Чигинева Анна Борисовна

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория эпитаксиальной технологии

научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в Университете Лобачевского: 1994
Общий стаж работы 26 лет, 6 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
бакалавр. Специальность: микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Квалификация: магистр физики.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

14.11.2017 - 14.11.2017
Повышение квалификации: специальная подготовка по качеству, АНО ЦРМ "СПК", документ № № 8384/спк от 14.11.2017

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2021

Труды (тезисы) конференции

Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Жидяев К.С., Котомина В.Е., Ершов А.В., Токарев В.А., Крюков А.В., Баклашов Д.И. Влияние конструктивных и технологических особенностей на напряжение переключения низковольтных GaAs тиристорных структур, выращенных методом ГФЭ МОС // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.). Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. Том 2, 2 стр.. 2021. С. 915-916.

2018

Труды (тезисы) конференции

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Исследование InGaP/GaAs/InGaAs межзонных каскадных лазеров с вытекающей модой, выращенных на GaAs подложках с различным уровнем легирования // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898с. 2018. С. 589-590.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Чигинева А.Б., Пашенькин И.Ю., Байдусь Н.В. Разработка и исследование фотоприемников на длину волны 1,06 мкм с метаморфными буферными слоями на подложках GaAs // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898с. 2018. С. 757-758.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Демидов Е.С., Чигинева А.Б., Самарцев И.В., Вихрова О.В. Тиристор с оптической передачей эмиттерного тока на основе GaAs // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898с. 2018. С. 811-812.

Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Ершов А.В., Здоровейщев А.В., Котомина В.Е., Некоркин С.М., Самарцев И.В., Чигинева А.Б. Комбинированная структура – оптический тиристор и светодиод с гетеропереходами GaAs/InGaP // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898 с. 2018. С. 625-626.

Публикации в научных журналах

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Пашенькин И.Ю., Дикарева Н.В., Чигинева А.Б. Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 52. 2018. С. 1460-1463.

Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Pashenykin I.Yu., Dikareva N.V., Chigineva A.B. Photodetectors with an InGaAs Active Region and InGaP Metamorphic Buffer Layer Grown on GaAs Substrates // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1564-1567.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского