Чурин Андрей Юрьевич

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2020

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю. Терагерцовое детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в гетеронаноструктурах для повышения точности расчетно-экспериментальной оценки радиационной стойкости изделий наноэлектроники // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Боженькина А.Д., Кудряшов М.Ю., Насеткин К.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю. Разработка методов и средств расчетно-экспериментального моделирования физических процессов в перспективных нанометровых полупроводниковых гетероструктурах при воздействии излучений космического пространства. // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. С. 70-72.

2016

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Козлов В.А., Китаев М.А. Исследование генерации СВЧ-сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 841 стр.. 2016. С. 682-683.

Тарасова Е.А., Хананова А.В., Оболенский С.В., Чурин А.Ю. Методика анализа профилей легирования GaAs структур до и после гамма-нейтронного воздействия в диапазоне температур // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 65-66.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Козлов В.А., Чурин А.Ю. Моделирование радиационной стойкости планарных диодов Ганна с управляющим электродом // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 73-74.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Тарасова Е.А., Павельев Д.Г., Чурин А.Ю. Исследование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках и диодах Ганна в условиях радиационного воздействия // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 24–27 октября 2016 г.). –Н.Новгород, 2016. – 141 с.. 2016. С. 33-35.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Козлов В.А. Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1605-1609.

Obolenskaya E.S., Tarasova E.A., Churin A.Yu., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Microwave-Signal Generation in a Planar Gunn Diode with Radiation Exposure Taken into Account // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1580-1584.

2015

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Мурель А.В., Шашкин В.И. Транспорт электронов в диодных и транзисторных δ-легированных структурах при радиационном воздействии // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.) В 2 т. Том II.— Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015. — 359 с.. Т. 1. 2015.. 2015. С. 34-35.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Чурин А.Ю., Иванов В.А., Медведев Г.В. Методика анализа профилей легирования GaAs структур до и после гамма-воздействия // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т 1, 2 стр.. 2015. С. 61-62.

Оболенский С.В., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Шашкин В.И., Мурель А.В. РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ ПЛАНАРНЫХ ДИОДОВ ГАННА // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 11. Т. 49. 2015. С. 1507-1515.

Потехин А.А., Оболенский С.В., Забавичев И.Ю., Рябов А.А., Линев А.В., Чурин А.Ю., Ротков Л.Ю. СТРУКТУРА ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ СРЕДСТВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНФОРМАЦИОННАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ ПРОЦЕДУРЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика ядерных реакторов. № 2. Т. 1. 2015. С. 24-30.

2014

Потехин А.А., Рябов А.А., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Использование стенда для измерения статических и импульсных вольтамперных характеристик полупроводниковых структур и оценка угроз информационной безопасности локальной вычислительной сети // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной дню радио, Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г.. Т. 1., 2 стр.. 2014. С. 41-42.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Применение атомно-силового микроскопа при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и создание информационно-защищенного канала обмена результатами измерений // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной дню радио, Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г... Т. 1, с. 3. 2014. С. 42-44.

Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Мурель А.В., Шашкин В.И. Транспорт электронов в диодах и транзисторах с двумерным электронным газом при радиационном воздействии // Сборник тезисов 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 10-14 марта, 2015 г.. Т. 1. 2014. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Использование атомносилового микроскопа при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и создание информационнозащищенного канала обмена результатами измерений. // Труды 4-ой Всероссийской конференции «Радиоэлектронные средства получения, обработки и визуализации информации», 24-26 сентября 2014 г.. Http://www.rf.unn.ru/eledep/conferences.html. 2014. С. 10.

Потехин А.А., Рябов А.А., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Применение стенда для измерения статических и импульсных вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и структур и оценка угроз информационной безопасности локальной вычислительной сети. // Труды 4-ой Всероссийской конференции «Радиоэлектронные средства получения, обработки и визуализации информации», 24-26 сентября 2014 г.. Http://www.rf.unn.ru/eledep/conferences.html. 2014. С. 10.

Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Транспорт электронов в планарном диоде Ганна // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио. Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио (Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г.) /Под ред. С.М. Грача, А.В. Якимова. Нижний Новгород: ННГУ, 2014. – с.48-50. 2014. С. 2.

Потехин А.А., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Использование стенда для измерения статических и импульсных вольт-амперных характеристик при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и оценка угроз информационной безопасности локальной вычислительной сети // Сборник тезисов докладов всероссийской конференции «Стойкость-2014». 2014. С. 81-82.

Забавичев И.Ю., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Применение атомно-силового микроскопа при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и создание информационно-защищенного канала обмена результатами измерений // Сборник тезисов докладов всероссийской конференции «Стойкость-2014». 2014. С. 273-274.

2013

Оболенский С.В., Басаргина Н.В., В.П.Шукайло, С.М.Дубровских, И.В.Ворожцова, Чурин А.Ю., Тарасова Е.А. Исследование процессов в GaN транзисторах с двумерным электронным газом при гамма-нейтронном облучении // Труды XVII международной конференции "Нанофизика и наноэлектроника". Изд. ИФМ РАН, 11-15 марта 2013 г, т.2. 2013. С. 542-543.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Клюев А.В., Шмелев Е.И., Якимов А.В. Транспорт электронов в терагерцовом диоде Шоттки в момент формирования кластера радиационных дефектов // Труды XVII международной конференции "Нанофизика и наноэлектроника". Изд. ИФМ РАН, 11-15 марта 2013 г, т.2. 2013. С. 546-547.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Якимов А.В., Клюев А.В., Шмелев Е.И., Демидова Д.С., Оболенская Е.С. Исследование транспорта электронов в терагерцовом диоде Шоттки в момент формированиякластера радиационных дефектов // Всероссийская научно-техническая конференция «Стойкость - 2013», г. Лыткарино, Московской области, 2-3 июня 2013 г.. . 123 с.. 2013. С. 115-116.. Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 123 с.. 2013. С. 115-116.

Оболенский С.В., Волкова Е.В., Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Клюев А.В., Шмелев Е.И., Якимов А.В. Транспорт электронов в терагерцовом диоде Шоттки в условиях нейтронного облучения // Тезисы докладов форума молодых ученых. ННГУ, 16-18 сентября,. 2013. С. 120-122.

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Шукайло В.П., Басаргина Н.В., Ткачев О.В., Дубровских С.М. Исследование спектров электролюминисценции светодиодов на основе GaN структур при нейтронном облучении // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. № 1. 2013. С. 60-65.

Тарасова Е.А., Басаргина Н.В., Ворожцова И.В., Дубровских С.М., Ткачев О.В., Шукайло В.П., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Влияние гамма-нейтронного излучения на GaN транзисторы с двумерным электронным газом // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 3. Т. 1. 2013. С. 61-65.