Данилов Юрий Александрович

Место работы

Физический факультет

Кафедра физики полупроводников, электроники и наноэлектроники

доцент

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория спиновой и оптической электроники

ведущий научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
Старший научный сотрудник
Дата начала работы в университете лобачевского: 1971
Общий стаж работы 41 год, 6 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: полупроводники и диэлектрики. Квалификация: инженер электронной техники.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

28.08.2019 - 22.11.2019
Переподготовка: Современное состояние и актуальные проблемы исследований в области физико-математических наук, ННГУ, 250 час., документ № 522409110381, рег. № 33-656 от 28.11.2019

16.01.2018 - 01.02.2018
Повышение квалификации: Использование инновационных методов и современной аппаратуры в естественно-научных исследованиях, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 72 час., документ № 522405001937; рег. № 33-809 от 01.02.2018

17.01.2018 - 17.01.2018
Повышение квалификации: Оказание первой помощи, ННГУ, 8 час., документ № рег номер 918 от 17.01.2018

13.03.2017 - 13.05.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404111554 рег номер 33-788 от 13.05.2017

15.09.2014 - 19.09.2014
Повышение квалификации: Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых, Рязанский государственный радиотехнический университет, 36 час.

Список преподаваемых дисциплин

Физический факультет
Лазерно- и ионно-лучевые методы в нанотехнологии
Основы технологии материалов
Спинтроника

Публикации

2019

Труды (тезисы) конференции

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Ларионова Е.А., Ковальский В.А. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 201-202.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Никитов С.А., Садовников А.В. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 205-206.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Вихрова О.В., Соболев Н.А. Изменение концентрации носителей заряда в слоях магнитных полупроводников (In,Fe)Sb и (In,Fe)As // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 227-228.

Кудрин А.В., Лесников В.П., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Милин В.Е., Усов Ю.В., Ведь М.В., Кузнецов Ю.М., Крюков Р.Н. Создание эпитаксиальных гетероструктур на основе магнитных полупроводников (In,Fe)Sb и (Ga,Fe)Sb // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 229-230.

Алафердов А.В., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Мошкалев С.А. Использование многослойного графена для формирования контактного слоя к светоизлучающим GaAs структурам // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2019. С. 579-580.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Люминесцентные свойства и получение диодов (In,Fe)Sb/GaAs/InGaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2019. С. 618-619.

Vedy M.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Kudrin A.V. Circularly polarized electroluminescence of spin lightemitting diodes based on (In,Fe)Sb ferromagnetic injector // Book of аbstracts «The 3rt International Baltic Conference on Magnetism: nanobiomedicine and smart materials. IBCM 2019», Kaliningrad, Russia 18-22 August, 2019.. Immanuel Kant Baltic Federal University. 189 с.. 2019. P. 171.

Danilov Yu.A., Kryukov R.N., Kudrin A.V., Parafin A., Vikhrova O.V., Dorokhin M.V. Formation of ferromagnetic semiconductor GaAs:Mn by ion implantation with subsequent pulse laser annealing // Book of аbstracts «The 3rt International Baltic Conference on Magnetism: nanobiomedicine and smart materials. IBCM 2019», Kaliningrad, Russia 18-22 August, 2019. 189c.. 2019. P. 92.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kalentyeva I.L., Kudrin A.V., Larionova E.A. Effect of laser annealing on diode heterostructures with a ferromagnetic GaMnAs layer // Book of аbstracts «IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures», Yaroslavl, Russia 26-29 August, 2019. 113с.. 2019. P. 69.

Soltanovich O.A., Kovalyskii V.A., Eremenko V.G., Vergeles P.S., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A. On the relation of cross-hatch pattern surface morphology and extended defects in buffer layers of (Ga,Mn)As/(In,Ga)As/GaAs ferromagnetic structures // Book of аbstracts «IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures», Yaroslavl, Russia 26-29 August, 2019. 113с.. 2019. P. 77.

Zvonkov B.N., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Kalentyeva I.L., Malysheva E.I. Structures of semiconductor spintronics, formed by the combined method of MOCVD epitaxy and pulsed laser deposition // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.1.. 2019. P. 59.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Dudin Yu.A., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G., Nikitov S.A., Sadovnikov A.V. Changing the magnetic properties of CoPt alloy by ion irradiation // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.1.. 2019. P. 387.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Konakov A.A., Dudin Yu.A., Sobolev N.A. Control of carrier concentration and Fermi level position in (In,Fe)Sb magnetic semiconductor by ion irradiation // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.2.. 2019. P. 322.

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Зубков С.Ю., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. Физико-химические свойства разбавленных магнитных полупроводников на основе A3B5 // Материалы XXIII Всероссийской конференции с международным участием РЭСХС-2019. Воронеж, 2019, 1-4 октября. 2019. С. 46.

Калентьева И.Л., Данилов Ю.А. Исследование свойств светоизлучающих GaAs структур с контактным слоем из многослойного графена // Сборник тезисов 21-й Всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Том 1. 2019. С. 95.

Публикации в научных журналах

Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Konakov A.A., Vasilyev V.K., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Zvonkov B.N. The nature of transport and ferromagnetic properties of the GaAs structures with the Mn δ-doped layer // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 478. 2019. P. 84-90.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л., Ларионова Е.А., Ковальский В.А., Солтанович О.А. Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 53. 2019. С. 351-358.

Ганьшина Е.А., Голик Л.Л., Кунькова З.Э., Зыков Г.С., Маркин Ю.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. О фазовом разделении в слоях (Ga,Mn)As, полученных ионной имплантацией и последующим лазерным отжигом // Физика твердого тела. № 3. Т. 61. 2019. С. 465-471.

Kovalskiy V.A., Eremenko V.G., Vergeles P.S., Soltanovich O.A., Khodos I.I., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A. On the mechanism of cross-hatch pattern formation in heterostructures with a small lattice mismatch // Applied Surface Science. V. 479. 2019. P. 930-941.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Konakov A.A., Dudin Yu.A., Kuznetsov Yu.M., Temiryazeva M.P., Sobolev N.A. Robustness of ferromagnetism in (In,Fe)Sb diluted magnetic semiconductor to variation of charge carrier concentration // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 485. 2019. P. 236–243.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Kryukov R.N., Kuznetsov Yu.M., Trushin V.N., Sobolev N.A. Formation of epitaxial p-i-n structures on the basis of (In,Fe)Sb and (Ga,Fe)Sb diluted magnetic semiconductors layers // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 487. 2019. P. 16532.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs // Письма в Журнал технической физики. № 13. Т. 45. 2019. С. 33-36.

Moraes F.C.D., Ullah S., Balanta M.A.G., Iikawa F., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Hernandez F.G.G. Acceleration of the precession frequency for optically-oriented electron spins in ferromagnetic/semiconductor hybrids // Scientific Reports. № 7294. V. 9. 2019. P. 1-7.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Никитов С.А., Садовников А.В. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения // Физика твердого тела. № 9. Т. 61. 2019. С. 1694-1699.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Milin V.E., Kryukov R.N., Kuznetsov Yu.M., Trushin V.N., Sobolev N.A. Formation of epitaxial p-i-n structures on the basis of (In,Fe)Sb and (Ga,Fe)Sb diluted magnetic semiconductors layers // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 487. 2019. P. 165321.

Soltanovich O.A., Kovalyskii V.A., Vergeles P.S., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A. Study of Extended Electrically Active Defects in Heterostructures Based on (Ga,Mn)As/(In,Ga)As by Electron Beam-Induced Current and Deep-Level Transient Spectroscopy // Journal of Surface Investigation. № 1. V. 13. 2019. P. 105-110.

2018

Труды (тезисы) конференции

Николичев Д.Е., Зубков С.Ю., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Парафин А.Е. Изменение топографии и состава слоев GaMnAs в результате отжига эксимерным лазером // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г.. Н. Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2018. С. 210-211.

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Данилов Ю.А., Зубков С.Ю. Топография и состав ферромагнитных слоев GaFeSb, выращенных импульсным лазерным осаждением // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г.. Н. Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2018. С. 180-181.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InFeSb/GaAs/InGaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума, 12-15 марта 2018. Н. Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. Т.1. 2018. С. 154-155.

Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Вихрова О.В., Крюков Р.Н., Антонов И.Н., Толкачев Д.С. Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А3В5, сильно легированных железом // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума, 12-15 марта 2018. Н.Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. - Т.1. 2018. С. 180-181.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Парафин А.Е., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путем послеростовых воздействий // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума, 12-15 марта 2018. Н. Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. - Т.1. 2018. С. 220-221.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Антонов И.Н. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs структур // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума, 12-15 марта 2018. Н. Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. - Т.2. 2018. С. 639-640.

Васильев В.К., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Питиримова Е.А. Ионно-имплантационное управление концентрацией дырок в слоях GaSb // Тезисы докладов XLVIII международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва 29 мая – 31 мая 2018). М.: Университетская книга, 2018. 2018. С. 168.

Ved M., Malysheva E., Dorokhin M., Zdoroveyshchev A., Danilov Yu., Parafin A. Enhancement the operating temperature of spin light-emitting diodes based on dilute magnetic semiconductors // Book of Abstracts of 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, April 2-5, 2018, Saint Petersburg, Russia. St. Petersburg Academic University. 2018. P. 469-470.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Биполярная инжекция в спиновых светоизлучающих диодах, содержащих слои разбавленных магнитных полупроводников InFeSb // «НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОФОТОНИКА И НЕЛИНЕЙНАЯ ФИЗИКА».. Сборник трудов XIII Всероссийской конференции молодых ученых, 04-06 сентября 2018 г. Саратов.. 2018. С. 41.

Васильев В.К., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Шаймерденова Л.К. Формирование арсенидгаллиевых p-i-n структур ионной имплантацией с последующим быстрым термическим отжигом // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 145.

Данилов Ю.А., Дмитроусова Д.М., Лесников В.П., Нежданов А.В., Планкина С.М. Комбинационное рассеяние в слоях твердых растворов GaAsSb и GaAsSb:Fe, выращенных методом лазерного распыления // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тезисы докладов. Издательство Нижегородского государственного университета. 2018. С. 131.

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Зубков С.Ю. Физико-химические свойства слоёв разбавленных магнитных полупроводников, выращенных методом импульсного лазерного осаждения // XXVII Российская конференция по электронной микроскопии. ВНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, т.2, 2018, 256 С.. 2018. С. 54-55.

Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Вихрова О.В., Крюков Р.Н., Антонов И.Н., Толкачев Д.С. Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А3В5, сильно легированных железом // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г.. Н. Новгород: Издательство ННГУ Н. Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2018. С. 180-181.

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Зубков С.Ю. Топография и состав ферромагнитных слоёв GaFeSb, выращенных импульсным лазерным осаждением // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г.. Н. Новгород: Издательство ННГУ Н. Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2018. С. 210-211.

Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Парафин А.Е. Изменение топографии и состава слоёв GaMnAs в результате отжига эксимерным лазером // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г.. Н. Новгород: Издательство ННГУ Н. Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2018. С. 237-238.

Публикации в научных журналах

Кунькова З.Э., Ганьшина Е.А., Голик Л.Л., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Ковалев В.И., Зыков Г.С., Маркин Ю.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением // Физика твердого тела. № 5. Т. 60. 2018. С. 940-946.

Kunkova Z.E., Ganshina E.A., Golik L.L., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Kovalev V.I., Zykov G.S., Markin Yu.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Phase Separation in GaMnAs Layers Grown by Laser Pulsed Deposition // Physics of the Solid State. № 5. V. 60. 2018. P. 943-949.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Antonov I.N. The effect of the Composition of a Carrier Gas during the Growth of a Mn delta-Layer on the Electrical and Magnetic Properties of GaAs Structures // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1398-1402.

Yakovlev G.E., Dorokhin M.V., Zubkov V.I., Dudin A.L., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Specific Features of the Electrochemical Capacitance-Voltage Profiling of GaAs LED and pHEMT Structures with Quantum-Confined Regions // Semiconductors. № 8. V. 52. 2018. P. 1004-1011.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Парафин А.Е., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий // Физика твердого тела. № 11. Т. 60. 2018. С. 2141-2146.

Dorokhin M.V., Yakovlev G.E., Zubkov V.I., Dudin A.L., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Specific Features of the Electrochemical Capacitance-Voltage Profiling of GaAs LED and pHEMT Structures with Quantum-Confined Regions // Semiconductors. № 8. V. 52. 2018. P. 1004-1011.

Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Vikhrova O.V., Kryukov R.N., Antonov I.N., Tolkachev D.S., Alaferdov A.V., Kunkova Z..E., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G. The Study of Features of Formation and Properties of A3B5 Semiconductors Highly Doped by Iron // Physics of the Solid State. № 11. V. 60. 2018. P. 2178-2181.

2017

Труды (тезисы) конференции

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 149-150.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Крюков Р.Н., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Николичев Д.Е., Павлов С.А., Парафин А.Е., Пашенькин И.Ю., Планкина С.М. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений А3В5 импульсным лазерным отжигом // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 151-152.

Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Лесников В.П., Данилов Ю.А. Новые ферромагнитные материалы на основе соединений Mn. Проблемы интеграции в приборы спинтроники // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 179-180.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Питиримова Е.А., Антонов И.Н., Вихрова О.В., Алафердов А.В., Крюков Р.Н. Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2017. С. 195-196.

Калентьева И.Л., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Павлов Д.А., Пирогов А.В., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Юнин П.А. Особенности селективного легирования марганцем GaAs гетероструктур // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 612-613.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Magnetic properties of epitaxial GaMnAs layers // Saint Petersburg OPEN 2017 «4th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures». Academic University Publishing St. Petersburg, 2017, 640. 2017. P. 503-504.

Толкачев Д.С., Данилов Ю.А., Антонов И.Н. Исследование спектров отражения антимонида индия, легированного Fe // XXIV Международная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по фундаментальным наукам. Международный молодежный научный форум "Ломоносов-2017". Секция "Физика", подсекция "Физика твердого тела". Сборник тезисов докладов. М. Физический факультет МГУ. 2017. С. 658-659.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Васильев В.К., Питиримова Е.А., Звонков Б.Н. Влияние облучения протонами на электрические свойства гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs (x = 0.15 – 0.6) // Тезисы докладов XLVII международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва 30 мая – 1 июня 2017). М.: Университетская книга. 2017. С. 123.

Kalentyeva I.L., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V. Magneto-optical effects of CoPt and CoPd alloys // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 139.

Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Kudrin A.V., Demina P.B., Danilov Yu.A., Vedy M.V., Zdoroveishchev A.V. Electrical spin injection in InFeSb/GaAs ferromagnetic heterostructures // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 868.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Pitirimova E.A., Antonov I.N., Kryukov R.N. Ferromagnetism of indium antomonide, highly doped by iron // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 873.

Kudrin A.V., Shvetsov A.V., Danilov Yu.A., Pavlov D.A. Ferromagnetic MnAs inclusions in InMnAs layers // NaNax8 - International Conference Nanoscience with Nanocrystals. Braga, Portugal, July 3-7. Http://nanax8.org/program.html#abstracts. 2017. P. Danilov.pdf.

Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L., Kudrin A.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Pitirimova E.A., Tolkachev D.S., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Yakubov R.R. Formation of the ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As by ion implantation and pulse laser annealing // III International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 9-11 October. 2017. P. 60.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Pitirimova E.A., Antonov I.N., Kryukov R.N. High-temperature intrinsic ferromagnetism in the InFeSb semiconductor // III International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 9-11 October. 2017. P. 61.

Публикации в научных журналах

Dorokhin M.V., Ved' M.V., Malysheva E.I., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Danilov Yu.A. Room temperature spin injection in a light-emitting diode based on a GaMnSb/n-GaAs/InGaAs tunnel junction // Journal of Physics: Conference Series. V. 816. 2017. P. 012035.

Dorokhin M.V., Zaitsev S.V., Rykov A.V., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zubkov V.I., Frolov D.S., Yakovlev G.E., Kudrin A.V. Heterostructures with InGaAs/GaAs quantum dots doped with transition elements: II. Study of the circularly polarized luminescence // Technical Physics. № 10. V. 62. 2017. P. 1545-1550.

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства // Журнал технической физики. № 9. Т. 87. 2017. С. 1389-1394.

Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A. Heterostructures with InGaAs/GaAs Quantum Dots Doped by Transition Elements. Part I: Photoluminescence Properties // Technical Physics. № 9. V. 62. 2017. P. 1398-1402.

Дорохин М.В., Зайцев С.В., Рыков А.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Зубков В.И., Фролов Д.С., Яковлев Г.Е., Кудрин А.В. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции // Журнал технической физики. № 10. Т. 87. 2017. С. 1539-1544.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/deltaMn // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2142-2147.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Пашенькин И.Ю., Планкина С.М. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений А3В5 импульсным лазерным отжигом // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2130-2134.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Nezhdanov A.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Pashenykin I.Yu., Plankina S.M. Modification of the Properties of Ferromagnetic Layers Based on A3B5 Compounds by Pulsed Laser Annealing // Physics of the Solid State. № 11. V. 59. 2017. P. 2150-2154.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2196-2199.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Вихрова О.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Питиримова Е.А., Антонов И.Н. Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2200-2202.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Дроздов М.Н., Усов Ю.В. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1468-1472.

Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Alaferdov A.V., Sobolev N.A. High-temperature intrinsic ferromagnetism in the (In,Fe)Sb semiconductor // Journal of Applied Physics. V. 122. 2017. P. 183901.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Alaferdov A.V., Sobolev N.A. High-temperature intrinsic ferromagnetism in the (In,Fe)Sb semiconductor // Journal of Applied Physics. V. 122. 2017. P. 183901.

2016

Труды (тезисы) конференции

Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А., Планкина С.М., Якубов Р.Р. Формирование однофазных ферромагнитных полупроводников (III,Mn)V импульсным лазерным отжигом // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.1. 2016. С. 179-180.

Темирязева М.П., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Темирязев А.Г. Структурирование магнитных пленок CoPt с помощью АСМ // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.1. 2016. С. 328-329.

Хазанова С.В., Конаков А.А., Данилов Ю.А., Дегтярев В.Е. Расчет спинового расщепления в гетероструктурах на основе полупроводников // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2016. С. 556-557.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с дельта-легированным Mn слоем GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.2. 2016. С. 600-602.

Корнев Р.А., Сенников П.Г., Андрющенко И.А., Лесников В.П., Данилов Ю.А., Нежданов А.В. Получение и исследование изотопно-обогащенного высокочистого 72Ge в виде объемных образцов и тонких пленок // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.2. 2016. С. 625.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Коннова Н.Ю., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.2. 2016. С. 686-687.

Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В. Изготовление образцов со спиновым латеральным переносом на основе GaAs структур с дельта-слоем Mn // 23-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика-2016». Зеленоград.: МИЭТ. 2016. С. 10.

Питиримова Е.А., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е. Структура и свойства слоев GaAs и InAs, облученных ионами Mn+ и отожженных импульсом эксимерного лазера // Тезисы докладов XLVI международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 31 мая – 2 июня 2016. М.: Университетская книга. 2016. С. 98.

Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А., Толкачев Д.С., Якубов Р.Р. Экспериментальное исследование и моделирование процесса импульсного лазерного отжига GaAs, облученного большими дозами ионов Mn+ // IX Международная научная конференция «Кинетика и механизм кристаллизации. Кристаллизация и материалы будущего» 13-16 сентября 2016 г. Иваново. 2016. С. 133-134.

Kunkova Z.E., Ganshina E.A., Golik L.L., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Novikov A.I., Kovalev V.I., Bykov I.V., Zykov G.S., Markin Y.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Blue shift in magneto-optical spectra of ferromagnetic (Ga,Mn)As // Book of Abstracrs, VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016), August 15 – 19, 2016. Krasnoyarsk, Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch. 2016. P. 323.

Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А. Имплантация ионов Mn в GaAs: сравнение быстрого термического и импульсного лазерного отжигов // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 73-74.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Васильев В.К. Модифицирование электрических свойств структур InxGa1-xAs/GaAs (x = 0.15 – 0.6) облучением протонов // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 88-89.

Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А. Исследование структуры GaAs и InAs после ионного облучения и лазерного отжига // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 92-93.

Пашенькин И.Ю., Данилов Ю.А., Нежданов А.В., Планкина С.М. Комбинационное рассеяние света в слоях GaAs:Mn // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 122-123.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Дроздов М.Н. Влияние точечных дефектов на диффузию Mn и C в квантово-размерных гетероструктурах на основе GaAs // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 123-124.

Публикации в научных журналах

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Питиримова Е.А. Нелинейный эффект Холла при комнатной температуре в слоях InFeAs электронного типа проводимости // Письма в журнал технической физики. № 2. Т. 42. 2016. С. 63-71.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 204-207.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V. GaAs Structures with a Gate Dielectric Based on Aluminium-Oxide Layers // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 204-207.

Balanta M.A.G., Brasil M.L.S.P., Iikawa F., Mendes U.C., Brum J.A., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Optically controlled spin-polarization memory effect on Mn delta-doped heterostructures // Scientific Reports. № 24537. V. 6. 2016. P. 1-6.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Pitirimova E.A. Nonlinear Room-Temperature Hall Effect in n-InFeAs Layers // Technical Physics Letters. № 1. V. 42. 2016. P. 88-92.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Усов Ю.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1463-1468.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Drozdov M.N. Effect of Thermal Annealing on the Photoluminescence of Structures with InGaAs/GaAs Quantum Wells and a Low-temperature GaAs Layer delta-doped with Mn // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1469-1474.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дроздов М.Н. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным дельта-легированным Mn слоем GaAs // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1490-1496.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Коннова Н.Ю., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1561-1564.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Konnova N.Yu., Nezhdanov A.V., Pashenkin I.Yu Study of the Structures of Cleaved Cross Sections by Ramsn Spectroscopy // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1539-1542.

Данилов Ю.А., Boudinov H., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А., Якубов Р.Р. Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga,Mn)As импульсным лазерным отжигом // Физика твердого тела. № 11. Т. 58. 2016. С. 2140-2144.

Danilov Yu.A., Boudinov H., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Pitirimova E.A., Yakubov R.R. Formation of the Single-Phase Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As by Pulsed Laser Annealing // Physics of Solid State. № 11. V. 58. 2016. P. 2218-2222.

Зайцев С.В., Акимов И.А., Лангер Л., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Яковлев Д.Р., Байер М. Когерентная спиновая динамика носителей в ферромагнитных полупроводниковых гетероструктурах с дельта-слоем Mn // Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 3. Т. 150. 2016. С. 490-500.

Zaitsev S.V., Akimov I.A., Langer L., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Yakovlev D.R., Bayer M. Coherent Spin Dynamics of Carriers in Ferromagnetic Semiconductor Heterostructures with an Mn Delta Layer // Journal of Experimental and Theoretical Physics. № 3. V. 123. 2016. P. 420-428.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Demina P.B., Usov Yu.V., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu. Fabrication of MnGa/GaAs Contacts for Optoelectronics and Spintronics Applications // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1443-1448.

2015

Труды (тезисы) конференции

Вихрова О.В., Ганьшина Е.А., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дудин Ю.А., Звонков Б.Н., Зыков Г.С., Кудрин А.В., Кунькова З.Э., Лесников В.П., Петрякова Е.В., Питиримова Е.А., Темирязева М.П., Юнин П.А., Якубов Р.Р. Ферромагнетизм в InFeAs-слоях, сформированных методом импульсного лазерного нанесения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. С. 160-161.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Demina P.B., Malysheva E.I. Time-resolved photoluminescence of ferromagnetic InGaAs/GaAs/δMn structures // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. P. 164-165.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. С. 168-169.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.2. 2015. С. 523-524.

Данилов Ю.А., Дудин Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Петрякова Е.В., Питиримова Е.А., Якубов Р.Р. Формирование слоев InFeAs и их модификация с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов XLV международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва 26 мая-28 мая 2015). М: Университетская книга. 2015. С. 100.

Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Питиримова Е.А., Якубов Р.Р. Лазерное нанесение и легирование слоев германия и твердого раствора GeSn // Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение. Тезисы докладов XV конференции, Нижний Новгород, 26-29 мая 2015 г.. Н.Новгород: Радонеж. 2015. С. 109.

Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Drozdov M.N. Annealing of delta-doped (Mn,C) GaAsSb/GaAs heteronanostructures // International Conference Nanomeeting-2015 “Physics, Chemistry and Applications of Nanostructures”. Reviews and Short Notes, Minsk, Belarus, 26-29 May 2015. World Scientific Publ.. 2015. P. 402-405.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Pitirimova E.A. Anomalous Hall effect at room temperature in InFeAs layers obtained by laser deposition // International Conference “Spin physics, spin chemistry and spin technology”, June 1-5, 2015. St. Petersburg, Russia. Proceedings. St. Petersburg. 2015. P. 104.

Данилов Ю.А. Применение лазерных пучков в изготовлении и диагностике наноструктур // Труды VIII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур», Рязань. РГРТУ, т. 2. 2015. С. 60-69.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Диагностика структур с двухслойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным инжектором GaMnAs // Труды VIII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 14-18 cентября, Рязань. РГРТУ, т.3. 2015. С. 95-99.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксия ферромагнитных квазикристаллов MnxGay на поверхности GaAs // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015.. Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН.. 2015. С. 131.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Питиримова Е.А., Темирязев А.Г., Темирязева М.П., Iikawa F. Спиновые светоизлучающие диоды на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs с ферромагнитным инжектором CoPt // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015.. Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН.. 2015. С. 309.

Публикации в научных журналах

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Чунин И.И., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 102-106.

Ganshina E.A., Golik L.L., Kunkova Z.E., Kovalev V.I., Markin Y.V., Novikov A.I., Zykov G.S., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Magneto-Optical Evidence for Intrinsic Ferromagnetism in (Ga,Mn)As Layers Grown by Pulsed Laser Deposition // Solid State Phenomena. V. 233-2. 2015. P. 101-104.

Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И., Павлов Д.А., Сайед С. Применение кобальта в спиновых светоизлучающих диодах Шоттки с квантовыми ямами InGaAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 7. 2015. С. 57-60.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kalentyeva I.L., Nezhdanov A.V., Chunin I.I., Yunin P.A. Raman Spectroscopy of InGaAs/GaAs Nanoheterostructures Delta-doped with Mn // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 99-103.

Zdoroveishchev A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Vedy M.V., Danilov Yu.A., Erofeeva I.V., Kryukov R.N., Nikolichev D.E. CoPt Ferromagnetic Injector in Light-Emitting Schottky Diodes Based on InGaAs/GaAs Nanostructures // Semiconductors. № 12. V. 49. 2015. P. 1601-1604.

Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I., Pavlov D.A., S. Saeid Application of Cobalt in Spin Light-Emitting Schottky Diodes with InGaAs/GaAs Quantum Wells // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron, and Neutron Techniques. № 4. V. 9. 2015. P. 706-709.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1478-1483.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Mendes U., Brum J.A., Demina P.B., Malysheva E.I., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V. The circular polarization inversion in deltaMn/InGaAs/GaAs light-emitting diodes // Applied Physics Letters. № 4. V. 107. 2015. P. 042406, 1-4.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1649-1653.

Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V. Optical and magnetotransport properties of InGaAs/GaAsSb/GaAs structures doped with a magnetic impurity // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1430-1434.

2014

Труды (тезисы) конференции

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоёв MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Том 1. 2014. С. 135-136.

Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И., Павлов Д.А., Сайед С. Влияние металлической пленки кобальта на структуру и свойства светоизлучающего диода с квантовыми ямами InGaAs/GaAs // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Том 1. 2014. С. 146-147.

Планкина С.М., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Скворцов В.В., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". 10-14 марта 2014 г. Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского университета, т.1. 2014. С. 186-187.

Демидов Е.С., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Карзанов В.В., Бударин Л.И., Скопин Е.В. Магнито-транспортные и магниторезонаторные свойства металлических структур спинового клапана // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 11-14 марта 2014 г.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госун-та. Т.1. 728 с. 2014. С. 131-132.

Зайцев С.В., Акимов И.А., Данилов Ю.А. Когерентная спиновая динамика в гибридных ферромагнитных структурах дельтаMn/GaAs/InGaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVIII Международного симпозиума. Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госун-та. Т.1.. 2014. С. 143-144.

Алафердов А.В., Балашов С.М., Canesqui M.A., Parada S., Данилов Ю.А., Мошкалев С.А. Формирование тонких пленок многослойного графена // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVIII Международного симпозиума. Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госун-та. Т.1.. 2014. С. 225-226.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Юнин П.А. Свойства квантовых ям GaAs/InGaAs/GaAs, легированных атомами переходных 3d-элементов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVIII Международного симпозиума. Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госун-та. Т.2.. 2014. С. 446-447.

Сайед С., Данилов Ю.А. Влияние промежуточного слоя Al2O3 на свойства подконтактных областей структур «ферромагнитный металл/GaAs» // Двадцатая всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых. Материалы конференции, г. Ижевск, 27 марта-3 апреля 2014 г.. Ижевск. 2014. С. 190-191.

Якубов Р.Р., Лесников В.П., Кудрин А.В., Данилов Ю.А. Сравнение методов измерения намагниченности полупроводниковых наноструктур // Двадцатая всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых. Материалы конференции, г. Ижевск, 27 марта-3 апреля 2014 г.. Ижевск. 2014. С. 261-262.

Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Петрякова Е.В., Питиримова Е.А. Исследование структуры и свойств слоев InFeAs, нанесенных лазерным распылением // Третья школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. 15-17 мая 2014 г. Конспекты лекций и тезисы докладов.. Нижний Новгород: изд-во ННГУ, 2014. 2014. С. 148.

Balanta M.A.G., Mendes U.C., Gazoto A.L., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Brum J.A., Maialle M.Z., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Optical properties of two-dimensional III-V diluted magnetic semiconductors // 5th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology, 30 March – 2 April 2014, Vanderbijlpark, South Africa. Vanderbijlpark. 2014. P. 22-23.

Danilov Yu.A., Drozdov Yu.N., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Pitirimova E.A., Vikhrova O.V., Yunin P.A., Zvonkov B.N. Ferromagnetism in InFeAs layers, formed by laser deposition // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts.. MSU. 2014. P. 203.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Light-emitting GaAsSb/GaAs structures with GaMnAs ferromagnetic injector // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 233.

Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Saied S. Study of factors that influence on the work of light-emitting spintronic diodes with InGaAs/GaAs quantum wells // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 242.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxy of MnGa ferromagnetic films on GaAs (100) for spintronic applications // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 253.

Ganshina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., Kunkova Z.E., Markin Yu.V., Novikov A.I., Zykov G.S., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Magneto-optical evidence for intrinsic ferromagnetism in (Ga,Mn)As layers grown by pulsed-laser deposition // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 367.

Korenev V.L., Akimov I.A., Zaitsev S.V., Sapega V.F., Langer L., Yakovlev D.R., Danilov Yu.A., Bayer M. Carrier spin polarization in hybrid structure semiconductor/ferromagnetic GaMnAs // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 641.

Данилов Ю.А. Определение характеристик магнитных полупроводниковых наноструктур оптическими методами // Труды VII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 15-19 сентября 2014 г., Рязань. Рязань: изд-во РГРТУ. Т.2. 2014. С. 126-135.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Исследование возможности создания на основе слоев оксида алюминия подзатворного диэлектрика для арсенид-галлиевых структур // Труды VII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 15-19 сентября 2014 г., Рязань. Рязань: изд-во РГРТУ. Т.3. 2014. С. 93-97.

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Лесников В.П., Boudinov H., Canesqui M.A., Cichelero R. Эффекты ионной имплантации в ферромагнитных полупроводниках типа А3МВ5, где М=Mn, Fe // V Всероссийская конференция и щкола молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. 27-31 октября 2014 года, Нижний Новгород. ННГУ. 2014. С. 43-44.

Данилов Ю.А., Дудин Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Петрякова Е.В., Питиримова Е.А., Якубов Р.Р. Исследование свойств и структуры слоев InFeAs, полученных импульсным лазерным нанесением // XXXIII Научные чтения имени академика Н.В. Белова. Тезисы докладов конференции. Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2014. С. 123-125.

Публикации в научных журналах

Бобров А.И., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Павлова Е.Д. Структурное совершенство и распределение примеси в магнитных полупроводниковых наногетеросистемах на основе GaAs // Известия РАН. Серия физическая. № 1. Т. 78. 2014. С. 18-21.

Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Drozdov Yu.N., Drozdov M.N., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Pavlova E.D. Structural Perfection and the Distribution of Impurities in Magnetic Semiconductor Nanoheterosystems Based on GaAs // Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. № 1. V. 78. 2014. P. 6-8.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Юнин П.А. Влияние особенностей дизайна гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства // Известия РАН. Серия физическая. № 1. Т. 78. 2014. С. 26-31.

Alaferdov A.V., Gholamipour-Shirazi A., Canesqui M.A., Danilov Yu.A., Moshkalev S.A. Size-controlled synthesis of graphite nanoflakes and multi-layer graphene by liquid phase exfoliation of natural graphite // Carbon. V. 69. 2014. P. 525-535.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 5. 2014. С. 28-34.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А. Циркулярная поляризация электролюминесценции светоизлучающих диодов на основе GaAsMn // Вестник ННГУ им.Н.И.Лобачевского. № 1(2). 2014. С. 94-99.

Kudrin A.V., Shvetsov A.V., Danilov Yu.A., Timopheev A.A., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Sobolev N.A. Anomalous Hall effect in two-phase semiconductor structures: The role of ferromagnetic inclusions // Phys. Rev. B. № 02. V. 90. 2014. P. 024415, 1-7.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией // Физика твердого тела. № 10. Т. 56. 2014. С. 2062-2065.

Вихрова О.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Калентьева И.Л. Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs // Письма в журнал технической физики. № 20. Т. 40. 2014. С. 96-103.

Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zdoroveishchev A.V., Rykov A.V., Zvonkov B.N. Temperature dependence of the circular polarization of electroluminescence from spin-polarized light-emitting diodes based on InGaAs/GaAs heterostructures // Journal of Surface Investigations. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 3. V. 8. 2014. P. 433-439.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxial Growth of MnGa/GaAs Layers for Diodes with Spin Injection // Physics of the Solid State. № 10. V. 56. 2014. P. 2131-2134.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Зубков С.Ю. Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом // Журнал технической физики. № 12. Т. 84. 2014. С. 102-106.

Vikhrova O.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L. The effect of Ferromagnetic Mn-Delta-Doped Layer on the Emission Properties of GaAsSb/GaAs and InGaAs/GaAsSb/GaAs Heterostructures // Technical Physics Letters. № 10. V. 40. 2014. P. 930-933.

Алафердов А.В., Балашов С.М., Канески М.А., Парада С., Данилов Ю.А., Мошкалев С.А. Формирование тонких, гибких и проводящих пленок из многослойного графена // Известия РАН. Серия физическая. № 12. 2014. [принято к печати]

Akimov I.A., Korenev V.L., Sapega V.F., Langer L., Zaitsev S.V., Danilov Yu.A., Yakovlev D.R., Bayer M. Orientation of electron spins in hybrid ferromagnet-semiconductor nanostructures // Physica Status Solidi B. № 9. V. 251. 2014. P. 1663-1672.

Balanta M. A. G., Brasil M. J. S. P., Iikawa F., Brum J.A., Mendes Udson C., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Effects of a nearby Mn delta layer on the optical properties of an InGaAs/GaAs quantum well // Journal of Applied Physics. № 20. V. 116. 2014. P. 203501, 1-7.

Alaferdov A.V., Balashov S.M., Canesqui M.A., Parada S., Danilov Yu.A., Moshkalev S.A. Formation of Thin, Flexible, Conducting Films Composed of Multilayer Graphene // Bulletin of Russian Academy of Sciences. Physics. № 12. V. 78. 2014. P. 1357-1361.

Kovalskiy V.A., Vergeles P.S., Eremenko V.G., Fokin D.A., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N. Dislocation gliding and cross-hatch morphology formation in AIII-BV epitaxial heterostructures // Applied Physics Letters. V. 105. 2014. P. 231608.

Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Zubkov S.Yu. Spin Injection of Electrons in GaMnAs/GaAs/InGaAs Light-Emitting Diode Structures // Technical Physics. № 12. V. 59. 2014. P. 1839-1843.

2013

Труды (тезисы) конференции

Данилов Ю.А. Применение ионных пучков в диагностике и модифицировании полупроводниковых наноструктур // Труды VI Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Рязань, 2013. Изд-во РГРТУ, т.2. 2013. С. 10-19.

Alaferdov A.V., Moshkalev S.A., Canesqui M.A., Danilov Yu.A. Fabrication of high quality multi-layer grapheme // Proceedings of International Conference. Nanomeeting-2013. Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Reviews and Short Notes. Minsk, Belarus, 28-31 May2013. World Scientific. 2013. P. 393-396.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 116-117.

Данилов Ю.А., Демидов Е.С., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Карзанов В.В., Демидова Н.Е., Бударин Л.И., Скопин Е.В. Магниторезонансные и магнито-транспортные свойства металлических структур спинового клапана // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 112-113.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Кудрин А.В. Влияние особенностей дизайна гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 122-123.

Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Malysheva E.I., Vikhrova O.V., Kudrin A.V. Combination of MOVPE and laser sputtering for epitaxial growth of GaAs-based ferromagnetic semiconductor heterostructures // 15th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (EWMOVPE XV), June 2-5, 2013, Aachen, Germany. Extended Abstracts. Julich: Forschungszentrum. 2013. P. 219-222.

Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L. Peculiarities of manifestation of spin-dependent effects in the ferromagnetic quantum confined GaAs structures // Proceedings of International Conference. Nanomeeting-2013. Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Reviews and Short Notes. Minsk, Belarus, 28-31 May2013. World Scientific. 2013. P. 40-42.

Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В. Материалы спиновой электроники // Форум молодых учёных. Нижний Новгород. 16-18 сентября 2013. Тезисы докладов.. Издательство ННГУ. 2013. 3С. 2013. С. 134-136.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Ферромагнитные свойства наноструктур на основе гетеросистемы InGaAs/GaAs-дельта Mn // Всероссийская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. С. Петербург. 16-20 сентября 2013.. Изд-во ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 2013. С. 312.

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И. Спиновые светоизлучающие приборы на основе гетероструктур InGaAs/GaAs // Пассивные электронные компоненты – 2013. Труды науч.-тех. конференции, Н.Новгород, 23-26 апреля 2013. Н. Новгород: «КБ «Икар»». 2013. С. 38-40.

Бобров А.И., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Павлова Е.Д. Структурное совершенство и распределение примеси в магнитных полупроводниковых наногетеросистемах на основе GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII Международного симпозиума. 11 – 15 марта 2013 г. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 110-111.

Kudrin A.V., Shvetsov A.V., Danilov Yu.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V. Anomalous Hall effect in two-phase semiconductor structures: the crucial role of ferromagnetic inclusions // Abstracts Book Donostia International Conference on Nanoscaled Magnetism and Applications, Donostia-San Sebastian, 9 to 13 September, 2013. Donostia-San Sebastian. 2013. P. 322.

Kudrin A.V., Shvetsov A.V., Danilov Yu.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V. Anomalous Hall effect in two-phase semiconductor structures: the determinative role of ferromagnetic inclusions // Book of Abstracts V Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism.. 15th-21st September 2013 Russky Island, Vladivostok, Russia. 2013. P. 281.

Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В. Спиновые светоизлучающие диоды на основе ферромагнитных полупроводников (A3,Mn)B5 // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: сб. тр. 12-й Междунар. науч. конф.-шк., Саранск, 1–4 окт. 2013 г.. Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2013. – 204 с. 2013. С. 78-87.

Коренев В.Л., Акимов И.А., Зайцев С.В., Сапега В.Ф., Лангер Л., Яковлев Д.Р., Данилов Ю.А., Байер М. Динамическая поляризация спинов в гибридной структуре ферромагнетик/полупроводник // XI Российская конференция по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 16-20 сентября 2013. Тезисы докладов. Санкт-Петербург: Изд-во ФТИ им.А.Ф. Иоффе. 2013. С. 35.

Акимов И.А., Коренев В.Л., Зайцев С.В., Сапега В.Ф., Яковлев Д.Р., Данилов Ю.А., Байер М. Когерентная спиновая динамика в гибридных ферромагнитных структурах дельтаMn/GaAs/InGaAs // XI Российская конференция по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 16-20 сентября 2013. Тезисы докладов. Санкт-Петербург: Изд-во ФТИ им.А.Ф. Иоффе. 2013. С. 310.

Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Mendes U.C., Brum J.A., Maialle M.Z., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Effect of nearby Mn ions on the spin dynamics of confined electrons // Spintech VII. Spintech VII. 2013. P. GD3.

Ganshina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., Kunkova Z.E., Markin Yu.V., Novikov A.I., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Magneto-optical properties of composite GaMnAs layers deposited by pulse laser ablation // International Conference “Functional Materials”. ICFM-2013. Abstracts. Ukraine, Crimea, Partenit. Partenit. 2013. P. 201.

Кудрин А.В., Лесников В.П., Якубов Р.Р., Данилов Ю.А. Измерение намагниченности полупроводниковых ферромагнитных наноструктур // Труды всероссийской молодежной школы-семинара «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 21-25 октября 2013 г.. Рязань. 2013. С. 54-57.

Сайед С., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А. Исследование структуры и свойств гетеронанокомпозиций Co/GaAs // Труды всероссийской молодежной школы-семинара «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 21-25 октября 2013 г.. Рязань. 2013. С. 104-108.

Публикации в научных журналах

Комков О.С., Докичев Р.В., Кудрин А.В., Данилов Ю.А. Фотоотражение структур с дельта Mn-легированным слоем // Письма в журнал технической физики. № 22. Т. 39. 2013. С. 56-63.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л. Свойства гетероструктур MnSb/GaAs // Известия РАН. Сер. Физическая. № 1. Т. 77. 2013. С. 79-81.

Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Mendes U.C., Brum J.A., Maialle M.Z., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Compensation effect on the CW spin-polarization degree of Mn-based structures // Journal of Physics D: Appied Physics. № 21. V. 46. 2013. P. 215103, 1-6.

Komkov O.S., Dokichev R.V., Kudrin A.V., Danilov Yu.A. Photoreflectance of GaAs structures with a Mn delta-doped layer // Technical Physics Letters. № 11. V. 39. 2013. P. 1008-1011.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Drozdov Yu.N., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L. Properties of MnSb/GaAs Heterostructures // Bulletin of Russian Academy of Sciences. Physics. № 1. V. 77. 2013. P. 69-71.

2012

Труды (тезисы) конференции

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л. Необычные свойства гетероструктур MnSb/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. Т.1, 640 С. 2012. С. 111-112.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов с ферромагнитным полупроводниковым инжектором // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г.. Нижний Новгород. Т.1, 640 С. 2012. С. 117-118.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Malysheva E.I., Prokofyeva M.M., Zvonkov B.N. Fabrication of InGaAs/GaAs light-emitting diodes with GaMnSb and GaMnAs ferromagnetic injector layer // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 2012. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 37-38.

Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Bobrov A.I., Dunaev V.S., Pavlova E.D., Pitirimova E.A., Plankina S.M., Yakubov R.R., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Suchkov A.I. Structure, composition distribution and properties of the (Ga,Mn)Sb/GaAs and MnSb/GaAs heterosystems // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 2012. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 66-67.

Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N. The carrier transport in the ferromagnetic quantum confined structures // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 116-117.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Получение и свойства гетеронаноструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. Т.1. 2012. С. 259-260.

Питиримова Е.А., Данилов Ю.А. Влияние имплантации ионов Ar+ на свойства пленок хрома // Тезисы докладов XLII международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва, 29 – 31 мая 2012 г. 2012. С. 88.

Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N. Magnetic field controlled LED with S-shaped current-voltage characteristics // 20th Int.Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Nizhny Novgorod, Russia, June 24-30, 2012.. St. Petersburg Academic University, 2012. 2012. P. 82-83.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L., Prokofyeva M.M., Vikhrova O.V. Ferromagnetic effect of delta-Mn doping in GaAs/InGaAs heterostructures: galvanomagnetic and luminescence studies // 20th Int.Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Nizhny Novgorod, Russia, June 24-30, 2012. St. Petersburg Academic University, 2012. 2012. P. 170-171.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Prokofeva M.M., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Ferromagnetic effect of deltaMn doping in GaAs/InGaAs heterostructures // 31st International Conference on the Physics of Semiconductors. Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd, 2012. 2012. P. 228.

Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Brum J.A., Mendes U.C., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Optical investigation of the Mn impurity band in Mn:GaAs structures // 31st International Conference on the Physics of Semiconductors. Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd, 2012. 2012. P. 250-251.

Данилов Ю.А. Диагностика магнитных наноструктур на основе полупроводниковых соединений А3В5 // Труды V Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Рязань: РГРТУ. Т.II. 2012. С. 184-193.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Влияние толщины спейсерного слоя GaAs между квантовой ямой InGaAs/GaAs и дельта-слоем Mn на гальваномагнитные и светоизлучающие свойства структур // Труды V Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Рязань: РГРТУ. Т.III. 2012. С. 219-223.

Суровегина Д.А., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Данилов Ю.А. Исследование электрических свойств слоев GaAs, легированных Mn, и их изменений в результате ионной имплантации // 14-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов, 26-30 ноября 2012 года. Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та. 2012. С. 13.

Публикации в научных журналах

Прокофьева М.М., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Кудрин А.В., Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Формирование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих ферромагнитные включения // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 255-258.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Malysheva E.I., Prokofyeva M.M., Zvonkov B.N. Fabrication of InGaAs/GaAs Light-Emitting Diodes with GaMnSb Ferromagnetic Injector Layer // Solid State Phenomena. V. 190. 2012. P. 89-92.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb // Письма в журнал технической физики. № 16. Т. 38. 2012. С. 69-77.

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Шолина А.Е. Особенности формирования методом газофазной эпитаксии квантовых точек InAs/GaAs, легированных атомами Mn // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 6. 2012. С. 55-58.

Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Plankina S.M., Dunaev V.S., Nezhdanov A.V., Drozdov Yu.N. Room-Temperature Ferromagnetism in (III,Mn)Sb Semiconductors // Solid State Phenomena. V. 190. 2012. P. 109-112.

Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Kudrin A.V., Zvonkov B.N. Ferromagnetic GaAs Structures with Single Mn Delta-Layer Fabricated Using Laser Deposition // Journal of nanoscience and nanotechnology. № 6. V. 12. 2012. P. 5122-5124.

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Планкина С.М., Дунаев В.С., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Сапожников М.В. Магнитный полупроводник (Ga,Mn)Sb как перспективный материал для приборов спинтроники // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 199-201.

Danilov Yu.A., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Kalentyeva I.L., Dunaev V.S. Manganese Distribution and Galvanomagnetic Properties of DeltaMn-Doped GaAs Structures // Journal of Spintronics and Magnetic Nanomaterials. № 1. V. 1. 2012. P. 82-84.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л. Диффузия марганца в InGaAs/GaAs квантово-размерных структурах // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.. № 6. 2012. С. 51-54.

Дунаев В.С., Звонков Б.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Сучков А.И. Состав и структурное совершенство нанослоев (AIII,Mn)BV и MnBV, где A – Ga, In; B – Sb, As, P // Неорганические материалы. № 6. Т. 48. 2012. С. 643-648.

Gan’shina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., Kun’kova Z.E., Temiryazeva M.P., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Novikov A.I., Vinogradov A.N. Peculiarities in optical and magneto-optical spectra of GaMnSb layers grown by laser ablation // Solid State Phenomena. V. 190. 2012. P. 562-565.

Korenev V.I., Akimov I.A., Zaitsev S.V., Sapega V.F., Langer L., Yakovlev D.R., Danilov Yu.A., Bayer M. Dynamic spin polarization by orientation-dependent separation in a ferromagnet-semiconductor hybrid // Nature Communications. V. 3. 2012. P. 959, 1-7.

Прокофьева М.М., Данилов Ю.А. Исследование поляризационных характеристик электролюминесценции светоизлучающих диодов с квантовой ямой InGaAs/GaAs и дельтаMn-легированным слоем в GaAs-барьере // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 3. 2012. С. 37-41.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1527-1531.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Светоизлучающие диоды с ферромагнитным инжектирующим слоем на основе гетероструктур GaMnSb/InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1554-1560.

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Данилов Ю.А. Магнитоуправляемый светодиод с S-образной вольт-амперной характеристикой // Письма в журнал технической физики. № 22. Т. 38. 2012. С. 87-94.

2011

Труды (тезисы) конференции

Зайцев С.В., Дмитриев А.И., Моргунов Р.Б., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. Ферромагнетизм тонкого слоя Mn в структурах InGaAs/GaAs/дельтаMn. Магнитные и оптические исследования // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума 14-18 марта 2011. Г. Нижний Новгород. Т.2. 670 C. 2011. С. 342-343.

Прокофьева М.М., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И. Формирование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих ферромагнитные включения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г.. Нижний Новгород. Т.2., 670 С. 2011. С. 357-358.

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Зайцев С.В. Особенности формирования методом газофазной эпитаксии квантовых точек InAs/GaAs, легированных атомами Mn // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г.. Нижний Новгород. Т.2. 670 С. 2011. С. 416-417.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Kulakovskii V.D., Prokofyeva M.M., Vikhrova O.V., Zaitsev S.V., Zvonkov B.N. Electroluminescence of InGaAs/GaAs quantum size heterostructures with GaAs barrier modified by delta-Mn doping // Moscow International Symposium on Magnetism. August 21-25, 2011. Book of Abstracts. Moscow, 2011. 944 P.. 2011. P. 674.

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Кулаковский В.Д. Спиновые светодиоды: дизайн, технология выращивания структур и механизмы спиновой поляризации // X Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы конференции. 19-23 сентября 2011. Нижний Новгород. 296 С. 2011. С. 139.

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Прокофьева М.М., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. Исследование люминесценции гетероструктур In(Ga)As/GaAs, легированных атомами переходных элементов // X Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы конференции. 19-23 сентября 2011. Нижний Новгород. 296 С. 2011. С. 167.

Дунаев В.С., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Данилов Ю.А. Магниточувствительные эффекты переключения в диодных структурах с ферромагнитным слоем и квантовой ямой // Тринадцатая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов. 21-25 ноября 2011.. Санкт-Петербург: Изд-во Политехнического ун-та. 2011. С. 82.

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Планкина С.М., Дунаев В.С., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Сапожников М.В. Магнитный полупроводник (Ga,Mn)Sb как перспективный материал для приборов спинтроники // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г. Нижний Новгород. T.1. 670 C. 2011. С. 129-130.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л. Диффузия марганца в InGaAs/GaAs квантово-размерных структурах // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г. Нижний Новгород. Т.2. 670 С. 2011. С. 424-425.

Данилов Ю.А. Спиновые эффекты в полупроводниковых наногетероструктурах // Вторая школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. 19-21 мая 2011 г. Конспекты лекций и тезисы докладов. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2011. С. 11-13.

Дунаев В.С., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н. Определение элементного состава нанослоев ферромагнитных полупроводников (III,Mn)V // Вторая школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. 19-21 мая 2011 г. Конспекты лекций и тезисы докладов. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2011. С. 94-95.

Суровегина Д.А., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Вихрова О.В. Исследование кристаллической структуры, магнитных, гальваномагнитных свойств слоев антимонидов галлия и индия, легированных марганцем // Вторая школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. 19-21 мая 2011 г. Конспекты лекций и тезисы докладов. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2011. С. 123-124.

Звонков Б.Н., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Дудин Ю.А., Суровегина Д.А. Электрические и гальваномагнитные свойства слоев полупроводника GaSb, сильнолегированного марганцем // Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ и применение. XIV конференция и VI школа молодых ученых. Нижний Новгород, 30 мая – 2 июня 2011 года. Тезисы докладов. Нижний Новгород. 2011. С. 224-225.

Дунаев В.С., Звонков Б.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Сучков А.И. Определение состава и структурного совершенства нанослоев ферромагнитных полупроводников (AIII,Mn)BV и полуметаллических соединений типа MnBV // Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ и применение. XIV конференция и VI школа молодых ученых. Нижний Новгород, 30 мая – 2 июня 2011 года. Тезисы докладов. Нижний Новгород. 2011. С. 219.

Питиримова Е.А., Данилов Ю.А. Изучение структуры пленок Cr, облученных ионами Ar+ // Тезисы докладов XLI международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва 31 мая – 2 июня 2011). М.: Университетская книга. 2011. С. 102.

Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Plankina S.M., Dunaev V.S., Nezhdanov A.V., Drozdov Yu.N. Room-temperature ferromagnetism in (III,Mn)Sb semiconductors // Moscow International Symposium on Magnetism. August 21-25, 2011. Book of Abstracts. Moscow. 944 P. 2011. P. 688.

Gan’shina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., Kun’kova Z.E., Temiryazeva M.P., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Novikov A.I., Vinogradov A.N. Peculiarities in optical and magneto-optical spectra of GaMnSb layers grown by laser ablation // Moscow International Symposium on Magnetism. August 21-25, 2011. Book of Abstracts. Moscow. 944 P. 2011. P. 719-720.

Danilov Yu.A., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Dunaev V.S., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Distribution of Mn and galvanomagnetic properties for deltaMn-doped GaAs structures // Moscow International Symposium on Magnetism. August 21-25, 2011. Book of Abstracts. Moscow. 944 P. 2011. P. 726.

Питиримова Е.А., Данилов Ю.А. Влияние облучения ионами аргона на структуру металлических пленок Cr // Взаимодействие ионов с поверхностью. Труды XX Международной конференции. 25-29 августа 2011 г. Звенигород. Москва. Т.2. 2011. С. 248-250.

Данилов Ю.А. Определение характеристик магнитных полупроводниковых наногетероструктур // Труды Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 12-16 сентября 2011 г. Рязань. Т.2. 2011. С. 253-268.

Дунаев В.С., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н. Определение и анализ элементного состава нанослоев ферромагнитных полупроводников типа (III,Mn)V // Труды Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 12-16 сентября 2011 г. Рязань. Т.3. 2011. С. 222-226.

Зубков В.И., Кудрин А.В., Кучерова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. Взаимодействие квантовых ям InGaAs/GaAs с дельта-легированными слоями // X Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы конференции. Нижний Новгород, 19 -23 сентября 2011. 296 С. 2011. С. 57.

Суровегина Д.А., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Данилов Ю.А. Исследование свойств нанослоев GaMnSb, полученных методом лазерного нанесения // Тринадцатая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов. 21-25 ноября 2011 года. Санкт-Петербург. Изд-во Политехнического ун-та. 2011. С. 21.

Дунаев В.С., Звонков Б.Н., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Сучков А.И., Данилов Ю.А. Анализ элементного состава и границы раздела с подложкой нанослоев ферромагнитного полупроводника GaMnSb и полуметаллического соединения MnSb // Тринадцатая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов. 21-25 ноября 2011 года. Санкт-Петербург. Изд-во Политехнического ун-та. 2011. С. 22.

Питиримова Е.А., Данилов Ю.А. Влияние имплантации ионов Ar+ на размер зерен пленок хрома // Сборник трудов конференции «ХХХ научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова». 20-21 декабря 2011 г., Нижний Новгород. 2011. С. 157.

Zaitsev S.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Magneto-optics of Ferromagnetic InGaAs/GaAs/deltaMn Heterostructures // AIP Conference Procedings. V.1399. 2011. P. 651-652.

Публикации в научных журналах

Danilov Yu.A., Drozdov Yu.N., Dorokhin M.V., Kulakovskii V.D., Prokofyeva M.M., Zaitsev S.V., Zvonkov B.N. Fabrication and Study of Spin Light-Emitting Nanoheterostructures on the Basis of III-V Semiconductors // Solid State Phenomena. V. 168-1. 2011. P. 55-58.

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И. Светодиоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитоуправляемой электролюминесценцией // Письма в журнал технической физики. № 24. Т. 37. 2011. С. 57-65.

Дмитриев А.И., Таланцев А.Д., Зайцев С.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Коплак О.В., Моргунов Р.Б. Фотолюминесцентный отклик квантовой ямы на изменение магнитного поля дельта-слоя Mn в гетероструктурах InGaAs/GaAs // Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 1(7). Т. 140. 2011. С. 158-169.

Gan’shina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., Kun’kova Z.E., Temiryazeva M.P., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Rubacheva A.D., Tcherbak P.N., Vinogradov A.N. On Nature of Resonant Transversal Kerr Effect in InMnAs and GaMnAs Layers // Solid State Phenomena. V. 168-1. 2011. P. 35-38.

Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Ferromagnetic Semiconductors and Half-Metal Compounds Obtained by Laser Deposition // Solid State Phenomena. V. 168-1. 2011. P. 245-248.

Samantilleke A.P., Rebouta L., Garim V., Rubio-Pena L., Lanseros-Mendez S., Alpuim P., Karvalho S., Kudrin A.V., Danilov Yu.A. Cohesive strength of nanocrystalline ZnO:Ga thin films deposited at room temperature // Nanoscale Research Letters. V. 6. 2011. P. 309, 1-5.

Gazoto A.L., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Brum J.A., Ribeiro E., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Enhanced magneto-optical oscillations from two-dimensional hole-gases in the presence of Mn ions // Applied Physics Letters. № 25. V. 98. 2011. P. 251901, 1-3.

Alaferdov A.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Drozdov Yu.N., Nicolodi S. Structure, magnetic and electrical properties of InMnAs layers with MnAs inclusions // Smart Nanomaterials. № 1. V. 2. 2011. P. 19-27.

Патенты, авторские свидетельства

2017

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Шарапов А.Н. Способ имитационного тестирования стойкости приборной структуры к облучению быстрыми нейтронами (варианты) (Патент).

2016

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Калентьева И.Л. Светоизлучающий диод на основе гетероструктуры второго рода (Патент).

Данилов Юрий Александрович
Контакты

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского