Малышева Евгения Игоревна
Научно-исследовательский физико-технический институт
Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники
Лаборатория спиновой и оптической электроники
научный сотрудник
Общие сведения
Научная Работа
Образование, учёные степени и учёные звания
Высшее образование
магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.
Список преподаваемых дисциплин
Публикации
2024
Публикации в научных журналахМалышева Е.И., Демина П.Б., Ведь М.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Байдусь Н.В., Трушин В.Н. Модификация функциональных характеристик спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt // Physics of the Solid State. Т. 66. 2024. С. 184-189.
2023
Труды (тезисы) конференцииМалышева Е.И., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В. Спин-зависимые фотоэлектрические эффекты в структурах с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным δMn-слоем // Труды XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта 2023 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т.1. 2023. С. 161-162.
2020
Публикации в научных журналахDorokhin M.V., Demina P.B., Malysheva E.I., Kudrin A.V., Vedy M.V., Zdoroveishchev A.V. Long-Range Magnetic Interaction in InGaAs/GaAs/ δ-Mn Heterostructures // Technical Physics Letters. № 1. V. 46. 2020. P. 87-90.
2019
Труды (тезисы) конференцииZvonkov B.N., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Kalentyeva I.L., Malysheva E.I. Structures of semiconductor spintronics, formed by the combined method of MOCVD epitaxy and pulsed laser deposition // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.1.. 2019. P. 59-60.
2018
Труды (тезисы) конференцииМалышева Е.И., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Парафин А.Е., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путем послеростовых воздействий // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума, 12-15 марта 2018. Н. Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. - Т.1. 2018. С. 220-221.
Малышева Е.И., Дорохин М.В., Парафин А.Е., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путём постростовых воздействий // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1.. 2018. С. 220-221.
Ved M., Malysheva E., Dorokhin M., Zdoroveyshchev A., Danilov Yu., Parafin A. Enhancement the operating temperature of spin light-emitting diodes based on dilute magnetic semiconductors // Book of Abstracts of 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, April 2-5, 2018, Saint Petersburg, Russia. St. Petersburg Academic University. 2018. P. 469-470.
Публикации в научных журналахYakovlev G.E., Dorokhin M.V., Zubkov V.I., Dudin A.L., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Specific Features of the Electrochemical Capacitance-Voltage Profiling of GaAs LED and pHEMT Structures with Quantum-Confined Regions // Semiconductors. № 8. V. 52. 2018. P. 1004-1011.
Малышева Е.И., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Парафин А.Е., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий // Физика твердого тела. № 11. Т. 60. 2018. С. 2141-2146.
Dorokhin M.V., Yakovlev G.E., Zubkov V.I., Dudin A.L., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Specific Features of the Electrochemical Capacitance-Voltage Profiling of GaAs LED and pHEMT Structures with Quantum-Confined Regions // Semiconductors. № 8. V. 52. 2018. P. 1004-1011.
Ved M.V., Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Parafin A.E., Kuznetsov Yu.M. On the mechanism of spin-polarized injection in (Ga,Mn)As/n+GaAs/InGaAs Zener tunnel diode // Journal of Physics: Conference Series. № 1124. 2018. P. 061005.
2017
Труды (тезисы) конференцииМалышева Е.И., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Ведь М.В. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетерострукутр InGaAs/GaAs/δMn // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. 2017. С. 205-206.
Публикации в научных журналахDorokhin M.V., Ved' M.V., Malysheva E.I., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Danilov Yu.A. Room temperature spin injection in a light-emitting diode based on a GaMnSb/n-GaAs/InGaAs tunnel junction // Journal of Physics: Conference Series. V. 816. 2017. P. 012035.
Dorokhin M.V., Zaitsev S.V., Rykov A.V., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zubkov V.I., Frolov D.S., Yakovlev G.E., Kudrin A.V. Heterostructures with InGaAs/GaAs quantum dots doped with transition elements: II. Study of the circularly polarized luminescence // Technical Physics. № 10. V. 62. 2017. P. 1545-1550.
Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства // Журнал технической физики. № 9. Т. 87. 2017. С. 1389-1394.
Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A. Heterostructures with InGaAs/GaAs Quantum Dots Doped by Transition Elements. Part I: Photoluminescence Properties // Technical Physics. № 9. V. 62. 2017. P. 1398-1402.
Дорохин М.В., Зайцев С.В., Рыков А.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Зубков В.И., Фролов Д.С., Яковлев Г.Е., Кудрин А.В. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции // Журнал технической физики. № 10. Т. 87. 2017. С. 1539-1544.
Малышева Е.И., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/deltaMn // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2142-2147.
2016
Труды (тезисы) конференцииРыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б., Здоровейщев А.В. Люминесценция спиновых светодиодов с ферромагнитным инжектором CoPt // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород. Изд-во Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобаческого, Т. 1: Секция 2. 2016. С. 251-252.
Кудрин А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Малышева Е.И., Родионова В.В., Беляев В.К. Особенности магнитных свойств слоев GaMnSb со второй ферромагнитной фазой // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород.. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.1, 434с. 2016. С. 221-222.
Дорохин М.В., Бобров А.И., Ведь М.В., Павлов Д.А., Лесников В.П., Ерофеева И.В., Демина П.Б., Малышева Е.И., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Эпитаксиальный слой MnGa – перспективный материал для практического применения в полупроводниковых приборах // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 435с. 2016. С. 564-565.
Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(A3,Mn)B5 и InGaAs/n+-GaAs/(A3,Mn)B5 // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобаческого, Т. 1: Секция 2. 2016. С. 229-231.
Публикации в научных журналахРыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В. Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с дельта-слоем Mn // Физика и техника полупроводников. № 50. Т. 1. 2016. С. 3-8.
Rykov A.V., Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Demina P.B., Vikhrova O.V., Zdoroveishev A.V. Effect of the Dopant Concentration on the Luminescence Properties of InGaAs/GaAs Spin Light-Emitting Diodes with a Mn δ Layer // Semiconductors. № 50. V. 1. 2016. P. 1-7.
Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/n+-GaAs/(Ga,Mn)As // Физика твердого тела. № 11. Т. 58. 2016. С. 2190.
Malysheva E.I., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V. Tunneling and Injection in Ferromagnetic Structures InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As and InGaAs/n+-GaAs/(Ga,Mn)As // Physics of the Solid State. № 11. V. 58. 2016. P. 2271-2276.
2015
Труды (тезисы) конференцииDorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Demina P.B., Malysheva E.I. Time-resolved photoluminescence of ferromagnetic InGaAs/GaAs/δMn structures // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. P. 164-165.
Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б., Вихрова О.В. Люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов с легированными Mn слоями // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10 – 14 марта 2015 г. Нижний Новгород, 2015.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. С.199-200.. 2015. С. 199-200.
Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Demina P.B., Vedy M.V. Room temperature spin injection in GaMnSb/GaAs/InGaAs spin light-emitting diodes // Proceedings International Conference «Spin physics, spin chemistry and spin technology» June 1-5, 2015, St. Petersburg, Russia.. 2015. P.70.. 2015. P. P.70.
Ведь М.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В. Формирование ферромагнитных слоев спиновых светоизлучающих диодов на основе GaAs методом импульсного лазерного осаждения // Тезисы докладов XV Всероссийской конференции и VIII школы молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы: получение, анализ, применение», Нижний Новгород 26-29 мая 2015г.. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. С.113.. 2015.. 2015. С. 199.
Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксия ферромагнитных квазикристаллов MnxGay на поверхности GaAs // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015.. Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН.. 2015. С. 131.
Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция диодов Зеннера на основе наноструктур InGaAs/GaAs/(A3,Mn)B5 // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10 – 14 марта 2015 г. Нижний Новгород, 2015.. Из-во ННГУ им.Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 2015. Т.1.. 2015. С. 184-185.
Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б., Вихрова О.В. Люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов с легированными Mn слоями // Материалы XIX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2012. Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, 402 с. 2015. С. 199-200.
Публикации в научных журналахБобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И., Павлов Д.А., Сайед С. Применение кобальта в спиновых светоизлучающих диодах Шоттки с квантовыми ямами InGaAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 7. 2015. С. 57-60.
Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I., Pavlov D.A., S. Saeid Application of Cobalt in Spin Light-Emitting Schottky Diodes with InGaAs/GaAs Quantum Wells // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron, and Neutron Techniques. № 4. V. 9. 2015. P. 706-709.
Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Mendes U., Brum J.A., Demina P.B., Malysheva E.I., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V. The circular polarization inversion in deltaMn/InGaAs/GaAs light-emitting diodes // Applied Physics Letters. № 4. V. 107. 2015. P. 042406, 1-4.
Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Малышева Е.И., Труфанов А.Н. Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами // Физика и техника полупроводников. № 49. Т. 3. 2015. С. 370-375.
Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Baidus N.V., Malysheva E.I., Trufanov A.N. Emission Properties of InGaAs/GaAs Heterostructures with Quantum Wells and Dots after Irradiation with Neutrons // Semiconductors. № 49. V. 3. 2015. P. 358–363.
Малышева Е.И., Дорохин М.В., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/(A III,Mn)BV на основе структур с туннельным барьером // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1497-1500.
Malysheva E.I., Dorokhin M.V., Vedy M.V., Kudrin A.V., Zdoroveishchev A.V. Circularly Polarized Electroluminescence of Light-Emitting InGaAs/GaAs (III/Mn)V Diodes on the Basis of Structures with a Tunnelling Barrier // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1497-1500.
2014
Труды (тезисы) конференцииДорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоёв MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Том 1. 2014. С. 135-136.
Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И., Павлов Д.А., Сайед С. Влияние металлической пленки кобальта на структуру и свойства светоизлучающего диода с квантовыми ямами InGaAs/GaAs // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Том 1. 2014. С. 146-147.
Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxy of MnGa ferromagnetic films on GaAs (100) for spintronic applications // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 253.
Малышева Е.И., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция диодов с туннельным барьером GaMnAs/n+GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVIII международного симпозиума. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского Том 1.. 2014. С. 160-162.
Публикации в научных журналахДорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 5. 2014. С. 28-34.
Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А. Циркулярная поляризация электролюминесценции светоизлучающих диодов на основе GaAsMn // Вестник ННГУ им.Н.И.Лобачевского. № 1(2). 2014. С. 94-99.
Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией // Физика твердого тела. № 10. Т. 56. 2014. С. 2062-2065.
Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zdoroveishchev A.V., Rykov A.V., Zvonkov B.N. Temperature dependence of the circular polarization of electroluminescence from spin-polarized light-emitting diodes based on InGaAs/GaAs heterostructures // Journal of Surface Investigations. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 3. V. 8. 2014. P. 433-439.
Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxial Growth of MnGa/GaAs Layers for Diodes with Spin Injection // Physics of the Solid State. № 10. V. 56. 2014. P. 2131-2134.
Дорохин М.В., Малышева Е.И., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Зубков С.Ю. Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом // Журнал технической физики. № 12. Т. 84. 2014. С. 102-106.
Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Zubkov S.Yu. Spin Injection of Electrons in GaMnAs/GaAs/InGaAs Light-Emitting Diode Structures // Technical Physics. № 12. V. 59. 2014. P. 1839-1843.
2013
Труды (тезисы) конференцииДорохин М.В., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И. Спиновые светоизлучающие приборы на основе гетероструктур InGaAs/GaAs // Пассивные электронные компоненты – 2013. Труды науч.-тех. конференции, Н.Новгород, 23-26 апреля 2013. Н. Новгород: «КБ «Икар»». 2013. С. 38-40.
Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 116-117.
Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Malysheva E.I., Vikhrova O.V., Kudrin A.V. Combination of MOVPE and laser sputtering for epitaxial growth of GaAs-based ferromagnetic semiconductor heterostructures // 15th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (EWMOVPE XV), June 2-5, 2013, Aachen, Germany. Extended Abstracts. Julich: Forschungszentrum. 2013. P. 219-222.
Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Prokofyeva M.M., Zdoroveishchev A.V. InGaAs/GaAs light-emitting diodes with ferromagnetic delta-doped layers // 10 International conference "Nanomeeting 2013" 28-31 May, Minsk. Belarus. 2013. 3P.. 2013. P. 618-621.
Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В. Материалы спиновой электроники // Форум молодых учёных. Нижний Новгород. 16-18 сентября 2013. Тезисы докладов.. Издательство ННГУ. 2013. 3С. 2013. С. 134-136.
Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Ферромагнитные свойства наноструктур на основе гетеросистемы InGaAs/GaAs-дельта Mn // Всероссийская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. С. Петербург. 16-20 сентября 2013.. Изд-во ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 2013. С. 312.
Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В. Спиновые светоизлучающие диоды на основе ферромагнитных полупроводников (A3,Mn)B5 // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: сб. тр. 12-й Междунар. науч. конф.-шк., Саранск, 1–4 окт. 2013 г.. Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2013. – 204 с. 2013. С. 78-87.
2012
Труды (тезисы) конференцииZdoroveishchev A.V., Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zvonkov B.N. Vapor phase epitaxy fabrication of self-organized Mn-doped InAs/GaAs quantum dot arrays // Book of abstracts of II International conference on Modern problems in physics of surfaces and nanostructures. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 pages. 2012. P. 111-112.
Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов с ферромагнитным полупроводниковым инжектором // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г.. Нижний Новгород. Т.1, 640 С. 2012. С. 117-118.
Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Malysheva E.I., Prokofyeva M.M., Zvonkov B.N. Fabrication of InGaAs/GaAs light-emitting diodes with GaMnSb and GaMnAs ferromagnetic injector layer // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 2012. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 37-38.
Публикации в научных журналахПрокофьева М.М., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Кудрин А.В., Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Формирование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих ферромагнитные включения // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 255-258.
Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Malysheva E.I., Prokofyeva M.M., Zvonkov B.N. Fabrication of InGaAs/GaAs Light-Emitting Diodes with GaMnSb Ferromagnetic Injector Layer // Solid State Phenomena. V. 190. 2012. P. 89-92.
Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb // Письма в журнал технической физики. № 16. Т. 38. 2012. С. 69-77.
Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Zvonkov B.N., Sholina A.E. Features of the Formation of Mn Doped InAs/GaAs Quantum Dots by Vapor Phase Epitaxy // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION. XRAY, SYNCHROTRON AND NEUTRON TECHNIQUES. № 6. V. 3. 2012. P. 511-514. [принято к печати]
Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Шолина А.Е. Особенности формирования методом газофазной эпитаксии квантовых точек InAs/GaAs, легированных атомами Mn // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 6. 2012. С. 55-58.
Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Светоизлучающие диоды с ферромагнитным инжектирующим слоем на основе гетероструктур GaMnSb/InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1554-1560.
Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb // Письма в журнал технической физики. № 16. Т. 38. 2012. С. 69-77.
2011
Труды (тезисы) конференцииЗдоровейщев А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Волкова Н.С. Формирование квантовых точек InAs/GaAs методом газофазной эпитаксии в присутствии атомов Mn // Труды XIII Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Ульяновск, 19-26 сентября 2011 г.. Ульяновск: УЛГУ. 2011. С. 50-51.
Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Волкова Н.С. Формирование квантовых точек InAs на легированном атомами Mn буферном слое GaAs методом газофазной эпитаксии // Сборник трудов IV Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых "Диагностика наноматериалов и наноструктур", Рязань, 12-16 сентября 2011 г.. Рязань: РГРТУ, Т. 3. 2011. С. 73-77.
Прокофьева М.М., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И. Формирование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих ферромагнитные включения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г.. Нижний Новгород. Т.2., 670 С. 2011. С. 357-358.
Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Зайцев С.В. Особенности формирования методом газофазной эпитаксии квантовых точек InAs/GaAs, легированных атомами Mn // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г.. Нижний Новгород. Т.2. 670 С. 2011. С. 416-417.
Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Прокофьева М.М., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. Исследование люминесценции гетероструктур In(Ga)As/GaAs, легированных атомами переходных элементов // X Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы конференции. 19-23 сентября 2011. Нижний Новгород. 296 С. 2011. С. 167.
Публикации в научных журналахКудрин А.В., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И. Светодиоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитоуправляемой электролюминесценцией // Письма в журнал технической физики. № 24. Т. 37. 2011. С. 57-65.