Дикарева Наталья Васильевна

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория эпитаксиальной технологии

младший научный сотрудник

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-исследовательская лаборатория мощных волоконных лазеров и лазерных систем ближнего и среднего ИК диапазонов

инженер

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в университете лобачевского: 2011
Общий стаж работы 6 лет, 10 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Бакалавр. Специальность: нанотехнология. Квалификация: бакалавр техники и технологии.

Высшее профессиональное образование
Магистр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2019

Публикации в научных журналах

Макаров И.О., Клюев Д.А., Смирнов В.Ф., Смирнова О.Н., Аникина Н.А., Дикарева Н.В. ДЕЙСТВИЕ НИЗКОЧАСТОТНОГО ИМПУЛЬСНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ И НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА АКТИВНОСТЬ ОКСИДОРЕДУКТАЗ И РОСТ МИКРОМИЦЕТОВ – АКТИВНЫХ ДЕСТРУКТОРОВ ПОЛИМЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ // Mikrobiologiia. № 1. Т. 88. 2019. С. 83–90.

Makarov I.O., Klyuev D.A., Smirnov V.F., Smirnova O.N., Anikina N.A., Dikareva N.V. Effect of Low-Frequency Pulsed Magnetic Field and Low- Level Laser Radiation on Oxidoreductase Activity and Growth of Fungi—Active Destructors of Polymer Materials // Microbiology. № 1. V. 88. 2019. P. 72–78.

2018

Труды (тезисы) конференции

Афоненко А.А., Ушаков Д.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Анализ оптического и токового ограничения в лазерах с волноводом из квантовых ям и потенциальными барьерами // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". ННГУ, т.2, 898с.. 2018. С. 545-546.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Исследование InGaP/GaAs/InGaAs межзонных каскадных лазеров с вытекающей модой, выращенных на GaAs подложках с различным уровнем легирования // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898с. 2018. С. 589-590.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Чигинева А.Б., Пашенькин И.Ю., Байдусь Н.В. Разработка и исследование фотоприемников на длину волны 1,06 мкм с метаморфными буферными слоями на подложках GaAs // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898с. 2018. С. 757-758.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Демидов Е.С., Чигинева А.Б., Самарцев И.В., Вихрова О.В. Тиристор с оптической передачей эмиттерного тока на основе GaAs // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898с. 2018. С. 811-812.

Публикации в научных журналах

Афоненко А.А., Ушаков Д.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н. Мощностные характеристики лазеров с волноводом на основе квантовых ям и блокирующими слоями // Quantum Electronics. Т. 48. 2018. С. 1-5. [принято к печати]

Макаров И.О., Клюев Д.А., Смирнов В.Ф., Смирнова О.Н., Аникина Н.В., Дикарева Н.В. ДЕЙСТВИЕ СЛАБОГО ИМПУЛЬСНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ И НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА РОСТ И АКТИВНОСТЬ ОКСИДОРЕДУКТАЗ МИКРОМИЦЕТОВ – АКТИВНЫХ ДЕСТРУКТОРОВ ПОЛИМЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ // Микробиология. 2018. [принято к печати]

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Пашенькин И.Ю., Дикарева Н.В., Чигинева А.Б. Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 52. 2018. С. 1460-1463.

Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Pashenykin I.Yu., Dikareva N.V., Chigineva A.B. Photodetectors with an InGaAs Active Region and InGaP Metamorphic Buffer Layer Grown on GaAs Substrates // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1564-1567.

Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Dikareva N.V., Zdoroveyshchev A.V., Rykov A.V., Baidus N.V. 1.06 μm wavelength photodetectors with metamorphic buffer layers grown on GaAs substrates // Journal of Physics: Conference Series. № 1124. 2018. P. 041037.

2017

Сборники статей

Афоненко А.А., Ушаков Д.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Мощностные характеристики лазеров с волноводом из квантовых ям и блокирующими слоями // Сбоник трудов 11-ого Белорусско-Российского Семинара ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ И СИСТЕМЫ НА ИХ ОСНОВЕ. Минск: БГУ, т.1, 203с.. 2017. С. 27-29.

Труды (тезисы) конференции

Макаров И.О., Плакунова Е.В., Смирнов В.Ф., Дикарева И.В., Самарцев И.В., Дикарева Н.В. Действие излучения полупроводникового лазера на активность экзооксидоредуктаз гриба Alternaria alternata // Современная микология в России.. Том 7. Материалы 4-го Съезда микологов России. М.: Национальная академия микологии, 458 с. ISBN 978-5-901578-28-5. 2017. С. 337-338.

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Особенности стимулированного излучения InGaP/GaAs лазеров со сверхрешеткой GaAsP/InGaAs в активной области // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". ННГУ, т.2, 832с.. 2017. С. 676-677.

Чунин И.И., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В. Лазер-тиристор на системе материалов InGaAs/GaAs(InGaAsP)/InGaP // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". ННГУ, т.2, 832с.. 2017. С. 762-763.

Афоненко А.А., Ушаков Д.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Анализ внутренних оптических потерь лазерных гетероструктур с вытекающей модой // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". ННГУ, т.2, 832с.. 2017. С. 515-516.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Волноводный эффект квантовых ям в InGaAs/GaAs лазере с тонкими слоями InGaP // Труды XX научной конференции по радиофизике. ННГУ, секция "Квантовая радиофизика и оптика", 58 с.. 2017. С. 40-41.

Публикации в научных журналах

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Афоненко А.А., Ушаков Д.В. Влияние «объема» активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 51. 2017. С. 75-78.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Некоркин С.М., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb // Semiconductors. № 2017. Т. 51. 2017. С. 1410-1413.

2016

Труды (тезисы) конференции

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Перестройка волноводных мод в многоямном гетеролазере // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород.. Издательство Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, Т. 2: Секция 3, 406 с. 2016. С. 678–679.

Макаров И.О., Сыромятина Е.В., Смирнов В.Ф., Самарцев И.В., Дикарева Н.В. Действие излучения полупроводникового лазера на рост и развитие микромицетов-деструкторов промышленных материалов // Факторы устойчивости растений и микроорганизмов в экстремальных природных условиях и техногенной среде.. Изд-во Института географии им. В.Б. Сочавы СО РАН, 276 с.. 2016. С. 125-126.

Афоненко А.А., Головчак М.С., Маковский А.А., Стецик В.М., Ушаков Д.В., Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Чунин И.И., Звонков Б.Н. Ближнее поле излучения InGaAs/GaAs лазеров с вытекающей модой // Сборник трудов 5-го Российского симпозиума с международным участием «Полупроводниковые лазеры: физика и технология», 2016. Типография Политехнического университета, 77с.. 2016. С. 53.

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Чунин И.И., Звонков Б.Н., Афоненко А.А., Ушаков Д.В. Влияние длины резонатора на энергетические характеристики GaAs лазеров с увеличенной активной областью и выходом излучения через подложку // Сборник трудов 5-го Российского симпозиума с международным участием «Полупроводниковые лазеры: физика и технология», - 2016. Типография Политехнического университета, 77с.. 2016. С. 60.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Чунин И.И. Компенсация упругих напряжений в структуре многоямных InGaP/GaAs/InGaAs лазеров // Труды XX научной конференции по радиофизике, посвященной 110-летию со дня рождения Г.С. Горелика, 2016.. ННГУ, 320с.. 2016. С. 44-45.

2015

Сборники статей

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Юнин П.А. Стимулированное излучение в GaAs/InGaAsструктуре с тонкими InGaP слоями, выращенной на Ge/Si подложке // Сборник трудов 10-го Белорусско-Российского Семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», 26–29 мая 2015 г., Минск, Беларусь. Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2015. 2015. [принято к печати]

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Колпаков Д.А., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Межзонный каскадный лазер с туннельным p-n-переходом и выходом излучения через подложку // Сборник трудов 10-го Белорусско-Российского Семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», 26–29 мая 2015 г., Минск, Беларусь. Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2015. 2015. [принято к печати]

Труды (тезисы) конференции

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В. Влияние числа квантовых ям на излучательные свойства лазерных гетероструктур с вытеканием излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2015. [принято к печати]

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Самарцев И.В., Колпаков Д.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Оптимизация InGaP/GaAs/InGaAs гетеролазеров с туннельно-связанными волноводами // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2015.. 2015. [принято к печати]

Колпаков Д.А., Некоркин С.М., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Полупроводниковый лазер с туннельным p-n-переходом и выходом излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2015.. 2015. [принято к печати]

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е., Красильник З.Ф. Стимулированное излучение в InGaP/GaAs/InGaAs структуре на Ge/Si подложке // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 376.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Юнин П.А. Конструктивные особенности активной среды полупроводниковых лазеров с вытеканием излучения через подложку. // Труды XIX научной конференции по радиофизике, Н. Новгород. ННГУ, 2015, 300с.. 2015. С. 31.

Публикации в научных журналах

Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Некоркин С.М., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb // ФТП. № 1. Т. 49. 2015. С. 11-14.

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Нелинейное смешение гармоник в InGaAs/InGaP/GaAs лазере на Ge подложке // Квантовая электроника. № 3. Т. 45. 2015. С. 204.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Красильник З.Ф., Некоркин С.М. Излучательные характеристики лазерных диодов на основе А3В5, выращенных на германиевой подложке // Письма в журнал технической физики. № 6. Т. 41. 2015. С. 105.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Новиков А.В., Некоркин С.М., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в GaAs структуре на Si подложке с Ge буферным слоем // Письма в журнал технической физики. № 13. Т. 41. 2015. С. 72.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М. Наблюдение прямозонной фото- и электролюминесценции из GaAs-структуры с Ge квантовыми ямами // ФТП. № 2. Т. 49. 2015. С. 175.

Dikareva N.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Pirogov A.V. Effect of thermal annealing on the emission properties of heterostructures containing a quantum-confined GaAsSb layer // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 9-12.

Колпаков Д.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Полупроводниковый лазер с туннельным p-n-переходом и выходом излучения через подложку // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1489-1491.

Самарцев И.В., Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Колпаков Д.А., Некоркин С.М. Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1625-1628.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge // Письма в ЖТФ. Т. 41. 2015. С. 72-78.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Yunin P.A., Yurasov D.V. The waveguide effect of InGaAs quantum wells in a GaAs structure on Si substrate with Ge buffer layer // Technical Physics Letters. № 7. V. 47. 2015. P. 648-650.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Krasilynik Z.F., Nekorkin S.M. Optical characteristics of laser diodes based on A3B5 compounds grown on germanium substrates // Technical Physics Letters. № 3. V. 41. 2015. P. 304-306.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Denisov S.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Matveev S.A., Nekorkin S.M., Shengurov V.G. Stimulated Emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructure Grown on a Si Substrate // JETP Letters. № 12. V. 100. 2015. P. 795-797.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M. An observation of direct-gap electroluminescence in GaAs structures with Ge quantum wells // Semiconductors. № 2. V. 49. 2015. P. 170-173.

Dikareva N.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A. Nonlinear harmonic mixing in an InGaAs/InGaP/GaAs laser on a germanium substrate // Quantum Electronics. № 3. V. 45. 2015. P. 204-206.

2014

Труды (тезисы) конференции

Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Некоркин С.М., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 452-453.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М. Наблюдение прямозонной фото- и электролюминесценции из GaAs-структуры с Ge квантовыми ямами // Труды XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014, Том 2, 353 с.. 2014. С. 458.

Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Колпаков Д.А., Некоркин С.М. Излучательные свойства лазерных гетероструктур с увеличенной активной областью, выращенных на низколегированной GaAs подложке // Сборник трудов XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио. ННГУ. 2014. [принято к печати]

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Коблов Э.А., Вихрова О.В., Некоркин С.М. Излучательные свойства лазерных GaAs гетероструктур, выращенных на проводящей Ge/Si подложке // Сборник трудов XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио. ННГУ. 2014. [принято к печати]

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Коблов Э.А., Вихрова О.В., Некоркин С.М., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Новиков А.В., Юрасов Д.В. Излучательные свойства лазерных GaAs гетероструктур, выращенных на проводящей Ge/Si подложке // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио (Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г.). Нижний Новгород. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 2014, 334 с. 2014. С. 37-38.

Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Деградация InGaAs/InGaP/GaAs лазеров с увеличенной активной областью и значительным выходом в подложку // 4-й Всероссийский симпозиум с международным участием "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" Санкт-Петербург, 10-13 ноября 2014 года. Программы и тезисы докладов.. Типография Политехнического университета, г. С.-Петербург, 78 с., 2014.. 2014. С. С. 53.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В. Влияние числа квантовых ям на излучательные свойства лазерных гетероструктур с вытеканием излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014,. 2014. [принято к печати]

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Колпаков Д.А., Дикарева Н.В., Самарцев И.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Оптимизация InGaP/GaAs/InGaAs гетеролазеров с туннельно-связанными волноводами // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014. 2014. [принято к печати]

Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Полупроводниковый лазер с туннельным p-n-переходом и выходом излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014. 2014. [принято к печати]

Публикации в научных журналах

Некоркин С.М., Карзанова М.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я. Экспериментальное определение оптимального количества квантовых ям в многоямных гетеролазерах с вытеканием излучения через подложку // ПЖТФ. № 10. Т. 40. 2014. С. 52.

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Карзанова М.В., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Афоненко А.А. Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью // Квантовая электроника. Т. 44. 2014. С. 286.

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Вихрова О.В. Полупроводниковый AlGaAs/GaAs/InGaAs лазер со значительным вытеканием излучения через подложку // Вестник ННГУ. 2014. [принято к печати]

Nekorkin S.M., Karzanova M. V., Dikareva N.V., Zvonkov B.N., Aleshkin V.Ya. Experimental determination of the optimum number of quantum wells in multiwell heterolasers with radiation leakage into a substrate // Technical Physics Letters. № 5. V. 40. 2014. P. 432-434.

Dikareva N.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Karzanova M.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Afonenko A.A. Substrate-emitting semiconductor laser with a trapezoidal active region // Quantum Electronics. № 4. V. 44. 2014. P. 286-288.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Денисов С.А., Красильник З.Ф., Матвеев С.А., Некоркин С.М., Шенгуров В.Г. Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке // Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики". № 12. Т. 100. 2014. С. 900-903.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Denisov S.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Matveev S.A., Nekorkin S.M., Shengurov V.G. Stimulated Emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructure Grown on a Si Substrate // JETP LETTERS. № 12. V. 100. 2014. P. 795-797.

2013

Сборники статей

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Бирюков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Матвеев С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е. Лазерная структура GaAs/AlGaAs на подложке Ge/Si // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе». Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2013. 2013. С. 25-28.

Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Карзанова М.В., Кудрявцев К.Е., Яблонский А.Н. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs и GaAsSb в лазерах на основе GaAs и InP // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе» 28-31 мая 2013. Минск: Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, 2013. 2013. С. 33-36.

Труды (тезисы) конференции

Некоркин С.М., Дикарева Н.В., Карзанова М.В., Бирюков А.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Генерация ТЕ и ТМ мод в гетеролазере с активной областью AlInGaAs/GaAsP // Труды XVII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Т2, 2 стр.. 2013. С. 429-430.

Алешкин В.Я., Афоненко А.А., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Морозов С.В., Некоркин С.М. Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной гетероструктуре на GaAs // Труды XVII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Т. 2, 2стр.. 2013. С. 443-444.

Дикарева Н.В., Карзанова М.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н. Модовая структура многоямных полупроводниковых лазеров с вытеканием излучения через подложку // Труды Всероссийской молодежной школы-семинара "Диагностика наноматериалов и наноструктур". Рязань: Рязанский государственный радиотехнический университет, 256 с.. 2013. С. 109-113.

Публикации в научных журналах

Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Вихрова О.В., Дикарева Н.В. Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb-InGaAs)/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 47. 2013. С. 1231.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Яблонский А.Н. Волноводн­ый эффект квантовых ям в полупровод­никовых лазерах // Квантовая электроника. № 5. Т. 43. 2013. С. 401-406.

Алешкин В.Я., Афоненко А.А., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Морозов С.В., Некоркин С.М. Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 47. 2013. С. 1486-1488.

Zvonkov B.N., Nekorkin S.M., Vikhrova O.V., Dikareva N.V. Emission properties of heterostructures with (GaAsSb-InGaAs)/GaAs bilayer quantun well // Semiconductors. № 9. V. 47. 2013. P. 1219-1223.

Dikareva N.V., Aleshkin V.Ya., Zvonkov B.N., Karzanova M.V., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Yablonskii A.N., Dubinov A.A. Guiding effect of quantum wells in semiconductor lasers // Quantum Electronics. № 5. V. 43. 2013. P. 401- 406.

Aleshkin V.Ya., Afonenko A.A., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Morozov S.V., Nekorkin S.M. Waveguide effect of GaAsSb quantum wells in a laser structure based on GaAs // Semiconductors. № 11. V. 47. 2013. P. 1475-1477.

2012

Труды (тезисы) конференции

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Модовая структура в дальнем поле излучения лазера с выходом излучения через подложку // Материалы 3-го симпозиума:. С.Петербург, 2012. 2012. С. 27.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Некоркин С.М. Полупроводниковые гетеролазеры с двухслойной квантовой ямой GaAsSb/InGaAs. // Труды XVI научной конференции по радиофизике. Н.Новгород: ННГУ. 2012. С. 51-52.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного гетеролазера с выходом излучения через подложку // Труды XVI научной конференции по радиофизике. Н.Новгород: ННГУ. 2012. С. 45-46.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Яблонский А.Н. Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах // Материалы 3-го симпозиума: "Полупроводниковые лазеры: физика и технология". С.Петербург, 2012. 2012. С. 22.

Публикации в научных журналах

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Дикарева Н.В., Алёшкин В.Я., Дубинов А.А. Мощный полупроводниковый лазер с улучшенными пространственными и энергетическими характеристиками. // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. № 1. Т. 1. 2012. С. 30-32.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку // Квантовая электроника. № 10. Т. 42. 2012. С. 931-933.

Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Karzanova M.V., Dikareva N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A. Mode structure in the far field radiation of a leaky-wave multiple quantum well laser // Quantum Electronics. № 10. V. 42. 2012. P. 931-933.

2011

Сборники статей

Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Некоркин С.М. Особенности генерации лазерных диодов на квантовых ямах GaAsSb // Полупроводниковые лазеры и системы на их основе: Сборник статей 8-го Белорусско-Российского семинара, Минск, Беларусь, 17-20 мая 2011 г. Минск:: Институт физики им. Б.И. Степанова. 2011.

Труды (тезисы) конференции

Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Некоркин С.М. Двухчастотная генерация излучения в лазерных диодах на квантовых ямах GaAsSb // Труды XV научной конференции по радиофизике, посвященной 110-й годовщине со дня рождения А.А. Андронова, Н.Новгород, 10-13 мая 2011 г. Н.Новгород: ННГУ. 2011. С. 47-48. [принято к печати]

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского