Чигинева Анна Борисовна

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория эпитаксиальной технологии

научный сотрудник

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур"

Научно-исследовательская лаборатория стохастических мультистабильных систем

научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 28 лет, 11 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
магистр. Специальность: микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Квалификация: магистр физики.

Высшее образование
Специальность: микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Квалификация: инженер-физик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

14.11.2017 - 14.11.2017
Повышение квалификации: специальная подготовка по качеству, АНО ЦРМ "СПК", документ № № 8384/спк от 14.11.2017

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2023

Труды (тезисы) конференции

Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Жидяев К.С. Влияние конструктивных особенностей базовых слоев ГФЭ МОС GaAs-тиристоров на их напряжение переключения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума (13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород). Изд-во ИПФ РАН, т. 2, 468 с. 2023. С. 584-585.

Публикации в научных журналах

Самарцев И.В., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Чигинева А.Б., Жидяев К.С., Дикарева Н.В., Планкина С.М., Нежданов А.В., Ершов А.В. InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17−1.29мкм с дискретным метаморфным буферным слоем // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 57. 2023. С. 495-500.

Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Rykov A.V., Chigineva A.B., Chechenin Yu.I., Chilikov A.A., Pankov S.V. Epitaxial Structures for Low-Barrier Mixing Microwave Diodes Grown on a GaAs Substrate // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 6. V. 87. 2023. P. 857-861.

2022

Труды (тезисы) конференции

Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Жидяев К.С., Кукушкин В.А. Оптимизация параметров ГФЭ МОС GaAs тиристорных структур, для увеличения напряжения их переключения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 1061-1062.

Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев А.В., Жидяев К.С., Чигинева А.Б., Орлова А.Н., Павлов Д.А., Афоненко А.А., Ушаков Д.В. Особенности генерации волноводных мод в многоямных гетеролазерах // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. – Т.2. – 501 с. 2022. С. 948-949.

Жидяев К.С., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Чигинева А.Б., Самарцев И.В., Крюков А.В., Токарев В.А., Баклашов Д.И. Генерация оптических импульсов наносекундного диапазона в многоямных InGaAs/GaAs/AlGaAs гетеролазерах с увеличенной активной областью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 784-785.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Жидяев К.С., Чигинева А.Б., Чеченин Ю.И., Щитов А.М., Чиликов А.А., Панков С.В. Разработка и исследование эпитаксиальных структур InP на GaAs подложках // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. – Т.2. – 501 с. 2022. С. 950-951.

Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Chigineva A.B., Zhidyaev K.S. Metamorphic InGaAs photodiode with low dark current grown on GaAs substrate // 9th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Books of abstracts (May, 24-27, 2022, Saint-Petersburg, Russia). HSE University - St. Petersburg, 736 p. 2022. P. 203-204.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Чигинева А.Б., Чеченин Ю.И. Метаморфные гетероструктуры для InP/GaAs СВЧ – диодов // XV Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов (3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород). ИПФ РАН. – 464 с. 2022. С. 120.

Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Жидяев К.С., Некоркин С.М., Самарцев И.В. Тиристорные A3B5-структуры, выращенные методом ГФЭ МОС, и приборы на их основе // XV Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов (3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород). ИПФ РАН. – 464 с. 2022. С. 385.

Самарцев И.В., Звонков Б.Н., Чигинева А.Б., Жидяев К.С., Планкина С.М. Фоточувствительные гетероструктуры на длину волны до 1,25 мкм, сформированные на подложках GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии // Современные проблемы физико-математических наук: VIII-я Всероссийская научно-практическая конференция с международным участием (СПФМН-2022), 25-26 ноября 2022, г. Орёл, Россия. Изд-во ОГУ. 2022. С. 10.

Орлова А.Н., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Жидяев К.С., Чигинева А.Б., Самарцев И.В. Исследование динамических характеристик лазерных диодов с увеличенной активной областью // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с. 2022. С. 46-48.

Жидяев К.С., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В. Генератор коротких оптических импульсов на основе гибридного лазера - тиристора с увеличенной активной областью // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с. 2022. С. 64-67.

Чигинева А.Б., Жидяев К.С., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Кукушкин В.А. Возможности приборного применения тиристорных А3В5 структур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с. 2022. С. 85-88.

Жидяев К.С., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Терешин А.И., Токарев В.А., Крюков А.В., Баклашов Д.И. Низковольтный тиристор на основе GaAs как коммутатор для низкоимпедансной нагрузки // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с. 2022. С. 124-127.

Себина А.А., Жидяев К.С., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В. Двухуровневая генерация многоямных гетеролазеров с выходом излучения через подложку // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с.. 2022. С. -. [принято к печати]

Публикации в научных журналах

Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Жидяев К.С., Котомина В.Е., Самарцев И.В. Влияние химической обработки и топологии поверхности на блокирующее напряжение GaAs тиристорных мезаструктур, выращенных методом ГФЭ МОС // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 56. 2022. С. 134-138.

2021

Труды (тезисы) конференции

Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Жидяев К.С., Котомина В.Е., Ершов А.В., Токарев В.А., Крюков А.В., Баклашов Д.И. Влияние конструктивных и технологических особенностей на напряжение переключения низковольтных GaAs тиристорных структур, выращенных методом ГФЭ МОС // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (9–12 марта 2021г., Нижний Новгород). Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т. 2, 470 с. 2021. С. 915-916.

Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Жидяев К.С., Чигинева А.Б., Шейков Ю.В., Батьянов С.М., Руднев А.В., Ерунов С.В., Михайлов А.Л. Межзонный двухкаскадный лазер с двадцатью квантовыми ямами в активной области // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (9 - 12 марта 2021, Н.Новгород, Россия). Изд-во Нижегород. госуниверситета, Т. 2, 470 с. 2021. С. 780-781.

Жидяев К.С., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Себина А.А. Генератор коротких оптических импульсов на основе гибридного лазера-тиристора с увеличенной активной областью // XXV научная конференция по радиофизике. 14-26 мая 2021г., Н.Новгород, Россия. -. 2021. С. -. [принято к печати]

2020

Сборники статей

Чигинева А.Б., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Жидяев К.С., Самарцев И.В. Сульфидная пассивация GaAs тиристорных меза-структур // Сборник статей XXXIV Международной научно-практической конференции «EurasiaScience». М.: НИЦ «Актуальность.РФ», Ч.1, 216 с. 2020. С. 119-121.

Труды (тезисы) конференции

Чигинева А.Б., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Жидяев К.С., Крюков А.В., Токарев В.А., Баклашов Д.И. Низковольтные тиристоры на основе GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (10 - 13 марта 2020, Н.Новгород, Россия). Изд-во Нижегород. госуниверситета, Т.2, 505 с. 2020. С. 794-795.

2019

Труды (тезисы) конференции

Чигинева А.Б., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Жидяев К.С., Демидов Е.В., Крюков А.В., Токарев В.А., Баклашов Д.И. Низковольтные тиристорные структуры на основе GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Изд-во Нижегородского госуниверситета. - Т.2.– 501 с. 2019. С. 874-875.

2018

Труды (тезисы) конференции

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Исследование InGaP/GaAs/InGaAs межзонных каскадных лазеров с вытекающей модой, выращенных на GaAs подложках с различным уровнем легирования // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898с. 2018. С. 589-590.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Чигинева А.Б., Пашенькин И.Ю., Байдусь Н.В. Разработка и исследование фотоприемников на длину волны 1,06 мкм с метаморфными буферными слоями на подложках GaAs // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898с. 2018. С. 757-758.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Демидов Е.С., Чигинева А.Б., Самарцев И.В., Вихрова О.В. Тиристор с оптической передачей эмиттерного тока на основе GaAs // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898с. 2018. С. 811-812.

Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Ершов А.В., Здоровейщев А.В., Котомина В.Е., Некоркин С.М., Самарцев И.В., Чигинева А.Б. Комбинированная структура – оптический тиристор и светодиод с гетеропереходами GaAs/InGaP // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898 с. 2018. С. 625-626.

Публикации в научных журналах

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Пашенькин И.Ю., Дикарева Н.В., Чигинева А.Б. Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 52. 2018. С. 1460-1463.

Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Pashenykin I.Yu., Dikareva N.V., Chigineva A.B. Photodetectors with an InGaAs Active Region and InGaP Metamorphic Buffer Layer Grown on GaAs Substrates // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1564-1567.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского