Антонов Дмитрий Александрович

Место работы

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур"

Научно-исследовательская лаборатория "Лаборатория мемристорной наноэлектроники"

старший научный сотрудник

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур"

Научно-исследовательская лаборатория стохастических мультистабильных систем

старший научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 22 года

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Квалификация: инженер.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

23.04.2018 - 11.05.2018
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № Удостоверение № 522406998231, рег.№ 33-3049 от 11.05.2018

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2024

Труды (тезисы) конференции

Филатов Д.О., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Хабибулова В.А., Горшков О.Н. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в наноразмерных мемристорных структурах на основе HfO2/Co // Материалы XXVII Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород.. Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2024.– В 2-х томах.–Т.2.. 2024. С. 893-894.

Публикации в научных журналах

Yakimov A.V., Klyuev A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Mikhailov A.N., Kochergin V.S., Vasileiadis N., Panagiotis D. Effect of Nitrogen Ion Diffusion Jumps in Nanometer-Sized Si3N4 Memristors Investigated by Low-Frequency Noise Spectroscopy // Fluctuation and Noise Letters. № 1. V. 23. 2024. P. 2450014.

2023

Труды (тезисы) конференции

Kochergin V.S., Yakimov A.V., Klyuev A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Mikhailov A.N., Matorina O.V., Vasileiadis V., Spagnolo B. Low-frequency noise spectroscopy application for numeric estimation of nitrogen ion diffusion jumps parameters in Si3N4 -based memristive structures // Труды XXVII научной конференции по радиофизике (Нижний Новгород, 15—25 мая 2023 г.). Нижний Новгород: ННГУ, 2023. – 607 с.. 2023. P. 487-490.

Filatov D.O., Semenov M.B., Krevchik V.D., Antonov D.A., Shkurinov A.P., Ozheredov I.A., Krevchik P.V., Wang Yu-Hua, Li Tian-Rong, Razumov A.V., Shorokhov A.V., Movko M., Antonov T.S., Semenov I.M. Effect of temperature on the tunneling electron transfer through Co nanoparticles in HfO2 films as an effect of dissipative tunneling // Материалы XXVII Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород.. Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2023.– В 2-х томах.–Т.1.. 2023. P. 412-415.

Публикации в научных журналах

Filatov D.O., Krevchik V.D., Semenov M.B., Antonov D.A. Effect of Temperature on Dissipative Electron Tunneling through Co Nanoparticles in HfO 2 Films // Technical Physics. № 4. V. 68. 2023. P. 75-80.

2022

Труды (тезисы) конференции

Филатов Д.О., Горшков О.Н., Шенина М.Е., Котомина В.Е., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Денисов С.А., Круглов А.В., Воронцов В.А., Рябова М.А. Исследование эффекта резистивного переключения в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии // Материалы XXVI Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022. Нижний Новгород. Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2022.– В 2-х томах.–Т.1.. 2022. С. 437-438.

Filatov D.O., Semenov M.B., Krevchik V.D., Shkurinov A.P., Ozheredov I.A., Shorokhov A.V., Krevchik P.V., Antonov D.A., Gorshkov O.N., Kotov A.S., Razumov A.V., Antonov T.S., Semenov I.M. Features of 1D – dissipative tunneling in dielectric films with Zr, Au, Ni, Fe and Co nanoparticles. Study by Atomic Force Microscopy // Материалы XXVI Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022. Нижний Новгород. Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2022.– В 2-х томах.–Т.1.. 2022. P. 409-412.

Монографии

Кревчик В.Д., Семенов М.Б., Шкуринов А.П., Тимошенко В.Ю., Филатов Д.О., Кревчик П.В., Разумов А.В., Байдусь Н.В., Ожередов И.А., Марычев М.О., Антонов Д.А. Оптика и туннельные свойства квантовых точек. Пенза: Издательство Пензенского государственного университета, 380 с.. 2022.

Публикации в научных журналах

Kochergin V.S., Yakimov A.V., Klyuev A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Mikhailov A.N., Sunyaikin D.V., Shtraub N.I., Vasileiadis N., Dimitrakis P., Spagnolo B. Effect of SiO2 sublayer on the retention characteristics of nanometer-sized Si3N4 memristive devices investigated by low-frequency noise spectroscopy // Japanese Journal of Applied Physics. № SM1013. V. 61. 2022. P. 1-7.

Filatov D.O., Semenov M.B., Krevchik V.D., Antonov D.A., Shorokhov A.V., Shkurinov A.P., Ozheredov I.A., Krevchik P.V., Razumov A.V., Kotov A.S., Antonov I.S., Semenov I.M. Features of tunneling current-voltage characteristics in dielectric films with Ni, Fe, and Co nanoparticles, investigated by conductive AFM and within the framework of the theory of 1D-dissipative tunneling // Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics. № 6. V. 13. 2022. P. 0-6.

2021

Труды (тезисы) конференции

Kochergin V.S., Yakimov A.V., Klyuev A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Mikhailov A.N., Sunyaikin D.V., Shtraub N.I., Dimitrakis P., Spagnolo B. Effect of SiO2 sublayer on degradation of Si3N4 based nanometer sized memristive systems // 4th International Conference on Memristive Materials, Devices and Systems. MEMRISYS 2021, November 1–4, 2021. Tsukuba, Japan. MEMRISYS 2021. 4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems. 2021.11.1 [MON] – 4 [THU]. TSUKUBA, JAPAN. ABSTRACTS of Poster Presentations. 49 p. P-35. 2021. P. P-35.

Filatov D.O., Ryabova M.A., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Gorshkov O.N. In situ Investigation of Individual Filament Growth in Conducting Bridge Memristor by Contact Scanning Capacitance Microscopy // Abst. 8th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (May 25-28, 2021 St. Petersburg, Russia). St. Petersburg: Academic university, 2021.). 2021. P. 581.

Публикации в научных журналах

Ryabova M.A., Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kharcheva A.A., Dubkov A.A. Resonant activation of resistive switching in ZrO2(Y) films // Journal of Physics: Conference Series. V. 1851. 2021. P. 012003 (1-6).

Novikov A.S., Filatov D.O., Shenina M.E., Antonov I.N., Antonov D.A., Nezhdanov A.V., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. A mechanism of effect of optical excitation on resistive switching in ZrO2(Y) films with Au nanoparticles // Journal Physics D: Applied Physics. V. 54. 2021. P. 485303.

Vorontsov V.A., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Shenina M.E., Kotomina V.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Pavlov D.A., Filatov D.O., Gorshkov O.N. Investigation of resistive switching in Ag/Ge/Si(001) stack by conduc-tive atomic force microscopy // Journal of Physics: Conference Series. V. 2086. 2021. P. 012043(1-4).

Filatov D.O., Antonov D.A., Novikov A.S., Kruglov A.V., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Gorshkov O.N. Resistive Switching in Individual Ferromagnetic Filaments in ZrO2(Y)/Ni Based Memristive Stacks // Technical Physics. № 10. V. 91. 2021. P. 1472.

Filatov D.O., Vorontsov V.A., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Kotomina V.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Gorshkov O.N. Demonstration of the Effect of Resistive Switching of Individual Filaments in Memristor Ag/Ge/Si Structures Using Atomic Force Microscopy // Technical Physics Letters. № 11. V. 47. 2021. P. 781–784.

Filatov D.O., Antonov D.A., Novikov A.S., Kruglov A.V., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Gorshkov O.N. The Formation of Nanosized Ferromagnetic Ni Filaments in Films of ZrO2(Y) // Technical Physics Letters. № 7. V. 47. 2021. P. 539–541.

2020

Труды (тезисы) конференции

Суняйкин Д.В., Якимов А.В., Клюев А.В., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Михайлов А.Н., Dimitrakis P., Спаньоло Б. Анализ деградационных процессов в мемристивных элементах хранения информации // Труды XXIV научной конференции по радиофизике, посвященной 75-летию радиофизического факультета (Нижний Новгород, 13–31 мая 2020 г.).. Нижний Новгород: ННГУ, 2020. – 530 с. ISBN 978-5-91326-602-6. 2020. С. 450-453.

Filatov D.O., Baranova V.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Gorshkov O.N. Resonant activation of resistive switching in ZrO2(Y) based memristor // 28th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology 2020", Minsk, Republic of Belarus, September 28 – October 2, 2020. St-Petersburg: Ioffe Institute, 2020. 228 pp.. 2020. P. 46.

Filatov D.O., Baranova V.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Gorshkov O.N. Resonant activation of resistive switching in ZrO2(Y) and ZrO2(Y)/Ta2O5 based memristors // Abst. 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, Russia, April 26 – 30, 2020.. St. Petersburg Academic University, 2020.- 543 pp.. 2020. P. 420.

Филатов Д.О., Рябова М.А., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Горшков О.Н. Исследование резонансной активации резистивного переключения в пленках ZrO2(Y) методом атомно-силовой микроскопии // Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (10-13 марта, 2020 г. Нижний Новгород). Нижний Новгород): изд. ИФМ РАН, 2020,. Т. 1, 496 с.. 2020. С. 410-411.

Публикации в научных журналах

Filatov D.O., Novikov A.S., Baranova V.N., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Koryazhkina M.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Carollo A., Spagnolo B. Experimental investigations of local stochastic resistive switching in yttria stabilized zirconia film on a conductive substrate // Journal of Statistical Mechanics: Theory and Experiment. № 2. V. 2020. 2020. P. 024005 (1-11).

Antonov D.A., Antonov I.N., Belov A.I., Baranova V.N., Shenina M.E., Gorshkov O.N. Resistive Switching of Memristors Based on Stabilized Zirconia by Complex Signals // Physics of the Solid State. № 62. V. 4. 2020. P. 642-647.

Filatov D.O., Baranova V. N., Antonov D.A., Antonov I.N., Gorshkov O.N. Resonant Activation of Resistive Switching in ZrO2(Y) Based Memristors. // Semiconductors. № 14. V. 54. 2020. P. 1830–1832.

Filatov D.O., Antonov D.A., Antonov I.N., Ryabova M.A., Gorshkov O.N. An Atomic Force Microscopic Study of Resistive Switching Resonance Activation in ZrO2(Y) Films // Technical Physics. № 11. V. 65. 2020. P. 1744–1747.

Filatov D.O., Baranova V.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Belov A.I., Shenina M.E., Gorshkov O.N. Resistive Switching of Memristors Based on Stabilized Zirconia by Complex Signals // Physics of the Solid State. № 4. V. 62. 2020. P. 642–647.

2019

Труды (тезисы) конференции

Филатов Д.О., Новиков А.С., Баранова В.Н., Антонов Д.А., Круглов А.В., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Индуцированное шумом резистивное переключение на контакте асм-зонда к пленке стабилизированного диоксида циркония на проводящей подложке // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 501-504.

Klyuev A.V., Yakimov A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Liskin D.A., Antonov I.N., Anikina Yu.I. Flicker noise spectroscopy as a tool for the measurement of activation energies of oxygen ion diffusion in memristor systems at fixed temperature // Proc. 25th International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF 2019). 18–21 June 2019, Neuchâtel, Switzerland. Neuchâtel, Switzerland. 378 p. https://icnf2019.epfl.ch/wp-content/uploads/2019/06/ICNF2019_Proceedings.pdf (password-protected). 2019. P. 136-139.

Аникина Ю.И., Якимов А.В., Филатов Д.О., Горшков О.Н., Антонов Д.А., Лискин Д.А., Антонов И.Н., Клюев А.В., Спаньоло Б. Определение энергий активации диффузии ионов кислорода в мемристивных системах методом фликкер–шумовой спектроскопии // Труды XXIII Научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова (Нижний Новгород, 13-21 мая 2019 г.). Нижний Новгород: ННГУ, 2019. – 581 с. http://www.rf.unn.ru/wp-content/uploads/sites/21/2019/09/2019_Mat-modelirovanie.pdf. 2019. С. 489-492.

Gorshkov O.N., Yakimov A.V., Filatov D.O., Antonov D.A., Liskin D.A., Antonov I.N., Klyuev A.V., Anikina Yu.I., Spagnolo B. Flicker noise spectroscopy as a tool for the measurement of activation energies of oxygen ion diffusion in memristor systems at fixed temperature // International Conference “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors” (nes2019). 18–21 October 2019, Erice, Italy. Site: https://nes2019.sciences-conf.org/data/BookAbstract.pdf. 52 p. 2019. P. 21-21.

Филатов Д.О., Коряжкина М.Н., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Лискин Д.А., Рябова М.А., Горшков О.Н. Исследование методом атомно-силовой микроскопии резистивного переключения сложными сигналами в пленках стабилизированного диоксида циркония // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (11-14 марта 2019, Нижний Новгород). Т. 1, 544 с.. 2019. С. 402-403.

Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Liskin D.A., Ryabova M.A., Gorshkov O.N. Conductive Atomic Force Microscopy study of local resistive switching by a complex signal in the yttria stabilized zirconia films // 3rd International Conference Scanning Probe Microscopy. 4th Russia-China Workshop on Dielectric and Ferroelectric Materials. International Youth Conference Functional Imaging of Nanomaterials. (Ekaterinburg, August 25-28, 2019). 301 c.. 2019. P. 177-178.

Filatov D.O., Novikov A.S., Kassin G.I., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Koryazhkina M.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Spagnolo B. Noise-induced resistive switching studied by Conductive Atomic Force Microscopy // Аbst.“New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)” (October 18-21, 2019, Erice, Italy).. 2019, 52 р.. 2019. P. 18.

Публикации в научных журналах

Yakimov A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Liskin D.A., Antonov I.N., Belyakov A.V., Klyuev A.V., Carollo A., Spagnolo B. Measurement of the activation energies of oxygen ion diffusion in yttria stabilized zirconia by flicker noise spectroscopy // Applied Physics Letters. V. 114. 2019. P. 253506-1-25306-5.

Liskin D.A., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Novikov A.S. Investigation of the Local Photoconductivity of ZrO2(Y) Films with Embedded Au Nanoparticles by Conductive Atomic Force Microscopy // Journal of Surface Investigation. № 13. V. 3. 2019. P. 424-428.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Antonov I.N., Antonov D.A., Shenina M.E., Gorshkov O.N. Observation of Quantum-Size Effects in a Study of Resistive Switching in Dielectric Films with Au Nanoparticles via Tunneling Atomic Force Microscopy // Journal of Surface Investigation. № 13. V. 1. 2019. P. 23-29.

Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Liskin D. A., Ryabova M.A., Gorshkov O.N. Atomic-Force Microscopy of Resistive Nonstationary Signal Switching in ZrO2(Y) Films // Technical Physics. № 11. V. 64. 2019. P. 1579–1583.

Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Liskin D. A., Ryabova M.A., Gorshkov O.N. Investigation of resistive switching by non-stationary signals in ZrO2(Y) films by atomic force microscopy // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. № 1. V. 699. 2019. P. 012012.

Filatov D.O., Novikov A.S., Antonov D.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Gorshkov O.N. Study of the Effect of Optical Illumination on Resistive Switching in ZrO2(Y) Films with Au Nanoparticles by Tunneling Atomic Force Microscopy // Journal of Surface Investigation. № 6. V. 12. 2019. P. 1304–1309.

2017

Публикации в научных журналах

Gorshkov O.N., Filatov D.O., Antonov D.A., Shenina M.E., Pavlov D.A. An oscillator based on a single Au nanocluster // Journal of Applied Physics. № 1. V. 121. 2017. P. 014308 (1-6).

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Shenina M.E., Sinutkin D.Yu., Zenkevich A.V., Matveev Yu.A. The generation of the electrical oscillations in a contact of an AFM probe to an individual Au nanoparticle in a SiO2/Si film // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. № 256. V. 1. 2017. P. 012006.

2016

Труды (тезисы) конференции

Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Belov A.I., Shenina M.E., Koryazhkina M.N., Guseinov D.V., Okulich V.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Antonov D.A., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching in capacitor-like structures based on ionic and covalent oxide dielectrics // Abstracts 20th International Symposium On Non-Oxide and New Optical Glasses. Nizhny Novgorod, Russia, August 21-26, 2016. 2016. P. 103-104.

2014

Монографии

Filatov D.O., Antonov D.A., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Trushin V.N., Antonov I.N., Shenina M.E. Atomic force microscopy. Principles, modes of operation and limitations. New York: NOVA Science Publishers Inc. , p.372. 2014.

2013

Труды (тезисы) конференции

Горшков О.Н., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Филатов Д.О., Шарапов А.Н., Шенина М.Е. Локальная электрополевая модификация свойств наноразмерных слоёв на основе стабилизированного диоксида циркония // Пассивные электронные компоненты - 2013: труды научно-технической конференции. Н.Новгород: КБ "ИКАР", 2013. - 322С. 2013. С. 314-316.

Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Белов А.И. Резистивное переключение в МДМ-структурах на основе плёнок GeO2 и ZrO2 // Труды XVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (11-15 марта 2013 г.). Институт физики микроструктур РАН, Т. 2. 2 С.. 2013. С. 412-413.

Публикации в научных журналах

Антонов Д.А., Филатов Д.О., Горшков О.Н., Дудин А.Ю., Шарапов А.Н., Зенкевич А.В., Матвеев Ю.А. Исследование резистивного переключения в тонких плёнках HfO2/Si методом комбинированной СТМ/АСМ // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2(2). 2013. С. 17-21.

2012

Труды (тезисы) конференции

Машин А.И., Нежданов А.В., Антонов Д.А., Филатов Д.О. Структура и свойства кремниевых монослоёв на поверхности высокоориентированного пиролитического графита // VIII Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". Санкт-Петербург:Издательство Политехнический университет, 2-5 июля. 2012. С. 137-138.

Машин А.И., Нежданов А.В., Антонов Д.А., Филатов Д.О. Влияние условий получения на свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур на поверхности высокоориентированного пиролитического графита // XVI Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н.Новгород, 12–16 марта Т.1. 2012. С. 334-335.

2011

Труды (тезисы) конференции

Машин А.И., Нежданов А.В., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Ершов А.В., Шенгуров В.Г. Влияние подложки и условий получения на свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур // X-я Российская конференция по физике полупроводников. Нижний Новгород, 19-23 сентября. 2011. С. 171.

Публикации в научных журналах

Нежданов А.В., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Зубков С.Ю., Машин А.И., Ершов А.В. Морфология, электронная структура и оптические свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур на поверхности высокоориентированного пиролитического графита // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 45. 2011. С. 57-61.

Nezhdanov A.V., Filatov D.O., Antonov D.A., Zubkov S.Yu., Mashin A.I., Ershov A.V. The morphology, electron structure, and optical properties of self-assembled silicon nanostructures on the surface of highly oriented pyrolytic graphite // Semiconductors. № 1. V. 45. 2011. P. 56-60.

Нежданов А.В., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Зубков С.Ю., Машин А.И. Структура и свойства наноструктур Si на поверхности ВОПГ // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 6. 2011. С. 52-57.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского