитального взаимодействия. // Материалы XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Том 1 с. 236-237. Материалы XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Том 1 с. 236-237. 2022. С. 236-237.

2021

Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Калинина Е. Рассеяние спинов с переворотом и их влияние на процессы генерации спиновых токов в n-кремнии, легированном фосфором, сурьмой и висмутом // Труды XXV Международного симпозиума Нанофизика и наноэлектроника. (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2, с. 658-659.. Труды XXV Международного симпозиума Нанофизика и наноэлектроника. (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2, с. 658-659.. 2021. С. 654–658.

Ezhevskii A.A., Guseinov D.V., Sukhorukov A.V., Kalinina E.A., Novikov A.V. Generation of Spin Currents in n-Si Doped with Phosphorus, Antimony, and Bismuth and the Role of Spin-Flip Scattering Processes. // Semiconductors. № 8. V. 55. 2021. P. 654–658.

2020

Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Абросимов Н.В. Поведение доноров фосфора в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах 28Si1-х72Geх. // Труды XXIV Международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника” (Нижний Новгород, 10–13 марта 2020 г.). Том 2. C. 567-568. 2020. С. 567-568.

Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Абросимов Н.В. Поведение доноров лития в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах 28Si(1-х) 72Ge(х) // XXIV Международный симпозиум “Нанофизика и наноэлектроника” (Нижний Новгород, 10−13 марта 2020 г.). Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т2, 975с.. 2020. С. 565-566.

Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Горшкова А.Г., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Гусев Н.С. Инверсный спиновый эффект Холла и анизотропный магнитно-резистивный эффект в Py/n-Si:Bi, индуцированные ФМР // Труды XXIV Международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника” (Нижний Новгород, 10−13 марта 2020 г.). Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т2, 975с.. 2020. С. 563-564.

Ezhevskii A.A., Guseinov D.V., Sukhorukov A.V., Sennikov P.G., Kalinina E.A., Abrosimov N.V. Behavior of Lithium Donors in Bulk Single-Crystal Monoisotopic 28Si(1 – x) 72Ge(x) Alloys // Semiconductors. № 10. V. 54. 2020. P. 1336–1340.

Ezhevskii A.A., Guseinov D.V., Sukhorukov A.V., Novikov A.V., Yurasov D.V., Gusev N.S. Spin pump induced inverse spin Hall effect observed in Bi-doped n-type Si // Physical Review B. V. 101. 2020. P. 195202.

Ezhevskii A.A., Guseinov D.V., Sukhorukov A.V., Sennikov P.G., Kalinina E.A., Abrosimov N.V. Behavior of Phosphorus Donors in Bulk Single-Crystal Monoisotopic 28Si(1 – x) 72Ge(x) Alloys // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1123–1126.

2019

Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Деточенко А.П. Инверсный спиновый эффект Холла в n-Si с висмутом, индуцированный ФМР в Py/Si // XXIII международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" 11 – 14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, 700с.. 2019. С. 581.

Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Деточенко А.П. Сверхтонкое взаимодействие в объемных монокристаллах Si1-xGex (x 0.05) // XXIII международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" 11 – 14 марта 2019 г., Нижний Новгород,. Нижний Новгород Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021. 2019. С. 676.

2018

Деточенко А.П., Ежевский А.А., Конаков А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Abrosimov N.V., Riemann H. Изучение донорного центра лития в кремнии методом электронного парамагнитного резонанса // XXII международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника”. 2018 Т 2, http://nanosymp.ru/UserFiles/Symp/2018_v2.pdf. 2018. С. 587 – 588.

Ежевский А.А., Гусаров В.В., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Деточенко А.П., Мамин Г.В., Зверев Д.Г., Абросимов Н.В. Исследование объемных монокристаллов Si1–XGeX (x 0.05) методами магнитных резонансов // VII Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов. Нижний Новгород, 7–9 ноября 2018 г.. 2018. С. 133-135.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Деточенко А.П., Горшкова А.Г. Спиновый эффект Холла в кремнии, облученном висмутом // VII Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов. Нижний Новгород, 7–9 ноября 2018 г.. 2018. С. 135-136.

2017

Андреев Б.А., Ершов А.В., Легков А.М., Грачев Д.А., Красильникова Л.В., Яблонский А.Н., Чунин И.И., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Ежевский А.А. Люминесцентные свойства структур с нановключениями кремния в диоксиде кремния и оксидах с высокой диэлектрической постоянной, отожженных в водороде // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т. 2, 402 с. 2017. С. 503–504.

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Detochenko A.P., Ezhevskii A.A., Nezhdanov A.V., Stepikhova M.V., Gavva V.A., Bulanov A.D. Molecular beam epitaxy of monoisotopic 30Si and 30Si1-x74Gex // Abstract book 19th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (EuroMBE19), March 19-22, 2017. Korobitsyno, Saint-Petersburg, Russia. 2017. P. 87.

Detochenko A.P., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Konakov A.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Novikov A.V., Abrosimov N. Spin transport in silicon doped with heavy donors // Technical Digest of 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-2017). Matsue, Japan, July 31 – Aug.4. 2017. P. 116.

Бардина Е.Е., Прохоров Д.С., Денисов С.А., Деточенко А.П., Ежевский А.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Эпитаксиальные слои кремния с высоким структурным совершенством для создания приборов микро-, оптоэлектроники и спинтроники // Тезисы докладов XII Всероссийской конференции молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика». Саратов, Россия, 5 - 7 сентября 2017 г.. 2017. С. 14.

Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Степихова М.В., Деточенко А.П., Ежевский А.А., Бардина Е.Е., Нежданов А.В., Гавва В.А., Буланов А.Д. Люминесцентные свойства моноизотопных 28Si и 28Si1-x74Gex, легированных эрбием // Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «Фотоника 2017». Новосибирск, Россия, 11-15 сентября 2017 г.. 2017. С. 147.

Деточенко А.П., Ежевский А.А., Кудрин А.В., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Конаков А.А., Абросимов Н.В. Влияние спин-зависимого рассеяния на спиновый транспорт электронов проводимости в кремнии, легированном висмутом // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 578–579.

Ежевский А.А., Конаков А.А., Деточенко А.П., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Abrosimov N.V., Riemann H. Проявление динамического эффекта Яна-Теллера у мелкого донорного центра лития с орбитально вырожденным основным состоянием в кремнии // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 580–581.

Деточенко А.П., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Конаков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Абросимов Н.В. Спиновый транспорт в кремнии, легированном донорами с большой спин-орбитальной связью // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников. Екатеринбург, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, 2017. – с. 480. 2017. С. 265.

Ezhevskii A.A., Detochenko A.P., Sukhorukov A.V., Kudrin A.V., Guseinov D.V., Abrosimov N.V., Riemann H. The spin-flip scattering effect in the spin transport in silicon doped with bismuth // Journal of Physics: Conference Series. V. 816. 2017. P. 012001.

2016

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Эпитаксиальные моноизотопные слои Si, Ge и Si1-xGex // Материалы ХX Международного Симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника",. Нижний Новгород, Россия, 14-18 марта 2016 г.. 2016. С. 561-563.

Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Филатов Д.О., Ежевский А.А., Деточенко А.П., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Зайцев А.В., Нежданов А.В. Эпитаксиальный рост слоев Ge на Si(100) с использованием метода «горячей проволоки» // Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск, Россия, 12-15 сентября 2016. 2016. С. 129.

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., N.V. Abrosimov, H.Riemann 4. Получение и исследование тонких пленок моноизотопных кремния и твердого раствора Si1-xGeх // Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск, Россия, 12-15 сентября 2016 г. 2016. С. 130.

Ежевский А.А., Деточенко А.П., Денисов С.А., Нежданов А.В., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Гавва В.А. Получение эпитаксиальных моноизотопных слоев Si и SiGe с высокой изотопной чистотой // 22 Всероссийская научная конференция студентов физиков и молодых ученых. Ростов-на-Дону 21-28 апреля 2016. 2016. С. 183-184.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Деточенко А.П., Попков С.А., Конаков А.А., Абросимов Н.В., Riemann H. Спиновые эффекты на легких и тяжелых донорах в кремнии // Тезисы докладов XI конференции и X школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск 12-15 сентября 2016.. 2016. С. 29.

Королева А.В., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Деточенко А.П., Конаков А.А., Бурдов В.А., Абросимов Н.В., Riemann H. Спиновый транспорт с участием мелких доноров в кремнии // Тезисы докладов XI конференции и X школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, метериаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск 12-15 сентября 2016. 2016. С. 152.

Королева А.В., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Попков С.А., Деточенко А.П., Ежевский А.А., Конаков А.А., Бурдов В.А., Абросимов Н.А., Riemann H. Исследование гальвано-магнитных свойств кремния легированного висмутом // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–18 марта 2016 г.) В 2 т. Том 1. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2016. С. 218–219.

Ezhevskii A.A., Detochenko A.P., Popkov S.A., Konakov A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Zverev D.G., Mamin G.V., Abrosimov N.V., Riemann H. Spin relaxation times of donor centers associated with lithium in monoisotopic 28Si // Solid State Phenomena. № 242. 2016. P. 322-326.

Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Popkov S.A., Detochenko A.P., Koroleva A.V., Ezhevskii A.A., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. The impurity spin-dependent scattering effects in the transport and spin resonance of conduction electrons in bismuth doped silicon // Solid State Phenomena. № 242. 2016. P. 327-331.

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si1-xGex: получение и некоторые свойства // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 50. 2016. С. 350-353.

Detochenko A.P., Denisov S.A., Drozdov M.N., Mashin A.I., Gavva V.A., Bulanov A.D., Nezhdanov A.V., Ezhevskii A.A., Stepikhova M.V., Chalkov V.Yu., Trushin V.N., Shengurov D.V., Shengurov V.G., Abrosimov N.V., Riemann H. Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si1 – xGex alloy layers: production and some properties // Semiconductors. № 3. V. 50. 2016. P. 345-348.

2015

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Исследование моноизотопных эпитаксиальных слоев 30Si и твердого раствора Si1-xGex, осажденных из молекулярных пучков // XV Всероссийская конференция и VIII Школа молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение». Нижний Новгород, Россия, 26-29 мая 2015 г.. 2015. С. 112.

Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и Si1 xGex: получение и свойства // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 159.

Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Popkov S.A., Detochenko A.P., Koroleva A.V., Ezhevskii A.A., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. The impurity spin-dependent scattering effects in the conduction electrons transport in bismuth doped silicon // Spin physics, spin chemistry and spin technology. Conference Proceedings. Saint-Petersburg, 1-5 June. 2015. P. 165.

Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Detochenko A.P., Popkov S.A., Zverev D.G., Mamin G.V., Abrosimov N.V., Riemann H. Spin relaxation times of donor centers associated with lithium in monoisotopic 28Si // Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XVI September 20-25, 2015,. Bad Staffelstein, Germany 2015. 2015. P. 132-133.

Ezhevskii A.A., Detochenko A.P., Shengurov V.G., Stepikhova M.V. Investigation of the influence of defects on the luminescent properties of Si/Si1-хGex:Er/Si heterostructures // Тезисы докладов 2 международной конференции «2-nd international school and conference on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures», 6-8 апреля 2015,. Санкт-Петербург 2015,. 2015. P. 100-101.

Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Popkov S.A., Detochenko A.P., Koroleva A.V., Ezhevskii A.A., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. The impurity spin-dependent scattering effect in the transport and spin resonance of conduction electrons in bismuth doped silicon // Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XVI «GADEST 2015». Booklet of Abstracts, September 9th, 2015. Ad Staffelstein, Germany. 2015. P. 134-135.

Koroleva A.V., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Popkov S.A., Detochenko A.P., Ezhevskii A.A., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. Spin-Dependent Transport in Bismuth Doped Silicon // Modern Development of Magnetic Resonance. Abstracts of the International Conference. Kazan, Zavoisky Physical-Technical Institute. 2015. P. 110.

Деточенко А.П., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Конаков А.А., Зверев Д.Г., Мамин Г.В., Ежевский А.А., Abrosimov N.V., Riemann H. Времена спиновой релаксации донорных центров, связанных с литием в моноизотопном кремнии 28Si // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2015. С. 489-490.

Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Попков С.А., Деточенко А.П., Королева А.В., Ежевский А.А., Конаков А.А., Бурдов В.А., Абросимов Н.В., Riemann H. Эффекты примесного спин-зависимого рассеяния в транспорте и спиновом резонансе электронов проводимости в кремнии, легированном висмутом // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2015. С. 661-662.

Ежевский А.А., Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Шенгуров В.Г. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и Si1-xGex: получение и свойства // XII российская конференция по физике полупроводников. Звенигород, 21-25 сентября 2015. 2015. С. 159.

Деточенко А.П., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Попков С.А., Королева А.В., Ежевский А.А., Конаков А.А., Бурдов В.А., Зверев Д.Г., Мамин Г.В., Абросимов Н.В., Riemann H. Спиновый транспорт и спиновый резонанс с участием мелких доноров в кремнии // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников (21 - 25 сентября 2015 г., Звенигород Московской области). Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН. 2015. С. 308.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Попков С.А., Конаков А.А., Деточенко А.П., Королева А.В., Абросимов Н.В., Riemann H. Спиновый транспорт и спиновый резонанс в кремнии, легированном мелкими донорами // Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение. Тезисы докладов XV конференции, Нижний Новгород, 26 – 29 мая 2015 г. / Под ред. академика РАН М.Ф. Чурбанова. Нижний Новгород: Печатная Мастерская РАДОНЕЖ. 2015. С. 101.

Королева А.В., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Попков С.А., Деточенко А.П., Ежевский А.А., Конаков А.А., Бурдов В.А., Абросимов Н.В., Riemann H. Спиновый транспорт и спиновый резонанс в кремнии легированном висмутом // Материалы конференции «Магнитный резонанс и его приложения», Санкт-Петербургский государственный университет, 15-21 ноября 2015 года. С.-Петербург: Отпечатано копировально-множительным участком отдела обслуживания учебного процесса физического факультета СПбГУ. 2015. С. 184-186.

2014

Гусейнов Д.В., Ежевский А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Конаков А.А., Бурдов В.А., Abrosimov N.V., Riemann H. Сильные эффекты примесного рассеяния в спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014.. 2014. С. 444-445.

Сухоруков А.В., Ежевский А.А., Конаков А.А., Попков С.А., Гусейнов Д.В., Курова Н.В., Кузнецов О.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Спиновый резонанс электронов проводимости в эпитаксиальных слоях твердого раствора кремний-германия // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014. С. 634-635.

Денисов С.А., Гавва В.А., Гусев А.В., Дроздов М.Н., Ежевский А.А., Деточенко А.П., Шенгуров В.Г. Рост эпитаксиальных слоев моноизотопного кремния методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии // Тезисы докладов XXXIII научных чтений им. академика Н.В. Белова, Нижний Новгород, Россия, 16 - 17 декабря 2014. ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 2014. - 144 с.. 2014. С. 87-88.

Деточенко А.П., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Конаков А.А., Ежевский А.А., Abrosimov N.V., Riemann H. Времена спиновой релаксации донорных центров, связанных с литием в моноизотопном 28Si // Материалы конференции «Магнитный резонанс и его приложения», Санкт-Петербургский государственный университет, 30 ноября – 6 декабря 2014 года. С.-Петербург: Отпечатано копировально-множительным участком отдела обслуживания учебного процесса физического факультета СПбГУ. 2014. С. 115-117.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. The ground states structure and spin-orbit coupling for lithium donor centers in monoisotopic 28Si // 2014 EMN Summer Meeting. Program & Abstracts. The Westin Resort & Spa, Cancun, Mexico. 2014. P. 237-238.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. Monoisotopic 28Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized on shallow donors // Solid State Phenomena. V. 205-2. 2014. P. 191-200.

2013

Степихова М.В., Дроздов М.Н., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Деточенко А.П., Ежевский А.А. Влияние процессов взаимодействия дефектов гетерослоя и редкоземельной примеси Er на люминесцентные свойства структур Si/Si(1-x)Ge(x):Er // Труды XVII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 11-15 марта, 2013. Том 2, 2 стр.. 2013. С. 599-600.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. Monoisotopic 28Si and 29Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized on donors and conduction electrons // GADEST 2013. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XV. 22nd to 27th September 2013, Oxford, UK. Programme and abstracts. Oxford, UK. 2013. P. 54-55.

Конаков А.А., Гусейнов Д.В., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Попков С.А., Бурдов В.А. Спиновая релаксация электронов проводимости в кремнии, легированном мелкими донорами // XVIII Нижегородская сессия молодых ученых. Естественные, математические науки. 28–31 мая 2013 г.. Отв. за вып. И.А. Зверева. – Н. Новгород: НИУ РАНХиГС. 2013. С. 42-43.

Ежевский А.А., Конаков А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., N.V. Abrosimov, H. Riemann Исследование орбитально-вырожденных электронных состояний мелкого донорного центра лития в моноизотопном кремнии 28Si // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XI РКФП). Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. 2013. С. 354.

Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Попков С.А., Гусев А.В., Гавва В.А., Abrosimov N.V., Riemann H. Моноизотопный кремний 28Si в спектроскопии спинового резонанса электронов, локализованных на донорах // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 47. 2013. С. 168-173.

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Temperature Renormalization of the Conduction Electron g-Factor in Silicon // Semiconductors. V. 47. 2013. P. 169.

Guseinov D.V., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Popkov S.A., Gusev A.V., Gavva V.A., Abrosimov N.V., Riemann H Monoisotopic silicon 28Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized at donors // Semiconductors. № 47. V. 2. 2013. P. 203-208.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Попков С.А., Гусейнов Д.В., Гусев А.В., Гавва В.А., Зверев Д.Г., Абросимов Н.В., Riemann H. ВЛИЯНИЕ ДЕФОРМАЦИЙ НА СПЕКТРЫ ЭПР ДОНОРНЫХ ЦЕНТРОВ ЛИТИЯ И ЖЕЛЕЗА В МОНОИЗОТОПНОМ 28Si // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия Физика твердого тела.. № 2. 2013. С. 79-87.

2012

Попков С.А., Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Шенгуров В.Г., Кузнецов О.А., Гусев А.В. Исследование мелкого донорного центра в слоях SiGe/Si с изменены изотопным составом // Тезисы докладов IX-ой Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2012». Санкт-Петербург, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, 9-13 июля 2012 г.. 2012. С. 190.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Температурная перенормировка g-фактора электронов проводимости в кремнии // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVI международного симпозиума, 12-16 марта 2012 г., Нижний Новгород. Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 1. 2012. С. 271.

Конаков А.А., Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Попков С.А., Бурдов В.А. Влияние легирования мелкими донорами на спиновую релаксацию и g-фактор электронов проводимости в кремнии // IX Международная конференция и VIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе «Кремний-2012», 9-13 июля 2012 г., Санкт-Петербург. Книга тезисов. Санкт-Петербург. 2012. С. 176.

Konakov A.A., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A., Burdov V.A. Renormalization of the conduction electron Lande g-factor in silicon // ICPS 2012. 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd, 2012. Final Program. ETH Zurich. 2012. P. 94.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Abrosimov N.V., Riemann H., Konakov A.A. Valley spin-orbit interaction for the triplet and doublet 1s-ground states of lithium donor center in silicon-28 // ICPS 2012. 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd, 2012. Final Program. ETH Zurich. 2012. P. 100.

Ежевский А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кузнецов О.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Исследование спектров электронного спинового резонанса в SiGe/Si гетерослоях, легированных фосфором // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 230-232.

Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kuznetsov O.A., Shengurov V.G., Denisov S.A. Investigating the Spectra of Electron Spin Resonance in SiGe/Si Heterolayers Doped with Phosphorous // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 2. V. 76. 2012. P. 201-203.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Температурная перенормировка g-фактора электронов проводимости в кремнии // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1604-1608.

Ежевский А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Abrosimov N.V., Riemann H. Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом 28Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 46. 2012. С. 1468-1474.

Сухоруков А.В., Ежевский А.А., Попков С.А., Гусейнов Д.В., Гусев А.В. ВКЛАД СВЕРХТОНКОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В ПРОЦЕССЫ СПИНОВОЙ РЕЛАКСАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДИМОСТИ В КРЕМНИИ // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Серия физика твердого тела. № 3. Т. 1. 2012. С. 34-36.

2011

Ежевский А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Кузнецов О.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Исследование спектров электронного спинового резонанса в SiGe/Si гетерослоях, легированных фосфором // Труды XV Международного Симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”. Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.1. – C.60-61. 2011. С. 60-61.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Температурная зависимость g-фактора электронов проводимости в кремнии: теория и эксперимент // Вторая школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. Конспекты лекций и тезисы докладов. Издательство ННГУ, 131 С. 2011. С. 106-107.

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Temperature dependence of the conduction electron g-factor in silicon // XIV International Youth Scientific School «Actual problems of magnetic resonance and its application». Program. Lecture Notes. Proceedings. Издательство Казанского университета, 138 С. 2011. P. 120-123.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Влияние электрон-фононного взаимодействия на g-фактор электронов проводимости в кремнии // ХХХ научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова. Тезисы докладов конференции 20-21 декабря 2011 г. Издательство ННГУ, 189 С. 2011. С. 123-124.

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Electron g-factor in silicon: temperature dependence // International Conference «Resonances in condensed matter» devoted to the centenary of Professor S. A. Altshuler. Book of Abstracts. Издательство Казанского университета, 137 С. 2011. P. 93.

Корнаухов А.В., Ежевский А.А., Марычев М.О., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. О природе электролюминесценции в режиме пробоя при обратном смещении на длине волны 1.5мкм для легированных эрбием кремниевых структур с p // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 45. 2011. С. 87-92.

Kornaukhov A.V., Ezhevskii A.A., Marychev M.O., Filatov D.O., Shengurov V.G. On the Nature of Electroluminescence at 1.5 µm in the Breakdown Mode of Reverse-Biased Er-Doped Silicon p–n-Junction Structures Grown by Sublimation Molecular Beam Epitaxy // Semiconductors. № 1. V. 45. 2011. P. 85-90.

Konakov A.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A., Burdov V.A. Lande factor of the conduction electrons in silicon: temperature dependence // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 324. 2011. P. 012027.

Konakov A.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A., Burdov V.A. Temperature dependence of the conduction electron g-factor in silicon: theory and experiment // Magnetic Resonance in Solids. Electronic Journal. № 2. V. 13. 2011. P. 14-20.