Окулич Евгения Викторовна

Место работы

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур"

Научно-исследовательская лаборатория стохастических мультистабильных систем

младший научный сотрудник

Ученая степень
нет
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 6 лет, 1 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
специалист. Специальность: микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Квалификация: физик.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2019

Труды (тезисы) конференции

Окулич Е.В., Тетельбаум Д.И., Окулич В.И. Накопление дефектов и аморфизация при ионном облучении кремния // XLIX Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2019). Тезисы докладов. Москва, 29 - 31 мая. 2019. С. 145.

Окулич Е.В., Окулич В.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Молекулярно-динамическое моделирование влияния стехиометрии на структуру филамента в мемристорах на основе диоксида кремния // Двадцать третья научная конференция по радиофизике. Труды конференции. Нижний Новгород, 13-17 мая. 2019. С. 505.

Okulich E.V., Vorobyev V.L., Bayankin V.Ya., Chigirinskii Yu.I., Dudin Yu.A., Tetelbaum D.I. Effect of ion irradiation and annealing on quantitative composition of SiO2-based memristive structures // IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 26-29 August. 2019. P. 61.

Okulich V.I., Okulich E.V., Tetelbaum D.I. Computer simulation of structural rearrangement of amorphous silicon dioxide under strong supersaturation with oxygen vacancies // IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 26-29 August. 2019. P. 62.

Guseinov D.V., Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Gerasimova S.A., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Kazantsev V.B. Atomistic and dynamical stochastic models of metal-oxide memristive devices // International Conference “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)”. Book of abstracts. Erice, Italy, October 18-21. 2019. P. 23.

Korolev D.S., Okulich E.V., Koryazhkina M.N., Shuiski R.A., Belov A.I., Shenina M.E., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Okulich V.I., Antonov I.N., Dudin Yu.A., Spagnolo B. Effect of irradiation with Si+ ions on resistive switching in memristive structures based on yttria-stabilized zirconia and silicon dioxide // International Conference “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)”. Book of abstracts. Erice, Italy, October 18-21. 2019. P. 27.

Публикации в научных журналах

Okulich E.V., Koryazhkina M.N., Korolev D.S., Belov A.I., Shenina M.E., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Antonov I.N., Dudin Yu.A. The Effect of Irradiation with Si+ Ions on Resistive Switching in Memristive Structures Based on Yttria-Stabilized Zirconia // Technical Physics Letters. № 7. V. 45. 2019. P. 690–693.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Gerasimova S.A., Antonov I.N., Okulich E.V., Shuiskiy R.A., Tetelbaum D.I. Effect of ion irradiation on resistive switching in metal-oxide memristive nanostructures // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012245.

2018

Труды (тезисы) конференции

Окулич Е.В., Окулич В.И., Тетельбаум Д.И., Шемухин А.А. Моделирование кинетики накопления точечных дефектов при ионном облучении кремния с учетом пространственно-временной стохастичности генерации и эволюции дефектов // Тезисы докладов XLVIII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: "КДУ", "Университетская книга", Москва, 29-31 мая, 206 стр. 2018. С. 160.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Okulich E.V., Okulich V.I., Shuisky R.A., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Stepanov A.V., Gorshkov O.N. Ion Implantation in the Technology of Metal-Oxide Memristive Devices // XII International Conference on Ion implantation and other applications of ions and electrons. Book of Abstracts, Kazimierz Dolny, Poland, June 18-21, 137 стр. 2018. P. 122.

Коряжкина М.Н., Окулич Е.В., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шуйский Р.А., Антонов И.Н., Васильев В.К. Влияние облучения ионами Si и постимплантационного отжига на параметры резистивного переключения в мемристивных структурах на основе // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 150.

Шуйский Р.А., Окулич Е.В., Окулич В.И., Белов А.И., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Чигиринский Ю.И., Тетельбаум Д.И. Влияние ионной имплантации на параметры формовки и переключения мемристивных структур на основе диоксида кремния // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 153.

Окулич Е.В., Окулич В.И., Тетельбаум Д.И. Моделирование влияния ионного облучения на структуру аморфного оксида кремния методом молекулярной динамики // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 163.

Монографии

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Okulich E.V., Okulich V.I., Shuisky R.A., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N. Ion implantation in the technology of metal-oxide memristive devices. New York:: Nova Science Publishers, Inc. - Ion Implantation: Synthesis, Applications and Technology / A.D. Pogrebnyak (Ed.), ISBN: 978-1-53613-962-4.. 2018.

Публикации в научных журналах

Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Antonov I.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N. Manipulation of resistive state of silicon oxide memristor by means of current limitation during electroforming // Superlattices and Microstructures. V. 122. 2018. P. 371-376.

Okulich E.V., Okulich V.I., Tetelbaum D.I. Calculation of the Influence of the Ion Current Density and Temperature on the Accumulation Kinetics of Point Defects under the Irradiation of Si with Light Ions // Semiconductors. № 9. V. 52. 2018. P. 1091-1096.

Степанов А.В., Белов А.И., Окулич Е.В., Шуйский Р.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н. Улучшение параметров мемристоров на основе оксида кремния методом ионного облучения // Вестник Чувашской государственной сельскохозяйственной академии. № 1(4). 2018. С. 87-91.

2017

Труды (тезисы) конференции

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Okulich E.V., Antonov I.N., Tetelbaum D.I. Influence of current limitation on the adaptive behavior of the memristive nanostructures // Book of abstracts, International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, April 3-6. 2017. P. 554-555.

Окулич Е.В., Королев Д.С., Белов А.И., Окулич В.И., Шуйский Р.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние ионной имплантации на параметры мемристивных структур на основе оксида кремния // Тезисы докладов, XLVII Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2017). Москва, 30 мая-1 июня. 2017. С. 145.

Королев Д.С., Окулич Е.В., Шуйский Р.А., Окулич В.И., Белов А.И., Антонов И.Н., Васильев В.К., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Влияние ионно-лучевой обработки на параметры электроформовки и резистивного переключения мемристивных наноструктур // Материалы докладов, 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь, 19-22 сентября. 2017. С. 152-153.

Публикации в научных журналах

Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shenina M.E., Korolev D.S., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Okulich E.V., Okulich V.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G. Filamentary model of bipolar resistive switching in capacitor-like memristive nanostructures on the basis of yttria-stabilised zirconia // International Journal of Nanotechnology. № 7/8. V. 14. 2017. P. 604-617.

2016

Труды (тезисы) конференции

Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Формирование нанокластеров в кремнии и оксидных пленках на кремнии, имплантированных Ga и N // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тез. докл. VI Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов, Нижний Новгород, 24–27 окт. 2016 г. Н. Новгород. : Изд-во Нижегорд. госун-та. 2016. 141 с. 2016. С. 62-63.

Публикации в научных журналах

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Окулич Е.В., Шемухин А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 274-278.

Belov A.I., Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Okulich E.V., Sergeev V.A., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Kozlovski V.V. Medium-energy ion-beam simulation of the effect of ionizing radiation and displacement damage on SiO2-based memristive nanostructures // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. V. 379. 2016. P. 13-17.

Rajamani S., Korolev D.S., Belov A.I., Surodin S.I., Nikolitchev D.E., Okulich E.V., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Effect of annealing on carrier transport properties of GaN-incorporated silicon // RSC Advances. V. 6. 2016. P. 74691.

Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Shemmukhin A.A., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Layer-by-Layer Composition and Structure of Silicon Subjected to Combined Gallium and Nitrogen Ion Implantation for the Ion Synthesis of Gallium Nitride // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 271-275.

2015

Труды (тезисы) конференции

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Efimovykh D.V., Antonov I.N., Okulich E.V., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tetelbaum D.I. Influence of ion irradiation on the resistive switching parameters of SiOx-based thin-film structures // 2nd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2015”. Book of abstracts. St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. 2015. P. 271-272.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Konakov A.A., Shemukhin A., Ranwa S., Kumar M. Si and Si-compatible dielectric films subjected to Ga+N co-implantation: towards the Si-based technology of nc-GaN fabrication // 18th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-18), Dates: 26th to 31st October, 2015. Book of Abstracts. Jaipur, Rajasthan, India. 2015. P. 238.

Публикации в научных журналах

Белов А.И., Михайлов А.Н., Королев Д.С., Сергеев В.А., Окулич Е.В., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Грязнов Е.Г., Ятманов А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние облучения ионами H+ и Ne+ на резистивное переключение в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiOx // Письма в журнал технической физики. № 19. Т. 41. 2015. С. 81-89.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского